，省略说明。
[0144]图12A为示出构成例9的偏光板的截面示意图，图12B为示出构成例10的偏光板的截面示意图。
[0145]图12A所示的构成例9的偏光板具备:透光基板11，透过工作谱带的光；吸收层33，形成于透光基板11上；和束结构层12，形成于吸收层33上，且由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成。
[0146]吸收层33例如通过以束结构层12作为掩模实施蚀刻、倾斜蒸镀等而微粒化。吸收层33的材料与构成例1?构成例8的吸收层13同样地例如可以使用包含S1、Ta、Fe、Al、W、T1、Nb、Ag、Cu、Au中的1种以上的材料。由此，可以得到优异的偏光特性。
[0147]另外，优选吸收层33和束结构层12中的1层以上是以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的。
[0148]另外，更优选吸收层33和束结构层12全部是以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的。例如优选如图12B所示的构成例10的偏光板那样具备:透光基板11，透过工作谱带的光；吸收层33，形成于透光基板11上；束结构层12，形成于吸收层13上，且由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成，吸收层33和束结构层12是以一维点阵状排列而得到的。即，该偏光板具有如下的结构:从透光基板11侧起依次层叠吸收层33和束结构层12而成的凸部在透光基板11上以一定间隔排列而成的一维点阵状的栅格结构。
[0149]如此，通过吸收层33和束结构层12中的1层以上是以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的，从而可以提高对比度(消光比:透光轴透射率/吸收轴透射率)。
[0150]图13A为示出构成例11的偏光板的截面示意图，图13B为示出构成例12的偏光板的截面示意图。
[0151]图13A所示的构成例11的偏光板具备:透光基板11，透过工作谱带的光；吸收层33，形成于透光基板11上；束结构层12，形成于吸收层33上，且由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成；反射层15，形成于束结构层12，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状。
[0152]另外，优选吸收层33和束结构层12中的1层以上是与反射层15同样地以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的。
[0153]另外，更优选吸收层33和束结构层12全部是与反射层15同样地以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的。例如，优选如图13B所示的构成例12的偏光板那样具备:透光基板11，透过工作谱带的光；吸收层33，形成于透光基板11上；束结构层12，形成于吸收层33上，且由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成；和反射层15，形成于束结构层12上，吸收层33、束结构层12和反射层15是以一维点阵状排列而得到的。即，该偏光板具有如下的结构:从透光基板11侧起依次层叠吸收层33、束结构层12和反射层15而成的凸部在透光基板11上以一定间隔排列而成的一维点阵状的线栅结构。
[0154]如此，吸收层33和束结构层12中的1层以上是与反射层15同样地以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的，从而可以提高对比度(消光比:透光轴透射率/吸收轴透射率)。
[0155]图14A为示出构成例13的偏光板的截面示意图，图14B为示出构成例14的偏光板的截面示意图。该构成例13、14在图13所示的构成例11、12中还具备上部束结构层22和上部吸收层23。
[0156]g卩，图14A所示的构成例13的偏光板具备:透光基板11，透过工作谱带的光；吸收层33，形成于透光基板11上；束结构层12，形成于吸收层33上，且由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成；反射层15，形成于束结构层12，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；上部束结构层22，形成于反射层15上，由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；和上部吸收层23，形成于上部束结构层22上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状。上部束结构层22和上部吸收层23分别为与束结构层12和吸收层33相当的要素，此处省略说明。
[0157]另外，优选吸收层33和束结构层12中的1层以上是以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的。
[0158]另外，更优选吸收层33和束结构层12全部是以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的。例如，优选如图14B所示的构成例14的偏光板那样具备:透光基板11，透过工作谱带的光；吸收层33，形成于透光基板11上；束结构层12，形成于吸收层33上，且由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成；反射层15，形成于束结构层12上；上部束结构层22，形成于反射层15上，且由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成；上部吸收层23，形成于上部束结构层22上，吸收层33、束结构层12和反射层15是以一维点阵状排列而得到的。S卩，该偏光板具有如下的结构:从透光基板11侧起依次层叠吸收层33、束结构层12、反射层15、上部束结构层22和上部吸收层23而成的凸部在透光基板11上以一定间隔排列而成的一维点阵状的线栅结构。
[0159]另外，图15A为示出构成例15的偏光板的截面示意图，图15B为示出构成例16的偏光板的截面示意图。该构成例15、16在图14所示的构成例13、14中在反射层15和上部束结构层22之间具备上部电介质层24。
[0160]g卩，图15A所示的构成例15的偏光板具备:透光基板11，透过工作谱带的光；吸收层33，形成于透光基板11上；束结构层12，形成于吸收层33上，且由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成；反射层15，形成于束结构层12上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；上部电介质层24，形成于反射层15上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；上部束结构层22，形成于上部电介质层24上，由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；和上部吸收层23，形成于上部束结构层22上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状。上部电介质层24为与构成例1?2和构成例5?8的电介质层14相当的要素，此处省略说明。
[0161]另外，图15B所示的构成例16的偏光板具备:透光基板11，透过工作谱带的光；吸收层33，形成于透光基板11上；束结构层12，形成于吸收层33上，且由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成；反射层15，形成于束结构层12上；上部电介质层24，形成于反射层15上；上部束结构层22，形成于上部电介质层24上，且由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成；和上部吸收层23，形成于上部束结构层22上，吸收层33、束结构层12、反射层15、上部电介质层24、上部束结构22和上部吸收层23是以一维点阵状排列而得到的。
[0162]如图14A、图14B、图15A和图15B所示的构成例13?构成例16那样，通过具备上部束结构层22和上部吸收层23，可以在透光基板11侧和上部吸收层23侧的两面配置光源。
[0163][第3实施方式]
[0164]接着，参照附图对第3实施方式进行说明。第3实施方式中，在透光基板11上形成反射层15而构成偏光板。需要说明的是，对与第1实施方式相同或相当的要素标注相同的符号，省略说明。
[0165]图16A为不出构成例17的偏光板的截面不意图，图16B为不出构成例18的偏光板的截面示意图。
[0166]图16A所示的构成例17的偏光板具备:透光基板11，透过工作谱带的光；反射层15，形成于透光基板11上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；上部束结构层22，形成于反射层15上，且由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成；和上部吸收层23，形成于上部束结构层22上。
[0167]另外，构成例18在构成例17中在反射层15和上部束结构层22之间具备上部电介质层24。S卩，图16B所示的构成例18的偏光板具备:透光基板11，透过工作谱带的光；反射层15，形成于透光基板11上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；上部电介质层24，形成于反射层15上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；上部束结构层22，形成于上部电介质层24上，由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；和上部吸收层23，形成于上部束结构层22上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状。
[0168]如图16A和图16B所示的构成例17、18那样，通过以与第1和第2实施方式的偏光板的构成相反的方式形成基板上的反射层和吸收层，从而可以在上部吸收层23侧配置光源。
[0169][第4实施方式]
[0170]接着，参照附图对于第4实施方式进行说明。第4实施方式在束结构内形成吸收层，束结构层含有1层以上的包含金属或半导体的层。需要说明的是，对于与第1实施方式相同或相当的要素标注相同的符号，省略说明。
[0171]图17A为示出构成例19的偏光板的截面示意图。图17A所示的构成例19的偏光板具备:透光基板11，透过工作谱带的光；束结构层12a，形成于透光基板11上，且由包含电介质的柱状的束构成；束结构层12b，形成于束结构层12a上，且由包含金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成；和束结构层12c，形成于束结构层12b上，且由包含电介质的柱状的束构成。
[0172]束结构层12b含有1层以上的包含金属或半导体的层。束结构层12b的各层包含含有S1、Ta、Fe、Al、W、T1、Nb、Ag、Cu、Au中的1种以上的微粒，与束结构层12a、12c同样地通过倾斜蒸镀而形成。即，对于构成例19的偏光板，在透光基板11上形成有由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成的束结构。该构成例19可以单独作为偏光板利用，但是通过在束结构层12c上进一步形成具备电介质层和反射层的线栅结构，可以提高对比度。
[0173][第5实施方式]
[0174]接着，参照附图对于第5实施方式进行说明。需要说明的是，对于与第1实施方式相同或相当的要素标注相同的符号，省略说明。
[0175]图17B为示出构成例20的偏光板的截面示意图。图17B所示的构成例20的偏光板具备:透光基板11，透过工作谱带的光；和束结构层32，形成于透光基板11上，且由包含氧化物的柱状的束构成。
[0176]束结构层32包含含有31、了&、11、六1、1%、1^、21他中的1种以上的氧化物，通过使用氢气等的还原等而使氧化物存在氧缺陷。由此，氧化物的氧化度降低，可以提高光吸收特性。该构成例20也可以单独作为偏光板利用，通过在束结构层32上进一步形成具备电介质层和反射层的线栅结构，可以提高对比度。
[0177][第6实施方式]
[0178]接着，参照附图对于第6实施方式进行说明。如前述那样，仅利用束结构可以得到优异的光学各向异性，第6实施方式中，束结构层兼有吸收层。需要说明的是，对于与第1实施方式相同或相当的要素标注相同的符号，省略说明。
[0179]图18A为示出构成例21的偏光板的截面示意图，图18B为示出构成例22的偏光板的截面示意图。
[0180]图18A所示的构成例21的偏光板具备:透光基板11，透过工作谱带的光；束结构层42，形成于透光基板11上，由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成，且具有光学各向异性；电介质层14，形成于束结构层42上；和反射层15，形成于电介质层14上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状。束结构层42具有光学各向异性，优选含有1层以上的包含金属或半导体的层。具体而言，束结构层42的各层优选含有1层以上的包含微粒的层，所述微粒包含31了&、？6、六1、1、11、他38、(:11、411中的1种以上。
[0181]另外，优选束结构层42和电介质层14中的1层以上是与反射层15同样地以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的。
[0182]另外，更优选束结构层42和电介质层14全部是与反射层15同样地以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的。例如，优选如图18B所示的构成例22的偏光板那样具备:透光基板11，透过工作谱带的光；束结构层42，形成于透光基板11上，且由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成；电介质层14，形成于束结构层42上；和反射层15，形成于电介质层14上，束结构层42、电介质层14和反射层15是以一