一种ffs模式的阵列基板及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种FFS模式的阵列基板及其制备方法。该阵列基板定义有像素显示区；所述制作方法包括在所述阵列基板的像素显示区外围的数据信号输入侧形成数据侧金属层，扫描信号输入侧形成扫描侧金属层；在所述阵列基板上形成公共电极层；在所述像素显示区外围将所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层分别与所述公共电极层电连接。本发明还公开了一种阵列基板。本发明通过像素显示区外围的数据侧金属层和扫描侧金属层为阵列基板的公共电极层提供公共电压，不需要在像素显示区内制作公共电极线，能够在为公共电极层提供公共电压的同时，不影响液晶显示面板的开口率，提高显示质量。
【专利说明】
一种FFS模式的阵列基板及其制备方法
技术领域
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，具体而言涉及一种FFS模式的阵列基板及其制备方法。
【背景技术】
[0002]边缘场开关(Fringe Field Switching，简称FFS)是一种边缘场液晶显示模式，是目前常用的一种广视角液晶显示技术，FFS液晶显示面板具有响应时间快、光透过率高、宽视角等优点。FFS模式是在阵列基板的像素显示区通过公共电极与像素电极形成边缘电场来实现对液晶的控制以达到画面显示的目的，公共电极为一个整体的公共电极层，像素电极的电位通过数据线来独立控制，公共电极的电位则由外部电路独立控制。现有技术中，通过在像素显示区内形成公共电极线与公共电极电连接，通过像素显示区内的公共电极线为公共电极提供公共电压，因为公共电极线布置在像素显示区内，从而占用了阵列基板像素显示区的有效透光区域的面积，从而导致阵列基板的开口率变小，影响液晶显示面板的显示质量。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，本发明提供一种FFS模式的阵列基板及其制备方法，本发明的阵列基板能够在为公共电极层提供公共电压的同时，不影响液晶显示面板的开口率，提高显示质量。
[0004]为解决上述技术问题，本发明提出的一个技术方案是:提供一种FFS模式的阵列基板的制备方法，所述阵列基板定义有像素显示区；
[0005]所述制备方法包括:
[0006]在所述阵列基板的像素显示区外围的数据信号输入侧形成数据侧金属层，扫描信号输入侧形成扫描侧金属层；
[0007]在所述阵列基板上形成公共电极层；
[0008]在所述像素显示区外围将所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层分别与所述公共电极层电连接；
[0009]其中，所述数据侧金属层与所述公共电极层电连接的位置有若干，或所述数据侧金属层与所述公共电极层之间相邻的边界连续接触以实现电连接;所述扫描侧金属层与所述公共电极层电连接的位置有若干，或所述扫描侧金属层与所述公共电极层之间相邻的边界连续接触以实现电连接。
[0010]其中，所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层与所述像素显示区内的扫描线和/或数据线的金属层一同形成；
[0011]所述公共电极层覆盖所述像素显示区，且在所述像素显示区外围至少部分覆盖所述数据侧金属层和偶数扫描侧金属层。
[0012]其中，所述在所述阵列基板的像素显示区外围的数据信号输入侧形成数据侧金属层，扫描信号输入侧形成扫描侧金属层具体为:
[0013]在所述阵列基板的像素显示区外围形成第一金属层，通过一道光罩对所述像素显示区外围扫描信号输入侧的第一金属层进行刻蚀；
[0014]在所述阵列基板上形成第一隔离层，通过一道光罩在所述像素显示区外围的数据信号输入侧的第一隔离层上形成通孔；
[0015]在所述隔离层上形成第二金属层，在所述像素显示区外围的数据信号输入侧，所述第二金属层通过所述第一隔离层上的通孔与所述第一金属层电连接，形成数据信号输入侧的数据侧金属层，在所述像素显示区外围的扫描信号输入侧的第二金属层形成扫描信号输入侧的扫描侧金属层；
[0016]其中，所述第一金属层与像素显示区内扫描线同时形成的金属层，所述第二金属层与像素显示区内数据线同时形成的金属层。
[0017]其中，所述在所述阵列基板的像素显示区外围的数据信号输入侧形成数据侧金属层，扫描信号输入侧形成扫描侧金属层具体为:
[0018]在所述阵列基板的像素显示区外围形成第一金属层，通过光罩对所述像素显示区外围数据信号输入侧的第一金属层进行刻蚀；
[0019]在所述阵列基板上形成第一隔离层，通过光罩在所述像素显示区外围的数据信号输入侧的第一隔离层上形成通孔；
[0020]在所述隔离层上形成第二金属层，在所述像素显示区外围的扫描信号输入侧，所述第二金属层通过所述第一隔离层上的通孔与所述第一金属层电连接，形成扫描信号输入侧的扫描侧金属层，在所述像素显示区外围的数据信号输入侧的第二金属层形成数据信号输入侧的数据侧金属层；
[0021]其中，所述第一金属层与像素显示区内扫描线同时形成的金属层，所述第二金属层与像素显示区内数据线同时形成的金属层。
[0022]其中，所述在所述像素显示区外围将所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层分别与所述公共电极层电连接具体为:
[0023]在所述第二金属层上形成第二隔离层，在所述第二隔离层上形成平坦层，通过一道光罩在所述平坦层上形成通孔；
[0024]在所述平坦层上形成公共电极层，通过一道光罩在所述公共电极层上形成通孔，所述公共电极层上的通孔的位置与所述平坦层上的通孔的位置一致；
[0025]在所述公共电极层上形成第三隔离层，通过一道光罩同时在所述第三隔离层和所述第二隔离层上形成通孔，所述第三隔离层和所述第二隔离层上通孔的位置与所述公共电极层上的通孔的位置一致，同时通过同一道在所述第三隔离层上形成另一通孔；
[0026]在所述第三隔离层上形成像素电极层，所述像素电极层通过所述另一通孔与所述公共电极层电连接，其中，所述像素电极层在所述像素显示区外围，与所述像素显示区内的像素电极同时形成。
[0027]本发明另一实施例提供一种FFS模式的阵列基板，所述阵列基板定义有像素显示区，且至少在所述像素显示区上设置有公共电极层；
[0028]所述阵列基板的像素显示区外围的数据信号输入侧设有数据侧金属层，扫描信号输入侧设有扫描侧金属层，所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层均电接连所述公共电极层，为所述公共电极层提供公共电压；
[0029]其中，所述数据侧金属层与所述公共电极层电连接的位置有若干，或所述数据侧金属层与所述公共电极层之间相邻的边界连续接触以实现电连接;所述扫描侧金属层与所述公共电极层电连接的位置有若干，或所述扫描侧金属层与所述公共电极层之间相邻的边界连续接触以实现电连接。
[0030]其中，所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层均连接有PCB板，所述PCB板与公共电压源连接。
[0031]其中，所述数据侧金属层包括从下至上设置的第一金属层和第二金属层，所述扫描侧金属与所述第二金属层同层设置;或
[0032]所述扫描侧金属层包括从下至上设置的第一金属层和第二金属层，所述数据侧金属层与所述第二金属层同层设置；
[0033]其中，所述第一金属层是与像素显示区内扫描线同时形成的金属层，所述第二金属层是与像素显示区内数据线同时形成的金属层。
[0034]其中，所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层均连接有PCB板具体为:
[0035]所述数据侧金属层中，仅所述第一金属层连接所述PCB板;或
[0036]所述扫描侧金属层中，仅所述第一金属层连接有PCB板。
[0037]其中，所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层均电接连所述公共电极层具体为:
[0038]所述数据侧金属层或所述扫描侧金属层中，所述第一金属层和所述第二金属层之间设有第一隔离层，所述第二金属层通过所述第一隔离层上的通孔与所述第一金属层电连接；
[0039]所述第二金属层上从下至上依次设有第二隔离层、平坦层、公共电极层、第三隔离层和像素电极层，所述第二金属层通过所述第二隔离层、所述平坦层和所述第三隔离层上的通孔与所述像素电极层电连接，所述像素电极层与所述公共电极层通过所述第三隔离层上的另一通孔电连接，实现所述第二金属层与所述公共电极层电连接；
[0040]所述像素电极层在所述像素显示区外围，与所述像素显示区内的像素电极同时形成。
[0041]有益效果:区别于现有技术，本发明通过在所述阵列基板的像素显示区外围的数据信号输入侧形成数据侧金属层，扫描信号输入侧形成扫描侧金属层;在所述阵列基板上形成公共电极层;在所述像素显示区外围将所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层分别与所述公共电极层电连接。本发明利用像素显示区外围的数据侧金属层和扫描侧金属层为阵列基板的公共电极层提供公共电压，不需要在像素显示区内制作公共电极线，能够在为公共电极层提供公共电压的同时，不影响液晶显示面板的开口率，提高显示质量。
【附图说明】
[0042]图1是本发明阵列基板的制备方法一实施例的流程示意图；
[0043]图2是根据图1制备得到的阵列基板的平面示意图；
[0044]图3是图1中步骤SI的一具体流程示意图；
[0045]图4a_图4b是根据图3制备得到的数据侧金属层和扫描侧金属层的结构示意图；
[0046]图5是图1中步骤SI的另一具体流程不意图；
[0047]图6a_图6b是根据图5制备得到的扫描侧金属层和数据侧金属层的结构示意图；
[0048]图7是图1中步骤S3的具体流程示意图；
[0049]图8a-图Sd是根据图7制备得到的数据侧金属层和扫描侧金属层与公共电极层电连接的结构示意图；
[0050]图9a_图9d是图8a_图8d的平面不意图。
具体实施例
[0051]为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本发明所提供的一种FFS模式的阵列基板及其制备方法做进一步详细描述。在附图中，为了清楚器件，夸大了层和区域的厚度，相同的标号在整个说明书和附图中用来表示相同的元件。
[0052]本发明实施例的FFS模式的阵列基板定义有像素显示区，所述像素显示区指阵列基板上设有像素电极，用于液晶显示面板显示的区域。
[0053]图1为本发明阵列基板的制备方法一实施例的流程示意图，该阵列基板的制备方法具体包括如下步骤:
[0054]S1、在所述阵列基板的像素显示区外围的数据信号输入侧形成数据侧金属层，扫描信号输入侧形成扫描侧金属层。
[0055]在阵列基板中数据线呈纵向排布，数据信号根据数据线的排布呈纵向传输，将数据信号沿数据线纵向输入阵列基板的像素显示区的方向定义为数据信号输入侧;在阵列基板的像素显示区外围的数据信号输入侧形成一层金属层，该金属层定义为数据侧金属层。在阵列基板中扫描线线呈横向排布，扫描信号根据扫描线的排布呈横向传输，将扫描信号沿扫描线横向输入阵列基板的像素显示区的方向定义为扫描信号输入侧;在阵列基板的像素显示区外围的扫描信号输入侧形成一层金属层，该金属层定义为数据侧金属层。
[0056]像素显示区外围的数据侧金属层和数据侧金属层是与像素显示区内用于制备扫描线和/或数据线的金属层一起形成的。
[0057]在阵列基板上通过溅射、沉积或涂覆形成一层用于制备扫描线和/或数据线的金属层，再通过涂布、曝光、显影、湿刻、干刻和剥离等方法在像素显示区形成扫描线和数据线，同时在像素显示区外围形成围绕所述像素显示区的金属层。
[0058]S2、在所述阵列基板上形成公共电极层。
[0059]基于FFS模式的液晶显示面板中的公共电极层设置在阵列基板上，在阵列基板上，该公共电极层至少覆盖阵列基板的像素显示区，可选的，公共电极层覆盖的区域略大于像素显示区。
[0060]S3、在所述像素显示区外围将所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层分别与所述公共电极层电连接。
[0061]在像素显示区外围将数据侧金属层和扫描侧金属层分别与阵列基板的公共电极层电连接，数据侧金属层和扫描侧金属层分别与公共电压源连接，则数据金属层和扫描金属层能够为阵列基板的公共电极层提供公共电压，从而利用像素显示区外围的数据金属层和扫描金属层为公共电极层提供公共电压，不需在像素显示区内制作公共电极线，能够为公共电极层提供公共电压的同时不影响液晶显示面板的开口率的目的。
[0062]其中，数据侧金属层和扫描侧金属层可以连接阵列基板外围设置的PCB板，可选的，数据侧金属层与阵列基板的数据信号输入侧外围的PCB板连接，PCB板与阵列基板之间通过覆晶薄膜(Chip On Film，C0F)连接，PCB板再与公共电压源连接，PCB板设置在阵列基板外围的数据信号输入侧，PCB板通过COF将公共电压信号传导至阵列基板上;其中，数据侧金属层的公共电压信号由阵列基板的数据信号输入侧外围的PCB板导入，扫描侧金属层的公共电压信号同样由阵列基板的数据信号输入侧外围的PCB板导入。
[0063]其中，可以仅通过数据金属层或扫描金属层为阵列基板的公共电极层提供公共电压，也可以通过数据金属层和扫描金属层同时为阵列基板的公共电极层提供公共电压。
[0064]在所述像素显示区外围，数据侧金属层和扫描侧金属层分别与阵列基板的公共电极层电连接，使得数据侧金属层和扫描侧金属层分别与公共电极层电连接。其中，数据侧金属层与公共电极层电连接的位置有若干，或数据侧金属层与公共电极层之间相邻的边界连续接触以实现电连接;扫描侧金属层与公共电极层电连接的位置有若干，或扫描侧金属层与公共电极层之间相邻的边界连续接触以实现电连接。
[0065]根据图1所示的本发明阵列基板的制备方法一实施例得到的阵列基板的平面示意图如图2所示，由于阵列基板的结构是层叠设置的，为了更清楚的表示出根据本发明实施例的阵列基板的制备方法一实施例得到阵列基板的公共电压的传输路径，图2中只标出了相关的层级结构。
[0066]参照图2，中心的阴影区域为像素显示区I，至少在像素显示区I上设有公共电极层
2。像素显示区外围的上下两侧对应阵列基板的数据信号输入侧，像素显示区外围的左右两侧对应阵列基板的扫描信号输入侧;像素显示区外围的数据信号输入侧设有数据侧金属层3，像素显示区外围的扫描信号输入侧设有扫描侧金属层4。图2中在阵列基板的数据信号输入侧设有PCB板5，数据侧金属层3通过馈电点6与数据信号输入侧的PCB板5连接，其中，扫描侧金属层外围设有⑶F，数据侧金属层3与PCB板之间也设有⑶F，PCB板通过⑶F将公共电压信号导入阵列基板上。图2中的公共电极层覆盖的区域略大于像素显示区I，未填充的区域为公共电极层2分别与数据侧金属层和扫描侧金属层的重叠区域，在该重叠区域，数据侧金属层和扫描侧金属层分别与公共电极层2电连接，数据侧金属层与公共电极层电连接的位置7有若干，扫描侧金属层与公共电极层电连接的位置8也有若干。此外，数据侧金属层与公共电极层还可以通过相邻的边界连续接触以实现电连接，扫描侧金属层与公共电极层还可以通过相邻的边界连续接触以实现电连接。数据侧金属层和扫描侧金属层分别与公共电极层电连接处电连接。
[0067]通过本发明阵列基板的制备方法得到的阵列基板，利用像素显示区外围的数据侧金属层和扫描侧金属层为阵列基板的公共电极层提供公共电压，在像素显示区外围建立公共电压的传导路径，不需在像素显示区内制作公共电极线，从而达到为公共电极层提供公共电压的同时不影响液晶显示面板的开口率的目的。
[0068]可选的，如图3所示，步骤SI具体包括如下步骤:
[0069]S101、在所述阵列基板的像素显示区外围形成第一金属层，通过一道光罩对所述像素显示区外围扫描信号输入侧的第一金属层进行刻蚀。
[0070]在阵列基板上通过溅射、沉积或涂覆形成一层用于制备扫描线的金属层，将该金属层定义为第一金属层。在第一金属层上通过涂布、曝光、显影、湿刻、干刻和剥离等工序，在像素显示区内形成扫描线，同时将像素显示区外围扫描信号输入侧的第一金属层刻蚀，此时像素显示区外围数据信号输入侧保留有第一金属层。
[0071]S102、在所述阵列基板上形成第一隔离层，通过一道光罩在所述像素显示区外围的数据信号输入侧的第一隔离层上形成通孔。
[0072]在阵列基板上形成第一隔离层，在像素显示区外围扫描信号输入侧，由于第一金属层被刻蚀了，第一隔离层沉积在基板上;在像素显示区外围数据信号输入侧，第一隔离层覆盖在第一金属层上。通过一道光罩在所述像素显示区外围的数据信号输入侧的第一隔离层上形成通孔。在该步骤中扫描信号输入侧的第一隔离层也可以被刻蚀掉。
[0073]S103、在所述第一隔离层上形成第二金属层。
[0074]在第一隔离层上形成第二金属层是与像素显示区内形成数据线的金属层一起的，第二金属层与用于形成数据线的金属层为同一金属层。通过溅射、沉积或涂覆等工艺将第二金属层形成在第一隔离层上，在所述像素显示区外围的数据信号输入侧，第二金属层通过第一隔离层上的通孔与第一金属层电连接，形成数据信号输入侧的数据侧金属层。在所述像素显示区外围的扫描信号输入侧的第二金属层形成扫描侧金属层，即扫描侧金属层与第二金属层同层设置。如图4a和图4b所示，图4a为数据侧金属层3的结构示意图，数据侧金属层3包括从下至上依次设置的第一金属层301、第一隔离层303和第二金属层302，第一金属层301通过第一隔离层303上的通孔3031与第二金属层302电连接；图4b为扫描侧金属层4的结构示意图，扫描侧金属层4与第二金属层302为同一层，且扫描侧金属层4和第二金属层302同层设置，扫描侧金属层4下方为第一隔离层303，此处第一隔离层303也可以在步骤S102中被刻蚀。数据侧金属层3中通过第一金属层301连接PCB板，扫描侧金属层外围设有C0F，数据侧金属层3与PCB板之间也设有C0F，PCB板通过COF将公共电压信号导入阵列基板上。
[0075]数据侧金属层和扫描侧金属层还可以通过下述步骤制作，可选的，如图5所示，步骤SI具体包括如下步骤:
[0076]S104、在所述阵列基板的像素显示区外围形成第一金属层，通过一道光罩对所述像素显示区外围数据信号输入侧的第一金属层进行刻蚀。
[0077]在阵列基板上形成一层用于制备扫描线的金属层，将该金属层定义为第一金属层。在第一金属层上进行刻蚀，在像素显示区内形成扫描线，同时将像素显示区外围数据信号输入侧的第一金属层刻蚀，此时像素显示区外围扫描信号输入侧保留有第一金属层。
[0078]S105、在所述阵列基板上形成第一隔离层，通过光罩在所述像素显示区外围的扫描信号输入侧的第一隔离层上形成通孔。
[0079]在阵列基板上形成第一隔离层，在像素显示区外围数据信号输入侧，由于第一金属层被刻蚀了，第一隔离层沉积在基板上;在像素显示区外围扫描信号输入侧，第一隔离层覆盖在第一金属层上。通过一道光罩在所述像素显示区外围的扫描信号输入侧的第一隔离层上形成通孔。
[0080]S106、在所述第一隔离层上形成第二金属层。
[0081]在第一隔离层上形成第二金属层是与像素显示区内形成数据线的金属层一起的，第二金属层与用于形成数据线的金属层为同一金属层。
[0082]将第二金属层形成在第一隔离层上，在所述像素显示区外围的扫描信号输入侧，第二金属层通过第一隔离层上的通孔与第一金属层电连接，形成扫描信号输入侧的扫描侧金属层。在所述像素显示区外围的数据信号输入侧的第二金属层形成数据侧金属层，即数据侧金属层与第二金属层同层设置。如图6a和图6b所示，图6a为扫描侧金属层4的结构示意图，扫描侧金属层4包括从下至上依次设置的第一金属层401、第一隔离层403和第二金属层402，第一金属层401通过第一隔离层403上的通孔与第二金属层402电连接；图6b为数据侧金属层3的结构示意图，数据侧金属层3即为第二金属层402，数据侧金属层3与第二金属层402同层设置；数据侧金属层3下方为第一隔离层403，此处第一隔离层403也可以在步骤S105中被刻蚀。扫描侧金属层4中通过第一金属层401连接PCB板，数据侧金属层3(等同于第二金属层402)连接PCB板。
[0083]基于上述的数据侧金属层和扫描侧金属层的制备方法，如图7所示，步骤S3具体包括如下步骤:
[0084]S301、在所述第二金属层上形成第二隔离层，在所述第二隔离层上形成平坦层，通过一道光罩在所述平坦层上形成通孔。
[0085]在第二金属层上形成第二隔离层，在第二隔离层上形成平坦层，对平坦层进行刻蚀时不影响第二隔离层，此时，第二隔离层上没有通孔。
[0086]S302、在所述平坦层上形成公共电极层，通过一道光罩在所述公共电极层上形成通孔。
[0087]在平坦层上沉积公共电极层，通过一道光罩在公共电极层上形成一个与平坦层上的通孔相对应的通孔，公共电极层上的通孔的位置与平坦层上的通孔的位置一致。可选的，公共电极层上的通孔的孔径大于平坦层上的通孔的孔径。
[0088]S303、在所述公共电极层上形成第三隔离层，通过一道光罩同时在所述第三隔离层和所述第二隔离层上形成通孔，所述第三隔离层和所述第二隔离层上通孔的位置与所述公共电极层上的通孔的位置一致，同时通过同一道在所述第三隔离层上形成另一通孔。
[0089]通过一道光罩在第三隔离层和第二隔离层上同时形成相对应的通孔，同时，通过同一道光罩在第三隔离层上形成另一通孔。
[0090]S304、在所述第三隔离层上形成像素电极层。
[0091]像素电极层在所述像素显示区外围，可以与所述像素显示区内的像素电极同时形成。像素电极层通过第三隔离层上的另一通孔与公共电极层电连接。
[0092]公共电极层与数据侧金属层和扫描侧金属层的电连接路径中设置像素电极层，公共电极层与像素电极层电连接的位置、公共电极层与数据侧金属层电连接的位置以及公共电极层与扫描侧金属层电连接的位置均有多个，该多个电连接的位置在阵列基板的像素显示区外围均有分布，能够使得公共电极层上的公共电压更加均一稳定。
[0093]通过上述的步骤S3，则在阵列基板上得到数据侧金属层和扫描侧金属层分别与公共电极层电连接的结构。参照图8a，数据侧金属层为从下至上依次设置的第一金属层301、第一隔离层303和第二金属层302，第一金属层301通过第一隔离层303上的通孔3031与第二金属层302电连接，第二金属层302上依次设有第二隔离层9、平坦层10、公共电极层11、第三隔离层12和像素电极层13，其中，像素电极层13在像素显示区外围，第二隔离层9上的通孔与第三隔离层12上的其中一个通孔1201为通过同一道光罩形成的，第二金属层302通过第二隔离层303的通孔901和平坦层100上的通孔1001，以及第三隔离层12上的其中一个通孔1201与像素电极层13电连接，像素电极层13通过第三隔离层12上的另一通孔1202与公共电极层11电连接。图9a为图8a所示的数据侧金属层与公共电极层电连接的平面示意图，数据信号输入为纵向输入，阴影部分为阵列基板上的公共电极层11，第一金属层301连接PCB板，PCB板连接公共电压源，公共电压源输出恒定的公共电压信号，公共电压信号经过第一金属层301，通过第一隔离层上的通孔3031传输到第二金属层302，在通过第二隔离层9上的通孔901、平坦层10上的通孔1001和第三隔离层12上的通孔1201导入像素电极层13，再通过第三隔离层12的另一通孔1202导入公共电极层11。参照图Sb，扫描侧金属层4即为第二金属层302，扫描侧金属层4上的结构与图8a中数据侧金属层上的结构相同。图9b为图8b所示的扫描侧金属层4与公共电极层11电连接的平面示意图，扫描信号输入为横向输入，阴影部分为公共电极层11，扫描侧金属层外围设有COF，数据侧金属层3与PCB板之间也设有COF，PCB板通过COF将公共电压信号导入数据侧金属层3和扫描侧金属层4上，公共电压信号经过扫描侧金属层4(第二金属层302)，再通过第二隔离层9上的通孔901、平坦层10上的通孔1001和第三隔离层12上的通孔1201导入像素电极层13，再通过第三隔离层12的另一通孔1202导入公共电极层。参照图Sc，扫描侧金属层4为从下至上依次设置的第一金属层401、第一隔离层403和第二金属层402，扫描侧金属层4上的层级结构与图8a相同，此处不再赘述。图9c为图Sc所示的扫描侧金属层4与公共电极层电11连接的平面示意图，扫描信号输入为横向输入，公共电压信号的传输方式与图9a所示的数据侧金属层3与公共电极层11电连接的平面示意图的公共电压传输的方式相同，此处不再赘述。参照图8d，数据侧金属层3即为第二金属层402，数据侧金属层3上的层级结构与图Sb相同，此处不再赘述。图9d为图Sd所示的数据侧金属层3与公共电极层11电连接的平面示意图，数据信号输入为纵向输入，公共电压信号的传输方式与图9b所示的数据侧金属层4与公共电极层11电连接的平面示意图的公共电压传输的方式相同，此处不再赘述。
[0094]图9a、图％、图9c和图9d中，由于第二隔离层9上的通孔901和第三隔离层12上的通孔1201是通过同一光罩形成，所以第二隔离层9上的通孔901和第三隔离层12上的通孔1201相互重叠，因此在图9a、图％、图9c和图9d中只标出处了第三隔离层12上的通孔1201。
[0095]本发明阵列基板的制备方法通过在所述阵列基板的像素显示区外围的数据信号输入侧形成数据侧金属层，扫描信号输入侧形成扫描侧金属层;在所述阵列基板上形成公共电极层;在所述像素显示区外围将所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层分别与所述公共电极层电连接。本发明通过像素显示区外围的数据侧金属层和扫描侧金属层为阵列基板的公共电极层提供公共电压，不需要在像素显示区内制作公共电极线，能够在为公共电极层提供公共电压的同时，不影响液晶显示面板的开口率，提高显示质量。
[0096]以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围。
【主权项】
1.一种FFS模式的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板定义有像素显示区； 所述制作方法包括: 在所述阵列基板的像素显示区外围的数据信号输入侧形成数据侧金属层，扫描信号输入侧形成扫描侧金属层； 在所述阵列基板上形成公共电极层； 在所述像素显示区外围将所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层分别与所述公共电极层电连接； 其中，所述数据侧金属层与所述公共电极层电连接的位置有若干，或所述数据侧金属层与所述公共电极层之间相邻的边界连续接触以实现电连接;所述扫描侧金属层与所述公共电极层电连接的位置有若干，或所述扫描侧金属层与所述公共电极层之间相邻的边界连续接触以实现电连接。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层与所述像素显示区内的扫描线和/或数据线的金属层一同形成； 所述公共电极层覆盖所述像素显示区，且在所述像素显示区外围至少部分覆盖所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述阵列基板的像素显示区外围的数据信号输入侧形成数据侧金属层，扫描信号输入侧形成扫描侧金属层具体为: 在所述阵列基板的像素显示区外围形成第一金属层，通过一道光罩对所述像素显示区外围扫描信号输入侧的第一金属层进行刻蚀； 在所述阵列基板上形成第一隔离层，通过一道光罩在所述像素显示区外围的数据信号输入侧的第一隔离层上形成通孔； 在所述隔离层上形成第二金属层;在所述像素显示区外围的数据信号输入侧，所述第二金属层通过所述第一隔离层上的通孔与所述第一金属层电连接，形成数据信号输入侧的数据侧金属层，在所述像素显示区外围的扫描信号输入侧的第二金属层形成扫描信号输入侧的扫描侧金属层； 其中，所述第一金属层与像素显示区内扫描线同时形成的金属层，所述第二金属层与像素显示区内数据线同时形成的金属层。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述阵列基板的像素显示区外围的数据信号输入侧形成数据侧金属层，扫描信号输入侧形成扫描侧金属层具体为: 在所述阵列基板的像素显示区外围形成第一金属层，通过光罩对所述像素显示区外围数据信号输入侧的第一金属层进行刻蚀； 在所述阵列基板上形成第一隔离层，通过光罩在所述像素显示区外围的数据信号输入侧的第一隔离层上形成通孔； 在所述隔离层上形成第二金属层，在所述像素显示区外围的扫描信号输入侧，所述第二金属层通过所述第一隔离层上的通孔与所述第一金属层电连接，形成扫描信号输入侧的扫描侧金属层，在所述像素显示区外围的数据信号输入侧的第二金属层形成数据信号输入侧的数据侧金属层； 其中，所述第一金属层与像素显示区内扫描线同时形成的金属层，所述第二金属层与像素显示区内数据线同时形成的金属层。5.根据权利要求3或4所述的制作方法，其特征在于，所述在所述像素显示区外围将所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层分别与所述公共电极层电连接具体为: 在所述第二金属层上形成第二隔离层，在所述第二隔离层上形成平坦层，通过一道光罩在所述平坦层上形成通孔； 在所述平坦层上形成公共电极层，通过一道光罩在所述公共电极层上形成通孔，所述公共电极层上的通孔的位置与所述平坦层上的通孔的位置一致； 在所述公共电极层上形成第三隔离层，通过一道光罩同时在所述第三隔离层和所述第二隔离层上形成通孔，所述第三隔离层和所述第二隔离层上通孔的位置与所述公共电极层上的通孔的位置一致，同时通过同一道在所述第三隔离层上形成另一通孔； 在所述第三隔离层上形成像素电极层，所述像素电极层通过所述另一通孔与所述公共电极层电连接，其中，所述像素电极层在所述像素显示区外围，与所述像素显示区内的像素电极同时形成。6.—种FFS模式的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板定义有像素显示区，且至少在所述像素显示区上设置有公共电极层； 所述阵列基板的像素显示区外围的数据信号输入侧设有数据侧金属层，扫描信号输入侧设有扫描侧金属层，所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层均电接连所述公共电极层，为所述公共电极层提供公共电压； 其中，所述数据侧金属层与所述公共电极层电连接的位置有若干，或所述数据侧金属层与所述公共电极层之间相邻的边界连续接触以实现电连接;所述扫描侧金属层与所述公共电极层电连接的位置有若干，或所述扫描侧金属层与所述公共电极层之间相邻的边界连续接触以实现电连接。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层均连接有PCB板，所述PCB板与公共电压源连接。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述数据侧金属层包括从下至上设置的第一金属层和第二金属层，所述扫描侧金属与所述第二金属层同层设置;或 所述扫描侧金属层包括从下至上设置的第一金属层和第二金属层，所述数据侧金属层与所述第二金属层同层设置； 其中，所述第一金属层是与像素显示区内扫描线同时形成的金属层，所述第二金属层是与像素显示区内数据线同时形成的金属层。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层均连接有PCB板具体为: 所述数据侧金属层中，仅所述第一金属层连接所述PCB板;或 所述扫描侧金属层中，仅所述第一金属层连接有PCB板。10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述数据侧金属层和所述扫描侧金属层均电接连所述公共电极层具体为:所述数据侧金属层或所述扫描侧金属层中，所述第一金属层和所述第二金属层之间设有第一隔离层，所述第二金属层通过所述第一隔离层上的通孔与所述第一金属层电连接；所述第二金属层上从下至上依次设有第二隔离层、平坦层、公共电极层、第三隔离层和像素电极层，所述第二金属层通过所述第二隔离层、所述平坦层和所述第三隔离层上的通孔与所述像素电极层电连接，所述像素电极层与所述公共电极层通过所述第三隔离层上的另一通孔电连接，实现所述第二金属层与所述公共电极层电连接； 所述像素电极层在所述像素显示区外围，与所述像素显示区内的像素电极同时形成。
【文档编号】G02F1/1343GK105974691SQ201610589138
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年7月25日
【发明人】甘启明
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司