显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本公开涉及显示装置，并且更具体地，涉及一种具有镜功能的显示装置。
【背景技术】
[0002]随着信息技术的迅速发展，用于显示大量信息的显示装置已迅速地发展。更具体地，已积极地追求并且广泛地应用诸如有机电致发光显示(OLED)装置和液晶显示(IXD)装置的外形薄、重量轻且功耗低的平板显示(FPD)装置。
[0003]近来，已提出并且积极地发展了除图像显示功能之外还具有镜功能的显示装置。也就是说，在开状态下，显示装置显示图像，而在关状态下，显示装置充当镜。
[0004]对于镜功能，显示装置在显示图像的一侧包括半镜玻璃。
[0005]半镜玻璃通过将金属氧化物沉积在玻璃基板的表面上而具有镜面效果。半镜玻璃反射一些光并且透射其它光。顺便，因为半镜玻璃具有大约40%的透射率，所以半镜玻璃减小显示装置的亮度。
[0006]特别地，当显示装置是液晶显示装置时，液晶显示装置的上偏振器具有大约43%的透射率，并且上偏振器和半镜玻璃的总透射率是大约17.2%。因此，包括半镜玻璃的液晶显示装置的亮度非常低。
[0007]而且，因为半镜玻璃具有比显示面板厚的大约3mm的厚度，所以显示装置的厚度由于半镜玻璃而增加。
[0008]此外，半镜玻璃机械地固定至显示装置，显示装置的厚度进一步增加。另外，制造工艺复杂，并且添加了制造设备和材料从而增加制造成本。这时，因为在半镜玻璃与显示装置之间存在气隙并且光散射，所以生成了数个图像，并且图像质量降低了。
【发明内容】
[0009]因此，本发明致力于一种基本上消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的问题中的一个或更多个的具有镜功能的显示装置。
[0010]本公开的一个目的在于提供一种具有增加亮度的镜功能、纤薄厚度和改进的图像质量的显示装置。
[0011]本公开的另一目的在于提供一种通过简单工艺和降低成本制造的具有镜功能的显示装置。
[0012]本发明的附加的特征和优点将在以下的说明书中阐述，并且部分地从本说明书中将是显而易见的，或者可以通过本发明的实践学习到。本发明的目标和其它优点将由在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0013]为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的，如本文所具体实现和广义描述的，提供了一种显示装置包括:显示面板，该显示面板包括多个像素并且通过第一表面输出图像；以及第一偏振器，该第一偏振器附接至所述显示面板的所述第一表面，所述第一偏振器透射第一方向的线偏振光并且反射与所述第一方向垂直的第二方向的线偏振光，其中，当未施加电压时，所述显示装置被用作镜模式并且所述第一偏振器反射外部光，而当施加了电压时，所述显示装置被用作图像显示模式并且来自所述显示面板的图像通过所述第一偏振器来输出。
[0014]应当理解，以上总体描述和以下详细描述这二者是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
【附图说明】
[0015]附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与本说明书一起用来说明本发明的原理。附图中:
[0016]图1是根据本发明的第一实施方式的显示装置的示意截面图；
[0017]图2是示意性地例示了根据本发明的第一实施方式的显示装置的显示面板并且示出了像素区域的截面图；
[0018]图3A和图3B是例示了根据本发明的第一实施方式的显示装置的操作模式的示意截面图；
[0019]图4是放大根据本发明的第一实施方式的显示装置的第一偏振器的示意截面图；
[0020]图5是放大根据本发明的第一实施方式的第一偏振器的第一膜的不意截面图；
[0021]图6是根据本发明的第二实施方式的显示装置的示意截面图；
[0022]图7是根据本发明的第三实施方式的显示装置的示意截面图；
[0023]图8是示意性地例示了根据本发明的第三实施方式的显示装置的显示面板的截面图；
[0024]图9A和图9B是例示了根据本发明的第三实施方式的显示装置的操作模式的示意截面图；以及
[0025]图10是示意性地例示了根据本发明的第四实施方式的显示装置的显示面板的示意截面图。
【具体实施方式】
[0026]现在将详细地参照本公开的实施方式，其示例被例示在附图中。
[0027]-第一实施方式-
[0028]图1是根据本发明的第一实施方式的显示装置的示意截面图，并且图2是示意性地例示了根据本发明的第一实施方式的显示装置的显示面板并且示出了像素区域的截面图。这里，液晶面板作为显示面板的示例被描述。
[0029]在图1中，根据本发明的第一实施方式的显示装置100包括作为显示面板的液晶面板110、布置在液晶面板110的第一侧的第一偏振器160以及布置在液晶面板110的第二侧的第二偏振器170。另外，本发明的显示装置100还包括布置在第二偏振器170下方的背光单元190。
[0030]参照图2，液晶面板110包括第一基板120、第二基板140以及位于第一基板120与第二基板140之间的液晶层150。
[0031]选通线(未示出)和栅电极122形成在第一基板120的内表面上。选通线在一个方向上延伸，并且栅电极122连接至选通线。栅电极122可以从选通线延伸或者可以是选通线的一部分。
[0032]栅绝缘层124形成在选通线和栅电极122上。栅绝缘层124可以由诸如硅氮化物(SiNx)或二氧化娃(S12)的无机绝缘材料形成。
[0033]半导体层126形成在栅绝缘层124上以对应于栅电极122。半导体层126包括本征非晶硅的有源层126a和掺杂有杂质的非晶硅的欧姆接触层126b。
[0034]源电极128和漏电极129形成在半导体层126上。源电极128和漏电极129在半导体层126上方彼此间隔开。有源层126a被暴露在源电极128与漏电极129之间。欧姆接触层126b可以具有与源电极128和漏电极129相同的形状，并且排除有源层126a在源电极128与漏电极129之间的一部分，有源层126a可以具有与源电极128和漏电极129相同的形状。另选地，源电极128和漏电极129可以部分地覆盖有源层126a和欧姆接触层126b的侧部。
[0035]栅电极122、半导体层126、源电极128和漏电极129构成薄膜晶体管T，并且在源电极128与漏电极129之间暴露的有源层126a的部分成为薄膜晶体管T的沟道。
[0036]这里，薄膜晶体管T具有栅电极122被布置在半导体层126下方并且源电极128和漏电极129被布置在半导体层126上方的反交错结构。
[0037]另选地，薄膜晶体管可以具有栅电极以及源电极和漏电极被布置在半导体层的一侧(即，在半导体层上方)的共面结构。在这种情况下，半导体层可以由多晶硅形成，并且半导体层的两端可以掺杂有杂质。
[0038]此外，半导体层可以由氧化物半导体形成，并且当薄膜晶体管可能具有反交错结构时，可以省略欧姆接触层。
[0039]另外，数据线(未示出)由与源电极128和漏电极129相同的材料形成并且形成在与源电极128和漏电极129相同的层上。数据线与选通线交叉以定义像素区域并且连接至源电极128。这时，数据线可以与选通线交叉(其中，直角在数据线与选通线之间)或者可以与选通线倾斜地交叉(其中，预定角度在数据线与选通线之间)。虚设半导体图案可以形成在数据线下方，并且虚设半导体图案可以包括与半导体层126相同的材料并且具有与半导体层126相同的结构。另选地，数据线可以直接接触栅绝缘层124，而在其下方没有任何图案。
[0040]第一钝化层130形成在源电极128以及漏电极129和数据线上。第一钝化层130可以由诸如二氧化硅(S12)或硅氮化物(SiNx)的无机绝缘材料形成。
[0041]第二钝化层132形成在第一钝化层130上。第二钝化层132具有平坦表面并且具有因第一钝化层130而暴露漏电极129的漏接触孔132a。第二钝化层132可以由诸如苯并环丁稀(BCB)或光致丙稀酸(photo acryl)的有机绝缘材料形成。
[0042]这里，可以省略第一钝化层130和第二钝化层132中的一个。
[0043]像素电极134和公共电极136在像素区域中形成在第二钝化层132上。像素电极134通过漏接触孔132a连接至漏电极129。公共电极136的图案与像素电极134的图案间隔开并且与像素电极134的图案交替地布置。像素电极134和公共电极136可以由诸如铟锡氧化物或铟锌氧化物的透明导电材料形成。
[0044]这里，公共线(未示出)还可以由与选通线相同的材料形成并且形成在与选通线相同的层上以及可以与选通线平行。第二