一种阵列基板和液晶显示面板的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种阵列基板和液晶显示面板，涉及液晶显示技术领域，用于在膜层对位发生偏移时减小或避免影响显示面板亮度均匀性。该阵列基板包括：背板、数据线、栅线、像素电极、公共电极、第一绝缘层以及第二绝缘层；数据线和栅线交叉定义出多个矩阵排列的像素区域，像素区域内设置有像素电极；数据线、第一绝缘层、像素电极、第二绝缘层、公共电极依次设置；任一像素区域内的公共电极、像素电极由至少两个相互独立且与数据线平行的电极图案组成；任一像素区域包括交替排列的第一区域和第二区域，像素电极图案在显示面板的垂直投影位于第一区域内，公共电极图案在显示面板的垂直投影位于第二区域内。本发明用于显示面板的制造。
【专利说明】
_种阵列基板和液晶显不面板
技术领域
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和液晶显示面板。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显不屏(英文全程:Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称:TFT-LCD)由阵列基板和彩膜(英文全称:Color Filter，CF)基板对盒而成，阵列基板和CF基板之间填充有液晶，通过控制像素电极和公共电极产生的电场驱动液晶的偏转，从而达到输出不同画面的要求。
[0003]具体的，参照图1、2所示，其中，图1为现有边缘场开关技术中阵列基板的俯视图，图2为沿图1所示A-A’截线的垂直截面图。现有边缘场开关技术中阵列基板上包括:基板11、栅线12、数据线13、像素电极14、公共电极15以及位于基板11与数据线之间的栅绝缘层16、位于数据线13与像素电极14之间的第一绝缘层17、位于像素电极14与公共电极15之间的第二绝缘层18 ο工作时通过像素电极14与公共电极15不正对的区域产生电场驱动液晶的偏转。因为上述阵列基板在工作时需要像素电极14与公共电极15不正对的区域产生电场驱动液晶的偏转，所以在进行阵列基板制造时对像素电极14和公共电极15的膜层对位(英文名称:over I ay，简称:OL)的管控十分重要。当像素电极14和公共电极15的膜层对位产生偏移时，可能会因偏移而影响某些区域的电场强度，导致液晶显示面显示亮度降低。示例性的，参照图3所示，图3中以像素电极向右侧偏移为例进行说明。图3中的区域30在像素电极14和公共电极15的膜层对位准确时可以正常产生电场，但因为像素电极14和公共电极15的膜层对位偏移，所以区域30产生的电场减弱，甚至为零，电场强度不均与，进而影响显示面板亮度均匀性。然而，膜层对位的严格管控也很难保证各膜层间完全对齐且膜层对位的偏移量在微米级别时即会出现上述不良。所以，如何在膜层对位发生偏移时避免影响显示面板亮度均匀性是本领域技术人员亟待解决一个技术问题。
【发明内容】
[0004]本发明的实施例提供一种阵列基板和液晶显示面板，用于在膜层对位发生偏移时减小或避免影响显示面板亮度均匀性。
[0005]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0006]第一方面，提供一种阵列基板，包括:背板、数据线、栅线、像素电极、公共电极、第一绝缘层以及第二绝缘层；
[0007]所述数据线和所述栅线交叉定义出多个矩阵排列的像素区域，任一像素区域内设置有一个所述像素电极;所述第一绝缘层位于所述数据线上方，所述像素电极位于所述第一绝缘层上方，所述第二绝缘层位于所述像素电极上方，所述公共电极位于所述第二绝缘层上方;任一像素区域内的所述公共电极由至少两个相互独立且与所述数据线平行的公共电极图案组成;任一像素区域内的像素电极由至少两个相互独立且与所述数据线平行的像素电极图案组成；
[0008]任一像素区域包括交替排列的第一区域和第二区域，所述像素电极图案在所述显示面板的垂直投影位于所述第一区域内，所述公共电极图案在所述显示面板的垂直投影位于所述第二区域内。
[0009]可选的，所述第一绝缘层为有机膜层。
[0010]可选的，任一所述像素电极在所述显示面板上的垂直投影和与该像素电极相邻的数据线在所述显示面板的垂直投影具有重叠部分。
[0011]可选的，所述像素电极和所述公共电极均通过铟锡氧化物制作形成。
[0012]可选的，所述阵列基板还包括:栅绝缘层；
[0013]所述栅绝缘层位于位于所述栅线上方。
[0014]可选的，所述阵列基板为:薄膜晶体管阵列基板；
[0015]所述薄膜晶体管阵列基板还包括:薄膜晶体管的源极、薄膜晶体管的漏极以及薄膜晶体管的栅极。
[0016]可选的，所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及所述数据线位于所述阵列基板的同一层;所述薄膜晶体管的栅极和所述栅线位于所述阵列基板的同一层。
[0017]第二方面，提供一种液晶显示面板，包括第一方面任一项所述的阵列基板。
[0018]本发明实施例提供的阵列基板，包括:背板、数据线、栅线、像素电极、公共电极以及第一绝缘层;其中，数据线和栅线交叉定义出多个矩阵排列的像素区域，任一像素区域内设置有一个像素电极;第一绝缘层位于数据线上方，像素电极所述第一绝缘层上方，第二绝缘层位于像素电极上方，公共电极位于第二绝缘层上方;任一像素区域内的所述公共电极由至少两个相互独立且与所述数据线平行的公共电极图案组成;任一像素区域内的像素电极由至少两个相互独立且与所述数据线平行的像素电极图案组成，并且任一像素区域包括交替排列的第一区域和第二区域，像素电极图案在像素区域内的垂直投影位于所述第一区域内，公共电极图案在像素区域内的垂直投影位于第二区域内，所以当像素电极所在膜层与公共电极所在膜层对位发生偏移时，各个电极图案会产生等距离位移，因此仍可以保证像素电极与公共电极产生均匀的电场，所以本发明实施例提供的阵列基板可以在膜层对位发生偏移时减小或避免影响显示面板亮度均匀性，提升显示面板的显示效果。
【附图说明】
[0019]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为现有技术中阵列基板的俯视图；
[0021]图2为沿图1所示A-A’截线的剖面图；
[0022]图3为现有技术中阵列基板膜层对位偏移的示意性图；
[0023]图4为本发明实施例提供的阵列基板的俯视图；
[0024]图5为沿图4所示A-A’截线的剖面图；
[0025]图6为本发明实施提供的阵列基板膜层对位偏移的示意性图；
[0026]图7为本发明实施提供的另一种阵列基板的剖面图；
[0027]图8为本发明实施提供的再一种阵列基板的剖面图。
【具体实施方式】
[0028]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0029]需要说明的是，为了便于清楚描述本发明实施例的技术方案，在本发明的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不是在对数量和执行次序进行限定。
[0030]本发明的实施例提供一种阵列基板，参照图4、5所示，其中，图4为本发明实施例提供的阵列基板的俯视图，图5为沿图4所示A-A’截线的剖面图。本发明实施例提供的阵列基板包括:背板41、数据线42、栅线43、像素电极44、公共电极45、第一绝缘层46以及第二绝缘层47。
[0031]数据线42和栅线43交叉定义出多个矩阵排列的像素区域40，任一像素区域40内设置有一个像素电极44;第一绝缘层46位于数据线42上方，像素电极44位于第一绝缘层46上方，第二绝缘层47位于像素电极46上方，公共电极45位于第二绝缘层47上方;任一像素区域内的公共电极45由至少两个相互独立且与数据线42平行的公共电极图案451组成;任一像素区域40内的像素电极44由至少两个相互独立且与数据线42平行的像素电极图案441组成；
[0032]任一像素区域40包括交替排列的第一区域401和第二区域402，像素电极图案441在显示面板的垂直投影位于第一区域401内，公共电极图案451在显示面板的垂直投影位于第二区域402内。
[0033]以下对上述实施例的发明原理进行详细说明。参照图6所示，图6中以公共电极45所在层结构向右偏移为例进行说明，其中带箭头实现表示公共电极所在层结构偏移方向。当公共电极45所在层结构与像素电极44所在层结构发生偏移时，组成公共电极45的公共电极图案451等距离偏移。此时，公共电极图案451的与像素电极图案441会产生部分在显示面板上的垂直投影相互重叠的区域61，该区域内公共电极图案451和像素电极图案441产生的电场相互屏蔽，所以电场非常小或者为零。而像素电极图案441还包括一部分与公共电极图案45在显示面板上的垂直投影不重叠的区域62，该区域内像素电极图441产生的电场能够未被屏蔽，能够驱动液晶分子进行偏转，并且像素电极图案441在显示面板的垂直投影位于第一区域401内，公共电极图案451在显示面板的垂直投影位于第二区域402内，所以该部分区域在显示面板内时均匀分布的，因此能够产生均匀电场，进而提高显示面板亮度均匀性。
[0034]此外，还需要说明的是，当公共电极图案所在层结构和/或者像素电极所在层结构的偏移量较大，进而导致公共电极图案层与像素电极图案层在显示面板的垂直投影完全重叠时，显示面板整体电场均较弱或者为零，进而导致显示面板无法继续驱动液晶分子偏转，此时显示面板将无法显示，也不存在本发明实施例要解决的显示亮度不均匀问题，因此本发明实施例不考虑这种情形下的方案。
[0035]本发明实施例提供的阵列基板，包括:背板、数据线、栅线、像素电极、公共电极以及第一绝缘层;其中，数据线和栅线交叉定义出多个矩阵排列的像素区域，任一像素区域内设置有一个像素电极;第一绝缘层位于数据线上方，像素电极第一绝缘层上方，第二绝缘层位于像素电极上方，公共电极位于第二绝缘层上方;任一像素区域内的公共电极由至少两个相互独立且与数据线平行的公共电极图案组成;任一像素区域内的像素电极由至少两个相互独立且与数据线平行的像素电极图案组成，并且任一像素区域包括交替排列的第一区域和第二区域，像素电极图案在像素区域内的垂直投影位于第一区域内，公共电极图案在像素区域内的垂直投影位于第二区域内，所以当像素电极所在膜层与公共电极所在膜层对位发生偏移时，各个电极图案会产生等距离位移，因此仍可以保证像素电极与公共电极产生均匀的电场，所以本发明实施例提供的阵列基板可以在膜层对位发生偏移时减小或避免影响显示面板亮度均匀性，提升显示面板的显示效果。
[0036]优选的，上述实施例中的第一绝缘层46为有机膜层。
[0037]数据线与像素电极位于第一绝缘层两侧，且数据线与像素电极所带电荷可能不同，此时数据线与像素电极之间产生寄生电容，因此会增加液晶显示面板的功耗。本发明实施例中通过有机膜层形成第一绝缘层，因此本发明实施例可以减小数据线与像素电极之间的寄生电容，进而降低液晶显示面板的功耗。
[0038]进一步的，参照图7所示，当第一绝缘层46为有机膜层时，本发明实施例还可以进一步使任一像素电极44在显示面板上的垂直投影和与该像素电极44相邻的数据线42在显示面板的垂直投影具有重叠部分(图7中所示70区域)。
[0039]像素电极与数据线位于第一绝缘层的两层，当像素电极与数据线在显示面板的垂直投影具有重叠部分时，该重叠区域70中的像素电极44、绝缘层47以及数据线42形成了平板电容器，在显示面板工作过程中会不停的充电和放电，增大显示面板的功耗。因为本发明实施例中采用有机膜层形成第一绝缘层，所以可以减小充电区域像素电极44、绝缘层47以及数据线42形成了平板电容器的电容值，进而降低显示面板的功耗。此外，通过使任一像素电极44在显示面板上的垂直投影和与该像素电极44相邻的数据线42在显示面板的垂直投影具有重叠部分，还可以在公共电极45所在层结构与像素电极44所在层结构偏移时，充分利用像素电极覆盖面积产生电场，进而改善膜层偏移带来的电场强度减小的问题。
[0040]优选的，上述实施例中的公共电极和像素电极均通过铟锡氧化物(英文全称:Indium Tin Oxide，简称:ITO)材料制作形成。
[0041]进一步的，参照图8所示，为沿阵列基板上的数据线所做截线的截面图。本发明实施例提供的阵列基板还包括:栅绝缘层48;
[0042]栅绝缘48层位于位于栅线43上方。
[0043]即，栅绝缘层用于避免栅线43与数据线42之间相互导。
[0044]再进一步的，阵列基板为:薄膜晶体管(英文全称:ThinFilm Transistor，简称:TFT)阵列基板;
[0045]薄膜晶体管阵列基板还包括:薄膜晶体管的源极、薄膜晶体管的漏极以及薄膜晶体管的栅极。
[0046]优选的，薄膜晶体管的源极、薄膜晶体管的漏极以及数据线42位于阵列基板的同一层;薄膜晶体管的栅极和栅线43位于阵列基板的同一层。
[0047]通过使薄膜晶体管的源极、薄膜晶体管的漏极以及数据线42位于阵列基板的同一层，可以节省单独制作薄膜晶体管的源极和薄膜晶体管的漏极的构图工艺，进而简化上述实施例提供的阵列基板的构图工艺。
[0048]同样，通过使薄膜晶体管的栅极与栅线43位于阵列基板的同一层，可以节省单独制作薄膜晶体管的栅极的构图工艺，可以进一步简化上述实施例提供的阵列基板的构图工〇
[0049]上述实施例提供的阵列基板的制作工艺可以为:a、在背板上通过第一次构图工艺制作栅线;b、通过气象沉积、化学沉积等成膜工艺制作覆盖于栅线上的栅绝缘层;c、通过第二次构图工艺在栅绝缘层上形成数据线、TFT的源极、TFT的漏极;d、通过气象沉积、化学沉积等成膜工艺制作覆盖于数据线、TFT的源极、TFT的漏极上的有机膜层;e、通过第三次构图工艺在有机膜层上制作像素电极;f、通过气象沉积、化学沉积等成膜工艺制作覆盖于像素电极上的第二绝缘层;g、通过第三次构图工艺在第二绝缘层上制作形成公共电极。
[0050]本发明再一实施例提供一种液晶显示面板，该显示面板包括上述任一实施例提供的阵列基板。[〇〇51]示例性的，该液晶显示面板可以为电脑、手机、电视、数码相框等具有显示功能的电子产品的显示面板。[〇〇52]本发明实施例提供液晶显示面板的阵列基板，包括:背板、数据线、栅线、像素电极、公共电极以及第一绝缘层;其中，数据线和栅线交叉定义出多个矩阵排列的像素区域， 任一像素区域内设置有一个像素电极;第一绝缘层位于数据线上方，像素电极第一绝缘层上方，第二绝缘层位于像素电极上方，公共电极位于第二绝缘层上方;任一像素区域内的公共电极由至少两个相互独立且与数据线平行的公共电极图案组成;任一像素区域内的像素电极由至少两个相互独立且与数据线平行的像素电极图案组成，并且任一像素区域包括交替排列的第一区域和第二区域，像素电极图案在像素区域内的垂直投影位于第一区域内， 公共电极图案在像素区域内的垂直投影位于第二区域内，所以当像素电极所在膜层与公共电极所在膜层对位发生偏移时，各个电极图案会产生等距离位移，因此仍可以保证像素电极与公共电极产生均匀的电场，所以本发明实施例提供的阵列基板可以在膜层对位发生偏移时减小或避免影响显示面板亮度均匀性，提升显示面板的显示效果。[〇〇53]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括:背板、数据线、栅线、像素电极、公共电极、第一绝缘层以及第二绝缘层； 所述数据线和所述栅线交叉定义出多个矩阵排列的像素区域，任一像素区域内设置有一个所述像素电极;所述第一绝缘层位于所述数据线上方，所述像素电极位于所述第一绝缘层上方，所述第二绝缘层位于所述像素电极上方，所述公共电极位于所述第二绝缘层上方;任一像素区域内的所述公共电极由至少两个相互独立且与所述数据线平行的公共电极图案组成;任一像素区域内的像素电极由至少两个相互独立且与所述数据线平行的像素电极图案组成； 任一像素区域包括交替排列的第一区域和第二区域，所述像素电极图案在所述显示面板的垂直投影位于所述第一区域内，所述公共电极图案在所述显示面板的垂直投影位于所述第二区域内。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层为有机膜层。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，任一所述像素电极在所述显示面板上的垂直投影和与该像素电极相邻的数据线在所述显示面板的垂直投影具有重叠部分。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极和所述公共电极均通过铟锡氧化物制作形成。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括:栅绝缘层； 所述栅绝缘层位于位于所述栅线上方。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为:薄膜晶体管阵列基板； 所述薄膜晶体管阵列基板还包括:薄膜晶体管的源极、薄膜晶体管的漏极以及薄膜晶体管的栅极。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及所述数据线位于所述阵列基板的同一层;所述薄膜晶体管的栅极和所述栅线位于所述阵列基板的同一层。8.—种液晶显示面板，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
【文档编号】G02F1/1343GK105974692SQ201610592896
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年7月25日
【发明人】陈传宝, 储浩
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥京东方光电科技有限公司