1.一种大面积弧形微结构阵列芯片的制备方法，其包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤s1中，所述预处理后的硅晶圆是通过以下步骤制备的：将硅晶圆放置于丙酮中，超声处理1-5min；然后再在180-220℃烘烤1-10min，得到预处理后的硅晶圆。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，步骤s1进一步包括：防反光层和光刻胶层的厚度标定，其具体包括：使用旋涂方式，在预处理后的硅晶圆上制备防反光层，制备完成后，移除局部防反光层，并利用原子力显微镜扫描模式标定防反光层厚度，以确定防反光层的旋涂工艺参数；使用旋涂方式，在预处理后的硅晶圆上制备光刻胶层，移除局部光刻胶层，并利用白光干涉仪标定光刻胶层厚度，以确定光刻胶层的旋涂工艺参数。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤s1中，所述防反光层的材料包括az-barli-ii-90，az-barli-ii-200，ar-10l-400或duo248；
5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述光刻胶层的材料包括ma-p 1215g，ma-p1225g，ma-p 1275g，kl6008或k-pro；
6.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤s201中，制备所述方形微结构阵列使用0-1000mj/cm2的激光能量。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤s302中，所述曝光剂量-深度的模型采用九次多项式拟合得到。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤403中，在步骤s1得到的光刻胶层上进行灰度光刻加工的过程中，维持环境温度为20-30℃，维持环境湿度为40％-46％，光刻过程控制在5h以下完成。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其中，步骤404具体包括：采用显影液浸没光刻后的硅晶圆，放置于摇床上进行显影；从显影液中取出硅晶圆后，再将其浸没于去离子水中，放置于摇床上进行显影和清洗；从去离子水中取出硅晶圆后，静置干燥，得到弧形微结构阵列；
10.根据权利要求1所述的制备方法，其中，步骤s5具体包括：
11.一种大面积弧形微结构阵列芯片，其是通过权利要求1-10中任一项所述的大面积弧形微结构阵列芯片的制备方法制得的；
12.一种单细胞精准力学分析方法，其采用权利要求11所述的大面积弧形微结构阵列芯片实现单细胞精准力学分析，所述方法包括以下步骤：
13.根据权利要求12所述的单细胞精准力学分析方法，其中，在步骤(3)中，所述标准硬基底包括玻璃片或硅片；
14.一种单细胞精准力学分析装置，其用于实现权利要求11-13中任一项所述的单细胞精准力学分析方法，所述装置包括：
15.根据权利要求14所述的单细胞精准力学分析装置，其中，所述探针通过悬臂和压电陶瓷连接于探针台；所述压电陶瓷用于控制所述探针进行力学加载；所述光学倒置显微镜设置于所述样品模块的下方，用于进行光学观察和显微操作；所述主动隔振平台设置于样品模块的下方，用于减小振动噪声；所述光源设置于样品模块的上方；