第二批次硅片800曝光完毕，掩模台300进入交换位进行另外两个反射式掩模400的交换。
[0063]实施例二
[0064]请参考图5，在本实施例中，提出了一种EUV光刻装置，是在实施例一的基础上设置了 2个组合面型传感器510，分别位于第一测量位和第二测量位，所述第一测量位和第二测量位分别位于曝光位的两侧，所述掩模台300承载3个反射式掩模400，所述反射式掩模400由掩模载台410承载与所述掩模台300相连,一块反射式掩模400位于曝光位,另两块反射式掩模400分别位于第一测量位和第二测量位，并与所述第一测量位和第二测量位的2个组合面型传感器510相对。
[0065]本实施例提出的EUV光刻装置以及EUV光刻曝光方法均与实施一相一致，具体请参考实施例一，在此不再赘述。
[0066]不同于实施例一中的是，等到第一批次硅片800曝光完毕后，需要继续曝光下一批次硅片800，则可以由位于第一测量位或位于第二测量位的反射式掩模400进入曝光位，开始后续曝光。等待第二批次硅片800曝光完毕，需要继续曝光则可以将剩下的一个测量位的反射式掩模400进入曝光位，开始后续曝光。因此，本实施例提出的EUV光刻装置可以实现三个反射式掩模400的交换。
[0067]实施例三
[0068]请参考图6，在本实施例中，提出了一种EUV光刻装置，其包括2个组合面型传感器510以及两个测量位，两个测量位分别是第一测量位和第二测量位，分别位于曝光位的两侧。
[0069]但是在本实施例中，所述掩模台300仅仅承载2个反射式掩模400，掩模台300能够按照图6中的箭头方向水平移动，从而可以使两块反射式掩模400由第一测量位、曝光位以及第二测量位之间切换。
[0070]其余装置和曝光方法均与实施例一相同，在此不再赘述，具体请参考实施例一。
[0071]综上，在本发明实施例提供的EUV光刻装置及其曝光方法中，由于掩模台承载多个反射式掩模，处于曝光位的反射式掩模在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模可同时进行面型和位置测量，多批次硅片曝光时，能够节约面型和位置测量时间，利用已测得的反射式掩模的面型和位置数据进行掩模高度的前馈控制，在保证套刻精度的情况下，减少曝光反馈调整时间，所以可以提高产率；多掩模载台的反射式掩模可以通过切换掩模的方式，快速地在另一块同样的反射式掩模上继续进行硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可避免在高真空环境中散热困难导致反射式掩模在一段时间曝光后的受热形变导致像质受损的情况发生。
[0072]进一步的，多载台掩模可以通过切换反射式掩模的方式，相对快速地在另一块同样的反射式掩模上继续硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可使EUV光刻装置利用效率提高，从而降低用户对EUV光刻装置的总拥有成本；由于在某些工艺条件下，需要对曝光硅片采用双重曝光或多重曝光方式，多载的掩模台也可以方便地在EUV光刻装置中满足这种需求。由于一次可以交换多个反射式掩模，对多批次连续曝光来说可节省反射式掩模交换时间；由于采用单个掩模台承载多个反射式掩模，可共用一套掩模台定位测量系统，因此多载掩模台可省去了重复测量过程，同时也可以节省空间和成本。
[0073]上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种EUV光刻装置，包括: EUV光源、照明系统、投影系统、工件台、掩模台和掩模面型组合测量系统；其中，所述EUV光刻装置分为曝光位和测量位，所述投影系统和工件台位于曝光位，所述掩模面型组合测量系统位于测量位；所述掩模台承载多个反射式掩模，所述EUV光源发出的光线经过所述照明系统、掩模台上的反射式掩模和投影系统照射至工件台上，所述掩模面型组合测量系统在测量位对所述反射式掩模进行面型和位置测量。2.如权利要求1所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述掩模面型组合测量系统包括测量框架以及至少一个组合面型传感器，所述组合面型传感器固定于所述测量框架上，并位于测量位。3.如权利要求2所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述组合面型传感器包括第一位置传感器、第二位置传感器以及多个面型传感器，所述面型传感器位于第一位置传感器和第二位置传感器之间。4.如权利要求3所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述掩模面型组合测量系统包括一个组合面型传感器，并位于测量位。5.如权利要求4所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述掩模台承载2个反射式掩模，所述反射式掩模由掩模载台承载与所述掩模台相连，一块反射式掩模位于曝光位，另一块反射式掩模位于测量位，并与所述组合面型传感器相对。6.如权利要求3所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述掩模面型组合测量系统包括2个组合面型传感器，分别位于第一测量位和第二测量位，所述第一测量位和第二测量位分别位于曝光位的两侧。7.如权利要求6所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述掩模台承载3个反射式掩模，所述反射式掩模由掩模载台承载与所述掩模台相连，一块反射式掩模位于曝光位，另两块分别位于第一测量位和第二测量位，并与所述第一测量位和第二测量位的2个组合面型传感器相对。8.如权利要求6所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述掩模台承载2个反射式掩模，所述反射式掩模由掩模载台承载与所述掩模台相连，所述掩模台平移使两块反射式掩模由第一测量位、曝光位以及第二测量位之间切换。9.如权利要求1所述的EUV光刻装置，其特征在于，所述EUV光刻装置还包括基础框架和交换位，所述EUV光源、照明系统、投影系统、工件台、掩模台和掩模面型组合测量系统均设置于所述基础框架内，所述交换位处能够更换反射式掩模。10.一种EUV光刻曝光方法，采用如权利要求1至9中任意一种所述的EUV光刻装置，所述方法包括步骤: 在测量位加载一反射式掩模，并在工件台上加载硅片； 使用掩模面型组合测量系统对所述反射式掩模进行面型和位置测量； 将反射式掩模加载至曝光位，并建立起反射式掩模与硅片的位置关系； 对硅片进行曝光处理，同时加载另一反射式掩模至测量位； 使用掩模面型组合测量系统对另一反射式掩模进行面型和位置测量； 进行硅片曝光处理； 待曝光完毕更换硅片时，将另一反射式掩模加载至曝光位，并建立起另一反射式掩模与硅片的位置关系； 对硅片进行曝光处理，循环上述步骤直至将所有硅片曝光完毕。11.如权利要求10所述的EUV光刻曝光方法,其特征在于，所述反射式掩模由掩模载台承载与所述掩模台相连，所述反射式掩模设有掩模标记，所述掩模承载台设有掩模载台标记，所述掩模面型组合测量系统对所述掩模标记和掩模载台标记进行识别，建立反射式掩模的水平位置关系，所述掩模面型组合测量系统对反射式掩模高度进行测量，得到反射式掩模的形貌关系，由反射式掩模的水平位置关系和形貌关系建立起反射式掩模与硅片曝光场的空间位置关系以及多种参数。12.如权利要求11所述的EUV光刻曝光方法，其特征在于，在进行曝光处理时，对另一反射式掩模进行面型粗测量，所述面型粗测量用于获取另一反射式掩模标记位置信息和初步面型信息，并将所测得的另一反射式掩模的初步面型数据传至一服务器，作为另一反射式掩模前馈扫描曝光时套刻误差校准的依据。13.如权利要求12所述的EUV光刻曝光方法，其特征在于，在曝光完毕更换硅片时，另一反射式掩模加载至曝光位之前，对另一反射式掩模进行面型精测量，并将所测得的另一反射式掩模的面型数据传至所述一服务器，作为另一反射式掩模前馈扫描曝光时套刻误差校准的依据。
【专利摘要】本发明提出了一种EUV光刻装置及其曝光方法，由于掩模台承载多个反射式掩模，处于曝光位的反射式掩模在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模可同时进行面型和位置测量，多批次硅片曝光时，能够节约面型和位置测量时间，利用已测得的反射式掩模的面型和位置数据进行掩模高度的前馈控制，在保证套刻精度的情况下，减少曝光反馈调整时间，所以可以提高产率；多掩模载台的反射式掩模可以通过切换掩模的方式，快速地在另一块同样的反射式掩模上继续进行硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可避免在高真空环境中散热困难导致反射式掩模在一段时间曝光后的受热形变导致像质受损的情况发生。
【IPC分类】G03F7/20
【公开号】CN105093836
【申请号】CN201410189147
【发明人】郑乐平, 许琦欣, 王帆, 吴飞
【申请人】上海微电子装备有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年5月6日
【公告号】WO2015169012A1