技术特征：
1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，沟道材料串延伸穿过所述第一层和所述第二层，所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的成分；在所述第一层中的一个第一层中形成导电材料，所述导电材料包括位于所述一个第一层中的所述存储器块区中的个别存储器块区中和纵向沿着所述个别存储器块区的相对侧的接缝；以及用流体穿透所述接缝，所述流体在纵向沿着所述一个第一层中的所述个别存储器块区的所述相对侧的所述接缝中形成中间材料且包括与所述导电材料的成分不同的成分。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述中间材料是绝缘的。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述中间材料是导电的。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述中间材料是半导电的。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述中间材料是绝缘、导电和半导电中的至少两种。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述流体与所述导电材料反应以将所述中间材料形成为包括反应产物。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述反应产物包括氧化物。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述氧化物是绝缘的。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述导电材料包括硅且所述氧化物包括二氧化硅。10.根据权利要求6所述的方法，其中所述反应产物包括金属材料。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述金属材料包括元素形式金属。12.根据权利要求10所述的方法，其中所述金属材料包括金属化合物。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述导电材料包括硅且所述金属化合物包括金属硅化物。14.根据权利要求1所述的方法，其中在至少一个竖直横截面中所述中间材料形成于所述个别存储器块区的横向外部部分中但不形成于所述个别存储器块区的横向内部部分中。15.根据权利要求1所述的方法，其中在至少一个竖直横截面中所述中间材料完全跨越所述个别存储器块区形成。16.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟道材料串的所述沟道材料的最下部表面从未直接抵靠所述导体层的所述导体材料中的任一个。17.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在衬底上形成包括导体材料的导体层；形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，沟道材料串延伸穿过所述第一层和所述第二层，所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的成分；在所述第一层中的最下部第一层中形成导电材料，所述导电材料包括位于所述最下部第一层中的所述存储器块区中的个别存储器块区中和纵向沿着所述个别存储器块区的相对侧的接缝；以及用流体穿透所述接缝，所述流体在纵向沿着所述最下部第一层中的所述个别存储器块
区的所述相对侧的所述接缝中形成中间材料且包括与所述导电材料的成分不同的成分。18.根据权利要求17所述的方法，其中所述最下部第一层在所述穿透期间不直接抵靠所述导体层的所述导体材料。19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第二层中的最下部第二层在所述穿透期间竖直处于所述导体层的所述导体材料与所述最下部第一层之间。20.根据权利要求17所述的方法，其中所述最下部第一层比其上方的所述第一层厚。21.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：横向间隔开的存储器块，其个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层；所述导电层中的一个导电层包括直接电耦合在一起的上部导电材料和下部导电材料，所述上部导电材料和下部导电材料包括位于其间的接缝，所述接缝位于所述一个导电层中的所述存储器块中的个别存储器块中和纵向沿着所述个别存储器块的相对侧；以及中间材料，其在纵向沿着所述个别存储器块的所述相对侧的所述接缝中且包括与所述上部导电材料和下部导电材料的成分不同的成分。22.根据权利要求21所述的存储器阵列，其中所述上部导电材料和下部导电材料相对于彼此具有相同的成分。23.根据权利要求21所述的存储器阵列，其中所述中间材料是绝缘的。24.根据权利要求21所述的存储器阵列，其中所述中间材料是导电的。25.根据权利要求24所述的存储器阵列，其中所述中间材料包括金属材料。26.根据权利要求25所述的存储器阵列，其中所述金属材料包括元素形式金属。27.根据权利要求25所述的存储器阵列，其中所述金属材料包括金属化合物。28.根据权利要求27所述的存储器阵列，其中所述导电材料包括硅且所述金属化合物包括金属硅化物。29.根据权利要求21所述的存储器阵列，其中所述中间材料包括氧化物。30.根据权利要求29所述的存储器阵列，其中所述氧化物是绝缘的。31.根据权利要求30所述的存储器阵列，其中所述上部导电材料和下部导电材料包括硅且所述氧化物包括二氧化硅。32.根据权利要求21所述的存储器阵列，其中在至少一个竖直横截面中所述中间材料在所述个别存储器块的横向外部部分中但不在所述个别存储器块的横向内部部分中。33.根据权利要求21所述的存储器阵列，其中在至少一个竖直横截面中所述中间材料完全跨越所述个别存储器块延伸。34.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：导体层，其包括导体材料；横向间隔开的存储器块，其个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层，所述导电层中的最下部导电层的导电材料将所述沟道材料串中的个别沟道材料串的所述沟道材料和所述导体层的所述导体材料直接电耦合在一起；所述最下部导电层包括直接电耦合在一起的上部导电材料和下部导电材料，所述上部导电材料和下部导电材料包括位于其间的接缝，所述接缝位于所述最下部导电层中的所述
存储器块中的个别存储器块中和纵向沿着所述个别存储器块的相对侧；以及中间材料，其在纵向沿着所述个别存储器块的所述相对侧的所述接缝中且包括与所述上部导电材料和下部导电材料的成分不同的成分。35.根据权利要求34所述的存储器阵列，其中所述最下部第一层比其上方的所述第一层厚。
技术总结
一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成堆叠，所述堆叠包括竖直交替的第一层和第二层。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区。沟道材料串延伸穿过所述第一层和所述第二层。所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的成分。导电材料形成于所述第一层中的一个第一层中。所述导电材料包括位于所述一个第一层中的所述存储器块区中的个别存储器块区中和纵向沿着所述个别存储器块区的相对侧的接缝。所述接缝被流体穿透，所述流体在纵向沿着所述一个第一层中的所述个别存储器块区的所述相对侧的所述接缝中形成中间材料且包括与所述导电材料的成分不同的成分。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。
技术研发人员：J
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.06.23
技术公布日：2023/2/3