套刻误差修正方法及装置、电子设备和存储介质与流程

所属的技术人员能够理解，本发明的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本发明的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施例、完全的软件实施例(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施例，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。下面参照图10来描述根据本公开的这种实施例的电子设备1000。图10显示的电子设备1000仅仅是一个示例，不应对本公开实施例的功能和使用范围带来任何限制。如图10所示，电子设备1000以通用计算设备的形式表现。电子设备1000的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理单元1010、上述至少一个存储单元1020、连接不同系统组件(包括存储单元1020和处理单元1010)的总线1030、显示单元1040。其中，所述存储单元存储有程序代码，所述程序代码可以被所述处理单元1010执行，使得所述处理单元1010执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本公开各种示例性实施例的步骤。存储单元1020可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存储单元(ram)1021和/或高速缓存存储单元1022，还可以进一步包括只读存储单元(rom)1023。存储单元1020还可以包括具有一组(至少一个)程序模块1025的程序/实用工具1024，这样的程序模块1025包括但不限于：操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。总线1030可以表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。电子设备1000也可以与一个或多个外部设备1070(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备1000交互的设备通信，和/或与使得该电子设备1000能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(i/o)接口1050进行。并且，电子设备1000还可以通过网络适配器1060与一个或者多个网络(例如局域网(lan)，广域网(wan)和/或公共网络，例如因特网)通信。如图所示，网络适配器1060通过总线1030与电子设备1000的其它模块通信。应当明白，尽管图中未示出，可以结合电子设备1000使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、raid系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。通过以上的实施例的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施例可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施例的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是cd-rom，u盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、终端装置、或者网络设备等)执行根据本公开实施例的方法。在本公开的示例性实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有能够实现本说明书上述方法的程序产品。在一些可能的实施例中，本发明的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式，其包括程序代码，当所述程序产品在终端设备上运行时，所述程序代码用于使所述终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施例的步骤。参考图11所示，描述了根据本发明的实施例的用于实现上述方法的程序产品1100，其可以采用便携式紧凑盘只读存储器(cd-rom)并包括程序代码，并可以在终端设备，例如个人电脑上运行。然而，本发明的程序产品不限于此，在本文件中，可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。所述程序产品可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以为但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质，该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、有线、光缆、rf等等，或者上述的任意合适的组合。可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明操作的程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如java、c++等，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“c”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中，远程计算设备可以通过任意种类的网络，包括局域网(lan)或广域网(wan)，连接到用户计算设备，或者，可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。此外，上述附图仅是根据本发明示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明，而不是限制目的。易于理解，上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外，也易于理解，这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其他实施例。本技术旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限。

背景技术：

1、在半导体生产制程中，曝光显影后的图形(即当层)，必须与晶圆衬底上的已有图形(即前层)对准，才能保证各器件之间的连接正确。曝光图形的当层和前层之间的相对位置称为套刻误差(overlay)，套刻误差太大将造成器件短路或断路，影响产品良率。

2、目前套刻误差的控制和减小是通过三部分协同工作来达成，包括：光刻机对准操作和曝光；量测光刻胶图形套刻误差；模型计算确定可修正项，回馈给光刻机。

3、实际制程过程中，距离晶圆中心距离不同的位置可能产生不同的套刻误差，不同的位置获取的量测图形可能存在差异。晶圆在量测过程中的套刻误差受很多因素影响，将受影响的套刻误差反馈至曝光机台，可能导致干扰曝光机台的曝光行为。

4、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种套刻误差修正方法、套刻误差修正装置、电子设备以及计算机可读存储介质，进而至少在一定程度上克服晶圆制程中可能出现不完整或损坏的图形标识导致量测出来的套刻误差是错误的，将错误的套刻误差反馈至曝光机台导致影响整个晶圆的良率的问题。

2、本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

3、根据本公开的第一方面，提供一种套刻误差修正方法，包括：获取当前批次晶圆，确定所述当前批次晶圆对应的多个对准标记，以及各所述对准标记对应的套刻误差与套刻误差偏差；基于各所述对准标记的套刻误差与套刻误差偏差，确定各所述对准标记对应的标记质量值；基于确定出的所述标记质量值，对多个所述对准标记进行筛选，确定出目标对准标记；基于所述目标对准标记，确定所述当前批次晶圆对应的误差修正结果，以基于所述误差修正结果对下一批次晶圆进行曝光对准处理。

4、在本公开的一种示例性实施方案中，所述获取当前批次晶圆，包括：获取所述当前批次晶圆对应的套刻误差标识；分别获取所述套刻误差标识对应的参考标识信号与实际标识信号；根据所述实际标识信号与所述参考标识信号确定所述套刻误差标识的标识完整度；如果所述标识完整度小于完整度阈值，则配置多个图形选择框，以基于多个所述图形选择框确定多个所述对准标记；如果所述标识完整度大于或等于完整度阈值，则配置一个所述图形选择框，以基于所述图形选择框确定所述对准标记。

5、在本公开的一种示例性实施方案中，所述对准标记的数量为多个，所述确定所述当前批次晶圆对应的多个对准标记，包括：确定所述当前批次晶圆对应的图形选择位置；获取所述图形选择位置的位置数量，根据所述位置数量配置对应数量个图形选择框；基于确定出的所述图形选择位置与所述图形选择框，对所述当前批次晶圆进行图形标记处理，得到多个所述对准标记。

6、在本公开的一种示例性实施方案中，所述确定所述当前批次晶圆对应的图形选择位置，包括：获取所述当前批次晶圆的套刻误差标识的标识类型；确定所述当前批次晶圆对应的对称中心点；基于所述对称中心点，确定所述当前测试产品对应的至少一图形选择方向；基于所述标识类型，确定每个所述图形选择方向对应的图形选择位置。

7、在本公开的一种示例性实施方案中，所述基于所述标识类型，确定每个所述图形选择方向对应的图形选择位置，包括：基于所述标识类型确定所述当前批次晶圆的图形标识特征；基于所述图形标识特征，确定每个所述图形选择方向上的内边框图形选择位置；基于所述图形标识特征，确定所述当前批次晶圆的外边框图形选择位置。

8、在本公开的一种示例性实施方案中，所述确定各所述对准标记对应的标记质量值，包括：确定各所述对准标记对应的套刻误差；基于所述套刻误差，确定各所述对准标记对应的套刻误差偏差与套刻误差偏差标准差；根据所述套刻误差、所述套刻误差偏差与所述套刻误差偏差标准差，确定所述标记质量值；所述标记质量值其中，mq表示所述对准标记的标记质量值，ovl表示所述对准标记的套刻误差，qmerit表示所述对准标记的套刻误差偏差，qmeritδ2表示所述对准标记的套刻误差标准差。

9、在本公开的一种示例性实施方案中，所述基于所述套刻误差，确定各所述对准标记对应的套刻误差偏差与套刻误差偏差标准差，包括：确定所述套刻误差对应的套刻误差导数；基于所述套刻误差与所述套刻误差导数，确定所述套刻误差偏差；基于所述套刻误差偏差确定所述套刻误差偏差标准差；所述套刻误差偏差qmerit＝ovl’-ovl；其中，qmerit表示所述对准标记的套刻误差偏差，ovl表示所述对准标记的套刻误差，ovl’表示所述对准标记的套刻误差导数。

10、在本公开的一种示例性实施方案中，所述对准标记的数量为多个，所述基于确定出的所述标记质量值，对多个所述对准标记进行筛选，确定出目标对准标记，包括：确定多个所述标记质量值对应的标记质量平均值；将所述标记质量值小于所述标记质量平均值的对准标记，作为所述目标对准标记。

11、在本公开的一种示例性实施方案中，所述基于所述目标对准标记，确定所述当前批次晶圆对应的误差修正结果，包括：确定所述目标对准标记的目标标记信号；对所述目标标记信号进行分析处理，确定所述目标对准标记对应的目标中心点；基于所述目标中心点，确定所述目标对准标记对应的目标套刻误差值；对所述目标套刻误差值进行模拟计算，确定所述当前批次晶圆对应的套刻误差补偿值；将所述套刻误差补偿值作为所述误差修正结果。

12、在本公开的一种示例性实施方案中，所述基于所述目标中心点，确定所述目标对准标记对应的目标套刻误差值，包括：获取所述当前测试产品对应的图形对准方向；所述图形对准方向包括第一对准方向与第二对准方向；基于所述目标中心点，确定所述第一对准方向对应的第一套刻误差值；基于所述目标中心点，确定所述第二对准方向对应的第二套刻误差值；根据所述第一套刻误差值与所述第二套刻误差值，生成所述目标套刻误差值。

13、在本公开的一种示例性实施方案中，所述基于所述误差修正结果对下一批次晶圆进行曝光对准处理，包括：将所述误差修正结果发送至曝光对准设备；控制所述曝光对准设备基于所述误差修正结果，调整对应的图形对准参数，以使所述曝光对准设备基于所述图形对准参数对所述下一批次晶圆进行曝光对准处理。

14、根据本公开的第二方面，提供一种套刻误差修正系统，包括：曝光对准设备，用于获取初始当前批次晶圆，对所述初始当前批次晶圆进行曝光对准处理，得到当前批次晶圆；标记误差测量设备，用于基于所述当前批次晶圆的套刻误差标识完整度确定指定数量个对准标记，基于所述对准标记确定所述当前批次晶圆对应的套刻误差偏差值；计算设备，用于基于所述套刻误差偏差值确定套刻误差补偿值，将所述套刻误差补偿值发送至所述曝光对准设备。

15、根据本公开的第三方面，提供一种套刻误差修正装置，包括：对准标记确定模块，用于获取当前批次晶圆，确定所述当前批次晶圆对应的多个对准标记，以及各所述对准标记对应的套刻误差与套刻误差偏差；标记度量值确定模块，用于基于各所述对准标记的套刻误差与套刻误差偏差，确定各所述对准标记对应的标记质量值；标记筛选模块，用于基于确定出的所述标记质量值，对多个所述对准标记进行筛选，确定出目标对准标记；误差修正模块，用于基于所述目标对准标记，确定所述当前批次晶圆对应的误差修正结果，以基于所述误差修正结果对下一批次晶圆进行曝光对准处理。

16、在本公开的一种示例性实施方案中，所述套刻误差修正装置还包括图形库配置模块，用于：获取所述当前批次晶圆对应的套刻误差标识；分别获取所述套刻误差标识对应的参考标识信号与实际标识信号；根据所述实际标识信号与所述参考标识信号确定所述套刻误差标识的标识完整度；如果所述标识完整度小于完整度阈值，则配置多个图形选择框，以基于多个所述图形选择框确定多个所述对准标记；如果所述标识完整度大于或等于完整度阈值，则配置一个所述图形选择框，以基于所述图形选择框确定所述对准标记。

17、在本公开的一种示例性实施方案中，所述对准标记的数量为多个，所述对准标记确定模块包括测试标识确定单元，用于：确定所述当前批次晶圆对应的图形选择位置；获取所述图形选择位置的位置数量，根据所述位置数量配置对应数量个图形选择框；基于确定出的所述图形选择位置与所述图形选择框，对所述当前批次晶圆进行图形标记处理，得到多个所述对准标记。

18、在本公开的一种示例性实施方案中，所述测试标识确定单元包括图形位置确定单元，用于：获取所述当前批次晶圆的套刻误差标识的标识类型；确定所述当前批次晶圆对应的对称中心点；基于所述对称中心点，确定所述当前测试产品对应的至少一图形选择方向；基于所述标识类型，确定每个所述图形选择方向对应的图形选择位置。

19、在本公开的一种示例性实施方案中，所述图形位置确定单元包括图形位置确定子单元，用于：基于所述标识类型确定所述当前批次晶圆的图形标识特征；基于所述图形标识特征，确定每个所述图形选择方向上的内边框图形选择位置；基于所述图形标识特征，确定所述当前批次晶圆的外边框图形选择位置。

20、在本公开的一种示例性实施方案中，所述标记度量值确定模块包括标识度量值确定单元，用于：确定各所述对准标记对应的套刻误差；基于所述套刻误差，确定各所述对准标记对应的套刻误差偏差与套刻误差偏差标准差；根据所述套刻误差、所述套刻误差偏差与所述套刻误差偏差标准差，确定所述标记质量值；所述标记质量值其中，mq表示所述对准标记的标记质量值，ovl表示所述对准标记的套刻误差，qmerit表示所述对准标记的套刻误差偏差，qmeritδ2表示所述对准标记的套刻误差标准差。

21、在本公开的一种示例性实施方案中，所述标识度量值确定单元包括套刻误差参数确定子单元，用于：确定所述套刻误差对应的套刻误差导数；基于所述套刻误差与所述套刻误差导数，确定所述套刻误差偏差；基于所述套刻误差偏差确定所述套刻误差偏差标准差；所述套刻误差偏差qmerit＝ovl’-ovl；其中，qmerit表示所述对准标记的套刻误差偏差，ovl表示所述对准标记的套刻误差，ovl’表示所述对准标记的套刻误差导数。

22、在本公开的一种示例性实施方案中，所述对准标记的数量为多个，所述标记筛选模块包括标识筛选单元，用于：确定多个所述标记质量值对应的标记质量平均值；将所述标记质量值小于所述标记质量平均值的对准标记，作为所述目标对准标记。

23、在本公开的一种示例性实施方案中，所述误差修正模块包括误差修正单元，用于：确定所述目标对准标记的目标标记信号；对所述目标标记信号进行分析处理，确定所述目标对准标记对应的目标中心点；基于所述目标中心点，确定所述目标对准标记对应的目标套刻误差值；对所述目标套刻误差值进行模拟计算，确定所述当前批次晶圆对应的套刻误差补偿值；将所述套刻误差补偿值作为所述误差修正结果。

24、在本公开的一种示例性实施方案中，所述误差修正单元包括误差修正子单元，用于：获取所述当前测试产品对应的图形对准方向；所述图形对准方向包括第一对准方向与第二对准方向；基于所述目标中心点，确定所述第一对准方向对应的第一套刻误差值；基于所述目标中心点，确定所述第二对准方向对应的第二套刻误差值；根据所述第一套刻误差值与所述第二套刻误差值，生成所述目标套刻误差值。

25、在本公开的一种示例性实施方案中，所述套刻误差修正装置包括修正结果反馈模块，用于：将所述误差修正结果发送至曝光对准设备；控制所述曝光对准设备基于所述误差修正结果，调整对应的图形对准参数，以使所述曝光对准设备基于所述图形对准参数对所述下一批次晶圆进行曝光对准处理。

26、根据本公开的第四方面，提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，所述存储器上存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令被所述处理器执行时实现根据上述任意一项所述的套刻误差修正方法。

27、根据本公开的第五方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现根据上述任意一项所述的套刻误差修正方法。

28、本公开提供的技术方案可以包括以下有益效果：

29、本公开的示例性实施例中的套刻误差修正方法，一方面，基于多个标记质量值筛选得到的目标对准标记计算套刻误差，可以减小由于对准标记被破坏导致影响套刻误差准确率的问题。另一方面，将基于目标对准标记计算得到的误差修正结果用于对下一批次晶圆的曝光对准处理中，可以有效提高产品良率。

30、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。