电光学装置以及电子设备的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种能有效阻隔朝向半导体层斜向地行进的光的电光学装置以及电子设备。在电光学装置的元件基板(10)中，遮光性的第1金属层(6)之中，数据线(6a)(第1布线)在俯视下与半导体层(1a)重叠，中继电极(6b，第1中继电极)中，第1布线(6a)侧的端部(6b1)沿半导体层(1a)在Y方向(第1方向)上延伸并隔着第1间隙(g1)与数据线(6a)相对。在第1金属层(6)与像素电极(9a)的层间形成遮光性的第2金属层(8)，由第2金属层8之中的恒电位线(8a)的第1伸出部(8e)构成在俯视下与第1间隙(g1)重叠的第1遮光部(8s)。第1金属层(6)以及第2金属层(8)都包括铝层，电阻低且OD值几乎无限大。
【专利说明】
电光学装置以及电子设备
技术领域
[0001]本发明涉及在基板上设置像素晶体管、像素电极等的电光学装置以及具备电光学装置的电子设备。
【背景技术】
[0002]在液晶装置等电光学装置中，在元件基板的一面侧设置有像素晶体管、数据线等布线、像素电极，像素晶体管在选择期间内成为导通状态，从而从数据线经由像素晶体管向像素电极提供图像信号。在这样的电光学装置中，要求在各像素中扩大光透过的像素开口区域来进行明亮的显示。另一方面，若照明光入射到构成像素晶体管的半导体层，则会产生漏光电流，会成为闪烁等的原因。
[0003]因此，提出了以下技术:在元件基板，通过设置在数据线与像素电极的层间的格子状的遮光层，抑制照明光向半导体层的入射(参照专利文献I)。
[0004]专利文献1: JP特开2010-72661号公报
[0005]但是，如专利文献I那样，在数据线与像素电极的层间使用了遮光层的情况下，半导体层与遮光层分离。因此，想要阻隔朝向半导体层在斜向上行进的光，需要使遮光层的幅度变宽，所以像素开口部会变窄。
【发明内容】
[0006]鉴于以上的问题，本发明的课题在于，提供一种能有效地阻隔朝向半导体层斜向行进的光的电光学装置以及电子设备。
[0007]为了解决上述课题，本发明涉及的电光学装置的特征在于，具有:基板;像素晶体管，在所述基板的一面侧具备在第I方向上延伸的半导体层;像素电极，设置在相对于所述半导体层与所述基板相反的一侧，且导通至所述半导体层的一侧端部;遮光性的第I金属层，设置在所述像素晶体管与所述像素电极的层间，且包括在所述第I方向上延伸且在俯视下与所述半导体层重叠的第I布线、以及从所述第I布线向与所述第I方向交叉的第2方向的一侧远离的第I中继电极；以及遮光性的第2金属层，设置在所述第I金属层与所述像素电极的层间，且包括在所述第I方向以及所述第2方向的至少一个方向上延伸的第2布线，所述第I中继电极使所述第2方向的另一侧的端部与所述第I布线隔开第I间隙地，沿着所述半导体层在所述第I方向上延伸，所述第2金属层具备在俯视下与所述第I间隙重叠的第I遮光部。
[0008]在本发明中，第I金属层之中，第I布线在俯视下与半导体层重叠，第I中继电极使第2方向的另一侧的端部与第I布线隔开第I间隙地，沿着半导体层在第I方向上延伸。此外，第I金属层处于比第2金属层更靠近半导体层的位置。因此，能够通过第I中继电极来抑制从向第2方向的一侧斜向倾斜的方向行进的光到达半导体层。这里，第I布线和第I中继电极由于要被施加不同电位，所以需要将第I间隙的宽度设为在某种程度上足够的尺寸，但即使在这种情况下，第2金属层的第I遮光部在俯视下也与第I间隙重叠。由此，能够可靠地抑制从向第2方向的一侧斜向倾斜的方向行进的光到达半导体层。因此，能够抑制因漏光电流引起的闪烁等的产生。
[0009]在本发明中，优选，所述第I中继电极具备:在所述第2方向上延伸的第I主体部；以及从所述第I主体部的所述第2方向的所述另一侧的端部沿着所述半导体层在所述第I方向上突出的第I突出部。根据这样的构成，由于第I突出部沿着半导体层延伸，所以与使第I中继电极整体在第I方向上延伸的情况相比，能够扩大像素开口部。
[0010]在本发明中，优选，所述第2布线在所述第I方向上延伸且在俯视下与所述第I布线重叠，所述第I遮光部包括从所述第2布线向所述第2方向的所述一侧伸出的第I伸出部。根据这样的构成，能够以简单的构成来实现第2金属层在俯视下与第I间隙重叠的构成。
[0011]在本发明中，优选，所述第I金属层包括从所述第I布线向所述第2方向的所述另一侧远离的第2中继电极，所述第2中继电极中，所述第2方向的所述一侧的端部与所述第I布线隔开第2间隙地，沿着所述半导体层在所述第I方向上延伸，所述第2金属层具备在俯视下与所述第2间隙重叠的第2遮光部。根据这样的构成，能够可靠地抑制从向第2方向的另一侧斜向倾斜的方向行进的光到达半导体层。
[0012]在本发明中，优选，所述第2中继电极具备:在所述第2方向上延伸的第2主体部；以及从所述第2主体部的所述第2方向的所述一侧的端部沿着所述半导体层在所述第I方向上突出的第2突出部。根据这样的构成，由于第2突出部沿着半导体层延伸，所以与使第2中继电极整体在第2方向上延伸的情况相比，能够扩大像素开口部。
[0013]在本发明中，优选，所述第2布线在所述第I方向上延伸且在俯视下与所述第I布线重叠，所述第2遮光部是从所述第2布线向所述第2方向的所述另一侧伸出的第2伸出部。根据这样的构成，能够以简单的构成来实现第2金属层在俯视下与第2间隙重叠的构成。
[0014]在本发明中，所述第I布线能够采用导通至所述半导体层的另一侧端部的数据线的形式。
[0015]在本发明中，优选，所述第I金属层以及所述第2金属层都包括铝层。对铝层来说，电阻低且能够将0D(0ptical Density;光学浓度)值设为几乎无限大。
[0016]在本发明中，优选，在所述半导体层与所述第I金属层的层间，具备与所述像素电极电连接的保持电容，构成所述保持电容的电极在俯视下与所述半导体层重叠。根据这样的构成，对于构成保持电容的电极来说，也能够抑制光入射到半导体层。
[0017]本发明涉及的电光学装置能够使用于移动电话、移动计算机、投射型显示装置等电子设备。这些电子设备之中的投射型显示装置具备:用于向电光学装置提供光的光源部；以及投射由所述电光学装置进行光调制后的光的投射光学系统。
【附图说明】
[0018]图1是应用了本发明的电光学装置的液晶面板的说明图。
[0019]图2是表示应用了本发明的电光学装置的元件基板的电结构的说明图。
[0020]图3是在应用了本发明的电光学装置的元件基板中相邻的多个像素的俯视图。
[0021]图4是以图3所示的F-F'线将应用了本发明的电光学装置切断时的剖视图。
[0022]图5是在应用了本发明的电光学装置的元件基板中构成像素晶体管的栅电极等的俯视图。
[0023]图6是在应用了本发明的电光学装置的元件基板中构成保持电容的保持电容电极的俯视图。
[0024]图7是在应用了本发明的电光学装置的元件基板形成的数据线、恒电位线等的俯视图。
[0025]图8是表示应用了本发明的电光学装置中的针对半导体层的遮光构造的说明图。
[0026]图9是表示应用了本发明的另一电光学装置中的针对半导体层的遮光构造的说明图。
[0027]图10是应用了本发明的投射型显示装置(电子设备)以及光学组件的简要构成图。
[0028]符号说明:
[0029]la.?半导体层，lb.?源极区域，Ic.?漏极区域，Ig.?沟道区域，lh，li..低浓度区域，lj，lk.?高浓度区域，2.?栅极绝缘层，3a.?扫描线，3b.?栅电极，4a.?第I电容电极，5a.?第2电容电极，6.?第I金属层，6a.?数据线，6b.?中继电极(第I中继电极)，6c.?中继电极(第2中继电极)，6e.?第I主体部，6f.?第I突出部，6g.?第2主体部，6h.?第2突出部，6r.?伸出部，8.?第2金属层，8a.?恒电位线，8b.?中继电极，8d.?主线部分，8e.?第I伸出部，8g.?第2伸出部，8s.?第I遮光部，8t.?第2遮光部，9a.?像素电极，10.?元件基板，10a.?显示区域，1w.?基板主体，20.?对置基板，21.?公共电极，30.?像素晶体管，40.?电介质层，50.?液晶层，55.?保持电容，100.?电光学装置，100a.?像素，10p.?液晶面板，110.?投射型显示装置(电子设备)，gl.?第I间隙，g2.?第2间隙，XI..X方向(第2方向)的一侧，X2..X方向(第2方向)的另一侧，Yl..Y方向(第I方向)的一侧，Y2..Y方向(第I方向)的另一侧。
【具体实施方式】
[0030]以下，作为本发明的实施方式，说明代表性的电光学装置的液晶装置。另外，在以下说明中参照的图中，由于将各层、各构件设置成了在图面上可识别的程度的大小，所以按各层、各构件，比例尺有所不同。此外，在以下说明中参照的图中，针对扫描线、数据线、信号线等的布线等，缩减它们的数目来进行表示。
[0031]图1是应用了本发明的电光学装置的液晶面板的说明图，图1(a)、(b)分别是从对置基板侧观察液晶面板和各构成要素的俯视图以及该俯视图的Η-?Τ剖视图。
[0032]如图1(a)、(b)所示，本方式的电光学装置100是液晶装置，具有液晶面板100ρ。在液晶面板10p中，隔着给定的间隙，通过封装件107将元件基板10与对置基板20贴合，沿着对置基板20的外缘将封装件107设计成框状。封装件107是由光固化性树脂或热固化性树脂等构成的粘合剂，配合了用于将两基板间的距离设为给定值的玻璃纤维或玻璃细珠等间隔件107a。在液晶面板I OOp中，在元件基板1与对置基板20之间，在被封装件107围成的区域内，设置有由各种液晶材料(电光学物质)形成的液晶层50(电光学层)。在本方式中，在封装件107中形成有用作液晶注入口 107c的中断部分，这样的液晶注入口 107c在注入液晶材料之后被密封材料107d密封。
[0033]在液晶面板10p中，元件基板10以及对置基板20都是四边形，元件基板10具备在Y方向(第2方向)上相对的2个边10e、1f (端部)和在X方向(第I方向)上相对的2个边10g、1h(端部)。在液晶面板10p的大致中央处，显示区域1a被设置为四边形的区域，与这样的形状对应地，将封装件107也设置成大致四边形。显示区域1a的外侧成为四边形框状的外周区域10c。
[0034]在元件基板10中，在外周区域10c，沿着元件基板10中位于Y轴方向的一侧的边1e形成数据线驱动电路101以及多个端子102，分别沿着与该边1e相邻的其他边10g、10h形成扫描线驱动电路104。将柔性布线基板(未图示)与端子102相连接，从外部控制电路经由柔性布线基板向元件基板10输入各种电位、各种信号。
[0035]在元件基板10的一面1s以及另一面1t之中与对置基板20相对的一面1s侧，在显示区域1a以矩阵状排列有像素电极9a、参照图2等后述的像素晶体管30等，将参照图3等来后述这些配置。因此，显示区域1a构成为像素电极9a被排列成矩阵状的像素电极排列区域I Op。在这样的构成的元件基板1中，在像素电极9a的上层侧形成取向膜16。
[0036]在元件基板10的一面1s侧，在比显示区域1a更靠外侧的外周区域1c之中，在被显示区域1a和封装件107夹持的四边框状的周边区域1b形成与像素电极9a同时形成的虚拟像素电极9b。
[0037]在对置基板20的一面20s以及另一面20t之中，在与元件基板10相对的一面20s侧形成公共电极21。在本方式中，公共电极21形成在对置基板20的大致整个面上。
[0038]在对置基板20的一面20s侧，在公共电极21的下层侧形成遮光层29，在公共电极21的表面层叠取向膜26。遮光层29形成为沿着显示区域1a的外周缘延伸的相框部分29a，由遮光层29的内周缘来规定显示区域10a。遮光层29也形成为与被相邻的像素电极9a夹持的像素间区域重叠的黑矩阵部29b。相框部分29a形成在与虚拟像素电极9b重叠的位置处，相框部分29a的外周缘位于与封装件107的内周缘之间隔开了间隙的位置上。因此，相框部分29a与封装件107不重叠。
[0039]在液晶面板10p中，在比封装件107更靠外侧的部位，在对置基板20的一面20s侧的4个角部形成有基板间导通用电极25，在元件基板10的一面1s侧，在与对置基板20的4个角部(基板间导通用电极25)相对的位置处形成有基板间导通用电极19。在本方式中，基板间导通用电极25由公共电极21的一部分构成。向基板间导通用电极19施加公共电位Vcom。在基板间导通用电极19与基板间导通用电极25之间，配置含有导电粒子的基板间导通件19a，对置基板20的公共电极21经由基板间导通用电极19、基板间导通件19a以及基板间导通用电极25而与元件基板10侧电连接。因此，从元件基板10侧，向公共电极21施加公共电位Vcom。封装件107被设置成:取大致相同的宽度尺寸沿着对置基板20的外周缘设置，但在与对置基板20的角部分重叠的区域避开基板间导通用电极19、25，在其内侧通过。
[0040]在本方式中，电光学装置100是透过型的液晶装置，像素电极9a以及公共电极21由IT0(Indium Tin Oxide)膜、IZ0(Indium Zinc Oxide)膜等透光性导电膜形成。在这样的透过型的液晶装置(电光学装置100)中，从对置基板20侧入射的光在从元件基板10侧射出的期间内被调制而显示图像。
[0041]电光学装置100能够被用作移动计算机、移动电话等电子设备的彩色显示装置，在该情况下，在对置基板20形成滤色器(未图示)。此外，电光学装置100能够被用作电子书。此夕卜，在电光学装置100中，根据所使用的液晶层50的种类、常白模式/常黑模式的区别，相对于液晶面板10p在给定方向上配置偏振膜、相位差膜、偏振板等。另外，在后述的投射型显示装置(液晶投影仪)中，电光学装置100能够被用作RGB用的灯泡。在该情况下，经由RGB色分解用的分色镜分解的各颜色的光作为投射光而分别入射到RGB用的各电光学装置100的每一个中，所以没有形成滤色器。
[0042](元件基板10的电结构)
[0043]图2是表示应用了本发明的电光学装置100的元件基板10的电结构的说明图，图2
(a)、(b)是表示元件基板10的电路、布线的平面布局的说明图以及表示像素的电结构的说明图。另外，在以下的说明中，关于经由端子102而输入到元件基板10的信号名称和信号用的布线，将相同的字母记号分别附加在信号以及布线L之后。例如，对于作为信号名称的“时钟信号CLX”，将相应的信号用的布线设为“时钟信号线LCLX”。此外，在以下的说明中，关于经由端子102而输入到元件基板10的信号名称和信号用的端子，将相同的字母记号分别附加在信号以及端子T之后。例如，对于作为信号名称的“时钟信号CLX”，将相应的端子102设为“端子TCLX”。
[0044]如图2(a)、(b)所示，在电光学装置100中，在元件基板10的中央区域设置有将多个像素I OOa排列成矩阵状的像素电极排列区域I Op，这样的像素电极排列区域1p之中，由图1
(b)所示的相框部分29a的内缘围成的区域是显示区域10a。在元件基板10中，在像素电极排列区域1p的内侧，形成有在X方向上延伸的多条扫描线3a和在Y方向上延伸的多条数据线6a，在与它们的交叉点对应的位置处构成像素100a。在多个像素10a中的每一个像素中，形成有由TFT等构成的像素晶体管30(开关元件)以及像素电极9a。将数据线6a电连接到像素晶体管30的源极，将扫描线3a电连接到像素晶体管30的栅极，将像素电极9a与像素晶体管30的漏极电连接。
[0045]在元件基板10中，在比像素电极排列区域1p更靠外侧的外周区域10c，构成扫描线驱动电路104、数据线驱动电路101、采样电路103、基板间导通用电极19、端子102等，从端子102朝向扫描线驱动电路104、数据线驱动电路101、采样电路103以及基板间导通用电极19延伸有多条布线105。
[0046]在各像素10a中，像素电极9a隔着液晶层50而与形成于参照图1说明的对置基板20的公共电极21相对置，构成液晶电容50a。此外，为了防止由液晶电容50a保持的图像信号的变动，在各像素10a与液晶电容50a并列地附加保持电容55。在本方式中，为了构成保持电容55，形成横跨多个像素10a延伸的恒电位线8a(电容线)，对恒电位线8a施加公共电位Vcom0
[0047]另外，在图2(b)中，将恒电位线8a表示为与扫描线3a并列地延伸，但恒电位线8a也可以与数据线6a并列地延伸。在本方式中，采用恒电位线8a与数据线6a并列地延伸的构成。
[0048]沿着元件基板10的边1e设置的端子102由被大致分类为公共电位线用、扫描线驱动电路用、图像信号用以及数据线驱动电路用这4个用途的多个端子群构成。
[0049]数据线驱动电路101具备移位寄存器电路101c、波形选择电路1lb以及缓冲电路101a。在数据线驱动电路101中，移位寄存器电路1lc基于开始信号SPX开始转送动作，经由缓冲电路101a，依次在给定时刻将转送信号输出到波形选择电路101b。波形选择电路1lb也被称为“使能电路”，通过将转送信号的脉冲宽度限制为使能信号ENBI?ENB4的脉冲宽度，从而规定采样电路103的各采样期间。
[0050]采样电路103具备多个用于对图像信号进行采样的开关元件108。在本方式中，开关元件108由TFT等场效应型晶体管构成。将数据线6a电连接到开关元件108的漏极，经由布线106将布线105(图像信号线LVIDl?LVID6)连接到开关元件108的源极，将与数据线驱动电路101连接的选择信号线109连接到开关元件108的栅极。
[0051 ]对于图像信号VIDl?VID6，由采样电路103基于从数据线驱动电路101通过选择信号线109提供的选择信号(采样电路驱动信号)进行采样，并作为图像信号S1、S2、S3、.- Sn被提供给各数据线6a。在本方式中，图像信号S1、S2、S3、..Sn分别与被串行-并行展开为6相的图像信号VIDl?VID6对应，按组提供给6条数据线6a的组。另外，关于图像信号的展开数并不限于6相，例如，也可以是被展开成9相、12相、24相、48相等多个相的图像信号被提供给将与展开数相对应的数目设为一组的数据线6a的组。
[0052]扫描线驱动电路104作为构成要素而具备移位寄存器电路以及缓冲电路，根据开始信号SPY，开始该内置移位寄存器电路的转送动作，基于时钟信号CLY以及反相时钟信号CLYINV，在给定的时刻脉冲式地逐行对扫描线3a施加扫描信号。
[0053]在元件基板10，将布线105(公共电位线LVcom)形成为通过4个基板间导通用电极19，经由端子102 (端子TVcom)以及布线105 (公共电位线LVcom)向基板间导通用电极19提供公共电位Vcom。
[0054](像素10p的具体构成)
[0055]图3是在应用了本发明的电光学装置100的元件基板10中相邻的多个像素的俯视图。图4是以图3所示的F-F'线切断了本发明的实施方式I涉及的电光学装置100时的剖视图。图5是在本发明的实施方式I涉及的电光学装置100的元件基板10中构成像素晶体管30的栅电极3b等的俯视图。图6是在本发明的实施方式I涉及的电光学装置100的元件基板10中构成保持电容55的保持电容电极的俯视图。图7是本发明的实施方式I涉及的电光学装置100的元件基板10上形成的数据线6a、恒电位线8a等的俯视图。另外，在图3、图5、图6以及图7中，由以下的线来示出各层:
[0056]扫描线3a =细实线
[0057]半导体层Ia =细短虚线
[0058]栅电极3b=粗实线
[0059]第I电容电极4a(第I电容电极层)=细长断续线
[0060]第2电容电极5a(第2电容电极层)=细的双点划线
[0061]数据线6a、中继电极6b以及中继电极6c=粗的双点划线
[0062]恒电位线8a以及中继电极Sb=细的单点划线
[0063]像素电极9a=粗长断续线。
[0064]此外，在图3、图5、图6以及图7中，为了使层的形状等容易理解，针对彼此的端部在俯视下重合的层，将端部的位置错开来表示。此外，在图5中，示出扫描线3a、半导体层la、以及栅电极3b等，在图6中，示出第I电容电极4a以及第2电容电极5a等，在图7中，示出数据线6a、中继电极6b、中继电极6c、恒电位线8a以及中继电极8b。另外，在图7中，还示出了半导体层Ia0
[0065]另外，在以下说明中，Y方向相当于本发明的“第I方向”，X方向相当于本发明的“第2方向”。此外，数据线6a相当于本发明的“第I布线”，恒电位线8a相当于本发明的“第2布线”。此外，中继电极6b相当于本发明的“第I中继电极”，中继电极6c相当于本发明的“第2中继电极”。
[0066]如图3、图5、以及图7所示，在元件基板10中，在与对置基板20相对的一面1s上，在多个像素10a的每一个像素中形成有像素电极9a，沿着被相邻的像素电极9a夹持的像素间区域形成有数据线6a以及扫描线3a。在本方式中，像素间区域纵横延伸，扫描线3a沿着在像素间区域之中X方向(第2方向)上延伸的第I像素间区域而直线延伸，数据线6a沿着在Y方向(第I方向)上延伸的第2像素间区域而直线延伸。即，扫描线3a沿着一个像素10a和在Y方向上与该一个像素10a相邻的像素10a的边界延伸。此外，数据线6a沿着一个像素10a和在X方向上与该一个像素10a相邻的像素10a的边界延伸。此外，对应于数据线6a与扫描线3a的交叉来形成像素晶体管30，在本方式中，像素晶体管30利用数据线6a与扫描线3a的交叉区域及其附近来形成。这里，数据线6a取恒定的宽度尺寸在Y方向上直线延伸，而扫描线3a具备从与数据线6a交叉的交叉部分起沿着数据线6a的延伸方向延伸的凸部3e。凸部3e在扫描线3a中从在X方向上延伸的主线部3d朝向Y方向的一侧Yl以及另一侧Y2以大致相同的长
I又'^ LU O
[0067]在元件基板10，形成有在X方向以及Y方向的至少一个方向上延伸的恒电位线8a。在本方式中，恒电位线8a在俯视下与数据线6a重叠地在Y方向上延伸。对恒电位线8a施加公共电位Vcom。
[0068]在图3、图4、图5、图6以及图7中，在元件基板1中，在石英基板、玻璃基板等透光性的基板主体1w(基板)的液晶层50侧的基板面(与对置基板20相对的一面1s侧)，形成有像素晶体管30、形成在相对于像素晶体管30与基板主体1w相反的一侧的像素电极9a、以及相对像素电极9a形成在与像素晶体管30相反的一侧的取向膜16等。在对置基板20中，在石英基板或玻璃基板等透光性的基板主体20w的液晶层50侧的基板面(元件基板10侧的面)，形成有遮光层29、公共电极21以及取向膜26等。
[0069]在元件基板10中，在基板主体1w的一面1s侧(基板主体1w与液晶层50之间)，形成有由导电性多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或金属化合物膜等导电膜构成的扫描线3a。在本方式中，扫描线3a由钨硅化物(WSi)形成，起到遮光膜的作用。即，扫描线3a在透过电光学装置100后的光被其他部件反射时，防止这样的反射光入射到半导体层Ia而在像素晶体管30中发生因光电流引起的误动作。
[0070]在基板主体1w的一面1s侧，在扫描线3a的上层侧(扫描线3a与像素电极9a之间)，形成硅氧化膜等透光性的层间绝缘膜12，在这样的层间绝缘膜12的表面侧(层间绝缘膜12与像素电极9a之间)，形成具备半导体层Ia的像素晶体管30。像素晶体管30具备:在Y方向上延伸的半导体层Ia;以及在与半导体层Ia的长边方向正交的X方向上延伸且与半导体层Ia的长边方向的中央部分重叠的栅电极3b。在本方式中，栅电极3b与扫描线3a经由贯通层间绝缘膜12的接触孔12a(参照图3)而电连接。在本方式中，栅电极3b具有:在俯视下与半导体层Ia重叠的主体部3r;以及从主体部3r的X方向的一侧Xl的端部沿着半导体层Ia向Y方向的一侧Yl突出后沿着扫描线3a延伸的延伸部3s。此外，栅电极3b具有从主体部3r的X方向的另一侧X2的端部沿着半导体层Ia向Y方向的一侧Yl突出的凸部3t。
[0071]像素晶体管30在半导体层Ia与栅电极3b之间具有透光性的栅极绝缘层2。半导体层Ia具备隔着栅极绝缘层2而与栅电极3b相对的沟道区域lg。此外，半导体层Ia在沟道区域Ig的一侧(Y方向的一侧)具备漏极区域lc，在沟道区域Ig的另一侧(Y方向的另一侧)具备源极区域lb。在本方式中，像素晶体管30具有LDD构造。因此，源极区域Ib以及漏极区域Ic分别与沟道区域Ig邻接地具备低浓度区域lh、Ii，且在相对于低浓度区域lh、Ii与沟道区域Ig相反的一侧在邻接的区域具备高浓度区域I jlk。此外，像素电极9a导通至半导体层Ia的Y方向的一侧端部(漏极区域Ic的高浓度区域Ik)，数据线6a导通至半导体层Ia的Y方向的另一侧端部(源极区域Ib的高浓度区域Ij)。
[0072]半导体层Ia由多晶硅膜(多结晶硅膜)构成。栅极绝缘层2由第I栅极绝缘层2a和第2栅极绝缘层2b这两个层结构构成，其中，第I栅极绝缘层2a由将半导体层Ia热氧化后得到的硅氧化膜构成，第2栅极绝缘层2b由通过减压CVD法形成的硅氧化膜构成。栅电极3b由导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或金属化合物膜等导电膜构成。在本方式中，栅电极3b由导电性的多晶硅膜构成。此外，在栅电极3b的同一层，形成有从栅电极3b向X方向的一侧XI离开的中继电极3c，中继电极3c由与栅电极3b同时形成的导电膜构成。中继电极3c形成在与扫描线3a重叠的区域。
[0073]在栅电极3b的上层侧(栅电极3b与像素电极9a之间)，形成有由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅氧化膜构成的透光性的层间绝缘膜41，在层间绝缘膜41的上层形成有第I电容电极4a(第I电容电极层)O在本方式中，第I电容电极4a由导电性的多晶娃膜、金属娃化物膜、金属膜或金属化合物膜等导电膜构成。在本方式中，第I电容电极4a由导电性的多晶硅膜构成。第I电容电极4a形成为一部分与半导体层Ia的漏极区域Ic(像素电极侧源-漏极区域)重叠，经由贯通层间绝缘膜41以及栅极绝缘层2的接触孔41b而与漏极区域Ic电连接。
[0074]在第I电容电极4a的上层侧(第I电容电极4a与液晶层50之间)，形成有透光性的电介质层40以及由硅氧化膜等构成的透光性的蚀刻阻挡层49，在电介质层40的上层侧形成有第2电容电极5a(第2电容电极层)。作为电介质层40，除了能够使用硅氧化膜、硅氮化膜等硅化合物以外，还能够使用铝氧化膜、钛氧化膜、钽氧化膜、铌氧化膜、铪氧化膜、镧氧化膜、锆氧化膜等高介电常数的电介质层。第2电容电极5a由导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或金属化合物膜等导电膜构成。在本方式中，第2电容电极5a由钨硅化物膜构成。这里，第2电容电极5a的宽度形成得比第I电容电极4a宽，在第2电容电极5a与第I电容电极4a隔着电介质层40重叠的区域中构成保持电容55。
[0075]在本方式中，第I电容电极4a以及第2电容电极5a分别从扫描线3a与数据线6a的交叉沿着扫描线3a以及数据线6a重叠地延伸。具体来说，第I电容电极4a以及第2电容电极5a从扫描线3a与数据线6a的交叉起在X方向上与扫描线3a重叠地延伸，从扫描线3a与数据线6a的交叉向X方向的一侧Xl延伸的部分的长度4e、5e比向X方向的另一侧X2延伸的部分4f、5f的长度长。此外，第I电容电极4a以及第2电容电极5a从扫描线3a与数据线6a的交叉起在Y方向上与数据线6a重叠地延伸，从扫描线3a与数据线6a的交叉向Y方向的一侧Yl延伸的部分4g、5g的长度比向Y方向的另一侧Y2延伸的部分4h、5h的长度长。
[0076]在第2电容电极5a的上层侧(第2电容电极5a与像素电极9a之间)形成层间绝缘膜42，在这样的层间绝缘膜42的上层侧(层间绝缘膜42与像素电极9a之间)，形成包括数据线6a、中继电极6b以及中继电极6c的遮光性的第I金属层6。即，数据线6a、中继电极6b以及中继电极6c由同时形成的第I金属层6构成，且形成于同一层。层间绝缘膜42由硅氧化膜构成。第I金属层6包括铝层。在本方式中，第I金属层6由氮化钛层、铝层以及氮化钛层的层叠膜构成。
[0077]数据线6a在Y方向上延伸且在俯视下与半导体层Ia重叠，经由贯通层间绝缘膜42、蚀刻阻挡层49、层间绝缘膜41以及栅极绝缘层2的接触孔42a而与半导体层Ia的另一侧端部(源极区域Ib的高浓度区域Ij)电连接。
[0078]中继电极6b经由贯通层间绝缘膜42的接触孔42c而与第2电容电极5a电连接。中继电极6c经由贯通层间绝缘膜42、蚀刻阻挡层49以及层间绝缘膜41的接触孔42b而与中继电极3c电连接。在本方式中，中继电极6b在俯视下与扫描线3a重叠的区域中，在X方向上远离了数据线6a。中继电极6c在俯视下与扫描线3a重叠的区域中，在X方向上远离了数据线6a。此外，中继电极6b与中继电极6c在X方向上分离。
[0079 ]在数据线6a、中继电极6b以及中继电极6c的上层侧(数据线6a与像素电极9a之间)形成有由硅氧化膜等构成的透光性的层间绝缘膜44。层间绝缘膜44由硅氧化膜构成，其表面被平坦化。
[0080]在层间绝缘膜44的上层侧(层间绝缘膜44与像素电极9a之间)，形成有包括恒电位线8a以及中继电极Sb的遮光性的第2金属层8。即，恒电位线8a以及中继电极Sb由同时形成的第2金属层8构成，且形成在同一层。第2金属层8包括铝层。在本方式中，第2金属层8由在铝层上层叠了氮化钛层的层叠膜构成。恒电位线8a在Y方向上延伸且在俯视下一部分与数据线6a重叠。此外，恒电位线8a在俯视下也是一部分与中继电极6b重叠，且经由贯通层间绝缘膜44的接触孔44c而与中继电极6b电连接。中继电极8b在俯视下一部分与中继电极6c重叠，且经由贯通层间绝缘膜44的接触孔44b而与中继电极6 c电连接。
[0081 ]在恒电位线8a以及中继电极8b的上层侧(恒电位线8a与像素电极9a之间)，形成有由硅氧化膜等构成的透光性的层间绝缘膜45。在层间绝缘膜45的上层侧形成有由ITO膜等构成的像素电极9a ο像素电极9a的一部分在俯视下与中继电极8b重叠。在层间绝缘膜45中形成有到达至中继电极8b的接触孔45b，像素电极9a经由接触孔45b而与中继电极8b电连接。其结果是，像素电极9a经由中继电极8b、中继电极6c、中继电极3c以及第I电容电极4a而与漏极区域Ic电连接。层间绝缘膜45例如由下层侧的第I绝缘膜和上层侧的第2绝缘膜构成，其中，下层侧的第I绝缘膜由NSG(非硅酸盐玻璃)形成，上层侧的第2绝缘膜由BSG(硼硅酸盐玻璃)形成，且层间绝缘膜45的表面被平坦化。
[0082]在像素电极9a的表面侧，形成有由聚酰亚胺、无机取向膜构成的取向膜16。在本方式中，取向膜16由3丨01&<2)、5丨02、1102、]\%0^1203、111203、313203、了3205等斜向蒸镀膜(倾斜垂直取向膜/无机取向膜)构成。
[0083](对置基板20的构成)
[0084]在对置基板20中，在石英基板或玻璃基板等透光性的基板主体20w(透光性基板)的液晶层50侧的表面(与元件基板10相对的一面20s)，形成有遮光层29、由硅氧化膜等构成的绝缘膜28以及由ITO膜等透光性导电膜构成的公共电极21，并且以覆盖该公共电极21的方式形成有由聚酰亚胺或无机取向膜构成的取向膜26。在本方式中，公共电极21由ITO膜构成。在本方式中，取向膜26与取向膜16同样地，是3丨01&<2)、3丨02、1^02、]\^0^1203、111203、Sb2O3、Ta2O5等斜向蒸镀膜(倾斜垂直取向膜/无机取向膜)。这样的取向膜16、26使液晶层50所使用的介电各向异性为负的液晶向列化合物倾斜垂直取向，液晶面板10p作为常黑的VA模式进行动作。在本方式中，作为取向膜16、26，使用各种无机取向膜之中的硅氧化膜(S1x)的斜向蒸镀膜。
[0085](针对半导体层Ia的遮光构造)
[0086]图8是表示应用了本发明的电光学装置100中的针对半导体层Ia的遮光构造的说明图，图8(a)、(b)是示意性示出沿着通过半导体层Ia在X方向上延伸的线Jl-Jl'线将数据线6a等切断时的剖面的剖视图、以及放大示出半导体层Ia与数据线6a等的位置关系的俯视图。
[0087]如参照图3以及图4等所说明的那样，电光学装置100的元件基板10具有基板主体10w、在基板主体1w的一面1s侧具备在Y方向(第I方向)上延伸的半导体层Ia的像素晶体管30、设置在相对于半导体层Ia与基板主体1w相反的一侧的像素电极9a，像素电极9a导通至半导体层Ia的一侧端部(漏极区域Ic的高浓度区域lk)。
[0088]此外，在元件基板10中，在像素晶体管30与像素电极9a的层间形成有遮光性的第I金属层6。第I金属层6包括:在Y方向上延伸且在俯视下与半导体层Ia重叠的数据线6a (第I布线)；从数据线6a向X方向的一侧Xl离开的中继电极6b (第I中继电极)；以及从数据线6a向X方向的另一侧X2离开的中继电极6c(第2中继电极)。数据线6a的宽度尺寸(X方向的尺寸)比半导体层Ia的宽度尺寸(X方向的尺寸)大，数据线6a在上层侧完全覆盖半导体层la。
[0089]进一步地，在元件基板10中，在第I金属层6与像素电极9a的层间形成有遮光性的第2金属层8。第2金属层8包括:在Y方向上延伸且在俯视下与数据线6a重叠的恒电位线8a(第2布线)；以及在X方向的一侧Xl在俯视下与中继电极6c重叠的中继电极8b ο恒电位线8a具有在Y方向上延伸的主线部分8d。主线部分8d的宽度尺寸(X方向的尺寸)比数据线6a的宽度尺寸(X方向的尺寸)大，恒电位线8a在上层侧完全覆盖数据线6a。
[0090 ]在这样构成的元件基板1中，如图8所示，中继电极6b中，X方向的另一侧X2的端部6bl与数据线6a隔开第I间隙gl而沿着半导体层Ia在Y方向上延伸。在本方式中，中继电极6b具有在X方向上延伸的第I主体部6e和从第I主体部6e的X方向的另一侧X2的端部朝向Y方向的一侧Yll以及另一侧Y2突出的第I突出部6f，第I突出部6f的X方向的另一侧X2的端部作为中继电极6b的X方向的另一侧X2的端部6bl，与数据线6a隔着第I间隙gl而相对。这里，中继电极6b的端部6bl沿着半导体层Ia的源极区域lb、沟道区域Ig以及漏极区域Ic的整体而延伸。
[°091 ]中继电极6c中，X方向的一侧Xl的端部6cl与数据线6a隔开第2间隙g2而沿着半导体层Ia在Y方向上延伸。在本方式中，中继电极6c具有在X方向上延伸的第2主体部6g、和从第2主体部6g的X方向的一侧Xl的端部朝向Y方向的一侧Yl以及另一侧Y2突出的第2突出部6h，第2突出部6h的X方向的一侧Xl的端部作为数据线6a侧的端部6cl，与数据线6a隔着第2间隙g2而相对。这里，中继电极6c的端部6cl沿着半导体层Ia的源极区域lb、沟道区域Ig以及漏极区域Ic的整体而延伸。
[0092]此外，在元件基板10中，第2金属层8具备在俯视下与第I间隙gl重叠的第I遮光部8s。更具体来说，第2金属层8之中的恒电位线8a具备:在Y方向上延伸且在俯视下与数据线6a重叠的主线部分8d;和从主线部分8d中与数据线6a和扫描线3a的交叉部分相重叠的位置朝向X方向的一侧Xl伸出的第I伸出部8e，第I伸出部8e作为第2金属层8的第I遮光部8s而在俯视下与第I间隙gl重叠。在本方式中，第I伸出部Se从在俯视下与第I间隙gl重叠的区域起进一步向X方向的一侧Xl伸出且在俯视下与中继电极6b的第I突出部6f重叠。
[0093]另外，第2金属层8具备在俯视下与第2间隙g2重叠的第2遮光部8t。更具体来说，第2金属层8之中的恒电位线8a具备从主线部分8d中与数据线6a和扫描线3a的交叉部分相重叠的部分朝向X方向的另一侧X2伸出的第2伸出部8g，第2伸出部8g作为第2金属层8的第2遮光部St而在俯视下与第2间隙g2重叠。在本方式中，第I伸出部Se以及第2伸出部Sg的伸出尺寸相同，第2伸出部8g从在俯视下与第2间隙g2重叠的区域起进一步向X方向的另一侧X2伸出且在俯视下与中继电极6c的第2突出部6h重叠。
[0094]在本方式中，恒电位线8a具备从第I伸出部8e进一步向X方向的一侧Xl突出的凸部8f。凸部8f在俯视下与中继电极6b重叠，经由接触孔44c与中继电极6b导通。其中，凸部8f在X方向上与中继电极8b分离。此外，恒电位线8a具备从第2伸出部8g进一步向X方向的另一侧X2突出的凸部8h，凸部8h在X方向上与中继电极8b分离。在本方式中，凸部8f的突出尺寸比凸部8h的突出尺寸小。
[0095](本方式的主要效果)
[0096]如以上所说明的那样，在本方式的电光学装置100中，第I金属层6之中，数据线6a(第I布线)在上层侧(照明光的入射侧)完全覆盖半导体层la。此外，第2金属层8之中，恒电位线8a(第2布线)的主线部分Sd在上层侧(照明光的入射侧)完全覆盖数据线6a。由此，由于照明光难以到达半导体层la，所以能够抑制因漏光电流引起的闪烁等的产生。
[0097]此外，第I金属层6之中，中继电极6b (第I中继电极)的第I布线6a侧的端部6b I沿着半导体层Ia在Y方向(第I方向)上延伸且隔着第I间隙gl与数据线6a相对。此外，第I金属层6位于比第2金属层8更接近半导体层Ia的位置。因此，能够抑制从向中继电极6b所处的一侧(X方向的一侧XI)斜向倾斜的方向行进的照明光LI到达半导体层la。这里，数据线6a和中继电极6b由于被施加不同的电位，所以需要将第I间隙gl的宽度设为在某种程度上足够的尺寸，但即使在这样的情况下，第2金属层8的第I遮光部8s在俯视下也与第I间隙gl重叠。因此，能够可靠地抑制从向中继电极6b所处的一侧(X方向的一侧Xl)斜向倾斜的方向朝向半导体层Ia行进的照明光LI到达半导体层la。
[0098]此外，中继电极6b具备:在X方向(第2方向)上延伸的第I主体部6e;和从第I主体部6e的第I布线6a侧的端部在Y方向上突出且在俯视下隔着第I间隙gl而与半导体层Ia相对的第I突出部6f。由此，由于第I突出部6f沿着半导体层Ia延伸，所以与使中继电极6b整体在Y方向上延伸的情况相比，能够扩大像素开口部。
[0099]此外，第I金属层6在X方向的另一侧X2包括与数据线6a分离的中继电极6c(第2中继电极)，中继电极6c的第I布线6a侧的端部6cl沿着半导体层Ia在Y方向(第I方向)上延伸且隔着第2间隙g2与数据线6a相对。因此，能够抑制从向中继电极6c所处的一侧(X方向的另一侧X2)斜向倾斜的方向行进的照明光L2到达半导体层la。这里，数据线6a和中继电极6c由于被施加不同的电位，所以需要将第2间隙g2的宽度设为在某种程度上足够的尺寸，但即使在这样的情况下，第2金属层8的第2遮光部St在俯视下也与第2间隙g2重叠。因此，能够可靠地抑制从向中继电极6 c所处的一侧(X方向的另一侧X2)斜向倾斜的方向朝向半导体层I a行进的照明光L2到达半导体层la。
[0100]此外，中继电极6c具备:在X方向(第2方向)上延伸的第2主体部6g;和从第2主体部6g的第I布线6a侧的端部在Y方向上突出且在俯视下隔着第2间隙g2与半导体层Ia相对的第2突出部6h。因此，由于第2突出部6h沿着半导体层Ia延伸，所以与使中继电极6c整体在Y方向上延伸的情况相比，能够扩大像素开口部。
[0101]此外，恒电位线8a在Y方向上延伸且在俯视下与数据线6a重叠，第I遮光部8s包括从恒电位线8a向X方向的一侧Xl伸出的第I伸出部8e。此外，第2遮光部8t包括从恒电位线8a向X方向的另一侧X2伸出的第2伸出部8g。因此，能够以简单的构成实现第2金属层8在俯视下与第I间隙gl以及第2间隙g2重叠的构成。
[0102]此外，第I金属层6以及第2金属层8都含有铝层，这样的铝层电阻低且能够将OD值设为几乎无限大。因此，借助第I金属层6以及第2金属层8，能够减小数据线6a以及恒电位线8a的布线电阻，并且针对半导体层Ia的遮光性出色。
[0103]此外，在本方式中，在半导体层Ia与第I金属层6的层间，存在构成保持电容55的电极(第I电容电极4a以及第2电容电极5a)，这样的第I电容电极4a以及第2电容电极5a也起到针对半导体层Ia的遮光膜的作用。即，第I电容电极4a由导电性的多晶硅膜构成，第2电容电极5a由钨硅化物膜构成，所以相对于照明光的OD值比第I金属层6以及第2金属层8低。尽管如此，在照明光漏出第I间隙gl以及第2间隙g2的情况下，也能够由第I电容电极4a以及第2电容电极5a遮挡这部分漏出的光。
[0?04]此外，在本方式中，在半导体层Ia与第I金属层6的层间，存在栅电极3b，栅电极3b具有从在俯视下与半导体层Ia重叠的主体部3r沿着半导体层Ia朝向Y方向的一侧Yl突出的延伸部3s以及凸部3t。因此，栅电极3b的延伸部3s以及凸部3t也起到针对半导体层Ia的遮光膜的作用。即，栅电极3b由于由导电性的多晶硅膜构成，所以相对于照明光的OD值比第I金属层6以及第2金属层8低。尽管如此，在照明光漏出第I间隙gl以及第2间隙g2的情况下，也能够由栅电极3b遮挡这部分漏出的光。
[0?05]另一实施方式
[0106]图9是表示应用了本发明的另一电光学装置100中的针对半导体层Ia的遮光构造的说明图，图9(a)、(b)是示意性示出沿着通过半导体层Ia在X方向上延伸的线J2-J2'线来切断数据线6a等时的剖面的剖视图、以及放大半导体层Ia与数据线6a等的位置关系而示出的俯视图。另外，本方式的基本构成由于与上述的实施方式相同，所以对公共的部分附加相同符号并省略它们的说明。
[0107]如图9所示，在本方式中，与上述实施方式同样地，中继电极6b (第I中继电极)中，数据线6a侧的端部6bl沿着半导体层Ia在Y方向(第I方向)上延伸且隔着第I间隙gl而与数据线6a相对。此外，第2金属层8在俯视下与第I间隙gl重叠。因此，能够可靠地抑制从向中继电极6b所处的位置的一侧斜向倾斜的方向朝向半导体层Ia行进的光到达半导体层la。
[0108]相对于此，相对数据线6a在X方向的另一侧X2，从数据线6a向X方向的另一侧X2伸出的伸出部6r沿着半导体层Ia在Y方向上延伸。因此，即使不使中继电极6c沿着半导体层Ia在Y方向(第I方向)上延伸，也能够可靠地抑制从向中继电极6c所处的一侧斜向倾斜的方向行进的光到达半导体层la。
[0109]其他实施方式
[0110]在上述实施方式中，中继电极6b的端部6bl以及中继电极6c的端部6cl沿着半导体层Ia的源极区域lb、沟道区域Ig以及漏极区域Ic的整体延伸。因此，即使在使施加至液晶层50的电位的极性发生了反转的情况下，也能够防止光入射到半导体层Ia的漏极端。
[0111]其中，在未使施加至液晶层50的电位的极性发生反转的情况下，也可以采用中继电极6b的端部6bl以及中继电极6c的端部6cl仅沿着半导体层Ia的漏极侧(像素电极9a所连接的一侧)延伸的构成。
[0112]向电子设备的搭载例
[0113](投射型显示装置以及光学组件的构成例)
[0114]图10是应用了本发明的投射型显示装置(电子设备)以及光学组件的简要构成图。
[0115]图10所示的投射型显示装置110是向设置于观察者侧的屏幕111照射光来观察由该屏幕111反射的光的所谓投影型的投射型显示装置。投射型显示装置110包括:具备光源112的光源部130、分色镜113、114、液晶灯泡115?117、投射光学系统118、交叉分色棱镜119(合成光学系统)和中继系统120，电光学装置100以及交叉分色棱镜119构成光学组件200。
[0116]光源112由提供包括红色光R、绿色光G以及蓝色光B的光的超高压水银灯构成。分色镜113构成为，使来自光源112的红色光R透过，并且反射绿色光G以及蓝色光B。此外，分色镜114构成为，使被分色镜113反射的绿色光G以及蓝色光B之中的蓝色光B透过，并且反射绿色光G。这样，分色镜113、114构成将从光源112射出的光分离成红色光R、绿色光G和蓝色光B的颜色分离光学系统。
[0117]这里，在分色镜113与光源112之间，从光源I开始依次配置积分器(integrator)121以及偏振变换元件122。积分器121构成为使从光源112照射的光的照度分布均匀化。此夕卜，偏振变换元件122构成为使来自光源112的光成为例如具有s偏振这样的特定振动方向的偏振光。
[0118]液晶灯泡115是根据图像信号对透过分色镜113后被反射镜123反射的红色光进行调制的透过型的液晶装置。液晶灯泡115具备λ/2相位差板115a、第I偏振板115b、电光学装置100(红色用液晶面板100R)以及第2偏振板115d。这里，对于入射到液晶灯泡115的红色光R来说，由于即使透过分色镜113后光的偏振也不发生变化，所以还是s偏振光。
[0119]λ/2相位差板115a是将入射到液晶灯泡115的s偏振光变换成p偏振光的光学元件。此外，第I偏振板115b是阻隔s偏振光而使P偏振光透过的偏振板。并且，电光学装置100(红色用液晶面板100R)是通过与图像信号相应的调制而使P偏振光变换成s偏振光(如果是中间色则是圆偏振光或椭圆偏振光)的构成。进一步地，第2偏振板115d是阻隔P偏振光而使s偏振光透过的偏振板。因此，液晶灯泡115是如下结构，S卩，根据图像信号来调制红色光R，并将调制后的红色光R向交叉分色棱镜119射出。
[0120]另外，λ/2相位差板115a以及第I偏振板115b被配置成与不改变偏振光的透光性的玻璃板115e相接的状态，能够避免λ/2相位差板115a以及第I偏振板115b因发热而变形。
[0121]液晶灯泡116是根据图像信号对被分色镜113反射后由分色镜114反射的绿色光G进行调制的透过型的液晶装置。这样的液晶灯泡116与液晶灯泡115同样地，具备第I偏振板116b、电光学装置100(绿色用液晶面板100G)以及第2偏振板116d。入射到液晶灯泡116的绿色光G是由分色镜113、114反射后入射的s偏振光。第I偏振板116b是阻隔P偏振光并使s偏振光透过的偏振板。此外，电光学装置100(绿色用液晶面板100G)成为通过与图像信号相应的调制将s偏振光变换成P偏振光(若是中间色则是圆偏振光或椭圆偏振光)的构成。并且，第2偏振板116d是阻隔s偏振光并使P偏振光透过的偏振板。因此，液晶灯泡116是根据图像信号来调制绿色光G并将调制后的绿色光G朝向交叉分色棱镜119射出的构成。
[0122]液晶灯泡117是根据图像信号对由分色镜113反射并透过分色镜114后通过了中继系统120的蓝色光B进行调制的透过型的液晶装置。这样的液晶灯泡117与液晶灯泡115、116同样地，具备λ/2相位差板117a、第I偏振板117b、电光学装置100(蓝色用液晶面板100B)以及第2偏振板117d。这里，入射到液晶灯泡117的蓝色光B由于被分色镜113反射并透过分色镜114后被中继系统120的后述2个反射镜125a、125b反射，所以成为s偏振光。
[0123]λ/2相位差板117a是将入射到液晶灯泡117的s偏振光变换成P偏振光的光学元件。此外，第I偏振板117b是阻隔s偏振光而使P偏振光透过的偏振板。并且，电光学装置100(蓝色用液晶面板100B)是通过与图像信号相应的调制将P偏振光变换成s偏振光(若是中间色则是圆偏振光或椭圆偏振光)的构成。进一步地，第2偏振板117d是阻隔P偏振光而使s偏振光透过的偏振板。因此，液晶灯泡117是根据图像信号来调制蓝色光B并使调制后的蓝色光B朝向交叉分色棱镜119射出的构成。另外，λ/2相位差板117a以及第I偏振板117b被配置成与玻璃板117e相接的状态。
[0124]中继系统120具备中继透镜124a、124b和反射镜125a、125b。为了防止因蓝色光B的光路长而引起的光损失，设置中继透镜124a、124b。这里，中继透镜124a配置在分色镜114与反射镜125a之间。此外，中继透镜124b配置在反射镜125a、125b之间。反射镜125a配置成，使透过分色镜114后从中继透镜124a射出的蓝色光B朝向中继透镜124b反射。此外，反射镜125b配置成，使从中继透镜124b射出的蓝色光B朝向液晶灯泡117反射。
[0125]交叉分色棱镜119是将2个分色膜119a、119b正交配置成X字型的颜色合成光学系统。分色膜119a是反射蓝色光B而使绿色光G透过的膜，分色膜119b是反射红色光R而使绿色光G透过的膜。因此，交叉分色棱镜119是将由液晶灯泡115?117分别调制的红色光R、绿色光G和蓝色光B合成后朝向投射光学系统118射出的构成。
[0126]另外，从液晶灯泡115、117入射到交叉分色棱镜119的光是s偏振光，从液晶灯泡116入射到交叉分色棱镜119的光是P偏振光。通过这样使入射到交叉分色棱镜119的光成为不同种类的偏振光，能够在交叉分色棱镜119中对从各液晶灯泡115?117入射的光进行合成。这里，一般，分色膜119a、119b在s偏振光的反射晶体管特性方面出色。因此，使由分色膜119a、119b反射的红色光R以及蓝色光B成为s偏振光，使透过分色膜119a、119b的绿色光G成为P偏振光。投射光学系统118具有投影透镜(省略图示)，且构成为将由交叉分色棱镜119合成的光投射到屏幕111。
[0127](其他投射型显示装置)
[0128]在投射型显示装置中，也可以构成为，使用射出各颜色光的LED光源等作为光源部，将从这样的LED光源射出的彩色光分别提供给不同的液晶装置。
[0129](其他电子设备)
[0130]针对应用了本发明的电光学装置100，除了上述的电子设备以外，也还可以在移动电话、信息便携终端(PDA: Persona I Digital Assis tants)、数码摄像机、液晶电视机、汽车导航装置、可视电话、POS终端、具备触摸面板的设备等电子设备中用作直视型显示装置。
【主权项】
1.一种电光学装置，其特征在于，具有: 基板； 像素晶体管，在所述基板的一面侧具备在第I方向上延伸的半导体层； 像素电极，设置在相对所述半导体层与所述基板相反的一侧，且导通至所述半导体层的一侧端部； 遮光性的第I金属层，设置在所述像素晶体管与所述像素电极的层间，包括在所述第I方向上延伸且在俯视下与所述半导体层重叠的第I布线、以及从所述第I布线向与所述第I方向交叉的第2方向的一侧远离的第I中继电极；以及 遮光性的第2金属层，设置在所述第I金属层与所述像素电极的层间，包括在所述第I方向以及所述第2方向的至少一个方向上延伸的第2布线， 所述第I中继电极使所述第2方向的另一侧的端部与所述第I布线隔开第I间隙地，沿着所述半导体层在所述第I方向上延伸， 所述第2金属层具备在俯视下与所述第I间隙重叠的第I遮光部。2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于， 所述第I中继电极具备: 在所述第2方向上延伸的第I主体部；以及 从所述第I主体部的所述第2方向的所述另一侧的端部沿着所述半导体层在所述第I方向上突出的第I突出部。3.根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于， 所述第2布线在所述第I方向上延伸且在俯视下与所述第I布线重叠， 所述第I遮光部包括从所述第2布线向所述第2方向的所述一侧伸出的第I伸出部。4.根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于， 所述第I金属层包括从所述第I布线向所述第2方向的所述另一侧远离的第2中继电极，所述第2中继电极中，所述第2方向的所述一侧的端部与所述第I布线隔开第2间隙地，沿着所述半导体层在所述第I方向上延伸， 所述第2金属层具备在俯视下与所述第2间隙重叠的第2遮光部。5.根据权利要求4所述的电光学装置，其特征在于， 所述第2中继电极具备: 在所述第2方向上延伸的第2主体部；以及 从所述第2主体部的所述第2方向的所述一侧的端部沿着所述半导体层在所述第I方向上突出的第2突出部。6.根据权利要求4或5所述的电光学装置，其特征在于， 所述第2布线在所述第I方向上延伸且在俯视下与所述第I布线重叠， 所述第2遮光部包括从所述第2布线向所述第2方向的所述另一侧伸出的第2伸出部。7.根据权利要求1?6中任一项所述的电光学装置，其特征在于， 所述第I布线是导通至所述半导体层的另一侧端部的数据线。8.根据权利要求1?7中任一项所述的电光学装置，其特征在于， 所述第I金属层以及所述第2金属层都包括铝层。9.根据权利要求1?8中任一项所述的电光学装置，其特征在于，在所述半导体层与所述第I金属层的层间，具备与所述像素电极电连接的保持电容，构成所述保持电容的电极在俯视下与所述半导体层重叠。10.—种电子设备，其特征在于，具备权利要求1?9中任一项所述的电光学装置。
【文档编号】G02F1/1362GK105988257SQ201610136312
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2016年3月10日
【发明人】中村定郎, 中村定一郎
【申请人】精工爱普生株式会社