-SUR)3,其中R表示一个选 自-0邸3、-OC2H5、-0H和-畑2的基团。
[0109]有利地，M2包含一个并且仅一个取代的甲娃烷基-Si(时3,其中R表示一个可水 解的基团或-0H基团或-畑2基团。
[0110] 为M2分子的另一部的疏水或疏油或哲基可W定义为产生自二价的氣烷基、氣代 締基、聚（氣烷基離）基团、烷基、締基的组装。
[011。 此组装还可W包括離桥（-0-)W及氨桥（-NH-、-N=)。当M2仅包含一个取代的 甲娃烷基时，组成该组装的基团中的至少一个是单价的并且该些基团中的至少一个连接到 该娃原子上。
[0112] M2的数均分子量是低于或等于900g/mol、优选低于或等于800g/mol、甚至更优选 低于或等于7〇〇g/mol并且有利地低于600g/mol。
[011引化合物Ml和M2的实例，W及其制造方法从文献中已知。
[0114] 此类化合物已在现有技术中，例如在专利US4410563、EP0203730、EP74902UEP 844265 和EP933377、US6, 183, 872、WO2006/107083 中进行了广泛披露。
[0115] 在氣硅烷中，可W引用具有W下式的化合物：
[0116]
[0117]其中Rp表示一个全氣烷基基团，Z表示一个氣原子或=氣甲基基团，a、b、c、d和e各自独立地表示0或等于或大于1的整数，其条件是a+b+c+d+e不小于1，且由下标a、b、c、 d和e所括的重复单元在上式中出现的顺序不限于所示那样；Y表示一个氨原子或含1至4 个碳原子的烷基；X表示一个氨、漠或舰原子；Ri表示一个哲基基团、-NH2基团或可水解取 代基；R2表示一个氨原子或一价姪基；I表示〇、1或2 ;m表示1、2或3 ;并且n"表示等于或 大于1、优选等于或大于2的整数。
[0118] 此类化合物作为化合物Ml是特别优选的。
[0119] 其他优选的化合物是在US6, 277, 485中披露的那些。在此文献中披露的氣化娃 烧对应于W下式：
[0120]
[0121] 其中，Rp是一价或二价的聚氣聚離基团；Ri是一个二价的亚烷基基团、亚芳基基 团、或其组合，任选地含有一个或多个杂原子或官能团并且任选地被面素原子取代，并且优 选地含有2至16个碳原子；R2是一个低级烷基（即C1-C4烷基）；Y是一个面素原子、低级 烷氧基（即C1-C4烷氧基，优选地，甲氧基或己氧基），或低级酷氧基（即-0C(0)R3,其中R3 是一个C1-C4烷基）；x是0或1 ;并且y是URP是一价）或2化南二价）。适合的化合物 典型地具有至少约lOOOg/mol的（数均）分子量。优选地，Y是一个低级烷氧基并且Rp是 一个全氣聚離基团。
[0122] 其他优选的化合物在文献JP2005 187936中进行了披露，该文献描述了适用于 形成防污溃涂层的氣化的硅烷化合物并且特别是由下式给出的化合物：
[0123]
[0124] 其中
[0125] R'F是一个直链的二价全氣聚離基团，R'是一个呈C1-C4的烷基基团或苯基基团， X'是一个可水解基团，a'是一个从0至2的整数，b'是一个从1至5的整数，并且m'和 n'是等于2或3的整数。[002引由W上式（2)给出的氣硅烷化合物由信越化学有限公司 (aiin-EtsuChemicalC0,Ltd)W名称KY-130?销售。
[0126] 由式（2)给出的氣硅烷化合物和用于制备它们的方法也在专利申请EP1300433 中进行了描述。
[0127] 其他用于形成该疏水和/或疏油的表面涂层的优选组合物是含有一种由通式（A) 和/或通式做和似表示的有机娃酬化合物的那些：
[012引 F- (CF2)。- (0〔3巧m- (OC2F4)n- (0CF2) 0-(邸2)p-X(邸2)r-Si狂'）3_a巧 1)a(A)
[0129] F- (CF2)a- (OC3F6)m- (OC2F4)n- (OCF2)。（CH2)pX(CH2)r(X'）2_a(Rl)aSiO(F- (CF2) 。-(OCsFe)m- (OC2F4)n- (OCF2)。(CH2)pX(CH2)r(X'）i_a(Rl)aSiO)zF- (CF2)。- (OCsFe)m- (OC2F4) n-(0CF2)D(CH2)pX(CH2)r狂'）2_aO?l)aSi炬）
[0130] F- (CFs)。-(OCsWm- (OC2F4)n- (OCFs) 〇-(邸2)p-X(oyr-(oyt-Si狂'）3_a巧1)a:似
[0131] 其中q是一个从1至3的整数；111、11、和o独立地是一个从0至200的整数；p是1 或2 ;X是0或一个二价的有机基团；r是一个从2至20的整数；t是一个从1至10的整数； R1是一个C1-22直链的或支链的姪基；a是一个从0至2的整数；X'是一个如W上已经定 义的可水解基团或-0H基团或-畑2基团；并且当a是0或1时，Z是一个从0至10的整 数。
[0132] 此类化合物（如W上已经通过其化学式披露的）可W用作本发明方法中的Ml材 料。
[0133] 一种特别优选的材料是包含对应于式C的组分的材料（其中X'是一个烧氨基） 并且尤其是在W0 2011/060047的实例4中描述的产品YY，下文中描述为皿TC。
[0134] 此类化合物（如W上已经通过其化学式披露的）可W用作本发明方法中的M2材 料，其条件是它们的分子量是低于或等于900g/mol。
[0135] 此外，该M2材料可W选自非氣化的或氣化的硅烷，像对应于下式的那些：
[0136] 出-(0邸2-邸2)a- (OCH2-CH2-CH2)a' - (OCF2-CF2)a" - (OCF2-CF2-CF2)a"' - (0CHF-CHF) a。。- (OCHF-CHF-CHF)a。。'],x_ 畑2)b_ 仲2)b'-Si佩 3 值）
[0137]其中3、3'、3"、3"'、3""、3""'是从0至2的整数，3+3'+3"+3"'+3""+3""'是至 少1，X是0或N或NH，b和b'是从0至10的整数并且b+b'不能小于1，R是一个例如w 上已经定义的可水解基团、或者是OH或畑2,由下标a、a'、a"、a"'、a""、a""'、b和b'所括 的重复单元在上式中出现的顺序不限于所示那样；w=1或2,取决于X的化合价，
[0138] 或者该M2材料可W选自氣化硅烷，像对应于下式的那些：
[0139] F- (CF2) C- (Og广（CF2) e- (Og广Si(时3巧）
[0140]W及
[01 川 H-(CH2)g-(CF2)h-(CH2)i-(CF2)j-SUR)3(巧其中c、d、e、f、g、h、I、j各自是一个从 0至10的整数，C、te和f中的至少一个不为0,g、h、i和j中的至少一个不为0,并且R是一个例如W上已经定义的可水解基团、或者是0H或畑2。优选地5《c+d+e+f《15并且 5《g+h+i+j《15 ;并且更优选地5《c+d+e+f《12并且5《g+h+i+j《12。
[0142] 包含Ml材料的组合物总体上是一种产生自不同片段的缩合的化合物的混合物， 其中发现与该组合物的其余部分相比，对应于W上披露的结构的分子是最重要的化合物。 优选地，包含Ml材料的组合物包含至少30 % (干物质的重量/重量）的Ml材料，更优选地 至少40%、甚至更优选地至少50%、最优选地至少60%并且有利地至少70%。
[0143] 此类组合物可W进一步包含衍生自娃烷基团（包含至少一个结合到娃原子上的 可水解基团（如-畑2基团）或0H基团）的化合物。优选地，此类化合物在Ml或M2组合 物中限制为小于30 % (干物质的重量/重量）、甚至更优选地小于25 %、最优选地小于20 % 并且有利地小于15%。
[0144] 此类特征有助于获得非常高品质的防污涂层。
[0145] 光学物品的Ml层是一个防污顶涂层。此防污表面涂层降低了该光学物品的表面 能。
[0146] 总体上，该疏水和/或疏油沉积物Ml具有小于100皿、优选小于30皿、优选在从1 至20皿范围内、更优选范围从1至10皿的厚度。
[0147] 根据本发明，该疏水和/或疏油的沉积物M1+M2具有小于200皿、优选范围从1至 15皿、更优范围从1至10皿的厚度。
[014引厚度值必须理解为可W通过楠偏测量术测量的物理厚度值。
[0149]Ml材料的商业组合物是由大金工业公司商品化的组合物0PT(X)LDSX?(-种包含 全氣丙締部分的基于氣的树脂）、由大金工业公司商品化的组合物AES4、W及由信越化学 公司商品化的组合物KY130?。0PT(X)LDSX?是最优选的Ml材料的涂覆组合物。
[0150]M2材料的商业组合物是由化tron公司商品化的组合物0F110?、一种氣烷基硅烷 或0F210?，或由Gelest公司商品化的Gelest1(双（2-哲己基）-3-氨基丙基S己氧基娃 烧）。
[0151] 根据本发明的方法进一步包含在一个室中在导致沉积一种金属氣化物M3的一个 层的条件下将该基底的面（产生自暴露于M2)暴露于此材料。
[0152] 根据本发明的方法任选地包含在一个室中在导致沉积一种非氣化的金属氧化物 或金属氨氧化物M4的一个层的条件下将该基底的面（产生自暴露于M3)暴露于此材料。
[0153] 总体上，减反射、疏水的和/或拒油涂层W及临时涂层通过在真空机器中蒸发施 用，该使得有可能依次进行所有的操作，而不在两个步骤之间不适当地处理该些玻璃。
[0154] 有利地，将材料Ml至M4顺序地沉积到基底的表面上，并且遵循Ml、然后M2、然后 M3、然后任选地M4的顺序。
[0巧5] 在本发明方法的每个步骤中，使该基底暴露于第一种至第S种W及任选地第四种 材料的材料。
[0156] 优选地，该些材料通过真空下的加热蒸发。
[0157] 第一种至第=种W及任选地第四种材料沉积各自的温度应该是处于适合于它们 的汽化和在基底上的沉积的温度。
[015引计算暴露的持续时间W便获得该层的受控的厚度。然而，如指示的对于该些层的 每一个给出的厚度层值是对应于程控制的暴露时间和沉积速度的值。
[0159] 在将材料Ml和M2沉积在基底的表面上之后，使此物质经受一个增加其表面能的 临时层的施用。
[0160] 沉积一层金属氣化物（或金属氣化物的混合物）M3已经在文献W0 02/092524中 进行了披露。
[016。 氣化物的实例可W包括氣化儀MgFs、氣化铜LaFs、氣化侣AIF3或氣化锦CeFs、或所 述材料的混合物。优选地，M3是基于MgF2。
[016引特别推荐的可商购的材料是来自莱宝公司（L巧bold Co巧oration)的PAS02。
[0163] 沉积一层非氣化的金属氣化物或金属氨氧化物M4已经在文献WO2004/110946中 进行了披露。
[0164] 优选地，该方法包括一个处理步骤，该步骤在于通过其直接在临时保护层上的真 空蒸发在该临时保护层上沉积至少一种非氣化的金属氧化物和/或至少一种非氣化的金 属氨氧化物。
[0165] 优选地，该金属氧化物选自巧和儀氧化物、氧化娃、氧化错、氧化锦或此类氧化物 的两种或更多种的混合物。
[0166] 优选地，该金属氨氧化物是氨氧化儀。
[0167] 临时层M3/M4可W用任何常规的适当的方法施用，优选地，W蒸气相。
[0168] 根据一个优选的实施例，M4是MgO。优选地，该方法包括通过真空蒸发沉积该临时 层，所形成的M4层具有范围从1至5nm的厚度。
[0169] 蒸发的MgO可W产生自例如从W下项的蒸发：
[0170] -MgO颗粒，具有范围从1至3mm的粒度测量（参考：来自CERAC公司的M-1131);
[017。 -MgO颗粒，具有范围从3至6mm的粒度测量（参考：来自优美科公司（UMIC0R巧的 M-2013)；
[017引 -MgO粒料（参考：由优美科公司商品化的0481263)。
[0173] 当蒸发Mg(0H)2时，它可W有利地从奥德里奇公司（ALDRICH)获得。
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