供了一种金属线栅偏振片的制造方法，用于制造金属线栅偏振片，金属线栅偏振片的制造方法包括:
[0073]在步骤101中，在基板1的一侧表面进行吸光层4沉积(如图5所示)；
[0074]在步骤102中，在吸光层4上进行金属层5沉积(如图6所示)；
[0075]在步骤103中，对金属层5及吸光层4进行刻蚀，形成金属线栅3和吸光线栅2。
[0076]本发明通过在基板1的一侧表面进行吸光层4沉积，在吸光层4上进行金属层5沉积，再对金属层5及吸光层4进行刻蚀，形成金属线栅3和吸光线栅2，由本发明制得的金属线栅偏振片通过其吸光线栅2吸收由基板1的另一侧照射过来的光线中振动方向与金属线栅3方向不平行的光线，从而防止将金属线栅偏振片应用在液晶显示面板中时，环境光在液晶显示面板上大量反射，降低液晶显示面板显示图像的对比度。
[0077]在本发明实施例中，先依次在基板1上进行吸光层4和金属层5沉积，再通过对金属层5和吸光层4进行刻蚀形成金属线栅3和吸光线栅2，基板1、吸光线栅2和金属线栅3共同形成本发明实施例一中所述的金属线栅偏振片，保证吸光线栅2和金属线栅3的方向、线宽L和线宽周期步幅P均相同，从而保证吸光线栅2的吸光效果，且避免吸光线栅2影响金属线栅3的偏振效果。
[0078]如图7所示，在本发明实施例中，在基板1的一侧表面进行吸光层4沉积包括:
[0079]在步骤201中，在基板1上进行铜或铬沉积；
[0080]在步骤202中，对铜或铬进行氧化处理，形成吸光层4。
[0081]本领域技术人员可知，在基板1上进行金属或金属氧化物沉积时通常使用的是金属或金属氧化物的粉末，而氧化铜和氧化铬粉末对人体均有害。其中，误服或吸入氧化铜粉尘可能引起金属烟热，出现打寒颤、体温升高，同时可伴有呼吸道刺激等症状;而氧化铬中的铬元素为正六价，正六价的铬很容易通过消化道、呼吸道、皮肤及粘膜侵入人体，正六价的铬侵入人体可能导致人体过敏、遗传性基因缺陷或致癌等严重危害。故先在基板1上进行金属铜或铬的沉积，再对铜和铬进行氧化处理形成氧化铜和氧化铬，避免氧化铜或氧化铬粉末进入空气中，且尽可能缩短人体接触氧化铜或氧化铬的时间。
[0082]其中，在基板1上进行铜或铬沉积为:通过磁控溅射的方式在基板1上进行铜或铬沉积，效率较高，厚度较为均匀。当然，本领域技术人员可知，也可通过蒸镀的方式在基板1上进行铜或络沉积。
[0083]在本发明实施例中，对铜或铬进行氧化处理为:利用离子体对基板1上的铜或铬进行氧化处理;其中，离子体为氧气。当然，本领域技术人员可知，也可使用其他方法对铜或铬进行氧化处理。
[0084]如图8所示，在本发明实施例中，对金属层5及吸光层4进行刻蚀，形成金属线栅偏振片包括:
[0085]在步骤301中，在金属层5上涂覆光阻胶6(如图9所示)；
[0086]在步骤302中，将光阻胶6图案化，形成光阻线栅7(如图10所示)；
[0087]在步骤303中，对光阻线栅7未覆盖的金属层5和吸光层4进行刻蚀，形成金属线栅3和吸光线栅2;
[0088]在步骤304中，将光阻线栅7剥离，形成金属线栅偏振片。
[0089]在本发明实施例中，将光阻胶6图案化，形成光阻线栅7为:通过纳米压印技术将光阻胶6图案化，形成光阻线栅7，也即通过纳米压印技术使光阻胶形成等间距且相互平行的细线，通过这些细线共同构成光阻线栅7。
[0090]光阻线栅7的线宽L为150±30nm，厚度为150±50nm;通过纳米压印技术使光阻胶6
图案化，量产性较高。
[0091]在本发明实施例中，对光阻线栅7未覆盖的金属层5和吸光层6进行刻蚀为:根据光阻线栅7的图案，利用电子束对光阻线栅7未覆盖的金属层5和吸光层4进行刻蚀，通过光阻线栅7的光阻胶6防止位于光阻线栅7和基板1之间的金属层5和吸光层4被刻蚀，以便形成金属线栅3和吸光线栅2。
[0092]当然，本领域技术人员可知，也可通过转印技术使金属层5和吸光层4图案化，形成金属线栅3和吸光线栅2。
[0093]实施例三
[0094]如图2所示，本发明实施例提供了一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括实施例一中所述的金属线栅偏振片101，或用实施例二中所述的金属线栅偏振片的制造方法制造的金属线栅偏振片。
[0095]本发明通过在彩膜基板10靠近阵列基板20的一侧设置金属线栅偏振片101，通过金属线栅偏振片101在基板1的一侧表面设置吸光线栅2，金属线栅3覆盖在吸光线栅2上，通过吸光线栅2吸收由基板1的另一侧照射过来的光线中振动方向与金属线栅3方向不平行的光线，从而防止将金属线栅偏振片101应用在液晶显示面板中时，环境光在本发明提供的液晶显示面板上大量反射，降低本发明提供的液晶显示面板显示图像的对比度。
[0096]在本发明实施例中，液晶显示面板的阵列基板20、液晶层50和彩膜基板10做在液晶盒40内，避免液晶显示面板出现色差或暗态漏光现象，背光源30设置在阵列基板20远离彩膜基板10的一侧。背光源30发出的光线和环境光照射到本发明上后的光路如下:
[0097]背光源30发出的光线经阵列基板20后进入液晶层50内，经设置在彩膜基板10上的彩膜102后投射到金属线栅偏振片101上，其中，振动方向平行于金属线栅偏振片101的金属线栅3方向的光线依次通过金属线栅3、吸光线栅2和基板1，使液晶显示面板上形成彩色图像，而振动方向与金属线栅偏振片101的金属线栅3不平行的光线则在金属线栅3表面发生反射；
[0098]环境光照射到本发明上时，环境光中振动方向平行于金属线栅偏振片101的金属线栅3方向的光线依次经过基板1、吸光线栅2、金属线栅3和彩膜102后进入液晶层50内，而振动方向与金属线栅偏振片101的金属线栅3不平行的光线则被金属线栅偏振片101的吸光线栅2吸收，避免降低本发明显示图像的对比度。
[0099]实施例四
[0100]本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括实施例三所述的液晶显示面板，液晶显示面板的结构如图2所示。
[0101]本发明通过在液晶显示面板的彩膜基板10靠近阵列基板20的一侧设置金属线栅偏振片101，通过金属线栅偏振片101在基板的一侧表面设置吸光线栅2，金属线栅3覆盖在吸光线栅2上，通过吸光线栅2吸收由基板1的另一侧照射过来的光线中振动方向与金属线栅3方向不平行的光线，从而防止将金属线栅偏振片101应用在液晶显示面板中时，环境光在本发明的液晶显示面板上大量反射，降低液晶显示面板显示图像的对比度。
[0102]上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
[0103]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种金属线栅偏振片，其特征在于，所述金属线栅偏振片包括基板、吸光线栅和金属线栅； 所述吸光线栅设置在所述基板的一侧表面上，所述金属线栅覆盖在所述吸光线栅上。2.根据权利要求1所述的金属线栅偏振片，其特征在于，所述吸光线栅的材料为氧化铜或氧化铬。3.根据权利要求1所述的金属线栅偏振片，其特征在于，所述金属线栅的材料为铝、银、铂、金或金属化合物。4.根据权利要求1-3任一项权利要求所述的金属线栅偏振片，其特征在于，所述基板为玻璃、硅片或树脂。5.—种金属线栅偏振片的制造方法，用于制造权利要求1-4任一项权利要求所述的金属线栅偏振片，其特征在于，所述金属线栅偏振片的制造方法包括: 在基板的一侧表面进行吸光层沉积； 在所述吸光层上进行金属层沉积； 对所述金属层及所述吸光层进行刻蚀，形成金属线栅和吸光线栅。6.根据权利要求5所述的金属线栅偏振片的制造方法，其特征在于，所述在基板的一侧表面进行吸光层沉积包括: 在所述基板上进行铜或铬沉积； 对所述铜或铬进行氧化处理，形成所述吸光层。7.根据权利要求6所述的金属线栅偏振片的制造方法，其特征在于，所述在所述基板上进行铜或铬沉积为:通过磁控溅射的方式在所述基板上进行铜或铬沉积。8.根据权利要求6所述的金属线栅偏振片的制造方法，其特征在于，所述对所述铜或铬进行氧化处理为:利用离子体对所述基板上的铜或铬进行氧化处理。9.根据权利要求8所述的金属线栅偏振片的制造方法，其特征在于，所述离子体为氧气。10.根据权利要求5所述的金属线栅偏振片的制造方法，其特征在于，所述对所述金属层及所述吸光层进行刻蚀，形成所述金属线栅偏振片包括: 在所述金属层上涂覆光阻胶； 将所述光阻胶图案化，形成光阻线栅； 对所述光阻线栅未覆盖的所述金属层和所述吸光层进行刻蚀，形成所述金属线栅和所述吸光线栅； 将所述光阻线栅剥离，形成所述金属线栅偏振片。11.根据权利要求10所述的金属线栅偏振片的制造方法，其特征在于，所述将所述光阻胶图案化，形成光阻线栅为:通过纳米压印将所述光阻胶图案化，形成光阻线栅。12.—种液晶显不面板，其特征在于，所述液晶显不面板包括权利要求1-4任一项权利要求所述的金属线栅偏振片。13.—种显示装置，其特征在于，所述液晶显示面板包括权利要求12所述的液晶显示面板。
【专利摘要】本发明公开了一种金属线栅偏振片及其制造方法、显示面板及显示装置，属于液晶显示技术领域。所述金属线栅偏振片包括基板、吸光线栅和金属线栅；所述吸光线栅设置在所述基板的一侧表面上，所述金属线栅覆盖在所述吸光线栅上。本发明通过在基板的一侧表面设置吸光线栅，金属线栅覆盖在吸光线栅上，通过吸光线栅吸收由基板的另一侧照射过来的光线中振动方向与金属线栅方向不平行的光线，从而防止将金属线栅偏振片应用在液晶显示面板中时，环境光在液晶显示面板上大量反射，降低液晶显示面板显示图像的对比度。
【IPC分类】G02B5/30, G02F1/1335
【公开号】CN105467499
【申请号】CN201610029288
【发明人】祝明, 杨亚锋, 刘震, 姚继开
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2016年1月15日