一种阵列基板及液晶显示面板的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板，所述阵列基板包括：主像素部，具有第一薄膜晶体管和第一像素电极；子像素部，具有第二薄膜晶体管和第二像素电极，所述第二薄膜晶体管具有第二栅极、第二源极、第二漏极，所述第二栅极与所述扫描线连接，所述第二源极与所述数据线连接，所述第二漏极与所述第二像素电极连接，所述子像素部还包括分享电容，所述分享电容是通过所述第二像素电极与对应的扫描线形成的，所述分享电容用于对所述子像素部的亮度进行调整，以使所述主像素部的亮度与所述子像素的亮度不同。本发明由于不需要设置额外的薄膜晶体管和分享电容，从而提高了面板的穿透率。
【专利说明】_种阵列基板及准晶显不面板 【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示面板。 【【背景技术】】
[0002] 目前为了增大视角，通常将像素电极制作"米"字型的结构，包含条状的竖直主干 和条状的水平主干，该竖直主干和水平主干统称为主干郃(main-pi xel )，其中竖直主干和 水平主干中心垂直相交，所谓的中心垂直相交，即指竖直主干和水平主干相互垂直，该竖直 主干和水平主干将整个像素电极面积平均分成4个区域(sub-pixel)，这4个像素电极区域 称为分支部;每个像素电极区域都由与竖直主干或水平主干呈±45°，±135°角度的条状分 支（slit)平铺组成，也即各条状分支与竖直主干和水平主干位于同一平面上，如此形成上 下和左右分别镜像对称的"米"字型的像素电极结构。这种"米"字型的像素电极结构，由于 分支部中的条状分支与水平主干和竖直主干的夹角相同，会存在一定的视觉色差或视觉色 偏，导致面板的穿透率下降。
[0003] 为了改善视觉色差或视觉色偏将子像素分成两个独立的像素电极，每个电极采用 "米"字型结构设计，如图1所述，图1仅给出一个像素的结构示意图，所述像素包括:主像素 部101和子像素部102;其中，所述主像素部101具有第一薄膜晶体管T1，所述子像素部102具 有第二薄膜晶体管T2以及第三薄膜晶体管T3,所述第三薄膜晶体管T3连接分享电容14。
[0004] 所述第一薄膜晶体管T1的第一栅极和所述第二薄膜晶体管T2的第二栅极连接相 同的扫描线11;所述第一薄膜晶体管T1的第一源极和所述第二薄膜晶体管T2的第二源极连 接相同的数据线12,所述第三薄膜晶体管T3的栅极连接子扫描线11'，所述第一薄膜晶体管 T1的第一漏极通过贯穿孔连接第一像素电极和所述第二薄膜晶体管T2的第二漏极通过贯 穿孔第二像素电极;所述第一薄膜晶体管T1和所述第二薄膜晶体管T2关闭时，所述第三薄 膜晶体管T3导通，这时第二像素电极上的一部分电荷通过第三薄膜晶体管T3转移到了分享 电容14上，从而使得第二像素电极对应的第二液晶电容两端的电压低于第一液晶电容两端 的电压，从而降低大视角色偏问题。但是由于分享电容和第三薄膜晶体管会占用一部分开 口率，因此降低了面板的穿透率。 【
【发明内容】
】
[0005] 本发明的一个目的在于提供一种阵列基板及液晶显示面板，以解决现有的阵列基 板的穿透率比较低的技术问题。
[0006] 为解决上述技术问题，本发明构造了一种阵列基板，其包括：
[0007] 数据线、扫描线以及由所述数据线和所述扫描线交错形成的多个像素;所述像素 包括：
[0008] 主像素部，具有第一薄膜晶体管和第一像素电极;所述第一薄膜晶体管具有第一 栅极、第一源极、第一漏极，所述第一栅极与所述扫描线连接，所述第一源极与所述数据线 连接，所述第一漏极与所述第一像素电极连接；
[0009] 子像素部，具有第二薄膜晶体管和第二像素电极，所述第二薄膜晶体管具有第二 栅极、第二源极、第二漏极，所述第二栅极与所述扫描线连接，所述第二源极与所述数据线 连接，所述第二漏极与所述第二像素电极连接，所述子像素部还包括分享电容，所述分享电 容是通过所述第二像素电极与对应的扫描线形成的，所述分享电容用于对所述子像素部的 亮度进行调整，以使所述主像素部的亮度与所述子像素的亮度不同。
[0010] 在本发明的阵列基板中，所述分享电容具体是通过将第一投影与第二投影部分重 叠形成的，其中所述第一投影为所述二像素电极在所述阵列基板的衬底基板上的投影，所 述第二投影为所述像素对应的扫描线在所述阵列基板的衬底基板上的投影。
[0011] 在本发明的阵列基板中，所述分享电容用于在所述扫描线扫描完毕时，调整所述 子像素部的像素电压，以对所述子像素部的亮度进行调整。
[0012] 在本发明的阵列基板中，当所述数据线输入正极性的电压时，所述主像素部的亮 度大于所述子像素部的亮度。
[0013] 在本发明的阵列基板中，当所述数据线输入负极性的电压时，所述子像素部的亮 度大于所述主像素部的亮度。
[0014] 在本发明的阵列基板中，所述阵列基板还包括公共电极;所述第一像素电极与所 述公共电极之间形成第一存储电容，所述第二像素电极与所述公共电极之间形成第二存储 电容。
[0015] 本发明还提供一种液晶显示面板，其包括
[0016] 彩膜基板；
[0017] 液晶层；
[0018] 阵列基板，与所述彩膜基板相对设置，所述阵列基板包括：
[0019] 数据线、扫描线以及由所述数据线和所述扫描线交错形成的多个像素;所述像素 包括：
[0020] 主像素部，具有第一薄膜晶体管和第一像素电极;所述第一薄膜晶体管具有第一 栅极、第一源极、第一漏极，所述第一栅极与所述扫描线连接，所述第一源极与所述数据线 连接，所述第一漏极与所述第一像素电极连接；
[0021] 子像素部，具有第二薄膜晶体管和第二像素电极，所述第二薄膜晶体管具有第二 栅极、第二源极、第二漏极，所述第二栅极与所述扫描线连接，所述第二源极与所述数据线 连接，所述第二漏极与所述第二像素电极连接，所述子像素部还包括分享电容，所述分享电 容是通过所述第二像素电极与对应的扫描线形成的，所述分享电容用于对所述子像素部的 亮度进行调整，以使所述主像素部的亮度与所述子像素的亮度不同。
[0022] 在本发明的液晶显示面板中，所述分享电容具体是通过将第一投影与第二投影部 分重叠形成的，其中所述第一投影为所述二像素电极在所述阵列基板的衬底基板上的投 影，所述第二投影为所述像素对应的扫描线在所述阵列基板的衬底基板上的投影。
[0023] 在本发明的液晶显示面板中，所述分享电容用于在所述扫描线扫描完毕时，调整 所述子像素部的像素电压，以对所述子像素部的亮度进行调整。
[0024]在本发明的液晶显示面板中，当所述数据线输入正极性的电压时，所述主像素部 的亮度大于所述子像素部的亮度。
[0025]本发明的阵列基板及液晶显示面板，通过将子像素部的像素电极与扫描线之间形 成分享电容，通过分享电容调整子像素部的亮度，以使主像素部的亮度与子像素部的亮度 不同，由于不需要设置额外的薄膜晶体管和分享电容，从而提高了面板的穿透率。 【【附图说明】】
[0026] 图1是现有技术中阵列基板的透视结构示意图；
[0027] 图2是本发明阵列基板的透视结构示意图；
[0028] 图3是本发明阵列基板的等效电路图。 【【具体实施方式】】
[0029]以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施 例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」 等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以 限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
[0030]请参照图2,图2本发明阵列基板的透视结构示意图。
[0031 ]本发明的技术方案省去了图1中的第三薄膜晶体管T3以分享电容14;
[0032]如图2所示，所述阵列基板包括数据线12、扫描线11以及由所述数据线和所述扫描 线交错形成的多个像素;所述阵列基板还包括公共线13;
[0033]所述像素包括:主像素部201和子像素部202;
[0034]结合图3,所述主像素部201，具有第一薄膜晶体管T1和第一像素电极，所述第一薄 膜晶体管T1具有第一栅极、第一源极、第一漏极，所述第一栅极与所述扫描线11连接，所述 第一源极与所述数据线12连接，所述第一漏极与所述第一像素电极连接；
[0035]子像素部202,具有第二薄膜晶体管T2和第二像素电极，所述第二薄膜晶体管T2具 有第二栅极、第二源极、第二漏极，所述第二栅极与所述扫描线11连接，所述第二源极与所 述数据线12连接，所述第二漏极与所述第二像素电极连接，所述子像素部还包括分享电容， 所述分享电容是通过所述第二像素电极与对应的扫描线形成的，所述分享电容用于对所述 子像素部的亮度进行调整，使所述主像素部的亮度与所述子像素的亮度不同。所述主像素 部201和所述子像素部202都包括多个显示畴。其中上述对应的扫描线为向该像素输入扫描 信号的扫描线。
[0036] 由于通过扫描线和像素电极生成分享电容，因此不需要单独设置额外的分享电 容，也不需要设置控制该分享电容的薄膜晶体管，因此提高了穿透率。
[0037] 优选地，所述分享电容具体是通过将第一投影与第二投影部分重叠形成的，其中 所述第一投影为所述二像素电极在所述阵列基板的衬底基板上的投影，所述第二投影为所 述像素对应的扫描线在所述阵列基板的衬底基板上的投影。比如，像素的子像素部的像素 电极和用于给该像素输入扫描信号的扫描线11之间的重叠部分如图2中的虚线框203所示， 也即在所述重叠区域203形成分享电容。
[0038] 由于通过两个导电层之间重叠的方式形成分享电容，简化了制程工艺，降低了生 产成本。
[0039] 优选地，所述分享电容用于在所述扫描线扫描完毕时，调整所述子像素部的像素 电压，以对所述子像素部的亮度进行调整。
[0040] 由于分享电容在有扫描信号输入时，向像素电极侧进行充电；当该像素对应的扫 描线的扫描信号输入完毕时，分享电容放电，从而使得子像素部的电位发送变化。
[0041] 优选地，所述阵列基板还包括公共电极;所述第一像素电极与所述公共电极之间 形成第一存储电容，所述第二像素电极与所述公共电极之间形成第二存储电容。具体地是 在所述第一像素电极与所述公共电极之间的重叠部分形成第一存储电容，在所述第二像素 电极与所述公共电极之间的重叠部分形成第二存储电容。
[0042] 具体地结合图3,第一薄膜晶体管T1与第一像素电极连接，第一像素电极与彩膜基 板侧的公共电极U0之间形成第一液晶电容Cl C1，第一像素电极与阵列基板侧的公共电极U1 之间形成第一存储电容Cstl。
[0043] 第二薄膜晶体管T2与第二像素电极连接，第二像素电极与彩膜基板侧的公共电极 U0之间形成第二液晶电容Clc2,第二像素电极与阵列基板侧的公共电极U1之间形成第二存 储电容Cst2,第二像素电极与扫描线11之间形成分享电容Cst3。
[0044] 优选地，当所述数据线12输入正极性的电压时，所述主像素部201的亮度大于所述 子像素部202的亮度。由于分享电容将子像素部的一部分电荷释放掉，因此在输入正极性的 数据信号时，主像素部201的亮度大于所述子像素部202的亮度。
[0045] 优选地，当所述数据线12输入负极性的电压时，所述子像素部202的亮度大于所述 主像素部201的亮度。由于分享电容将子像素部202的一部分电荷释放掉，因此在输入负极 性的数据信号时，主像素部201的亮度小于所述子像素部202的亮度。
[0046]具体地，主像素部201与子像素部202之间的电压差为AV，其中AV具体如公式1所 示：
[0047]
[0048] 其中Vgh和Vgl分别表示薄膜晶体管的栅极开启和关闭时的电压(也即扫描线有高 电平的扫描信号输入和没有高电平的扫描信号输入时的电压），Cst2表不子像素部202的第 二存储电容，Cst3表示子像素部的分享电容，Clc2表示子像素部的液晶电容。
[0049] Vgh和Vgl的大小主要取决于薄膜晶体管的特性，由于受到工艺的限制，因此调整 范围较小。因此可以通过调整Cst3和Cst2的比例来调节Δ V的大小，Δ V始终为负，也即根据 分享电容与第二存储电容的电容值设置主像素部与子像素部的亮度差。在输入正极性的数 据信号时，子像素部202的亮度小于主像素部201的亮度，在输入负极性的数据信号时，子像 素部202的亮度大于主像素部201的亮度，由于阵列基板上有一半的子像素部和一半的主像 素部，因此会使得在一帧画面内有时钟有一半的像素偏亮，一半的像素偏暗，整体亮度不发 生变化。与现有子像素部的亮度始终暗于主像素部的亮度相比，穿透率略有提升。
[0050] 本发明的阵列基板，通过将子像素部的像素电极与扫描线之间形成分享电容，通 过分享电容调整子像素部的亮度，以使主像素部的亮度与子像素部的亮度不同，由于不需 要设置额外的薄膜晶体管和分享电容，从而提高了面板的穿透率。
[0051] 本发明还提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括液晶层、彩膜基板以及 阵列基板，其中彩膜基板与阵列基板相对设置，液晶层位于所述阵列基板和所述彩膜基板 之间，所述阵列基板可以为上述任意一种阵列基板，具体地本发明的阵列基板的技术方案 省去了图1中的第三薄膜晶体管T3以分享电容14;
[0052]如图2所示，所述阵列基板包括数据线12、扫描线11以及由所述数据线和所述扫描 线交错形成的多个像素;所述阵列基板还包括公共线13;
[0053]所述像素包括:主像素部201和子像素部202;
[0054]结合图3,所述主像素部201，具有第一薄膜晶体管Τ1和第一像素电极，所述第一薄 膜晶体管Τ1具有第一栅极、第一源极、第一漏极，所述第一栅极与所述扫描线11连接，所述 第一源极与所述数据线12连接，所述第一漏极与所述第一像素电极连接；
[0055]子像素部202,具有第二薄膜晶体管Τ2和第二像素电极，所述第二薄膜晶体管Τ2具 有第二栅极、第二源极、第二漏极，所述第二栅极与所述扫描线11连接，所述第二源极与所 述数据线12连接，所述第二漏极与所述第二像素电极连接，所述子像素部还包括分享电容， 所述分享电容是通过所述第二像素电极与对应的扫描线形成的，所述分享电容用于对所述 子像素部的亮度进行调整，使所述主像素部的亮度与所述子像素的亮度不同。所述主像素 部201和所述子像素部202都包括多个显示畴。
[0056]由于通过扫描线和像素电极生成分享电容，因此不需要单独设置额外的分享电 容，也不需要设置控制该分享电容的薄膜晶体管，因此提高了穿透率。
[0057]优选地，所述分享电容具体是通过将第一投影与第二投影部分重叠形成的，其中 所述第一投影为所述二像素电极在所述阵列基板的衬底基板上的投影，所述第二投影为所 述像素对应的扫描线在所述阵列基板的衬底基板上的投影。比如，像素的子像素部的像素 电极和用于给该像素输入扫描信号的扫描线11之间的重叠部分如图2中的虚线框203所示， 也即在所述重叠区域203形成分享电容。
[0058]由于通过两个导电层之间重叠的方式形成分享电容，简化了制程工艺，降低了生 产成本。
[0059] 优选地，所述分享电容用于在所述扫描线扫描完毕时，调整所述子像素部的像素 电压，以对所述子像素部的亮度进行调整。
[0060] 由于分享电容在有扫描信号输入时，向像素电极侧进行充电；当该像素对应的扫 描线的扫描信号输入完毕时，分享电容放电，从而使得子像素部的电位发送变化。
[0061] 优选地，所述阵列基板还包括公共电极;所述第一像素电极与所述公共电极之间 形成第一存储电容，所述第二像素电极与所述公共电极之间形成第二存储电容。具体地是 在所述第一像素电极与所述公共电极之间的重叠部分形成第一存储电容，在所述第二像素 电极与所述公共电极之间的重叠部分形成第二存储电容。
[0062]具体地结合图3,第一薄膜晶体管Τ1与第一像素电极连接，第一像素电极与彩膜基 板侧的公共电极U0之间形成第一液晶电容Cl C1，第一像素电极与阵列基板侧的公共电极U1 之间形成第一存储电容Cstl。
[0063] 第二薄膜晶体管T2与第二像素电极连接，第二像素电极与彩膜基板侧的公共电极 U0之间形成第二液晶电容Clc2,第二像素电极与阵列基板侧的公共电极U1之间形成第二存 储电容Cst2,第二像素电极与扫描线11之间形成分享电容Cst3。
[0064] 优选地，当所述数据线12输入正极性的电压时，所述主像素部201的亮度大于所述 子像素部202的亮度。由于分享电容将子像素部202的一部分电荷释放掉，因此在输入正极 性的数据信号时，主像素部201的亮度大于所述子像素部202的亮度。
[0065]优选地，当所述数据线12输入负极性的电压时，所述子像素部202的亮度大于所述 主像素部201的亮度。由于分享电容将子像素部202的一部分电荷释放掉，因此在输入负极 性的数据信号时，主像素部201的亮度小于所述子像素部202的亮度。
[0066] 具体地，主像素部201与子像素部202之间的电压差为AV，其中AV具体如公式1所 示：
[0067]
[0068] 其中Vgh和Vgl分别表示薄膜晶体管的栅极开启和关闭时的电压(也即扫描线有高 电平的扫描信号输入和没有高电平的扫描信号输入时的电压），Cst2表不子像素部202的第 二存储电容，Cst3表示子像素部的分享电容，Clc2表示子像素部的液晶电容。
[0069] Vgh和Vgl的大小主要取决于薄膜晶体管的特性，由于受到工艺的限制，因此调整 范围较小。因此可以通过调整Cst3和Cst2的比例来调节Δ V的大小，Δ V始终为负，也即根据 分享电容与第二存储电容的电容值设置主像素部与子像素部的亮度差。在输入正极性的数 据信号时，子像素部202的亮度小于主像素部201的亮度，在输入负极性的数据信号时，子像 素部202的亮度大于主像素部201的亮度，由于阵列基板上有一半的子像素部和一半的主像 素部，因此会使得在一帧画面内有时钟有一半的像素偏亮，一半的像素偏暗，整体亮度不发 生变化。与现有子像素部的亮度始终暗于主像素部的亮度相比，穿透率略有提升。
[0070] 本发明的液晶显示面板，通过将子像素部的像素电极与扫描线之间形成分享电 容，通过分享电容调整子像素部的亮度，以使主像素部的亮度与子像素部的亮度不同，由于 不需要设置额外的薄膜晶体管和分享电容，从而提高了面板的穿透率。
[0071 ]综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限 制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润 饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
【主权项】
1. 一种阵列基板，其特征在于:包括数据线、扫描线以及由所述数据线和所述扫描线交 错形成的多个像素;所述像素包括： 主像素部，具有第一薄膜晶体管和第一像素电极;所述第一薄膜晶体管具有第一栅极、 第一源极、第一漏极，所述第一栅极与所述扫描线连接，所述第一源极与所述数据线连接， 所述第一漏极与所述第一像素电极连接； 子像素部，具有第二薄膜晶体管和第二像素电极，所述第二薄膜晶体管具有第二栅极、 第二源极、第二漏极，所述第二栅极与所述扫描线连接，所述第二源极与所述数据线连接， 所述第二漏极与所述第二像素电极连接，所述子像素部还包括分享电容，所述分享电容是 通过所述第二像素电极与对应的扫描线形成的，所述分享电容用于对所述子像素部的亮度 进行调整，以使所述主像素部的亮度与所述子像素的亮度不同。2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述分享电容具体是通过将第一投影与第二投影部分重叠形成的，其中所述第一投影 为所述二像素电极在所述阵列基板的衬底基板上的投影，所述第二投影为所述像素对应的 扫描线在所述阵列基板的衬底基板上的投影。3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述分享电容用于在所述扫描线扫描完毕时，调整所述子像素部的像素电压，以对所 述子像素部的亮度进行调整。4. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 当所述数据线输入正极性的电压时，所述主像素部的亮度大于所述子像素部的亮度。5. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 当所述数据线输入负极性的电压时，所述子像素部的亮度大于所述主像素部的亮度。6. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述阵列基板还包括公共电极;所述第一像素电极与所述公共电极之间形成第一存储 电容，所述第二像素电极与所述公共电极之间形成第二存储电容。7. -种液晶显示面板，其特征在于:包括 彩膜基板； 液晶层； 阵列基板，与所述彩膜基板相对设置，所述阵列基板包括： 数据线、扫描线以及由所述数据线和所述扫描线交错形成的多个像素;所述像素包括： 主像素部，具有第一薄膜晶体管和第一像素电极;所述第一薄膜晶体管具有第一栅极、 第一源极、第一漏极，所述第一栅极与所述扫描线连接，所述第一源极与所述数据线连接， 所述第一漏极与所述第一像素电极连接； 子像素部，具有第二薄膜晶体管和第二像素电极，所述第二薄膜晶体管具有第二栅极、 第二源极、第二漏极，所述第二栅极与所述扫描线连接，所述第二源极与所述数据线连接， 所述第二漏极与所述第二像素电极连接，所述子像素部还包括分享电容，所述分享电容是 通过所述第二像素电极与对应的扫描线形成的，所述分享电容用于对所述子像素部的亮度 进行调整，以使所述主像素部的亮度与所述子像素的亮度不同。8. 根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于， 所述分享电容具体是通过将第一投影与第二投影部分重叠形成的，其中所述第一投影 为所述二像素电极在所述阵列基板的衬底基板上的投影，所述第二投影为所述像素对应的 扫描线在所述阵列基板的衬底基板上的投影。9. 根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于， 所述分享电容用于在所述扫描线扫描完毕时，调整所述子像素部的像素电压，以对所 述子像素部的亮度进行调整。10. 根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于， 当所述数据线输入正极性的电压时，所述主像素部的亮度大于所述子像素部的亮度。
【文档编号】G02F1/1368GK106094377SQ201610592025
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年7月25日 公开号201610592025.4, CN 106094377 A, CN 106094377A, CN 201610592025, CN-A-106094377, CN106094377 A, CN106094377A, CN201610592025, CN201610592025.4
【发明人】徐向阳
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司