关元件Qd连接至 相同的栅极线121，第一开关元件Qa和第三开关元件Qc连接至第一数据线171a，并且第二 开关元件Qb和第四开关元件Qd连接至第二数据线171b。
[0047] 第一开关元件Qa、第二开关元件Qb、第三开关元件Qc、和第四开关元件Qd是布置 在液晶显示器的基板上的三端子元件，如薄膜晶体管。
[0048] 第一开关元件Qa的控制端子连接至栅极线121，其输入端子连接至第一数据线 171a，并且其输出端子连接至第一液晶电容器CLCH。
[0049] 第二开关元件Qb的控制端子连接至栅极线121，其输入端子连接至第二数据线 171b，并且其输出端子连接至第二液晶电容器CLCL。
[0050] 第三开关元件Qc的控制端子连接至栅极线121，其输入端子连接至第一数据线 171a，并且其输出端子连接至第三液晶电容器CLCM，同时第四开关元件Qd的控制端子连接 至栅极线121，其输入端子连接至第二数据线171b，并且其输出端子连接至第三液晶电容 器 CLCM0
[0051] 连接至第一开关元件Qa的第一子像素电极191a(参见图2)和公共电极270(参 见图3)彼此重叠以形成第一液晶电容器CLCH。
[0052] 连接至第二开关元件Qb的第二子像素电极191b (参见图2)和公共电极270彼此 重叠以形成第二液晶电容器CLCL。
[0053] 连接至第三开关元件Qc和第四开关元件Qd的第三子像素电极191c (参见图2) 与公共电极270彼此重叠以形成第三液晶电容器CLCM。
[0054] 现在将参考图2至图5详细描述在图1中示出的液晶显示器。
[0055] 图2是根据实施方式的液晶显示器的布局图，图3是沿线III-III截取的图2的 液晶显示器的截面图，图4是沿线IV-IV截取的图2的液晶显示器的截面图，以及图5是根 据实施方式的液晶显示器的基本电极的布局图。
[0056] 参照图2和至图4，根据实施方式的液晶显示器包括面向彼此的下显示面板100和 上显示面板200,以及介于两个显示面板100与200之间的液晶层3。
[0057] 首先将描述下面板。
[0058] 栅极线121和存储电压线131布置在第一绝缘基板110上。栅极线121包括第一 栅极线121a和第二栅极线121b。
[0059] 第一栅极线121a和第二栅极线121b连接至彼此，并且可以被施加有相同的栅极 信号。
[0060] 第一栅极线121a和第二栅极线121b主要在水平方向上延伸以传输栅极信号。
[0061] 第一栅极线121a包括主要向上突出的第一栅电极124a和第二栅电极124b，并且 第二栅极线121b包括主要向下突出的第三栅电极124c和第四栅电极124d。
[0062] 存储电压线131包括存储电极132和133。
[0063] 栅极绝缘层140布置在包括第一栅极线121a和第二栅极线121b的栅极线121上， 并且布置在存储电压线131上。
[0064] 第一半导体154a、第二半导体154b、第三半导体154c、和第四半导体154d布置在 栅极绝缘层140上。
[0065] 第一半导体154a、第二半导体154b、第三半导体154c、和第四半导体154d可包含， 例如非晶硅、晶体硅、或氧化物半导体。
[0066] 欧姆接触 163a、165a、163b、165b、163c、165c、163d、和 165d 分别布置在第一半导 体154a、第二半导体154b、第三半导体154c、和第四半导体154d上。
[0067] 在第一半导体154a、第二半导体154b、第三半导体154c、和第四半导体154d由氧 化物半导体制成的实施方式中，可以省去欧姆接触。
[0068] 第一数据线171a、第二数据线171b、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第三漏电 极175c、和第四漏电极175d分别布置在欧姆接触163a、165a、163b、165b、163c、165c、163d、 和165d上。
[0069] 第一数据线171a和第二数据线171b传输数据信号，并且主要在垂直方向上延伸 以与第一栅极线121a和第二栅极线121b交叉。
[0070] 第一数据线171a包括向着第一栅电极124a延伸的第一源电极173a和向着第三 栅电极124c延伸的第三源电极173c。第二数据线171b包括向着第二栅电极124b延伸的 第二源电极173b和向着第四栅电极124d延伸的第四源电极173d。
[0071] 第一漏电极175a的一个端部由第一源电极173a部分地围绕，第二漏电极175b的 一个端部由第二源电极173b部分地围绕，第三漏电极175c的一个端部由第三源电极173c 部分地围绕，并且第四漏电极175d的一个端部由第四源电极173d部分地围绕。
[0072] 第三漏电极175c和第四漏电极175d连接至彼此。
[0073] 第一栅电极124a、第二栅电极124b、第三栅电极124c、和第四栅电极124d、第一源 电极173a、第二源电极173b、第三源电极173c、和第四源电极173d、以及第一漏电极175a、 第二漏电极175b、第三漏电极175c、和第四漏电极175d与第一半导体154a、第二半导体 154b、第三半导体154c、和第四半导体154d -起分别形成第一薄膜晶体管（TFT) 154a、第二 薄膜晶体管154b、第三薄膜晶体管154c、和第四薄膜晶体管154d，作为第一开关元件Qa、第 二开关元件Qb、第三开关元件Qc、和第四开关元件QcL薄膜晶体管的沟道分别形成在第一 源电极173a、第二源电极173b、第三源电极173c、和第四源电极173d与第一漏电极175a、 第二漏电极175b、第三漏电极175c、和第四漏电极175d之间的第一半导体154a、第二半导 体154b、第三半导体154c、和第四半导体154d中。
[0074] 除沟道区域之外，半导体154a、154b、154c、和154d具有与数据线171和171b、源 电极 173a、173b、173c、和 173d、漏电极 175a、175b、175c、和 175d、以及欧姆接触 163a、165a、 163b、165b、163c、165c、163d、和165d基本相同的平面形状。
[0075] 钝化层180布置在数据线171a和171b、漏电极175a、175b、175c、和175d、以及半 导体154a、154b、154c、和154d的暴露部分上。
[0076] 分别暴露第一漏电极175a的宽端部、第二漏电极175b的宽端部、和将第三漏电极 175c和第四漏电极175d连接的宽连接部分的第一接触孔185a、第二接触孔185b、和第三接 触孔185c形成在钝化层180中。
[0077] 包括第一子像素电极191a、第二子像素电极191b、和第三子像素电极191c的像素 电极191布置在钝化层180上。第一薄膜晶体管Qa和第二薄膜晶体管Qb布置在第一子像 素电极191a和第二子像素电极191b之间，并且第三薄膜晶体管Qc和第四薄膜晶体管Qd 布置在第二子像素电极191b和第三子像素电极191c之间。
[0078] 当利用第一子像素电极191a形成的区域、利用第二子像素电极191b形成的区域、 和利用第三子像素电极191c形成的区域分别表示为第一区域H、第二区域L、和第三区域M 时，第一区域H、第二区域L、和第三区域M的大小可表示为：
[0079] H ^ M<L
[0080] 第一子像素电极191a、第二子像素电极191b、和第三子像素电极191c分别包括在 图5中示出的一个或多个基本电极199或其变形。
[0081] 现在将参考图5详细描述基本电极199。
[0082] 如图5所示，基本电极199具有大致四边形形状，并且包括十字形主干部分，该主 干部分包括水平主干部分193和与该水平主干部分垂直的垂直主干部分192。
[0083] 此外，基本电极199由水平主干部分193和垂直主干部分192分成第