用于后光学邻近修正修复的方法
【专利摘要】本发明提供一种用于后光学邻近修正修复的方法。所述方法包括：第一步骤：基于所述后光学邻近修正修复之前的光学邻近修正过程所产生的错误标记形成局部修正区域；以及第二步骤：在所述局部修正区域内实施局部光学邻近修正，直到不再产生错误标记。本发明所提供的用于后光学邻近修正修复的方法基于局部修正区域进行后光学邻近修正，可以大大减少运算量，提高效率。
【专利说明】
用于后光学邻近修正修复的方法
技术领域
[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种用于后光学邻近修正修复(postOptical Proximity Correct1n repair, post-OPC repair)的方法。
【背景技术】
[0002]随着集成电路的复杂度越来越高，特征尺寸也变的越来越小。当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变，该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应，提出了分辨率增强技术。其中，光学邻近修正(即0PC)已成为最重要的技术。
[0003]OPC不是一个一次就能得到精确结果的过程，它是一个不断迭代的过程，需要多次验证修改。于是post-OPC r印air (即对已经做过OPC的版图进行验证后的修复)成为提高OPC质量的必需步骤。现有的post-OPC repair方法是基于整个版图例如整个芯片的区域重做0PC，这样的方法非常耗时，运算量大且效率低下。
【发明内容】
[0004]针对现有技术的不足，本发明提供一种用于后光学邻近修正修复的方法。所述方法包括:第一步骤:基于所述后光学邻近修正修复之前的光学邻近修正过程所产生的错误标记(error mark)形成局部修正区域；以及第二步骤:在所述局部修正区域内实施局部光学邻近修正，直到不再产生错误标记。
[0005]在本发明的一个实施例中，所述方法还包括在所述第二步骤之后进行基于整个芯片的全局光学邻近修正。
[0006]在本发明的一个实施例中，所述方法还包括在所述第二步骤进行的中间阶段穿插进行一次全局光学邻近修正。
[0007]在本发明的一个实施例中，所述第二步骤进行的中间阶段为:所述局部光学邻近修正已进行了预定阈值的次数。
[0008]在本发明的一个实施例中，所述预定阈值为10。
[0009]在本发明的一个实施例中，所述方法是针对连接孔层的光学邻近修正。
[0010]在本发明的一个实施例中，所述连接孔为接触孔(contact，CT)。
[0011 ] 在本发明的一个实施例中，所述局部光学邻近修正包括接触孔图案的边缘移动。
[0012]在本发明的一个实施例中，所述边缘移动的移动距离为0.5纳米。
[0013]在本发明的一个实施例中，所述局部修正区域的大小为0.9微米X 0.9微米。
[0014]本发明所提供的用于后光学邻近修正修复的方法基于局部修正区域进行后光学邻近修正，可以大大减少运算量，提高效率。
【附图说明】
[0015]本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
[0016]附图中:
[0017]图1示出了对接触孔的光学邻近修正的示例；
[0018]图2示出了根据本发明一个实施例的用于后光学邻近修正修复的方法的流程图；
[0019]图3示出了采用图2的方法对图1的接触孔的后光学邻近修正修复的示例；以及
[0020]图4示出了根据本发明另一个实施例的用于后光学邻近修正修复的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0021]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
[0022]应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。
[0023]在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0024]为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述夕卜，本发明还可以具有其他实施方式。
[0025]OPC已经成为集成电路制造工艺中关键尺寸(critical dimens1n,⑶)控制和良率提升不可缺少的途径。通过修改设计图形来预补偿制程偏差以提高图像的还原能力和解析度。然而，在当前阶段，OPC验证过程在整个芯片上实施，这要求进行许多次迭代过程，非常耗时。例如，对接触孔和通孔等连通孔的0PC。
[0026]图1示出了对接触孔的光学邻近修正的示例。接触孔的OPC修正程序被设计为确保晶圆上的图形轮廓可以与接触孔目标相吻合。然而，即使经过较好准备和调整的修正程序(recipe)仍然可能使一些轮廓偏离目标。如图1所示，光学邻近修正后接触孔轮廓与栅极(gate，GT)太过接近，其距离小于10纳米的规格，这会对电路的电学属性产生不良影响。图1中的方框B标出了需要向内移动的问题边缘。为了进行问题边缘的移动，需要进行后光学邻近修正修复。如前所述，现有的后光学邻近修正修复过程在整个芯片上实施，需要许多次迭代修复才能清除所有错误，该过程将消耗大量的CPU时间。
[0027]图2示出了根据本发明一个实施例的用于后光学邻近修正修复的方法200的流程图。如图2所示，方法200包括以下步骤:
[0028]步骤201:基于后光学邻近修正修复之前的光学邻近修正过程所产生的错误标记形成局部修正区域。
[0029]步骤202:在步骤201中所形成的局部修正区域内实施局部光学邻近修正，直到不再产生错误标记。
[0030]通过前一道工序的OPC验证，将会得到错误标记。基于初始的错误标记可以产生局部修正区域。该局部修正区域包围初始错误标记。接着图1的示例，图3示出了采用图2的方法对图1的接触孔的后光学邻近修正修复的示例。如图3所示，基于原始的错误标记(图1的方框B)产生局部修正区域，该局部修正区域可以表示为RE0PC，如图3所示，该局部修正区域REOPC仅是整个芯片的很小一个区域。例如，该区域的大小例如为0.9微米X
0.9微米。该局部修正区域REOPC可以视为整个芯片的滤波器。所有接下来的修复和验证将在该局部修正区域REOPC内进行。局部光学邻近修正可以包括接触孔图案的边缘移动。可选地，边缘移动的大小可以设置为0.5纳米。
[0031]具体地，该局部修正区域内的第一次循环的验证又会产生新的错误标记，该新的错误标记数量会比上个循环(即，后光学邻近修正修复之前的光学邻近修正过程)所产生的错误标记数量少很多。而在该局部修正区域内的第一次循环的验证产生的错误标记会传递给下一个循环继续做修复及验证。这样，错误标记随着循环次数越来越少，直到完全清除。因此，可以大大减小CPU时间。经过试验发现，对于某些大尺寸芯片(例如10毫米X 10毫米的芯片)，采用现有的方法需要两周时间做修复，而根据本发明的方法只要两天即可完成。
[0032]本领域普通技术人员可以理解，图3所示出的对接触孔的后光学邻近修正修复仅是一个示例，根据本发明实施例的用于后光学邻近修正修复的方法还可以适用于任何其他需要post-OPC repair的应用。
[0033]图4示出了根据本发明另一个实施例的用于后光学邻近修正修复的方法400的流程图。如图4所示，方法400包括以下步骤:
[0034]步骤401:基于后光学邻近修正修复之前的光学邻近修正过程所产生的错误标记形成局部修正区域。
[0035]步骤402:在步骤401中所形成的局部修正区域内实施局部光学邻近修正，直到不再产生错误标记。
[0036]步骤403:在步骤402之后进行基于整个芯片的全局光学邻近修正。
[0037]其中，步骤401和步骤402分别与方法200的步骤201和步骤202类似，因此此处不再赘述。
[0038]在方法400中，当在步骤402后增加了步骤403，在步骤403中进行一次全局光学邻近修正。这样可以确保整个芯片没有剩下的错误标记。
[0039]优选地，还可以在步骤402进行的中间阶段穿插进行一次全局光学邻近修正，以使修复效果更好。具体地，步骤402进行的中间阶段例如可以是局部光学邻近修正已进行了预定阈值的次数。该预定阈值例如可以为10次。也就是说，当在步骤402中已进行了 10次基于局部修正区域的局部光学邻近修正后，可以进行一次基于整个芯片的全局光学邻近修正，稍后继续进行步骤402的局部光学邻近修正，并且进行10次。
[0040]这样，整个后光学邻近修正修复主要基于局部光学邻近修正，并在局部光学邻近修正的中间阶段和最后分别进行全局光学邻近修正，不仅提高了修复效率，还确保了更好的修复质量。
[0041]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种用于后光学邻近修正修复的方法，其特征在于，所述方法包括: 第一步骤:基于所述后光学邻近修正修复之前的光学邻近修正过程所产生的错误标记形成局部修正区域；以及 第二步骤:在所述局部修正区域内实施局部光学邻近修正，直到不再产生错误标记。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述第二步骤之后进行基于整个芯片的全局光学邻近修正。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述第二步骤进行的中间阶段穿插进行一次全局光学邻近修正。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二步骤进行的中间阶段为:所述局部光学邻近修正已进行了预定阈值的次数。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预定阈值为10。6.如权利要求1-5中的任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法是针对连接孔层的光学邻近修正。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述连接孔为接触孔。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述局部光学邻近修正包括接触孔图案的边缘移动。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述边缘移动的移动距离为0.5纳米。10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述局部修正区域的大小为0.9微米X.0.9微米。
【文档编号】G03F1/36GK105842977SQ201510018670
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2015年1月14日
【发明人】杜杳隽
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司