光学邻近修正方法
【专利摘要】一种光学邻近修正方法，包括：提供目标图形；在目标图形上设置多个采样点，采样点位于目标图形的边或转角上；设置初始图形；获得与初始图形相对应的曝光图形；获得曝光图形的边缘位置误差；判断边缘位置误差是否大于预先设定的阈值，当边缘位置误差小于或等于预先设定的阈值时，获得修正图形；当边缘位置误差大于预先设定的阈值时，调整初始图形；对调整后的初始图形重新执行上述获得曝光图形和比较的步骤，直至曝光图形的边缘位置误差小于或等于阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形。本发明通过增加采样点，减少图形在光学邻近修正后发生图形畸变，能够避免由于图形畸变而引起最终获得的修正图形的特征尺寸不足的问题。
【专利说明】
光学邻近修正方法
技术领域
[0001]本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种光学邻近修正方法。【背景技术】
[0002]在半导体制造过程中，为将集成电路(Integrated Circuit, 1C)的电路图案转移至半导体芯片上，需将集成电路的电路图案设计为掩模版图案，再将掩模版图案从掩模版表面转移至半导体芯片。然而随着集成电路特征尺寸(Critical Dimens1n,⑶)的缩小，以及受到曝光机台(Optical Exposure Tool, 0ET)的分辨率极限(Resolut1n Limit) 的影响，在对高密度排列的掩模版图案进行曝光制程以进行图案转移时，便很容易产生光学邻近效应(Optical Proximity Effect, 0PE)，使掩模板图形转移出现缺陷。针对光学邻近效应的问题，目前业界普遍采用的一种方法为光学邻近修正(Optical Proximity Correct1n，0PC)，其通过改变原始版图图形的形状来减小曝光所获得的光刻图形的偏差。
[0003]参考图1，示出了现有技术光学邻近修正中目标图形、光学邻近修正后的修正图形以及最终形成图形的示意图。此处，以针对形成接触孔的图形进行光学邻近修正为例进行说明。
[0004]如图1所示，其中目标图形10为直角方形。所述目标图形10上设置有4个采样点20a、20b、20c和20d，直角方形每个边上设置有1个采样点。经过光学邻近修正后，获得修正图形30,为了修正光学邻近效应，所述修正图形30为长方形。对所述修正图形30进行曝光等步骤，获得最终形成在晶片上的接触孔图形40。
[0005]现有光学邻近修正方法中，提供目标图形10之后，整个光学邻近修正的过程包括多个循环(interat1n)，每次循环均对图形进行修正获得调整后的初始图形，并计算每个采样点的边缘位置误差(Edge Placement Err〇r，EPE)，通过判断所述边缘位置误差是否达到标准以判断修正是否完成，最终得到符合标准的修正图形30。
[0006]但是现有技术中，经过光学邻近修正后，最终形成的图形往往会偏小，会出现所形成的半导体器件无法达到设计尺寸要求的问题。
【发明内容】
[0007]本发明解决的问题是提供一种光学邻近修正方法，以保证所形成的半导体器件能够达到设计的尺寸要求。
[0008]为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近修正方法，包括如下步骤:
[0009]提供目标图形，所述目标图形由多条边围成，所述目标图形的边在相交处形成转角；
[0010]在所述目标图形上设置多个采样点，所述采样点位于所述目标图形的边或转角上；
[0011]设置初始图形；
[0012]获得与所述初始图形相对应的曝光图形；
[0013]比较所述曝光图形与所述目标图形在采样点的位置差异，获得曝光图形的边缘位祆差；
[0014]判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值，当所述边缘位置误差小于或等于预先设定的阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形；
[0015] 当所述边缘位置误差大于预先设定的阈值时，调整初始图形，以减小边缘位置误差与所述阈值的差异；对调整后的初始图形重新执行上述获得曝光图形和比较的步骤，直至所述曝光图形的边缘位置误差小于或等于所述阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形。
[0016]可选的，所述目标图形中的转角为圆角。
[0017]可选的，在所述目标图形上设置多个采样点的步骤包括:所述目标图形的每个边上至少设置一个采样点。
[0018]可选的，在所述目标图形上设置多个采样点的步骤还包括:所述目标图形的每个转角上至少设置两个采样点。
[0019]可选的，获得与所述初始图形相对应的曝光图形的步骤包括:采用仿真的方法获得与所述初始图形相对应的曝光图形。
[0020]可选的，获得曝光图形的边缘位置误差的步骤包括:当所述采样点设置在图形的边上时，通过比较在采样点位置，垂直于所述边的方向上，所述曝光图形与所述目标图形之间的位置差异，获得曝光图形中相应采样点的边缘位置误差。
[0021]可选的，对于设置于转角上的采样点，获得曝光图形的边缘位置误差的步骤包括: 当所述采样点设置在图形的转角上时，通过比较在采样点位置，沿转角曲线径向方向上，所述曝光图形与所述目标图形之间的位置差异，获得曝光图形中相应采样点的边缘位置误差。
[0022]可选的，判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值的步骤包括:根据所述曝光图形中所有采样点的边缘位置误差，获得所述曝光图形的边缘位置误差的平均值，作为平均边缘位置误差；判断所述平均边缘位置误差是否大于预先设定的阈值。
[0023]可选的，当所述边缘位置误差大于所述阈值时，调整初始图形的步骤包括:根据不同采样点的边缘位置误差和所述阈值的差异大小，获得大于所述阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置；根据大于所述阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置，调整初始图形中所述采样点相对应的边，以减小边缘位置误差与所述阈值的差异，获得调整后的初始图形。
[0024]可选的，获得与所述初始图形相对应的曝光图形的步骤包括:在工艺窗口限制下获得曝光图形，作为工艺窗口曝光图形；不在工艺窗口限制下以标准工艺条件获得曝光图形，作为标准曝光图形。
[0025]可选的，判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值的步骤包括:判断所述标准曝光图形的边缘位置误差是否大于预先设定的标准阈值；在判断所述标准曝光图形的边缘位置误差小于或等于所述标准阈值时，判断所述工艺窗口曝光图形的边缘位置误差是否大于预先设定的工艺窗口阈值；所述工艺窗口阈值大于所述标准阈值。
[0026]可选的，当所述边缘位置误差大于所述阈值时，调整初始图形的步骤包括:在判断所述标准曝光图形的边缘位置误差大于所述标准阈值时，根据不同采样点的边缘位置误差和所述标准阈值的差异大小，获得大于所述标准阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置；根据大于所述标准阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置，调整初始图形中所述采样点相对应的边，以减小边缘位置误差与标准阈值的差异，获得调整后的初始图形。
[0027] 可选的，当所述边缘位置误差大于所述阈值时，调整初始图形的步骤包括:在判断所述工艺窗口曝光图形的边缘位置误差大于所述工艺窗口阈值时，根据所述工艺窗口曝光图形中不同采样点边缘位置误差和所述工艺窗口阈值的差异大小，获得大于所述工艺窗口阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置；根据大于所述工艺窗口阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置，调整初始图形中所述采样点相对应的边，以减小所述工艺窗口曝光图形的边缘位置误差与所述工艺窗口阈值的差异，获得调整后的初始图形。
[0028] 可选的，调整初始图形中所述采样点相对应的边的步骤包括:当所述采样点设置在图形的边上时，调整所述采样点所在的边。
[0029] 可选的，调整初始图形中所述采样点相对应的边的步骤包括:当所述采样点设置在转角处时，调整距离所述采样点最近的边。
[0030] 与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0031]本发明中，本发明通过在所述目标图形中的转角处增加采样点，获取边缘位置误差，最终通过判断每个图形上所有采样点边缘位置误差是否大于预先设定的阈值，判断光学邻近修正是否完成。采样点的增加，能够减少图形在光学邻近修正后发生图形畸变，能够避免由于图形畸变而引起的尺寸不足问题。
[0032] 可选方案中，由于光学邻近效应的存在，最终在晶片上所形成的图形中，直角转角不可能维持直角，通常会形成圆角。所以本发明通过将所述目标图形中的转角设置为圆角， 减小了目标图形和初始图形之间的差异，有利于帮助光学邻近修正实现收敛，有利于缩短光学邻近修正的时间。
[0033] 可选方案中，本发明在判断边缘位置误差是否符合标准时，还引入了工艺窗口限制，通过判断边缘位置误差是否大于特定工艺窗口条件下图形尺寸的最小值，使图形的尺寸在一定极端工艺条件下达到最小值，从而避免由于光学邻近修正造成的箍缩或桥接等缺陷，避免了光学邻近修正引起良品率的损失。【附图说明】
[0034]图1是现有技术光学邻近修正中目标图形、光学邻近修正后的修正图形以及最终形成图形的示意图；
[0035]图2是现有技术光学邻近修正后，最终形成的图形无法达到设计尺寸要求的示意图；
[0036]图3至图10是本发明光学邻近修正方法一实施例中各个步骤的示意图；
[0037]图11是本发明光学邻近修正方法另一实施例中所提供目标图形的示意图。【具体实施方式】
[0038]由【背景技术】可以知道，现有光学邻近修正技术，会出现所形成的半导体器件无法达到设计尺寸要求的问题。现结合现有技术中，针对形成接触孔的图形进行光学邻近修正分析问题的原因:
[0039]当完成光学邻近修正之后，如果某个方向的边缘位置误差达到标准，这个方向上的尺寸也一定达到设计要求。然而现有技术中，在目标图形的每条边取一个采样点的方法， 虽然光学邻近修正之后，在采样点所在的方向向上最终形成图形的尺寸一定达到设计要求。但是在曝光过程中，图形可能会发生畸变。当图形发生畸变时，在未设置采样点的方向上可能会出现尺寸不足的问题。
[0040]具体的，参考图2,示出了现有技术光学邻近修正后，由于图形畸变而引起的修正图形尺寸不足的示意图:由于在4个采样点21a、21b、21c以及21d方向上的边缘位置误差: EPEa、EPEb、EPEc以及EPEd，均小于预先设定的阈值，即光学邻近修正能够收敛完成。也就是说，在水平方向(bd方向)和垂直方向(ac方向)，根据所述修正图形31所获得的接触孔图形的尺寸能够达到设计要求。但是由于图形发生了畸变，最终获得的接触孔图形41并不是一个正圆形，而是一个长圆形，而且所述长圆形的最短距离CDdla并不在垂直方向和水平方向，而在对角方向(dia方向)。所述接触孔图形41在对角方向的尺寸小于在垂直方向和水平方向的尺寸。因此，所述接触孔图形41在对角方向的尺寸也小于垂直方向和水平方向的尺寸，小于目标图形11的设计尺寸，从而对于修正图形31来说，其尺寸是不足的。
[0041]此外现有技术中，由于光学邻近修正的迭代收敛性较差，在每边设置一个采样点， 可能使光学邻近修正的迭代无法收敛，从而在图形中某一个图案的边缘位置误差无法达到标准，也会造成所获得的修正图形特征尺寸不足。
[0042]对于这种光学邻近修正迭代无法收敛的情况，现有技术中，通常通过在采样点位置扩大目标图形以使最终形成接触孔图形的特征尺寸满足设计要求。但是目标图形的扩大，会使相邻图形之间的距离减小，当相邻图形之间的距离小于一定范围内时，即可能违反设计规则检查(Design Rule Check);此外，目标图形的扩大也会使相应的修正图形也扩大，用以形成最终接触孔图形的掩模图形也相应会被扩大。掩模图形的扩大，可能会造成相邻图形之间的距离变小。当相邻图形之间的距离小于的一定范围时，将无法形成相应的掩模，即所述掩模违反了掩模规则检查(Mask Rule Check)。
[0043]为解决所述技术问题，本发明提供一种光学邻近修正方法，包括:
[0044]提供目标图形，所述目标图形由多条边围成，所述目标图形的边在相交处形成转角；在所述目标图形上设置多个采样点，所述采样点位于所述目标图形的边或转角上；设置初始图形；获得与所述初始图形相对应的曝光图形；比较所述曝光图形与所述目标图形在采样点的位置差异，获得曝光图形的边缘位置误差；判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值，当所述边缘位置误差小于或等于预先设定的阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形；当所述边缘位置误差大于预先设定的阈值时，调整初始图形，以减小边缘位置误差与所述阈值的差异；对调整后的初始图形重新执行上述获得曝光图形和比较的步骤， 直至所述曝光图形的边缘位置误差小于或等于所述阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形。
[0045]本发明通过在所述目标图形中的转角处增加采样点，获取边缘位置误差，最终通过判断每个图形上所有采样点边缘位置误差是否大于预先设定的阈值，判断光学邻近修正是否完成。采样点的增加，能够减少图形在光学邻近修正后发生图形畸变，能够避免由于图形畸变而引起的修正图形尺寸不足的问题。此外，本发明还通过将所述目标图形中的转角设置为圆角，减小了目标图形和初始图形之间的差异，有利于帮助光学邻近修正实现收敛，有利于缩短光学邻近修正的时间。可选的，本发明在判断边缘位置误差是否符合标准时，还引入了工艺窗口限制，通过判断边缘位置误差是否大于特定工艺窗口条件下图形尺寸的最小值，使图形的尺寸在一定极端工艺条件下达到最小值，从而避免由于光学邻近修正造成的箍缩或桥接等缺陷，避免了光学邻近修正引起良品率的损失。
[0046]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0047]图3至图10,是本发明所提供光学邻近修正一实施例中各个步骤的示意图。需要说明的是，本实施例以针对形成接触孔的掩模图形进行光学邻近修正为例进行说明，不应以此限制本发明。
[0048]参考图3,提供形成接触孔的目标图形100,所述目标图形100为方形，由4条边围成，所述目标图形1〇〇的4条边在相交处形成4个转角。
[0049]需要说明的是，本实施例中，整个掩模图形包括3个用于形成接触孔的目标图形 100〇
[0050]所述目标图形100为光学邻近修正的目标，即理想状态下，晶片上形成的接触孔与所述目标图形1〇〇—样。
[0051]需要说明的是，虽然理想的接触孔图形为直角方形，但是由于光学邻近效应的存在，最终在晶片上所形成的接触孔图案在转角处不可能为直角，通常会形成圆角。为了减小采样点位置的边缘位置误差，提高光学邻近修正的收敛速度，本实施例中，所述目标图形 100中的转角均设置为圆角。因此所述目标图形100为圆角方形。
[0052]参考图4,在每个所述目标图形100上设置多个采样点，所述采样点位于所述目标图形100的边或转角上。
[0053]所述采样点用于比较目标图形100与后续设置的初始图形之间的差异，获得光学邻近效应对所述目标图形100的影响，用于获得判断光学邻近修正是否完成的边缘位置误差。
[0054]由于图形的线宽会影响到光学邻近效应对图案的影响，为了获得在图形边缘位置，光学邻近效应的影响，所述目标图形的每个边上至少设置一个采样点。
[0055]本实施例中，在所述目标图形100的每个边上设置一个采样点。具体的，在所述圆角方形的目标图形100的四个边:A、B、C以及D上分别设置1个采样点:位于边A上的A2、 位于边B上的B2、位于边C上的C2以及位于边D上的D2。本实施例中，所述目标图形100 边上的采样点位于相应边的中点上。
[0056]此外，由于在图形转角处，光学邻近效应对图形的影响更加明显，甚至光学邻近效应会引起图案的畸变，为了获得在图形转角位置，光学邻近效应的影响，所述目标图形的每个转角上至少设置两个采样点。
[0057]本实施例中，所述目标图像的每个转角上设置两个采样点。具体的，在所述目标图形100的四个圆角上设置8个采样点:A1和A3，B1和B3，C1和C3以及D1和D3。所以，本实施例中，所述目标图形100中设置有12个采样点。本实施例中，位于转角处的采样点平均分布在相应转角的角平分线两侧。
[0058]需要说明的是，本实施例中采用边线中点作为设置在图形边上的采样点的做法仅为一示例，本发明对此不做限制。同样，本实施例中，位于目标图形100转角处的采样点平均分布在相应转角角平分线两侧的做法也仅为示例，在本发明其他实施例中，可以根据所述目标图形的变化，改变所述采样点的位置，本发明对此不做限制。
[0059]参考图5,设置初始图形200。
[0060]所述初始图形200,用于在后续光学邻近修正中获得曝光图形和调整，以获得光学邻近效应对图形的影响，并通过修改初始图形200进行光学邻近修正。
[0061]需要说明的是，本实施例中，光学邻近修正的首次迭代中设置的初始图形200与所述目标图形1〇〇 —致，为圆角方形。
[0062]还需要说明的是，本实施例中，光学邻近修正的首次迭代中设置的初始图形200 与所述目标图形1〇〇 —致的做法仅为一示例。在本发明其他实施例中，可以在所述初始图形中引入部分光学邻近修正，以进一步提高光学邻近修正的收敛速度，本发明对此不做限制。
[0063]参考图6,获得与所述初始图形200相对应的曝光图形300。
[0064]具体的，采用仿真的方法获得与所述初始图形200相对应的曝光图形300。
[0065]需要说明的是，本实施例中，为了避免由于光学邻近修正造成的箍缩或桥接等缺陷，避免光学邻近修正引起良品率的损失，本实施例在后续判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值，进而判断光学邻近修正是否完成的过程中，引入了工艺窗口限制 (Process Window Constraints)。所述工艺窗口限制为:设定当工艺条件为±50nm散焦量，曝光光源的能量为标准值的97.5%时，所述曝光图形的特征尺寸为最小。
[0066]在所述工艺窗口限制下，获得与所述初始图形200相对应的曝光图形，作为工艺窗口曝光图形301。此外，不在工艺窗口限制下，以标准工艺条件，本实施例中还获得与所述初始图形200相对应的曝光图形，作为标准曝光图形302。
[0067]具体的，通过光学邻近修正模型进行光刻模拟成像，根据初始图形200模拟掩模的制造，并根据掩模分别模拟工艺窗口限制下和标准工艺条件下的曝光、显影和刻蚀等步骤，分别获得工艺窗口曝光图形301和标准曝光图形302。所述工艺窗口曝光图形301和标准曝光图形302均为圆形，且工艺窗口曝光图形301的尺寸小于所述标准曝光图形302的尺寸。
[0068]需要说明的是，本实施例中采用仿真的方法获得曝光图形300的做法仅为一示例，本发明其他实施例中，还可以通过实际曝光过程，获得曝光图形，此处为现有技术，本发明对此不作赘述，也不做任何限定。
[0069]参考图7,比较所述曝光图形300与所述目标图形100在采样点的位置差异，获得曝光图形300的边缘位置误差。
[0070]具体的，本实施例中，分别比较所述工艺窗口曝光图形301和标准曝光图形302与目标图形100在采样点的位置差异，分别获得所述工艺窗口曝光图形301的工艺窗口边缘位置误差EPEPW和所述标准曝光图形302的标准边缘位置误差EPE。
[0071]对于设置在目标图形100边上的采样点的边缘位置误差，通过比较所述采样点垂直于所述边的方向上，与所述曝光图形300之间的位置差异，获得采样点相对应的边缘位PjJ、口 -y^置祆差。
[0072]具体的，对于设置在目标图形100边C上的采样点C2来说，在采样点C2处有沿边 C延伸的方向为第一方向(X方向)以及垂直所述第一方向(X方向)的第二方向(Y方向)，所述采样点C2处的边缘位置误差即为沿第二方向(Y方向)，所述采样点C2与所述曝光图形300的位置差异。本实施例中，对于工艺窗口曝光图形301，所述采样点C2处的工艺窗口边缘位置误差为EPEe2pw;对于标准曝光图形302，所述采样点C2处的标准边缘位置误为EPEc20本实施例中，由于工艺窗口曝光图形301的尺寸小于所述标准曝光图形302的尺寸，且工艺窗口曝光图形301位于所述标准曝光图形302内部，因此所述工艺窗口边缘位置误差EPEe2pw大于所述标准边缘位置误差EPE C2。
[0073]对于设置在目标图形100转角处的采样点，通过比较所述采样点位置沿径向与所述曝光图形300之间的位置差异，获得相应采样点相对应的边缘位置误差。
[0074]具体的，对于设置在目标图形100转角处的采样点Dl来说，在采样点Dl处有沿转角曲线切线延伸方向的切向(T方向)和垂直所述切向(T方向)的法向(R方向)，所述法向(R方向)即为所述曲线在采样点Dl处的径向方向。所述采样点Dl处的边缘位置误差即为沿法向(R方向)，所述采样点Dl与所述曝光图形300的位置差异。本实施例中，对于工艺窗口曝光图形301，所述采样点Dl处的工艺窗口边缘位置误差为EPEdipw;对于标准曝光图形302，所述采样点D2处的标准边缘位置误差为EPED1。本实施例中，由于工艺窗口曝光图形301的尺寸小于所述标准曝光图形302的尺寸，且工艺窗口曝光图形301位于所述标准曝光图形302内部，因此所述工艺窗口边缘位置误差EPEdipw大于所述标准边缘位置误差 EPEdi。
[0075]参考图8，本发明所提供光学邻近修正方法对图3所示目标图形100进行修正的流程图。
[0076]在执行步骤S50，获得曝光图形300的边缘位置误差后，执行步骤S60，判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值。
[0077]需要说明的是，本实施例中，判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值的步骤包括:根据所述曝光图形300中所有采样点的边缘位置误差，获得所述曝光图形300的边缘位置误差的平均值，作为所述曝光图形300的平均边缘位置误差。因此本实施例中，在执行步骤S60，判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值时，是判断所述平均边缘位置误差是否大于预先设定的阈值。
[0078]具体的，本实施例中，根据工艺窗口曝光图形301中所有采样点的边缘位置误差，获得所述工艺窗口曝光图形301的边缘位置误差的平均值，作为所述工艺窗口曝光图形301的平均工艺窗口边缘位置误差EPEpwavs;根据标准曝光图形302中所有采样点的边缘位置误差，获得所述标准曝光图形302的边缘位置误差的平均值，作为所述标准曝光图形302的平均标准边缘位置误差EPEAV(j。
[0079]还需要说明的是，为了避免光学邻近修正造成的箍缩或桥接等缺陷，避免光学邻近修正引起良品率的损失，本实施例中引入了工艺窗口限制。因此步骤S60，判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值的步骤还包括:判断所述标准曝光图形302的边缘位置误差是否大于预先设定的标准阈值；在判断所述标准曝光图形302的边缘位置误差小于或等于所述标准阈值时，判断所述工艺窗口曝光图形301的边缘位置误差是否大于预先设定的工艺窗口阈值。所述工艺窗口阈值大于所述标准阈值。
[0080]因此本实施例中，步骤S60，判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值包括:判断所述标准曝光图形302的平均标准边缘位置误差EPEavs是否大于预先设定的标准阈值；在判断所述标准曝光图形302的平均标准边缘位置误差EPE-小于或等于所述标准阈值时，判断所述工艺窗口曝光图形301的平均工艺窗口边缘位置误差EPEpwavs是否大于预先设定的工艺窗口阈值。
[0081]继续参考图8，当判断所述边缘位置误差不大于预先设定的阈值时，即所述边缘位置误差小于或等于预先设定的阈值时，光学邻近修正完成，执行步骤S70，获得修正图形。
[0082]具体的，本实施例中，在判断所述平均标准边缘位置误差EPEatc不大于预先设定的标准阈值时，且判断所述平均工艺窗口边缘位置误差EPEpwatc不大于预先设定的工艺窗口阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形。也就是说在判断所述平均标准边缘位置误差EPEAV(/j、于或等于预先设定的标准阈值时，且判断所述平均工艺窗口边缘位置误差EPE PWAVG也小于或等于预先设定的工艺窗口阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形。
[0083]在判断所述边缘位置误差大于预先设定的阈值时，执行步骤S80，调整初始图形200，以减小边缘位置误差与所述阈值的差异。
[0084]需要说明的是，判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值的步骤包括:判断所述标准曝光图形302的边缘位置误差是否小于或等于预先设定的标准阈值和判断所述工艺窗口曝光图形301的边缘位置误差是否小于或等于预先设定的工艺窗口阈值。
[0085]所以，当判断所述标准曝光图形302的边缘位置误差大于预先设定的标准阈值时，或判断所述工艺窗口曝光图形301的边缘位置误差大于预先设定的工艺窗口阈值时，都需要执行步骤S80，需要对初始图形200进行调整:当判断所述标准曝光图形302的边缘位置误差大于所述标准阈值时，执行步骤S80，调整初始图形200，以减小边缘位置误差与标准阈值的差异；当判断所述标准曝光图形302的边缘位置误差小于或等于标准阈值，但是判断所述工艺窗口曝光图形301的边缘位置误差大于所述工艺窗口阈值时，也需要执行步骤S80，调整初始图形200，以减小边缘位置误差与工艺窗口阈值的差异。
[0086]还需要说明的是，为了缩短光学邻近修正的时间，提高修正效率，本实施例中采用平均边缘位置误差与所述阈值进行比较。所以本实施例中，当判断所述平均标准边缘位置误差EPEavs大于所述标准阈值时，执行步骤S80，调整初始图形200，以减小平均标准边缘位置误差EPEavs与标准阈值的差异；当判断所述平均标准边缘位置误差EPE AV(/j、于或等于标准阈值，但是判断平均工艺窗口边缘位置误差EPEpwatc大于所述工艺窗口阈值时，也需要执行步骤S80，调整初始图形200，以减小平均工艺窗口边缘位置误差EPEpwavs与工艺窗口阈值的差异。
[0087]当判断所述边缘位置误差大于预先设定的阈值时，调整初始图形200的步骤包括:根据不同采样点的边缘位置误差和所述阈值的差异大小，获得大于所述阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置；根据大于所述阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置，调整初始图形200中与所述采样点相对应的边，以减小边缘位置误差与所述阈值的差
B升。
[0088]具体的，本实施例中，在判断所述平均标准边缘位置误差EPEavs大于所述标准阈值时，根据不同采样点的边缘位置误差和所述标准阈值的差异大小，获得大于所述标准阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置；根据大于所述标准阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置，调整初始图形200中所述采样点相对应的边，以减小平均标准边缘位置误差EPEavs与标准阈值的差异，获得调整后的初始图形201 ;在判断所述平均工艺窗口边缘位置误差EPEpwatc大于所述工艺窗口阈值时，根据所述工艺窗口曝光图形中不同采样点边缘位置误差和所述工艺窗口阈值的差异大小，获得大于所述工艺窗口阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置；根据大于所述工艺窗口阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置，调整初始图形200中所述采样点相对应的边，以减小所述工艺窗口平均值与所述工艺窗口阈值的差异，获得调整后的初始图形。
[0089]需要说明的是，调整与所述采样点相对应的边的步骤包括:当所述采样点设置在图形的边上时，调整所述采样点所位于的边；当所述采样点设置在转角处时，调整距离所述采样点最近的边。
[0090]具体的，结合参考图9，示出了图6中所述工艺窗口曝光图形301与初始图形200之间部分采样点以及边的对应关系。与采样点Cl、采样点C2以及采样点C3相对应的边为边C ;与采样点D1、采样点D2以及采样点D3相对应的边为边D。与边缘位置误差EPEe2pwK对应的采样点为C2，与采样点C2相对应的边为边C，因此当边缘位置误差EPEε2PW大于所述工艺窗口阈值时，需要调整边C ;与边缘位置误差EPED1P#；^i应的采样点为Dl，与采样点Dl相对应的边为边D，因此当边缘位置误差EPEdipw大于所述工艺窗口阈值时，需要调整边D。
[0091]需要说明的是，本实施例中，具体对初始图形200中相对应的边进行调整的方向和调整量，是根据交叉掩模增强函数(Cross Mask Error Enhancement Funct1n, XMEEF)方法获得的。
[0092]继续参考图8，结合参考图10，执行步骤S80，调整初始图形200后，获得调整后的初始图形201，对调整后的初始图形201重新执行上述获得曝光图形和比较的步骤，直至所述曝光图形的边缘位置误差小于或等于所述阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形400。图10示出了图5所示初始图形200在光学邻近修正过程中获得的调整后的初始图形201以及光学邻近修正完成后获得的修正图形400。
[0093]具体的，获得调整后的初始图形201后，重新执行步骤S30设置初始图形，将调整后的初始图形201设置为初始图形，并对新设定的初始图形201重新执行步骤S40获得曝光图形、步骤S50获得边缘位置误差以及步骤S60判断边缘位置误差是否大于预先设定的阈值，直至所述曝光图形的边缘位置误差小于或等于所述阈值时，光学邻近修正完成，执行步骤S70获得修正图形。
[0094]本实施例中，光学邻近修正过程中获得的调整后的初始图形201和光学邻近修正完成后获得的修正图形400均为圆角长方形。但是所述调整后的初始图形201的长边的长度比所述修正图形400的长边端；所述调整后的初始图形201的短边比所述修正图形400的短边长。
[0095]需要说明的是，本实施例中以针对形成接触孔的图形进行光学邻近修正为例进行说明，接触孔的尺寸一般不超过70nmX70nm，所以每条边设置一个采样点即可满足修正要求，但是本发明对此并不做限制。当所述目标图形为其他形状时，目标图形每条边上设置的采样点的数量可以大于一个。
[0096]参考图11，示出了本发明所提供光学邻近修正第二实施例中，针对形成栅极的图形进行光学邻近修正时所提供的目标图形100a。
[0097]由于所述目标图形10a用于形成栅极，栅极会有很长的长边a。所述长边a的长度可能是微米量级的。因此所述目标图形10a的宽长比很大。所以需要在所述长边a上设置多个采样点。本实施例中，在所述长边a上设置3个采样点。
[0098]所述目标图形10a中的转角也设置为转角，但是由于所述目标图形10a的短边b上已经设置有I个采样点，且短边b较短。因此，为了避免在短边b上的采样点设置过于密集造成资源浪费，也为了进一步提高对于长边a的修正精度，本实施例中设置在转角处的采样点位于转角角平分线偏向于长边a —侧。
[0099]综上，本发明通过在所述目标图形中的转角处增加采样点，获取边缘位置误差，最终通过判断每个图形上所有采样点边缘位置误差是否大于预先设定的阈值，判断光学邻近修正是否完成。采样点的增加，能够减少图形在光学邻近修正后发生图形畸变，能够避免由于图形畸变而引起的修正图形尺寸不足的问题。此外，本发明还通过将所述目标图形中的转角设置为圆角，减小了目标图形和初始图形之间的差异，有利于帮助光学邻近修正实现收敛，有利于缩短光学邻近修正的时间。可选的，本发明在判断边缘位置误差是否符合标准时，还引入了工艺窗口限制，通过判断边缘位置误差是否大于特定工艺窗口条件下图形尺寸的最小值，使图形的尺寸在一定极端工艺条件下达到最小值，从而避免由于光学邻近修正造成的箍缩或桥接等缺陷，避免了光学邻近修正引起良品率的损失。
[0100]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括:提供目标图形，所述目标图形由多条边围成，所述目标图形的边在相交处形成转角；在所述目标图形上设置多个采样点，所述采样点位于所述目标图形的边或转角上；设置初始图形；获得与所述初始图形相对应的曝光图形；比较所述曝光图形与所述目标图形在采样点的位置差异，获得曝光图形的边缘位置误 差；判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值，当所述边缘位置误差小于或等于预 先设定的阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形；当所述边缘位置误差大于预先设定的阈值时，调整初始图形，以减小边缘位置误差与 所述阈值的差异；对调整后的初始图形重新执行上述获得曝光图形和比较的步骤，直至所 述曝光图形的边缘位置误差小于或等于所述阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形。2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述目标图形中的转角为圆 角。3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述目标图形上设置多个 采样点的步骤包括:所述目标图形的每个边上至少设置一个采样点。4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述目标图形上设置多个 采样点的步骤还包括:所述目标图形的每个转角上至少设置两个采样点。5.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获得与所述初始图形相对应 的曝光图形的步骤包括:采用仿真的方法获得与所述初始图形相对应的曝光图形。6.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获得曝光图形的边缘位置误 差的步骤包括:当所述采样点设置在图形的边上时，通过比较在采样点位置，垂直于所述边 的方向上，所述曝光图形与所述目标图形之间的位置差异，获得曝光图形中相应采样点的 边缘位置误差。7.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对于设置于转角上的采样点， 获得曝光图形的边缘位置误差的步骤包括:当所述采样点设置在图形的转角上时，通过比 较在采样点位置，沿转角曲线径向方向上，所述曝光图形与所述目标图形之间的位置差异， 获得曝光图形中相应采样点的边缘位置误差。8.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，判断所述边缘位置误差是否 大于预先设定的阈值的步骤包括:根据所述曝光图形中所有采样点的边缘位置误差，获得所述曝光图形的边缘位置误差 的平均值，作为平均边缘位置误差；判断所述平均边缘位置误差是否大于预先设定的阈值。9.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，当所述边缘位置误差大于所 述阈值时，调整初始图形的步骤包括:根据不同采样点的边缘位置误差和所述阈值的差异大小，获得大于所述阈值的边缘位 置误差所对应的采样点的位置；根据大于所述阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置，调整初始图形中所述采样 点相对应的边，以减小边缘位置误差与所述阈值的差异，获得调整后的初始图形。10.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获得与所述初始图形相对应 的曝光图形的步骤包括:在工艺窗口限制下获得曝光图形，作为工艺窗口曝光图形；不在工艺窗口限制下以标准工艺条件获得曝光图形，作为标准曝光图形。11.如权利要求10所述的光学邻近修正方法，其特征在于，判断所述边缘位置误差是 否大于预先设定的阈值的步骤包括:判断所述标准曝光图形的边缘位置误差是否大于预先设定的标准阈值；在判断所述标准曝光图形的边缘位置误差小于或等于所述标准阈值时，判断所述工艺 窗口曝光图形的边缘位置误差是否大于预先设定的工艺窗口阈值；所述工艺窗口阈值大于 所述标准阈值。12.如权利要求11所述的光学邻近修正方法，其特征在于，当所述边缘位置误差大于 所述阈值时，调整初始图形的步骤包括:在判断所述标准曝光图形的边缘位置误差大于所述标准阈值时，根据不同采样点的边 缘位置误差和所述标准阈值的差异大小，获得大于所述标准阈值的边缘位置误差所对应的 采样点的位置；根据大于所述标准阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置，调整初始图形中所述 采样点相对应的边，以减小边缘位置误差与标准阈值的差异，获得调整后的初始图形。13.如权利要求11所述的光学邻近修正方法，其特征在于，当所述边缘位置误差大于 所述阈值时，调整初始图形的步骤包括:在判断所述工艺窗口曝光图形的边缘位置误差大于所述工艺窗口阈值时，根据所述工 艺窗口曝光图形中不同采样点边缘位置误差和所述工艺窗口阈值的差异大小，获得大于所 述工艺窗口阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置；根据大于所述工艺窗口阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置，调整初始图形中 所述采样点相对应的边，以减小所述工艺窗口曝光图形的边缘位置误差与所述工艺窗口阈 值的差异，获得调整后的初始图形。14.如权利要求9、12或13所述的光学邻近修正方法，其特征在于，调整初始图形中所 述采样点相对应的边的步骤包括:当所述采样点设置在图形的边上时，调整所述采样点所 在的边。15.如权利要求9、12或13所述的光学邻近修正方法，其特征在于，调整初始图形中所 述采样点相对应的边的步骤包括:当所述采样点设置在转角处时，调整距离所述采样点最 近的边。
【文档编号】G03F1/36GK106033170SQ201510104815
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2015年3月10日
【发明人】杜杳隽
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司