工该基底1，以形成EUV反射镜5。对于在约5nm至20nm的波长范围内且具有辐射的正入射的EUV辐射的情况下的使用，尤其优选的是，高反射层6为具有不同的复折射率实部的材料的交替层的多层系统，通过该多层系统，在某种程度上模拟了具有发生布拉格衍射的网状平面的晶体。例如，针对13nm至14nm的使用，可施加硅和钼的交替层的多层系统。特别地，如果高反射层6构造为多层系统，则优选使用诸如溅射工艺、电子束蒸发、分子束外延或离子束辅助镀膜工艺的传统真空镀膜工艺来施加该高反射层。针对在约5nm至20nm的波长范围内且具有辐射的掠入射的EUV辐射情况下的使用，优选的是具有诸如钌的金属的最顶层的反射镜。
[0042]图2b示意地示出了图2a所示的反射镜5的另一变型，其中附着促进层4布置在反射镜5的基底1的基础体2和抛光层3之间。
[0043]在第一示例中，反射镜5的或基底1的基础体2可由颗粒复合材料制成。特别地，基础体2可由具有金属基体的颗粒复合材料制成。例如，上述颗粒复合材料可为2000至7000系列铝合金，优选为5000至7000系列铝合金、铜、低合金铜合金或铌酸铜。有利的是，大小(extent)在lnm至20nm的范围内的优选球体分散体为碳化钛、氧化钛、氧化招、碳化硅、氧化硅、石墨或金刚石式的碳，还可以在基体中设置不同材料的分散体。这些材料例如可通过粉末冶金学来制造。基础体2还可由具有陶瓷基体的颗粒复合材料制成。例如，具有硅或碳基体、以及碳化硅分散体的颗粒复合材料是尤其适合的。由于它们的共价键，它们具有特别高的晶格刚度(lattice rigidity)。尤其优选的是，分散体在基体中尽可能均勾地分布，所述分散体尽可能的小，以及复合材料具有最小可能的分散体间隔。
[0044]在第二示例中，基础体2可由一合金制成，该合金具有的成分具有类似的原子半径以及具有带有替代晶格的结构。例如，基础体可为铜-镍或硅-铝合金系。
[0045]在第三示例中，基础体2可由沉淀硬化合金制成。例如，基础体可由诸如AlCu4Mgl、CuCr、CuNilS1、CuCrlZr、CuZr、CuCoBe、CuNiSi 的沉淀硬化铜或招合金制成。在特定实施例中，在沉淀硬化之后，对合金进行进一步的热处理，这具有以下效果:沉淀采用球体的形式，以减少材料中的应力或变形能量，从而进一步增加高温强度。为此，将材料保持在一温度中一个或两个小时，在该温度中，颗粒复合材料的基体的基相稳定，但是溶液中的其他相刚刚开始溶解。那么，材料的温度在该温度范围周围反复波动，并且随后将材料以每小时大约10°c至20°C慢慢冷却。
[0046]在第四示例中，基础体2可由金属间相制成。图3示出了二元铝-铜系的相图，该二元招-铜系的金属间相尤其适合作为基础体2的材料。在300°C，AlxCuy (其中，x、y为整数)的十六个金属间相是稳定的。在这些之中，十个金属间相在冷却至室温时保持稳定(这里未示出)。最重要的相以及其化学计量组成显示于图3中。它们都位于在某一温度范围上平行于温度轴延伸的相界线处。因此，其微结构在这些相应温度范围内保持完全不变。尤其优选A12Cu、A12Cu3或A13Cu5等作为用于EUV光刻的反射镜基底的基础体的材料。在变型中，也可以使用其中一个成分是铜的其他二元合金系，例如铜和锌、锡、镧、铈、硅或钛的二元系。
[0047]在第五示例中，基础体2还可由具有位于两个相稳定线之间的组成的合金制成。这些区域在图3中为灰色阴影。因为通过热处理已经停止了沉淀工艺，所以这些合金以热稳定相呈现。在这个方面，优选来自特别宽的范围的组成，例如在A12Cu和AlCu之间。
[0048]即使在高达150°C的温度中，这里提及的示例的基底都具有300MPa或更高的特别高强度，以及良好的长期稳定性。另外，在其基础体中包含铜的基底具有高的导热性，并且因此它们可易于冷却。由于基底的特殊基础体，基底在EUV投射曝光设备中的反射镜的长期工作中出现的温度范围内不经历任何微结构的变化。因此，具有该基底的EUV反射镜具有以下优点:尤其是在0.1 μπι至200 μπι的空间频率范围内，其粗糙度值在其工作寿命期间基本上保持不变。这里所述的EUV反射镜适合在照明系统和投射系统中使用，利用该照明系统使用EUV辐射照明掩模或掩模母版，利用该投射系统将掩模或掩模母版的结构投射至EUV投射曝光设备的待曝光的物体(例如半导体晶片)上。由于高的高温强度，该基底尤其适合用于在光束路径中进一步向前布置在热负荷较高的地方(例如在照明系统中)的反射镜。该基底尤其适合用作光瞳分面反射镜的分面，以及尤其是场分面反射镜的分面。
【主权项】
1.一种用于EUV光刻的反射镜的包含基础体的基底，其特征在于，所述基础体(2)由颗粒复合材料制成。2.根据权利要求1所述的基底，其特征在于，所述颗粒复合材料具有大小在lnm和20nm之间的分散体。3.根据权利要求1或2所述的基底，其特征在于，所述颗粒复合材料具有金属基体。4.根据权利要求3所述的基底，其特征在于，所述颗粒复合材料具有球体的分散体。5.根据权利要求3或4所述的基底，其特征在于，所述金属基体为铜基体或铝基体。6.根据权利要求1或2所述的基底，其特征在于，所述颗粒复合材料具有陶瓷基体。7.根据权利要求6所述的基底，其特征在于，所述陶瓷基体为具有碳化硅分散体的硅基体或碳基体。8.—种用于EUV光刻的反射镜的包含基础体的基底，其特征在于所述基础体(2)由合金制成，所述合金具有在相应的合金系的相图中位于由相稳定线定界的区域中的组成。9.根据权利要求8所述的基底，其特征在于，所述合金为具有替代晶格的合金。10.根据权利要求8所述的基底，其特征在于，所述合金是沉淀硬化的。11.根据权利要求8至10中任一项所述的基底，其特征在于，所述合金为铜或铝合金。12.—种用于EUV光刻的反射镜的包含基础体的基底，其特征在于，所述基础体⑵由合金系的金属间相制成。13.根据权利要求12所述的基底，其特征在于，所述基础体(2)由其中观察到化学计量标准组成的金属间相制成。14.根据权利要求12或13所述的基底，其特征在于，所述基础体(2)由具有对应于所述合金系的相图中的相稳定线的组成的金属间相制成。15.根据权利要求12至14中任一项所述的基底，其特征在于，所述合金具有在相应的合金系的相图中位于由相稳定线定界的区域中的组成。16.根据权利要求12至15中任一项所述的基底，其特征在于，所述金属间相在晶体形式具有与其成分相同的布拉伐晶格。17.根据权利要求12至16中任一项所述的基底，其特征在于，所述合金系为二元系，该二元系的一个成分是铜。18.根据权利要求12至17中任一项所述的基底，其特征在于，所述合金系为二元铝-铜系。19.根据权利要求1至18中任一项所述的基底，其特征在于，所述基础体(2)的材料具有面心立方结构。20.根据权利要求1至19中任一项所述的基底，其特征在于，在一年的时间内，在温度从20°C变化至150°C的情况下，所述基础体(2)的材料的微结构不发生变化。21.根据权利要求1至20中任一项所述的基底，其特征在于，抛光层(3)布置在所述基础体⑵上。22.根据权利要求1至21中任一项所述的基底，其特征在于，在所述基础体(2)和所述抛光层⑶之间布置附着促进层⑷。23.一种用于EUV投射曝光设备的反射镜，包含根据权利要求1至20中任一项所述的基底(1)以及在所述基底(1)上的高反射层(6)。24.一种用于EUV投射曝光设备的反射镜，包含根据权利要求21或22所述的基底(1)以及在所述抛光层(3)上的高反射层(6)。
【专利摘要】适用于在EUV波长范围内的波长处使用的反射镜的基底(1)，包含基础体(2)。
【IPC分类】G02B5/08
【公开号】CN105353433
【申请号】CN201510870929
【发明人】C.埃克斯坦, H.马尔特
【申请人】卡尔蔡司Smt有限责任公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2012年1月14日
【公告号】CN103328664A, CN103328664B, DE102011002953A1, EP2665839A2, US20130301151, WO2012098062A2, WO2012098062A3