110的上表面，所以附接工艺简单，并且不需要附加的设备和材料。因此，能够降低制造成本。而且，在图1的第一偏振器160与液晶面板110之间不存在气隙，能够提高图像质量。
[0080]-第二实施方式-
[0081]图6是根据本发明的第二实施方式的显示装置的示意截面图。根据第二实施方式的显示装置100除触摸面板之外具有与根据第一实施方式的显示装置相同的结构。这里，相同的部分将由相同的标记标明，并且将缩短针对相同的部分的说明。
[0082]在图6中，根据本发明的第二实施方式的显示装置100包括作为显示面板的液晶面板110。液晶面板110可以具有与图2的结构相同的结构。
[0083]作为上偏振器的第一偏振器160经由第一粘合层182附接至液晶面板110的第一表面，即，用来输出由液晶面板110产生的图像的上表面。第一偏振器160是反射式偏振器，其透射第一方向的线偏振光并且反射与第一方向垂直的第二方向的线偏振光。第一偏振器160可以具有图4和图5的相同结构。
[0084]触摸面板200被布置在第一偏振器160上方。可以对触摸面板200施加各种类型的检测位置信息，并且例如，触摸面板200可以是电容类型。膜类型的触摸面板200可以被单独地制造并且附接至第一偏振器160。另选地，可以通过在第一偏振器160上形成触摸电极一起制造触摸面板200。
[0085]同时，作为下偏振器的第二偏振器170经由第二粘合层184附接至液晶面板110的第二表面，即，与第一表面相反的下表面。第二偏振器170是吸收式偏振器，并且第二偏振器170的吸收轴与第一偏振器160的透射轴平行。因此，第二偏振器170吸收第一方向的线偏振光并且透射第二方向的线偏振光。
[0086]而且，背光单元190被布置在根据本发明的第二实施方式的显示装置100的第二偏振器170下方。
[0087]根据本发明的第二实施方式的显示装置100能够通过使用反射式偏振器的第一偏振器160取决于电压的施加而被用作镜模式或图像显示模式，并且能够具有与现有技术的显示装置高的透射率和亮度。这时，因为根据本发明的第二实施方式的显示装置100还包括触摸功能，所以能易于操作显示装置100。
[0088]在这些实施方式中，显示面板被用作液晶面板，并且显示面板不限于此。S卩，可以将使用有机发光二极管的显示面板或使用量子棒的显示面板用作显示面板。这时，可以省略第二偏振器和/或背光单兀。
[0089]-第三实施方式-
[0090]图7是根据本发明的第三实施方式的显示装置的示意截面图，并且图8是示意性地例示了根据本发明的第三实施方式的显示装置的显示面板并且示出了像素区域的截面图。
[0091]在图7中，根据本发明的第三实施方式的显示装置300包括作为显示面板的液晶面板310，并且液晶面板310包括第一基板320、第二基板340以及位于第一基板320与第二基板340之间的液晶层350。由液晶面板310产生的图像通过第一基板320被输出到外面。
[0092]另外，本发明的显示装置300还包括布置在液晶面板310的第一侧(即，在第一基板320的外表面处)的第一偏振器360、布置在液晶面板310的第二侧(S卩，在第二基板340的外表面处)的第二偏振器370以及布置在第二偏振器370下方的背光单元390。
[0093]参照图8，选通线321和栅电极322形成在液晶面板310的第一基板320的内表面上。例如，选通线321和栅电极322由具有相对较低的电阻率的金属材料形成，所述金属材料可以是铜(Cu)。选通线321在一个方向上延伸，并且栅电极322连接至选通线321。栅电极322可以从选通线321延伸或者可以是选通线321的一部分。
[0094]栅绝缘层324形成在选通线321和栅电极322上。栅绝缘层324可以由诸如硅氮化物(SiNx)或二氧化娃(S12)的无机绝缘材料形成。
[0095]半导体层326形成在栅绝缘层324上以对应于栅电极322。半导体层326包括本征非晶硅的有源层326a和掺杂有杂质的非晶硅的欧姆接触层326b。
[0096]源电极328和漏电极329形成在半导体层326上。源电极328和漏电极329在半导体层326上方彼此间隔开。有源层326a被暴露在源电极328与漏电极329之间。欧姆接触层326b可以具有与源电极328和漏电极329相同的形状，并且排除有源层326a在源电极328与漏电极329之间的一部分，有源层326a可以具有与源电极328和漏电极329相同的形状。另选地，源电极328和漏电极329可以部分地覆盖有源层326a和欧姆接触层326b的侧部。
[0097]栅电极322、半导体层326、源电极328和漏电极329构成薄膜晶体管T，并且在源电极328与漏电极329之间暴露的有源层326a的部分成为薄膜晶体管T的沟道。
[0098]这里，薄膜晶体管T具有栅电极322被布置基本上在半导体层326下方并且源电极328和漏电极329被布置基本上在半导体层326上方的反交错结构。
[0099]另选地，薄膜晶体管可以具有栅电极以及源电极和漏电极被布置在半导体层的一侧(B卩，基本上在半导体层上方)的共面结构。在这种情况下，半导体层可以由多晶硅形成，并且半导体层的两端可以掺杂有杂质。
[0100]此外，半导体层可以由氧化物半导体形成，并且当薄膜晶体管可以具有反交错结构时，可以省略欧姆接触层。
[0101]另外，数据线327由与源电极328和漏电极329相同的材料形成并且形成在与源电极328和漏电极329相同的层上。例如，数据线327以及源电极328和漏电极329由具有相对较低的电阻率的金属材料形成，所述金属材料可以是铜(Cu)。尽管图中未示出，但是数据线327与选通线321交叉以定义像素区域并且连接至源电极328。这时，数据线327可以与选通线321交叉(其中，直角在数据线与选通线之间)或者可以与选通线321倾斜地交叉(其中，预定角度在数据线与选通线之间)。数据线327与栅绝缘层324直接接触。另选地，虚设半导体图案可以形成在数据线下方，即，在栅绝缘层324与数据线327之间，并且虚设半导体图案可以包括与半导体层326相同的材料并且具有与半导体层326相同的结构。
[0102]第一钝化层330形成在源电极328以及漏电极329和数据线327上。第一钝化层330可以由诸如二氧化硅(S12)或硅氮化物(SiNx)的无机绝缘材料形成。
[0103]第二钝化层332形成在第一钝化层330上。第二钝化层332具有平坦表面并且具有因第一钝化层330而暴露漏电极329的漏接触孔332a。第二钝化层332可以由诸如苯并环丁烯(BCB)或光致丙烯酸的有机绝缘材料形成。
[0104]这里，可以省略第一钝化层330和第二钝化层332中的一个。
[0105]像素电极334和公共电极336在像素区域中形成在第二钝化层332上。像素电极334通过漏接触孔332a连接至漏电极329。公共电极336的图案与像素电极334的图案间隔开并且与像素电极334的图案交替地布置。像素电极334和公共电极336可以由诸如铟锡氧化物或铟锌氧化物的透明导电材料形成。
[0106]这里，公共线(未示出)还可以由与选通线相同的材料形成并且形成在与选通线321相同的层上以及可以与选通线321平行。第二钝化层332还可以具有因第一钝化层330和栅绝缘层324而暴露公共线的公共接触孔(未示出)，并且公共电极336可以通过公共接触孔连接至公共线。
[0107]另选地，像素电极334和公共电极336可以在像素区域中彼此交叠，并且像素电极334和公共电极336的一个(其被布置在另一个上)可以具有多个开口部。
[0108]第一基板320可以被称为阵列基板。
[0109]同时，黑底342形成在第二基板340的内表面上。黑底342具有与像素区域对应的开口。可以将黑底342形成为对应于选通线321、数据线327和薄膜晶体管T。
[0110]滤色器层344形成在黑底342上方并且对应于黑底342的开口。滤色器层344包括依次且重复地布置使得一个滤色器对应于一个像素区域的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。
[0111]这里，描述了滤色器层344形成在第二基板340上方。另选地，滤色器层可以形成在第一基板320上方。S卩，根据本发明的第三实施方式的液晶面板310可以在滤色器层形成在第一基板320的薄膜晶体管T上方或下方的阵列结构上具有滤色器。
[0112]在阵列结构上的滤色器中，因为能够减小第一基板320与第二基板340之间的粘合边缘，所以能够增加开口率。这时，黑底342可以形成在第一基板320或第二基板340上方。另选地，可以省略黑底342，并且在这种情况下，可以进一步增加开口率。
[0113]覆盖层(未示出)可以形成在滤色器层344上方以保护并且弄平滤色器层344。