专利名称：液晶显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器，更具体而言，涉及具有划分为多个域的像素的垂直配向液晶显示器。
背景技术：
液晶显示器(LCD)是一种广泛应用的平板显示器。LCD可以包括两个基板和插置于其间的液晶(LC)层，所述基板包括诸如像素电极和公共电极的场发生电极。LCD将电压施加到场发生电极上以在LC层中产生电场，电场决定着LC层中LC分子的取向以调节入射光的偏振，从而显示出图像。
垂直配向(VA)模式LCD具有高对比率和宽基准视角，其将LC分子配向为，在没有电场的情况下使LC分子的长轴垂直于基板。将基准视角定义为使对比率等于1∶10的视角，或者灰度之间的亮度反转极限角。
例如，可以通过场发生电极内的切口和场发生电极上的突起实现VA模式LCD的宽视角。所述切口和突起能够决定LC分子的倾斜方向。可以利用所述切口和突起使所述倾斜方向散布为几个方向，因而能够拓宽基准视角。
在常规LCD中，可以利用诸如(例如)切口和突起的域划分机构排列域单元内的LC分子，由此实现宽视角。但是，设置于像素电极的附近并沿纵向延伸的数据线不能与LC分子的倾斜方向重合，否则将可能产生数据线的织纹(texture)，导致光泄漏。
发明内容
本发明的示范性实施例提供了一种液晶显示器，其能够防止产生瞬时残余图像，并且能够获得高开口率和提高的宽视角。
本发明的示范性实施例提供了一种制造液晶显示屏板的方法。
根据本发明的实施例，一种液晶显示器包括薄膜晶体管(TFT)屏板，其包括具有横向长度大于纵向长度的矩形形状的像素电极，所述像素电极包括第一域划分部，并且具有相对于穿过所述像素电极的中心的横向长轴对称布置的上半部分和下半部分；公共电极屏板，其包括面对所述像素电极的公共电极，所述公共电极包括与所述第一域划分部平行布置的第二域划分部；以及插置于所述TFT屏板和所述公共电极屏板之间的液晶层。
根据本发明的实施例，一种液晶显示器包括绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的多条栅极线；与所述多条栅极线交叉的多条数据线；以矩阵的形式形成于所述绝缘基板上的多个像素电极，每一所述像素电极具有平行于所述多条栅极线的第一侧边和短于所述第一侧边的第二侧边，所述第一侧边与所述第一侧边邻接；面对所述多个像素电极的公共电极；以及插置于所述多个像素电极和所述公共电极屏板之间的具有液晶分子的液晶层，其中，所述液晶层包括第一域组和第二域组，所述第一域组包括相对于所述栅极线以大约135度角或大约-45度角配向的液晶分子，所述第二域组包括相对于所述栅极线以大约-135度角或大约45度角配向的液晶分子。
从以下结合附图的描述可以更详细地理解本发明的示范性实施例，附图中图1A是根据本发明的实施例的液晶显示器(LCD)的薄膜晶体管(TFT)屏板的布局图；图1B是沿图1A的Ib-Ib′线得到的TFT屏板的截面图；图1C是沿图1A的Ic-Ic′线和Ic′-Ic″线得到的TFT屏板的截面图；图2是根据本发明实施例的LCD的公共电极屏板的布局图；图3A是包括图1A所示的TFT屏板和图2所示的公共电极屏板的根据本发明实施例的LCD的布局图；图3B是沿图3A的IIIb-IIIb′线得到的LCD的截面图；图3C是图3A所示的LCD的象素阵列的示意图；图4是根据本发明实施例的LCD的TFT屏板的布局图；图5是根据本发明实施例的LCD的公共电极屏板的布局图；图6是包括图4所示的TFT屏板和图5所示的公共电极屏板的根据本发明实施例的LCD的布局图；图7是根据本发明实施例的LCD的布局图；以及图8是根据本发明实施例的LCD的布局图。
具体实施例方式
在下文中将参照附图更为充分地描述本发明的示范性实施例。不过，本发明可以以许多不同的形式实施，不应被视为受限于此处所述的实施例。
在本发明的实施例中，液晶显示器包括具有由栅极线和数据线界定的TFT的薄膜晶体管(TFT)屏板、与所述TFT屏板隔开并与之面对的包括公共电极的公共电极屏板以及插置在所述TFT屏板和所述公共电极屏板之间的液晶层。将液晶层内的LC分子的长轴设置为基本垂直于所述屏板。
将参考图1A到图1C描述薄膜晶体管(TFT)屏板100。图1A是根据本发明的实施例的液晶显示器(LCD)的薄膜晶体管(TFT)屏板的布局图。图1B是沿图1A的Ib-Ib′线得到的TFT屏板的截面图。图1C是沿图1A的Ic-Ic′线和Ic′-Ic″线得到的TFT屏板的截面图。
在绝缘基板10上沿横向形成栅极线22，将栅电极26以突起的形式连接至栅极线22。在栅极线22的末端形成栅极线端子24，其用于施加来自另一层或外部电路的栅极信号，以及将接收到的栅极信号传输至栅极线22。栅极线端子24的宽度大到足以用来连接外部电路。栅极线22、栅极线端子24和栅电极26构成了栅极线路(22、24、26)。
在绝缘基板10上形成基本沿跨越像素区的横向延伸的存储电极线28。沿域划分部83形成从存储电极线28分支出来的存储电极29，域划分部83用于将像素电极82划分为多个域。存储电极线28和存储电极29构成了存储电极线路(28、29)。在本发明的实施例中，为了提高LCD的开口率，存储电极线28跨越像素电极82的中心沿横向延伸，从而与栅极线22基本平行，所形成的存储电极29与域划分部83重叠。在本发明的实施例中，存储电极29和存储电极线28的形状和结构可以变化，只要能够相对于像素电极82建立预定的存储电容即可。
栅极线路(22、24、26)和存储电极线路(28、29)可以包括，例如，诸如Al和Al合金的含有Al的金属、诸如Ag和Ag合金的含有Ag的金属、诸如Cu和Cu合金的含有Cu的金属、诸如Mo和Mo合金的含有Mo的金属、Cr、Ti或Ta。栅极线路(22、24、26)和存储电极线路(28、29)可以具有包括两个具有不同物理特性的导电膜(未示出)的多层结构。所述两个膜中的一个可以是包括(例如)含Al金属、含Ag金属和含Cu金属的低电阻率金属，从而降低栅极线路(22、24、26)和存储电极线路(28、29)中的信号延迟或电压降。另一个膜可以包括诸如(例如)含Mo金属、Cr、Ta或Ti的材料，其具有良好的物理和化学特性，并与诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的其他材料具有良好的电接触特性。两个膜的组合的例子为下方Cr膜和上方Al(或Al合金)膜以及下方Al(或Al合金)膜和上方Mo(或Mo合金)膜。栅极线路(22、24、26)可以包括各种金属或导体。
在栅极线路(22、24、26)和存储电极线路(28、29)上形成栅极绝缘层30。
在栅极绝缘层30上形成包括，例如，氢化非晶硅或多晶硅的半导体层40。可以按照诸如岛状或条状的各种形状形成半导体层40。在本发明的实施例中，可以将半导体层40形成为在数据线62之下栅电极26之上延伸的岛状。在形成条状半导体层40时，可以将半导体层40设置于数据线62之下，并使其一直延伸到栅电极26。
在半导体层40上形成欧姆接触层55和56，欧姆接触层55和56包括，例如，硅化物或其内高度掺杂了n型杂质的n+非晶甲硅烷(silicon hydride)。欧姆接触层55和56可以具有包括(例如)岛状和条状的各种形状。例如，在将欧姆接触层55和56形成为岛状时，使欧姆接触层55和56的位置处于源电极65和漏电极66之下。在形成条状欧姆接触层55和56时，欧姆接触层55和56可以在数据线62之下延伸。
在欧姆接触层55和56以及栅极绝缘层30上形成数据线62和漏电极66。数据线62纵向延伸，并与栅极线22交叉以界定像素。由数据线62和栅极线22界定的每一像素的横向长度长于纵向长度。换言之，所述像素具有基本为矩形的形状，两个相邻栅极线22之间的距离小于两个相邻数据线62之间的距离。源电极65以分支的形式从数据线62伸出，并在半导体层40上延伸。在数据线62的末端形成数据线端子68，其用于施加来自另一层或外部电路的数据信号，并且将接收到的栅极信号传输至数据线62。数据线端子68的宽度大到足以连接至外部电路。漏电极66与源电极65隔开，并且位于半导体层40上。所形成的漏电极66相对于栅电极26与源电极65相对。
漏电极66包括位于半导体层40上的条形图案和从所述条形图案延伸出来的具有足够大的面积的漏电极焊盘67。接触孔76位于漏电极焊盘67内。在本发明的实施例中，漏电极焊盘67可以位于像素区域的中心。通过接触孔76与像素电极82电连接的漏电极焊盘67可以与存储电极线路(28、29)部分重叠。漏电极焊盘67的形成和布局可以发生变化，只要能够相对于像素电极82建立预定存储电容即可。数据线62、数据线端子68、源电极65、漏电极66和漏电极焊盘67构成了数据数据线路(62、65、66、67、68)。
数据线路(62、65、66、67、68)可以包括，例如，铬(Cr)、含有钼(Mo)的金属、以及诸如钽(Ta)或钛(Ti)的难熔金属。可以将数据线路(62、65、66、67、68)形成为单层或包括由难熔金属膜构成的下方膜(未示出)和低电阻率上方膜(未示出)的多层。所述多层的例子包括具有下方Cr膜和上方Al(或Al合金)膜的双层结构、具有下方Al(或Al合金)膜和上方Mo(或Mo合金)膜的双层结构以及具有下方Mo膜、中间Al膜和上方Mo膜的三层结构。
源电极65的至少一部分与半导体层40重叠，面对源电极65的漏电极66的至少一部分与半导体层40重叠。在下部半导体层40与上部源电极65和漏电极66每者之间插置欧姆接触层55和56，以降低其间的接触电阻。
在数据线62、漏电极66和所暴露的半导体层40上形成包括绝缘层的钝化层70。钝化层70可以包括(例如)诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘体，具有良好平坦度特征的感光有机材料，或者诸如a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介电绝缘材料，钝化层70可以通过等离子增强化学汽相淀积(PECVD)形成。或者，为了保护暴露的半导体层40，并保持其有机特性，可以将钝化层70形成为具有下方无机层和上方有机层的双层结构。
在钝化层70内形成分别暴露漏电极焊盘67和数据线端子68的接触孔76和78。在钝化层70和栅极绝缘层30内形成暴露栅极线端子24的接触孔74。
根据像素形状在钝化层70上形成像素电极82。像素电极82可以具有基本为矩形的形状，其横向长度大于其纵向长度。可以通过域划分部83划分像素电极82，域划分部83相对于偏振器的透射轴1成大约45度或大约-45度的角。域划分部83包括相对于穿过像素电极82的中心的横向长轴界定的上半部分和下半部分。所述上半部分相互平行，所述下半部分也相互平行。所述上半部分和所述下半部分相对于栅极线22成某一角度。例如，所述上半部分相对于栅极线22成大约-45度角，所述下半部分相对于栅极线22成大约45度角。上半部分和下半部分每者相对于横向长轴相互独立(separately)布置。在本发明的实施例中，域划分部83可以是，例如，沿斜向设置的多个切口。在本发明的备选实施例中，可以在所述像素电极82上形成突起。
此外，还在钝化层70上形成分别通过接触孔74和78连接至栅极线端子24和数据线端子68的辅助栅极线端子86和辅助数据线端子88。像素电极82、辅助栅极线端子86和辅助数据线端子88包括，例如，诸如ITO或IZO的透明导体或诸如Al的反射导体。辅助栅极线端子86和辅助数据线端子88是对外部电路装置的补充附着体。
像素电极82通过接触孔76从物理和电的角度连接至漏电极66，并从漏电极66接收数据电压。
可以在像素电极82、辅助栅极线端子86和辅助数据线端子88、以及钝化层70上形成用于LC分子的配向的配向膜(未示出)。
将参考图2到图3C描述根据本发明实施例的LCD的公共电极屏板200和包括公共电极屏板200的LCD。图2是根据本发明实施例的LCD的公共电极屏板的布局图。图3A是包括图1A所示的TFT屏板和图2所示的公共电极屏板的根据本发明实施例的LCD的布局图。图3B是沿图3A的IIIb-IIIb′线得到的LCD的截面图。图3C是图3A所示的LCD的象素阵列的示意图。
参考图2到图3B，在包括诸如玻璃的透明绝缘材料的绝缘基板96上形成防止光泄漏的黑矩阵94。可以在基底屏板基板上淀积不透明材料，并对其蚀刻，由此形成黑矩阵94。黑矩阵94通过防止光泄漏提高图像质量。依次排列红色、绿色和蓝色滤色器98，以形成单位像素。所述红色、绿色和蓝色滤色器98主要布置在像素区域内未形成黑矩阵94的区域上，其有选择地透射具有预定波长范围的光。如图3C所示，由于根据本发明实施例的LCD具有横向长于纵向的像素，因此能够沿数据线D1、D2、......Dm依次重复排列红色、绿色和蓝色滤色器98。为了降低抖动，可以通过，例如，“1点反转(dot inversion)”法、“2点反转法”或“(1+2)点反转”法驱动所述LCD。
在滤色器98上形成公共电极90，其包括诸如(例如)ITO或IZO的透明导电材料并具有域划分部92。
面对像素电极82的公共电极90具有域划分部92，所述域划分部92相对于偏振器的透射轴1成大约45度或大约-45度的角。域划分部92具有相对于穿过像素电极82的中心的横向长轴界定的上部和下部。所述上部互相平行，所述下部也互相平行。所述像素电极82的横向长于纵向。在本发明的实施例中，域划分部92可以是，例如，沿斜向设置的多个切口。在本发明的备选实施例中，可以将形成于公共电极90上的突起设置为域划分部92。
如图3A所示，域划分部83和域划分部92将像素区划分为多个域。域划分部83和92可以是切口或突起。相对于穿过像素电极82的中心的横向长轴，沿纵向划分像素电极82的域。像素电极82的横向长度长于像素电极82的纵向长度。可以沿横向长轴形成存储电极线28。在横向长轴和栅极线22之间沿斜向形成域划分部83和92。将像素电极82的域划分到横向当中。在本发明的实施例中，可以在沿栅电极22的横向内交替布置像素电极82的域划分部83和公共电极90的域划分部92。在一实施例中，在像素电极82的中心形成公共电极90的域划分部92，在公共电极90的域划分部92的两侧(both sides)形成像素电极82的域划分部83，在像素电极82的域划分部83的另一侧(either side)形成公共电极90的另一域划分部92。
在本发明的实施例中，像素电极82包括由存储电极线28以及域划分部83和92划分的8个域。在本发明的备选实施例中，所述域可以多于或少于八(8)个。
可以在公共电极90和滤色器98之间插置涂覆层(未示出)，所述涂覆层是包括有机材料的绝缘层。所述涂覆层使公共电极屏板200平面化。在备选实施例中，可以省略涂覆层。可以在公共电极90上涂覆对液晶分子配向的配向膜(未示出)。
参考图3A，在像素电极82的中心设置与公共电极90的域划分部92重叠的漏电极焊盘67，以提高开口率。漏电极焊盘67可以具有各种形状和布局。
参考图3B，将TFT屏板100和面对TFT屏板100的公共电极屏板200对准并相互连接，并在其间插置包括液晶分子的液晶层300。
对液晶层300中的液晶分子配向，使得在TFT屏板100和公共电极屏板200之间不存在外加电场的情况下，液晶分子的长轴基本垂直于TFT屏板100和公共电极屏板200。在实施例中，液晶层300具有负介电各向异性。对准TFT屏板100和公共电极屏板200，使得像素电极82与对应的滤色器98完全重叠。可以通过像素电极82的域划分部83和公共电极90的域划分部92将像素区域划分为多个域。一旦施加由包含在液晶层300内的液晶分子产生的初始电场，就可以根据倾斜方向将所述像素区域划分为多个域。
根据本发明实施例的LCD还可以包括偏振屏板、背光和补偿屏板。
可以将包括一对偏振器的偏振屏板安装到LCD的外表面，使得每一偏振器的透射轴1成十字交叉(crossed)。可以将所述一对偏振器的位置确定为使所述偏振器的透射轴1基本平行于栅极线22。
参考图3A，向液晶层300施加电场在相应的域中提供了沿基本垂直于域划分部83和92的方向倾斜的液晶分子。因此，相应域内的液晶分子相对于偏振器的透射轴1成大约45度或大约-45度角。在域划分部83和92之间产生的横向电场促进了包含在相应域内的液晶分子的配向。
现在将参考图3A描述根据液晶分子的倾斜方向由域划分部83和92划分的多个域。相对于通过像素电极82的中心的横向长轴沿纵向将像素电极82划分为第一和第二域组。所述第一域组包括相对于栅极线22以大约135度角配向的多个域A和相对于栅极线22以大约-45度角配向的多个域B。所述第二域组包括相对于栅极线22以大约-135度角配向的多个域C和相对于栅极线22以大约45度角配向的多个域D。如图3A所示，可以将第一域组排列为使所述多个域A中的每一个和所述多个域B中的每一个交替排列。可以按照，例如，A-B-A-B的顺序排列交替选自域A和域B的域。可以将第二域组排列为使多个域C中的每一个和多个域D中的每一个交替排列。可以按照，例如，C-D-C-D的顺序排列交替选自域C和域D的域。
根据本发明实施例的LCD防止了产生织纹和光泄漏。
像素电极82可以具有基本为矩形的形状，其横向长度大于其纵向长度。存储电极线28跨越像素电极82的中心，从而使存储电极线28基本平行于栅极线22延伸。设置于像素电极82内的域划分部83相对于偏振器的透射轴1成大约45度或-45度的角。在面对像素电极82的公共电极90内，域划分部92相对于偏振器的透射轴1成大约45度或大约-45度的角。在这样一种方法中，可以采用像素电极82以及域划分部83和92将像素分隔为多个域。
在像素电极82和公共电极90之间的电压差的作用下，向液晶分子施加电场，这时相应域内的液晶分子沿垂直于域划分部83和92的方向倾斜。因此，相应域内的液晶分子以相对于偏振器的透射轴1大约45度或大约-45度的角度倾斜。
根据实施例的LCD能够通过将像素划分为多个域实现宽视角，并且能够利用域划分部83和92降低所占据的面积，由此提提高高开口率。可以通过调整形成于像素电极82上的域划分部83和形成于公共电极90上的域划分部92之间的距离抑制瞬时残留图像。
在LCD中，织纹可能导致光泄漏。所述织纹可能产生于沿纵向延伸的数据线62的附近，因为要通过数据线62传输较高的数据电压。高数据电压在数据线62的附近产生了横向电场。因此，在向位于数据线62附近的液晶分子施加电场时，液晶分子既受由数据线62产生的横向电场的影响，又受由沿斜向延伸的域划分部83和92产生的横向电场的影响。单个域内的液晶分子的倾斜方向将互不不同，从而导致了织纹和光泄漏。在根据本发明实施例的LCD中，由于像素电极82的横向长度长于其纵向长度，因此可以通过降低与数据线62相邻的像素电极82的面积抑制由数据线62产生的横向电场导致的织纹的产生。
在根据本发明实施例的LCD中，在采用包括无机材料的钝化层70时，具有存储电极线28的分支的形式的存储电极29可以与域划分部83重叠，由此将形成于像素电极82上的域划分部83的宽度降至大约6μm或更低。换言之，由于包括无机材料的钝化层70具有较小的厚度，因此能够增强由存储电极29产生的横向电场的效果。因此，即使将域划分部83的宽度降低至大约6μm或更低，也能够通过在域划分部83之下形成存储电极29而获得足够的横向电场。
将参考图4到图6描述根据本发明实施例的液晶显示器。图4是根据本发明实施例的LCD的TFT屏板的布局图。图5是根据本发明实施例的LCD的公共电极屏板的布局图。图6是包括图4所示的TFT屏板和图5所示的公共电极屏板的根据本发明实施例的LCD的布局图。除了下述内容以外，根据本实施例的液晶显示屏板与根据结合图1到图3C描述的实施例的液晶显示屏板具有基本类似的构造。
参考图4到图6，通过域划分部483将像素电极82划分为多个域，所述域划分部483相对于偏振器的透射轴1成大约45度或大约-45度角。在像素电极82的中央形成像素电极82的域划分部483。通过域划分部592将公共电极90划分为多个域，域划分部592相对于偏振器的透射轴1成大约45度或大约-45度角。在像素电极82的域划分部483的两侧形成公共电极90的域划分部592。在实施例中，在像素电极82上或在公共电极90上沿斜向设置切口。在实施例中，可以在像素电极82或公共电极90上设置作为域划分部的突起。可以通过像素电极82的域划分部483和公共电极90的域划分部592将像素电极82划分为多个域。
将参考图6描述根据液晶分子的倾斜方向由域划分部483和592划分的多个域。相对于通过像素电极82的中心的横向长轴沿纵向将像素电极82划分为第一和第二域组。在实施例中，所述第一域组包括相对于栅极线22以大约135度角配向的多个域A和相对于栅极线22以大约-45度角配向的多个域B。所述第二域组包括相对于栅极线22以大约-135度角配向的多个域C和相对于栅极线22以大约45度角配向的多个域D。如图6所示，可以将第一域组排列为使所述多个域A中的每一个和所述多个域B中的每一个交替排列。可以按照，例如，B-A-B-A的顺序排列交替选自域A和B的域。可以将第二域组排列为使多个域C中的每一个和多个域D中的每一个交替排列。可以按照，例如，D-C-D-C的顺序排列交替选自域C和域D的域。
根据实施例的LCD能够将像素划分为多个域，并能够利用域划分部483和592降低所占据的面积以提提高开口率，由此实现了宽视角。此外，可以通过调整形成于像素电极82上的域划分部483和形成于公共电极90上的域划分部592之间的距离抑制瞬时残留图像。
由于像素电极82的横向长度长于其纵向长度，因此能够通过降低与数据线62相邻的像素电极82的面积抑制由数据线62生成的横向电场导致的织纹的产生。
在采用具有包括无机材料和有机材料的双层结构的钝化层70，并且钝化层70具有较大的厚度时，由存储电极29产生的横向电场的效果可能不显著。因此，为了获得足够的横向电场，可以将域划分部83的宽度降低至10μm左右或更低。
将参考图7描述根据本发明实施例的液晶显示器。图7是本发明的实施例的LCD的布局图。除了下述内容以外，本实施例中的液晶显示屏板与根据结合图1到图3C描述的实施例的液晶显示屏板具有基本类似的构造。
参考图7，每一数据线762包括弯曲部分和纵向部分。数据线762的弯曲部分相对于偏振器的透射轴1成大约45度或-45度的角。因此，对于域划分部83和92以及数据线762而言，能够产生相同方向的横向电场，由此防止在数据线762附近产生由液晶分子的反常配向导致的织纹。
将参考图8描述根据本发明实施例的液晶显示器。图8为根据本发明实施例的LCD的布局图。除了下述内容以外，本实施例中的液晶显示屏板与结合图4到图6描述的实施例中的液晶显示屏板具有基本类似的构造。
参考图8，每一数据线862包括弯曲部分和纵向部分。数据线862的弯曲部分相对于偏振器的透射轴1成大约45度或-45度的角。因此，对于域划分部483和592以及数据线862而言，能够产生相同方向的横向电场，由此防止在数据线862附近产生由液晶分子的反常配向导致的织纹。
根据本发明的实施例能够防止产生瞬时残余图像和织纹，并且能够获得高开口率和宽视角。
虽然已经参考附图描述了本发明的示范性实施例，但是应当理解，本发明不应局限于这些明确的实施例，在不背离本发明的精神和范围的情况下，本领域技术人员可以做出各种变化和修改。由权利要求界定的本发明的范围意在包含所有的此类变化和修改。
权利要求
1.一种液晶显示器，包括薄膜晶体管屏板，其包括具有横向长度大于纵向长度的矩形形状的像素电极，所述像素电极包括第一域划分部，并且具有相对于穿过所述像素电极的中心的横向长轴对称布置的上半部分和下半部分；公共电极屏板，其包括面对所述像素电极的公共电极，所述公共电极包括与所述第一域划分部平行布置的第二域划分部；以及液晶层，其插置于所述薄膜晶体管屏板和所述公共电极屏板之间。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器，还包括分别附着在所述薄膜晶体管屏板和所述公共电极屏板的外表面上的第一和第二偏振器。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，所述第一和第二域划分部相对于每一所述偏振器的透射轴成大约45度或大约-45度角。
4.根据权利要求3所述的液晶显示器，其中，在所述第一和第二域划分部中，相对于所述偏振器的透射轴成大约45度角的部分和相对于所述偏振器的透射轴成大约-45度角的部分相对于所述横向长轴相互独立布置。
5.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一和第二域划分部交替布置。
6.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第二域划分部位于所述像素电极的中央，所述第一域划分部位于所述第二域划分部的两侧。
7.根据权利要求6所述的液晶显示器，还包括设置于所述薄膜晶体管屏板上的，与所述像素电极一起形成存储电容的存储电极线路，其中，所述存储电极线路包括沿穿过所述像素电极的中心的所述横向长轴延伸的存储电极线和从所述存储电极线分支出来的与所述第一域划分部重叠的存储电极。
8.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一域划分部位于所述像素电极的中央，所述第二域划分部位于所述第一域划分部的两侧。
9.根据权利要求8所述的液晶显示器，还包括设置于所述薄膜晶体管屏板上的，与所述像素电极一起形成存储电容器的存储电极线路，其中，所述存储电极线沿穿过所述像素电极的中心的横向长轴延伸。
10.根据权利要求1所述的液晶显示器，还包括设置于所述像素电极之下的钝化层，其中，所述钝化层包括无机绝缘体，并且其保护所述薄膜晶体管屏板上的结构，所述第一域划分部具有大约6μm或更低的宽度。
11.根据权利要求1所述的液晶显示器，还包括设置于所述像素电极之下的钝化层，其中，所述钝化层保护所述薄膜晶体管屏板上的结构，并且其包括双层结构，所述双层结构包括无机层和有机层，所述第一域划分部具有大约10μm或更低的宽度。
12.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述公共电极屏板包括布置在对应于所述像素电极的区域上的滤色器，所述滤色器包括沿纵向重复布置的红色、绿色和蓝色滤色器。
13.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述薄膜晶体管屏板包括绝缘基板；在所述绝缘基板上沿横向延伸的栅极线；与所述栅极线交叉并沿纵向延伸的数据线；以及连接至所述栅极线、所述数据线和所述像素电极的薄膜晶体管。
14.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述薄膜晶体管屏板包括绝缘基板；在所述绝缘基板上沿横向延伸的栅极线；与所述栅极线交叉，并且具有弯曲部分和纵向部分的数据线；以及连接至所述栅极线、所述数据线和所述像素电极的薄膜晶体管。
15.根据权利要求14所述的液晶显示器，还包括分别附着在所述薄膜晶体管屏板和所述公共电极屏板的外表面上的第一和第二偏振器。
16.根据权利要求15所述的液晶显示器，其中，所述数据线的所述弯曲部分相对于每一所述偏振器的透射轴成大约45度或大约-45度角。
17.一种液晶显示器，包括绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的多条栅极线；与所述多条栅极线交叉的多条数据线；以矩阵的形式形成于所述绝缘基板上的多个像素电极，每一所述像素电极具有平行于所述多条栅极线的第一侧边和短于所述第一侧边的第二侧边，所述第一侧边与所述第一侧边邻接；面对所述多个像素电极的公共电极；以及插置于所述多个像素电极和所述公共电极屏板之间的具有液晶分子的液晶层，其中，所述液晶层包括第一域组和第二域组，所述第一域组包括相对于所述栅极线以大约135度角或大约-45度角配向的液晶分子，所述第二域组包括相对于所述栅极线以大约-135度角或大约45度角配向的液晶分子。
18.根据权利要求17所述的液晶显示器，其中，所述第一域组包括相对于所述栅极线以大约135度角配向的多个域和相对于所述栅极线以大约-45度角配向的多个域，所述第二域组包括相对于所述栅极线以大约-135度角配向的多个域和相对于所述栅极线以大约45度角配向的多个域。
19.根据权利要求17所述的液晶显示器，其中，所述像素电极包括第一域划分部，其中，所述多个域中的每一个包括相对于穿过所述像素电极的中心的横向长轴对称布置的上半部分和下半部分，所述公共电极包括平行于所述第一域划分部的第二域划分部。
20.根据权利要求19所述的液晶显示器，其中，所述第一域划分部包括相对于所述栅极线成大约45度角的第一部分和相对于所述栅极线成大约-45度角的第二部分。
21.根据权利要求20所述的液晶显示器，其中，所述第一和第二部分相对于所述横向长轴相互独立布置。
22.根据权利要求19所述的液晶显示器，其中，所述第一和第二域划分部交替布置。
全文摘要
一种液晶显示器，包括薄膜晶体管屏板，其包括具有横向长度大于纵向长度的矩形形状的像素电极，所述像素电极包括第一域划分部，并且具有相对于穿过所述像素电极的中心的横向长轴对称布置的上半部分和下半部分；公共电极屏板，其包括面对所述像素电极的公共电极，所述公共电极包括与所述第一域划分部平行布置的第二域划分部；以及插置于所述TFT屏板和所述公共电极屏板之间的液晶层。
文档编号H01L27/12GK1987625SQ20061016698
公开日2007年6月27日 申请日期2006年12月13日 优先权日2005年12月23日
发明者孙智媛, 郑美惠, 崔洛初, 边湖连, 赵善儿, 赵植永 申请人:三星电子株式会社