显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年9月17日提交到韩国知识产权局的第10-2021-0125197号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开的实施方式的一个或多个方面涉及显示装置。


背景技术：

4.近来，显示装置的使用已多样化。此外，随着显示装置已变得更薄和更轻，显示装置的使用已逐渐扩展。此外，随着在各种合适的领域中利用显示装置，对提供高质量图像的显示装置的需求已增加。


技术实现要素：

5.本公开的实施方式的一个或多个方面指向其中可通过改善光效率和可见性来提供高质量(或合适)的图像的显示装置。然而，该目的是实例，并且不限制本公开的范围。
6.附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过本描述而显而易见，或者可通过实践本公开的实施方式而习得。
7.根据实施方式，显示装置包括衬底、位于衬底上的显示元件、位于显示元件上的低反射无机层、位于低反射无机层上并且包括与显示元件的发射区域对应的开口的遮光层、位于遮光层上并且包括与显示元件的发射区域对应的开口的第一绝缘层以及填充遮光层的开口和第一绝缘层的开口的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括吸收约380nm至约500nm的波长带中的光的材料，并且第一绝缘层的厚度大于遮光层的厚度。
8.遮光层可为黑色，并且第一绝缘层可为黄色。
9.第二绝缘层可选择性吸收可见光光谱的第一波长范围内的光和第二波长范围内的光。
10.第一波长范围可为约480nm至约505nm，并且第二波长范围可为约585nm至约605nm。
11.第一绝缘层的折射率与第二绝缘层的折射率之间的差可为约0.1至约0.2。
12.第二绝缘层的厚度可为第一绝缘层的厚度的约2倍至约5倍。
13.低反射无机层可包括镱(yb)、钴(co)、钼(mo)、钛(ti)、锆(zr)、铝(al)、铬(cr)、铌(nb)、铂(pt)、钨(w)、铟(in)、锡(sn)、铁(fe)、镍(ni)、钽(ta)、锰(mn)、锌(zn)、锗(ge)或它们的一种或多种组合。
14.第一绝缘层可覆盖遮光层的开口的侧表面的至少一部分。
15.显示装置还可包括覆盖显示元件的像素电极的边缘并且包括暴露像素电极的中心部分的开口的像素限定层，其中像素限定层包括遮光材料。
16.第一绝缘层的开口的侧表面可与遮光层的开口的侧表面接触。
17.第一绝缘层的主体部分和遮光层的主体部分可一起包括(例如，形成)楼梯形台阶。
18.显示装置还可包括位于低反射无机层上的薄膜封装层和位于薄膜封装层上的触摸感测层，其中遮光层位于触摸感测层上。
19.根据一个或多个实施方式，显示装置包括衬底；位于衬底上并且配置为发射不同颜色的光的第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件；位于第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件的全部上的低反射无机层；位于低反射无机层上并且包括分别对应于第一显示元件的发射区域、第二显示元件的发射区域和第三显示元件的发射区域的多个开口的遮光层；位于遮光层上并且包括分别对应于第一显示元件的发射区域、第二显示元件的发射区域和第三显示元件的发射区域的多个开口的第一绝缘层；以及填充遮光层的多个开口和第一绝缘层的多个开口的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括吸收约380nm至约500nm的波长带中的光的材料，并且第一绝缘层的折射率与第二绝缘层的折射率之间的差为约0.1至约0.2。
20.遮光层可为黑色，并且第一绝缘层可为黄色。
21.第二绝缘层可选择性地吸收可见光光谱的第一波长范围内的光和第二波长范围内的光。
22.低反射无机层可包括镱(yb)、钴(co)、钼(mo)、钛(ti)、锆(zr)、铝(al)、铬(cr)、铌(nb)、铂(pt)、钨(w)、铟(in)、锡(sn)、铁(fe)、镍(ni)、钽(ta)、锰(mn)、锌(zn)、锗(ge)或它们的一种或多种组合。
23.显示装置还可包括像素限定层，像素限定层覆盖第一显示元件的像素电极、第二显示元件的像素电极和第三显示元件的像素电极中的每一个的边缘，像素限定层包括分别暴露第一显示元件的像素电极的中心部分、第二显示元件的像素电极的中心部分和第三显示元件的像素电极的中心部分的多个开口，其中像素限定层包括遮光材料。
24.第二绝缘层的折射率可大于第一绝缘层的折射率。
25.第一绝缘层可覆盖遮光层的多个开口的侧表面的至少一部分。
26.显示装置还可包括位于低反射无机层上的薄膜封装层和位于薄膜封装层上的触摸感测层，其中遮光层位于触摸感测层上。
附图说明
27.通过结合附图而作出的以下描述，某些实施方式的以上和其它的方面、特征和优点将更加显而易见，在附图中：
28.图1是示意性地示出根据一个或多个实施方式的显示装置的平面图；
29.图2是根据一个或多个实施方式的在显示装置的任何一个像素中提供的显示元件和连接到显示元件的像素电路的电路图；
30.图3是沿图1的线i-i'截取的根据一个或多个实施方式的图1的显示装置的剖视图；
31.图4a和图4b是根据一个或多个实施方式的可包括在图1的区a中的一些元件的放大平面图；
32.图5是沿图4a的线ii-ii'截取的根据一个或多个实施方式的图4a的显示装置的示
意性剖视图；
33.图6示出了根据一个或多个实施方式的第二绝缘层的透光率；
34.图7是根据一个或多个实施方式的显示装置的剖视图；
35.图8是根据一个或多个实施方式的显示装置的剖视图；
36.图9是根据一个或多个实施方式的显示装置的剖视图；
37.图10是根据一个或多个实施方式的显示装置的剖视图；以及
38.图11是当遮光层包括单个层时和当遮光层上提供有第一绝缘层时的遮光层的反射率的曲线图。
具体实施方式
39.现在将更详细地参照其实例在附图中示出的实施方式，在附图中相同的附图标记始终指示相同的元件，并且在本公开中可不提供其重复描述。在这方面，本公开的实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，通过参照附图仅对实施方式进行描述以解释本公开的描述的各方面。如本文中利用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。如本文中使用的，诸如
“……
中的至少一个”、
“……
中的一个”和“从
……
中选择的”的表述，当在元件的列表之后时，修饰整个元件的列表，而不是修饰列表中的个别元件。例如，在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者(例如，同时)、a和c两者(例如，同时)、b和c两者(例如，同时)、a、b和c的全部或者其任何变体。此外，当描述本公开的实施方式时对“可(may)”的使用是指“本公开的一个或多个实施方式”。
40.然而，本公开可以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。本公开的效果和特征以及用于实现本公开的效果和特征的方法将参照本文在下面参照附图更详细地描述的实施方式来阐明。然而，本公开的实施方式可以一种或多种合适的形式实现，而不限于所呈现的实施方式。
41.在下文中，将参照附图描述实施方式，其中在整个本公开中相同的附图标记指示相同的元件，并且可不提供其重复描述。
42.在一个或多个实施方式中，诸如“第一”和“第二”的术语在本文中仅用于描述各种构成元件，但是构成元件不受术语的限制。这些术语仅用于将一个构成元件与另一构成元件区分开的目的。因此，在不背离本发明的教导的情况下，第一元件可被称为第二元件。类似地，第二元件可被称为第一元件。
43.在一个或多个实施方式中，以单数使用的表述涵盖复数的表述，但它在上下文中具有明确不同的含义的除外。
44.应理解，如本文中使用的术语“包括(comprise)”、“包括有(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括有(including)”指明所陈述的特征或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征或部件的添加。
45.还应理解，当层、区或部件被称为“位于”另一层、区或部件“上”时，其能够直接或间接地位于另一层、区或部件上。例如，可存在有居间层、区或部件。
46.在附图中，为了解释的便利，附图中的部件的尺寸可被放大或减小。换句话说，由于附图中的部件的尺寸和厚度为了描述的便利而被任意地示出，因此下面的实施方式不限
于此。
47.应理解，当层、区或元件被称为被“连接”时，层、区或元件可直接地被连接或者可隔着居间层、区或元件间接地被连接。例如，当层、区或元件被电连接时，层、区或元件可直接地被电连接或者可隔着居间层、区或元件间接地被电连接。
48.在下面的实施方式中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直或正交，或者可表示彼此不垂直或正交的不同方向。
49.在本说明书中，“a和/或b”是指a或b、或a和b。
50.如本文中使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可被视为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。
51.空间相对术语，诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”、“底部(bottom)”、“顶部(top)”等，可在本文中为了描述的便利而使用，以描述如图中所示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。应理解，除了图中描绘的取向以外，空间相对术语还旨在涵盖设备在使用或操作中的不同取向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随后被取向为在其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“下方”可涵盖上方和下方的取向两者。设备可以其它方式被取向(旋转90度或者在其它取向)，并且本文中使用的空间相对描述词应被相应地解释。
52.如本文中使用的，术语“实质上(substantially)”、“约(about)”以及类似术语用作近似的术语而不是程度的术语，并且旨在考虑由本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。考虑到有关测量和与特定数量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中使用的“约”或者“近似”包括所记载的值，并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的针对特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可意味着在一个或者多个标准偏差内，或者在所记载的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
53.本文中列举的任何数值范围旨在包括归入所列举的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所列举的1.0的最小值与所列举的10.0的最大值之间的所有子范围(并且包括所列举的1.0的最小值和所列举的10.0的最大值)，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，诸如，以2.4至7.6为例。本文中列举的任何最大数值限制旨在包括归入其中的所有更低的数值限制，并且本说明书中列举的任何最小数值限制旨在包括归入其中的所有更高的数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地列举出归入本文中明确列举的范围内的任何子范围。
54.图1是示意性地示出根据一个或多个实施方式的显示装置10的平面图。
55.参照图1，显示装置10的衬底100可划分为显示区域da和在显示区域da周围的外围区域pa。显示装置10可利用从排列在显示区域da中的多个像素p发射的光来提供图像。
56.像素p中的每一个包括诸如有机发光二极管和/或无机发光二极管的显示元件，并且可用于发射(例如，可配置为发射)例如红色光、绿色光、蓝色光和/或白色光。例如，显示元件可连接(例如，电联接)到包括薄膜晶体管tft(参见图5)、电容器等的像素电路。像素电路可连接到扫描线sl和与扫描线sl交叉的数据线dl和驱动电压线pl。扫描线sl可在x方向
上延伸，并且数据线dl和驱动电压线pl中的每一个可在y方向上延伸。
57.像素p中的每一个可用于通过像素电路的驱动来发射(例如，可配置为发射)光，并且显示区域da可通过(用)从像素p发射的光来提供图像。本文中描述的像素p可限定为其中如上所述地发射选自红色、绿色、蓝色和白色之中的任何一种颜色的光的发射区域。
58.外围区域pa是其中没有排列像素p的区域，并且可不提供图像。在外围区域pa中可排列有包括用于驱动像素p的内置驱动电路单元的印刷电路板、电源线以及驱动电路单元或与驱动器集成电路(ic)连接的端子单元。
59.根据一个或多个实施方式的显示装置10可包括有机发光显示器、无机发光显示器、量子点显示器等。在下文中，有机发光显示器被描述为根据一个或多个实施方式的显示装置的实例。然而，本公开的显示装置不限于此，并且本文在下面将描述的特征可应用于一种或多种合适类型(或种类)的显示装置。
60.图2示出了根据一个或多个实施方式的在显示装置的任何一个像素p中提供的显示元件和连接到显示元件的像素电路pc的电路图。
61.参照图2，作为显示元件的有机发光二极管oled可连接到像素电路pc。像素电路pc可包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和存储电容器cst。例如，有机发光二极管oled可用于发射(例如，可配置为发射)红色光、绿色光和/或蓝色光中的一种，和/或红色光、绿色光、蓝色光和/或白色光中的一种。
62.作为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管t2可连接到扫描线sl和数据线dl，并且可根据经由扫描线sl接收的开关电压，将经由数据线dl接收的数据电压传输到第一薄膜晶体管t1。存储电容器cst连接第二薄膜晶体管t2和驱动电压线pl，并且可存储与经由第二薄膜晶体管t2施加的电压和第一电源电压elvdd之间的电压差对应的电压。
63.作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管t1连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且可控制从驱动电压线pl流过有机发光二极管oled的驱动电流，以对应于存储电容器cst中存储的电压。有机发光二极管oled可用于通过(例如，基于)驱动电流来发射(例如，可配置为发射)具有设定亮度的光。有机发光二极管oled的相对电极(例如，阴极)可接收第二电源电压elvss。
64.在图2中，像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器。然而，在一个或多个其它实施方式中，薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可根据像素电路pc的设计进行各种合适修改。
65.图3是示意性地示出沿图1的线i-i'截取的根据一个或多个实施方式的图1的显示装置的剖视图。
66.参照图3，在根据一个或多个实施方式的显示装置10中，在衬底100上可排列有显示层200，并且在显示层200上可排列有低反射无机层300、薄膜封装层400和光学层500。
67.衬底100可包括聚合物树脂和/或玻璃材料。包括聚合物树脂的衬底100可为柔性的、可卷曲的和/或可弯曲的。显示层200可包括显示元件层220和像素电路层210，显示元件层220包括多个显示元件，像素电路层210包括分别连接到多个显示元件的多个像素电路。显示元件层220中提供的显示元件中的每一个可限定像素，并且像素电路层210可包括多个晶体管和多个存储电容器。
68.低反射无机层300可排列在显示层200上。低反射无机层300可吸收(例如，可配置
为吸收)由排列在显示装置10中(例如在显示层200中)的金属(例如，包含金属的材料)反射的光。在一些实施方式中，低反射无机层300可吸收从显示装置10的外部入射的光，从而减少外部光反射率。低反射无机层300可包括具有低反射率的无机材料。
69.薄膜封装层400可排列在低反射无机层300上。薄膜封装层400可防止或减少由诸如湿气的外部异物对显示元件造成的损坏。薄膜封装层400可包括至少一个无机薄膜封装层和至少一个有机薄膜封装层。
70.光学层500可排列在薄膜封装层400上。光学层500可包括用于减少从外部朝向显示装置10入射的光(例如，外部光)的反射率并且改善由显示元件发射的光的光发射效率的元件。
71.光学层500可包括包含有黑色矩阵的遮光层510、第一绝缘层520和第二绝缘层530。遮光层510可阻挡或减少可见光区域中(例如，可见光光谱中)的大部分的光，并且第一绝缘层520可阻挡或减少相对于一些波长的光。第一绝缘层520和第二绝缘层530可具有彼此不同的折射率，以改善显示装置10的光学性能。第二绝缘层530可包括染料和/或颜料，并且可吸收(例如，可配置为吸收)设定或特定波长带中的光。第二绝缘层530可包括用于调整光的反射的反射控制层。
72.在光学层500上可排列有覆盖窗。覆盖窗可通过利用诸如光学透明粘合膜的透明粘合构件附接到光学层500上。
73.图4a和图4b是根据一个或多个实施方式的可包括在图1的区a中的一些元件的放大平面图，并且示意性地示出了多个像素之间的排列关系和遮光层510的排列为与像素中的每一个的发射区域ea对应的开口510_op。
74.参照图4a，显示装置可包括多个像素，并且多个像素可包括发射(例如，配置为发射)彼此不同颜色的光的第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3。例如，第一像素p1可用于发射蓝色光，第二像素p2可用于发射绿色光，并且第三像素p3可用于发射红色光。然而，本公开不限于此，并且可进行一种或多种合适的修改。例如，第一像素p1可用于发射红色光，第二像素p2可用于发射绿色光，并且第三像素p3可用于发射蓝色光。
75.第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3中的每一个可具有多边形形状之中的四边形形状。在本公开中，多边形形状和四边形形状也可包括倒圆顶点。例如，第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3中的每一个可具有带有倒圆顶点的四边形形状。在一个或多个实施方式中，第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3中的每一个可具有圆形或椭圆形形状。
76.第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3可具有彼此不同的尺寸。例如，第二像素p2的面积可小于第一像素p1的面积和第三像素p3的面积，并且第一像素p1的面积可大于第三像素p3的面积。然而，本公开不限于此，并且可进行一种或多种合适的修改。例如，第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3可具有彼此实质上相同的尺寸。
77.在本公开中，第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3中的每一个的尺寸可是指实现每个像素的显示元件的发射区域ea的尺寸，并且发射区域ea可由像素限定层209的开口op(参见图5)限定。
78.在一些实施方式中，排列在显示元件层上方的遮光层510可包括与第一像素p1至第三像素p3中的每一个对应的开口510_op。开口510_op可通过去除遮光层510的一部分来提供，并且由显示元件发射的光可通过开口510_op发射到外部。遮光层510的主体可包括吸
收或减少外部光的材料，并且因此，可改善显示装置的可见性。
79.在平面图中，遮光层510的开口510_op可排列为围绕(例如，包围)第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3中的每一个。在一个或多个实施方式中，遮光层510的开口510_op可具有带有倒圆拐角的四边形形状。遮光层510的分别对应于第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3的开口510_op的面积可分别大于第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3的面积。然而，本公开不限于此。遮光层510的开口510_op中的每一个的面积可与对应的第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3中的每一个的面积实质上相同。
80.第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3可排列为具有结构(是由三星显示器有限公司拥有的注册商标)的像素排列。例如，在第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3中，第一像素p1可排列在以第二像素p2的中心点cp作为其中心点的虚拟的四边形vs的第一顶点q1处，并且第三像素p3可排列在虚拟的四边形vs的第二顶点q2处。四边形vs可包括(例如，可为)正方形。
81.第一像素p1可与第二像素p2分开，并且第一像素p1的中心点可排列在虚拟的四边形vs的第一顶点q1处。第一像素p1可提供为多个，并且多个第一像素p1可隔着第二像素p2彼此分开。
82.第三像素p3可与第一像素p1和第二像素p2分开，并且第三像素p3的中心点可排列在虚拟的四边形vs的与第一顶点q1相邻的第二顶点q2处。第三像素p3可提供为多个，并且多个第三像素p3可隔着第二像素p2彼此分开。
83.多个第一像素p1和多个第三像素p3可在x方向和与x方向交叉的y方向两者上彼此交替地排列。第一像素p1可由多个第二像素p2和多个第三像素p3围绕(或者多个第二像素p2和多个第三像素p3可围绕第一像素p1或在第一像素p1周围)。
84.在图4a中，第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3排列为结构。然而，本公开不限于此。
85.例如，第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3可排列为条带结构(例如，条带图案)。例如，如图4b中所示，第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3可在x方向上顺序地排列。在另一实施方式中，第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3可排列为一个或多个合适的像素排列结构，诸如镶嵌结构和/或三角结构。根据本公开的显示装置包括发射(例如，配置为发射)彼此不同颜色的光的第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3，并且遮光层510可包括分别对应于第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3的开口510_op。
86.在下文中，根据图5中所示的堆叠结构，更详细地描述根据一个或多个实施方式的显示装置。
87.图5是沿图4a的线ii-ii'截取的根据一个或多个实施方式的图4a的显示装置的示意性剖视图。
88.参照图5，根据一个或多个实施方式的显示装置包括：在衬底100上方的包括发射区域ea的有机发光二极管oled(作为显示元件)、低反射无机层300、薄膜封装层400、包括开口510_op的遮光层510、包括开口520_op的第一绝缘层520和填充开口520_op的第二绝缘层530。在一个或多个实施方式中，显示装置还可包括位于有机发光二极管oled与低反射无机层300之间的覆盖层230。
89.衬底100可为单个玻璃层。在一些实施方式中，衬底100可包括聚合物树脂。包括聚
合物树脂的衬底100可具有其中堆叠有包括聚合物树脂的层和无机层的结构。在一个或多个实施方式中，衬底100可包括诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和/或乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂，并且可为柔性的。衬底100可包括以氧化硅(sio2)作为主要成分的玻璃和/或诸如增强塑料的树脂，并且可为刚性的。
90.薄膜晶体管tft可包括半导体层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de，半导体层act包括非晶硅、多晶硅和/或合适的有机半导体材料。为了确保半导体层act与栅电极ge之间的绝缘，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的栅极绝缘层203可位于半导体层act与栅电极ge之间。此外，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的层间绝缘层205可排列在栅电极ge上，并且源电极se和漏电极de可排列在上述层间绝缘层205上。可通过化学气相沉积(cvd)和/或原子层沉积(ald)来提供包括无机材料的绝缘层。
91.栅电极ge、源电极se和漏电极de可包括一种或多种合适的导电材料。栅电极ge可包括钼、铝、铜和钛中的至少一种，并且必要时可具有多层结构。例如，栅电极ge可具有单个钼层，或者可具有包括钼层、铝层和另一钼层的三层结构。源电极se和漏电极de中的每一个可包括铜、钛和铝中的至少一种，并且必要时可具有多层结构。例如，源电极se和漏电极de中的每一个可具有包括钛层、铝层和钛层的三层结构。
92.包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的缓冲层201可位于具有上述结构的薄膜晶体管tft与衬底100之间。缓冲层201可增加衬底100的上表面的平滑度和/或可防止、最小化或减少杂质从衬底100等渗透到薄膜晶体管tft的半导体层act中。
93.在薄膜晶体管tft上可排列有平坦化绝缘层207。例如，平坦化绝缘层207可包括有机材料，诸如丙烯酸、苯并环丁烯(bcb)和/或六甲基二硅氧烷(hmdso)。在图5中，平坦化绝缘层207被示出为单个层，但可为多层。
94.在平坦化绝缘层207上可排列有像素电极221。像素电极221可针对每个像素排列。分别对应于相邻像素的像素电极221可排列为彼此分开。
95.像素电极221可为反射电极。在一些实施方式中，像素电极221可包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)和/或它们的任何化合物的反射层，以及提供在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)中的至少一种。在一些实施方式中，像素电极221可具有ito层、ag层和另一ito层的三层结构。
96.像素限定层209可排列在像素电极221上。像素限定层209可具有暴露像素电极221中的每一个的中心部分的开口op。像素限定层209可覆盖像素电极221的边缘，并且通过增加像素限定层209的边缘与相对电极223之间的距离来防止或减少在像素电极221的边缘处出现电弧等。像素限定层209可包括有机绝缘层，诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、bcb、hmdso和/或酚醛树脂，并且可通过旋涂等形成。在一些实施方式中，像素限定层209可包括无机绝缘材料。在一些实施方式中，像素限定层209可具有包括无机绝缘材料和有机绝缘材料的多层。
97.在一些实施方式中，像素限定层209可包括遮光材料，并且可提供为黑色。遮光材料可包括炭黑、碳纳米管、包括黑色染料的树脂或糊状物、金属(例如，ni、al、钼和/或它们
的任何合金)颗粒、金属氧化物(例如，氧化铬)颗粒和/或金属氮化物(例如，氮化铬)颗粒。当像素限定层209包括遮光材料时，可减少由于排列在像素限定层209下方的金属(例如，包含金属的)结构而导致的外部反射。
98.在像素限定层209上可排列有间隔件211。间隔件211可防止或减少一个间隔件(例如，左侧上的间隔件)211与另一间隔件(例如，右侧上的间隔件)211之间的层被在形成本文在下面将描述的发射层222b的工艺中所利用的掩模损坏。间隔件211可包括与像素限定层209的材料相同的材料。在一些实施方式中，间隔件211可包括遮光材料。
99.在像素限定层209的开口op中可排列有发射层222b。发射层222b可包括有机材料，有机材料包括能够发射红色光、绿色光和/或蓝色光的荧光和/或磷光材料。上述有机材料可包括低分子量有机材料和/或聚合物有机材料。在其它实施方式中，发射层222b可包括无机材料。例如，发射层222b可包括包含量子点的无机材料。量子点可包括包含ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物和/或i-iii-vi族半导体化合物的纳米半导体化合物。例如，量子点可从诸如硫化镉(cds)、硒化镉(cdse)、碲化镉(cdte)、硫化锌(zns)、硒化锌(znse)、碲化锌(znte)、硫化汞(hgs)和/或碲化汞(hgte)的ii-vi族半导体化合物；诸如磷化镓(gap)、砷化镓(gaas)、锑化镓(gasb)、磷化铟(inp)、砷化铟(inas)、锑化铟(insb)、硒硫化镉(cdsse)、碲硒化镉(cdsete)和/或硒化锌镉(zncdse)的iii-v族半导体化合物；诸如硫化铅(pbs)、硒化铅(pbse)和/或碲化铅(pbte)的iv-vi族半导体化合物；以及诸如硫化银镓(aggas2)、硒化银镓(aggase2)、碲化银镓(aggate2)、硫化银铟(agins2)、硫化铜铟(cuins2)、硒化铜铟(cuinse2)、硫化铜镓(cugas2)和/或硒化铜镓(cugase2)的i-iii-vi族半导体化合物之中选择。量子点可具有上面列出的半导体化合物中的任何一种的单层结构，或者可具有核-壳结构。核是实质的发射发生的部分，并且根据核的尺寸和/或成分来控制或选择量子点的发射波长。壳促进核的量子限制效应，并且保护量子点免受热、湿气和/或氧气的影响。在一些实施方式中，壳可为单个层，或者必要时可形成为多层结构。
100.在发射层222b下方和上方可分别排列有第一公共层222a和第二公共层222c。第一公共层222a可包括例如空穴传输层(htl)，或者可包括空穴传输层和空穴注入层(hil)。第二公共层222c是排列在发射层222b上的部件，并且可包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。第二公共层222c是可选的。在一些实施方式中，可不提供第二公共层222c。
101.虽然发射层222b针对每个像素排列为对应于像素限定层209的开口op，但是第一公共层222a和第二公共层222c可为一体地形成为单个主体的公共层，以覆盖整个衬底100，例如，以与本文在下面将描述的相对电极223类似地覆盖衬底100的整个显示区域。
102.相对电极223可为作为电子注入电极的阴极。在这种情况下，具有低功函数的金属、合金、导电化合物或它们的一种或多种组合可被用作用于相对电极223的材料。相对电极223可为透射电极、透反射电极或反射电极。
103.相对电极223可包括锂(li)、ag、mg、al、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或它们的一种或多种组合。相对电极223可具有单层结构或多层结构。
104.覆盖层230可通过相长干涉的原理改善有机发光器件的外部光发射效率。覆盖层230可包括具有约1.6或更大的折射率(在589nm处)的材料。覆盖层230可具有约1nm至约
200nm，例如，约5nm至约150nm或约10nm至约100nm的厚度。
105.覆盖层230可包括包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层或包含有机材料和无机材料的复合覆盖层。
106.例如，覆盖层230可包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或它们的一种或多种组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可各自独立地被包括氧(o)、氮(n)、硫(s)、硒(se)、硅(si)、氟(f)、氯(cl)、溴(br)、碘(i)或它们的一种或多种组合的取代基选择性地取代。
107.低反射无机层300可排列在覆盖层230上。低反射无机层300可包括具有低反射率的无机材料。低反射无机层300可包括yb、钴(co)、钼(mo)、钛(ti)、锆(zr)、al、cr、铌(nb)、pt、钨(w)、铟(in)、锡(sn)、铁(fe)、ni、钽(ta)、锰(mn)、锌(zn)、锗(ge)或它们的一种或多种组合。可通过将无机材料热沉积来形成低反射无机层300。
108.包括在低反射无机层300中的无机材料可具有约0.3或更大的吸收系数。在一个或多个实施方式中，包括在低反射无机层300中的无机材料可具有约1或更大的折射率。
109.低反射无机层300吸收或减少入射到显示装置中的光，并且在开口的金属之间引起相消干涉，使得可减少或阻止朝向显示装置的外部传播的光，即，显示装置的外部光反射率，并且因此，可改善显示质量和可见性。
110.在一个或多个实施方式中，低反射无机层300可具有约0.1nm至约50nm，例如，约0.5nm至约30nm或约1nm至约20nm的厚度。
111.薄膜封装层400可排列在低反射无机层300上。薄膜封装层400可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。例如，薄膜封装层400可包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430，如图5中所示。
112.第一无机封装层410和第二无机封装层430中的每一个可包括选自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的至少一种无机绝缘材料。第一无机封装层410和第二无机封装层430中的每一个可具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。
113.有机封装层420可减轻第一无机封装层410和/或第二无机封装层430的内应力。有机封装层420可包括聚合物基材料。聚合物基材料可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、hmdso、丙烯酸基树脂(例如，聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚丙烯酸等)或它们的一种或多种组合。
114.有机封装层420可通过施加具有流动性的单体，并且然后利用诸如热和/或紫外线的光固化单体层来形成。在一些实施方式中，可通过施加上述聚合物基材料来形成有机封装层420。
115.通过上述多层结构，即使在薄膜封装层400中出现裂纹时，薄膜封装层400也可防止或减少这种裂纹在第一无机封装层410与有机封装层420之间和/或在有机封装层420与第二无机封装层430之间的连接。由此，可防止、最小化或减少湿气和/或氧气从外部通过其渗透到显示区域da中的路径(例如，完整路径)的形成。
116.遮光层510可排列在薄膜封装层400上。光学层500可包括遮光层510、第一绝缘层520和第二绝缘层530。在本实施方式中，遮光层510可阻挡或减少可见光区域中的大部分的光，并且第一绝缘层520可阻挡或减少相对于一些波长的光。例如，遮光层510和第一绝缘层
520可具有用于吸收光的不同波长光谱。
117.遮光层510包括与有机发光二极管oled的发射区域ea重叠的开口510_op。发射区域ea可由像素限定层209的开口op限定。第一绝缘层520可具有与有机发光二极管oled的发射区域ea重叠的开口520_op。遮光层510的开口510_op可与第一绝缘层520的开口520_op重叠。
118.在一些实施方式中，遮光层510的开口510_op与像素限定层209的开口op重叠，但第二宽度w2(即，遮光层510的开口510_op的宽度)可提供为大于像素限定层209的开口op的第一宽度w1。在一些实施方式中，第二宽度w2可比第一宽度w1大了约6μm至约10μm。在平面图中，遮光层510的开口510_op的边缘可与像素限定层209的开口op的边缘向外分开约3μm至约5μm。
119.在一些实施方式中，第一绝缘层520的开口520_op与遮光层510的开口510_op重叠，但第三宽度w3(即，第一绝缘层520的开口520_op的宽度)可提供为小于遮光层510的开口510_op的第二宽度w2。在这种情况下，第一绝缘层520的主体部分可覆盖遮光层510的开口510_op的侧表面，并且部分填充开口510_op。这里，第一绝缘层520的主体部分是与第一绝缘层520的开口520_op不同的部分，并且是指具有设定或特定体积的部分。例如，第一绝缘层520可覆盖遮光层510的开口510_op的侧表面的至少一部分。
120.在一些实施方式中，第一绝缘层520的开口520_op与像素限定层209的开口op重叠，但第三宽度w3(即，第一绝缘层520的开口520_op的宽度)可提供为大于第一宽度w1(即，像素限定层209的开口op的宽度)。在一些实施方式中，第三宽度w3可比第一宽度w1大了约2μm至约4μm。在平面图中，第一绝缘层520的开口520_op的边缘可与像素限定层209的开口op的边缘向外分开约1μm至约2μm。
121.提供有开口510_op的遮光层510的主体部分可与像素限定层209的主体部分重叠。例如，遮光层510的主体部分可仅与像素限定层209的主体部分重叠。遮光层510的主体部分是与遮光层510的开口510_op不同的部分，并且是指具有设定或特定体积的部分。类似地，像素限定层209的主体部分是与像素限定层209的开口op不同的部分，并且是指具有设定或特定体积的部分。提供有开口520_op的第一绝缘层520的主体部分可与遮光层510的主体部分和像素限定层209的主体部分重叠。
122.第二厚度t2(即，第一绝缘层520的主体部分的厚度)可大于第一厚度t1(即，遮光层510的主体部分的厚度)。在一些实施方式中，第二厚度t2可以是第一厚度t1的约2倍至约5倍。例如，第一厚度t1可在从约1μm至约1.5μm的范围内，并且第二厚度t2可在从约2.5μm至约5μm的范围内。这可使得由显示元件发射的光到达第一绝缘层520的开口520_op的侧表面并且被折射。这里，第二厚度t2可指从遮光层510的上表面到第一绝缘层520的上表面的厚度。
123.遮光层510可具有可吸收可见光线波段(例如，可见光波段)中，例如约380nm至约780nm的波长带中的光的波长光谱。遮光层510可提供为黑色。例如，遮光层510可包括炭黑、碳纳米管、包含黑色染料的树脂和/或糊状物、诸如ni、al、mo和/或它们的一种或多种合金的金属颗粒、金属氧化物(例如，氧化铬)颗粒和/或金属氮化物(例如，氮化铬)颗粒。
124.第一绝缘层520可具有能够吸收蓝色光波段中，例如约380nm至约500nm的波长带中的光的波长光谱。在一些实施方式中，第一绝缘层520可对于约400nm至490nm的波长带中
的光具有约0.5％或更小的透射率。
125.第一绝缘层520可提供为黄色(例如，在颜色上为黄色)。例如，第一绝缘层520可包括能够吸收约380nm至约500nm的波长带中的光的材料。例如，第一绝缘层520可包括包含黄色染料和/或颜料的树脂和/或糊状物。作为第一绝缘层520中包括的黄色颜料，可包括喹酞酮。在一些实施方式中，第一绝缘层520还可包括聚合物粘合剂、交联剂、光引发剂和/或溶剂。
126.当增加可见光波段之中的较低波长带中的光的吸收率时，可实现中性黑。在本实施方式中，遮光层510可吸收具有可见光线波段(例如，可见光波段或可见光光谱)中的波长的光，并且第一绝缘层520可附加地吸收具有高反射率的低波长带，例如，蓝色光波段中的光。因此，由遮光层510和第一绝缘层520表现的颜色可实现为中性黑，从而进一步减少外部光的反射率。
127.第二绝缘层530可排列在第一绝缘层520上，并且可填充第一绝缘层520的开口520_op。例如，第二绝缘层530可完全(例如，整个地)填充第一绝缘层520的开口520_op。在一些实施方式中，第二绝缘层530可填充遮光层510的开口510_op。第二绝缘层530可排列在薄膜封装层400上以及排列在第一绝缘层520的主体部分上。
128.第二绝缘层530包括实质上平坦的上表面，并且第二绝缘层530的与开口520_op重叠的一部分可具有比另一部分(例如，与第一绝缘层520的上表面(例如，主体部分)重叠的部分)的厚度大的厚度。第二绝缘层530可直接接触第一绝缘层520的限定开口520_op的侧表面520s和上表面。
129.第二绝缘层530可提供使得第二绝缘层530的折射率与第一绝缘层520的折射率具有约0.1至约0.2的差。在一些实施方式中，第二绝缘层530可包括具有比第一绝缘层520的折射率更高的折射率的材料，并且第一绝缘层520可包括具有低折射率的材料。在其它实施方式中，第一绝缘层520可包括具有比第二绝缘层530的折射率更高的折射率的材料，并且第二绝缘层530可包括具有低折射率的材料。
130.当第一绝缘层520和第二绝缘层530的折射率彼此不同时，由有机发光二极管oled发射并且在相对于与衬底100的上表面垂直(例如，实质上垂直或正交)的方向(z方向)的倾斜方向上行进的光l可在第一绝缘层520的侧表面520s处全反射或折射，以行进到显示装置的外部，并且因此，可改善有机发光二极管oled的光输出效率，并且可增加亮度。
131.在一些实施方式中，可用于第一绝缘层520和/或第二绝缘层530的低折射率材料的折射率可在从约1.4至约1.6的范围内。例如，低折射率材料可包括丙烯酸基树脂(例如，聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚丙烯酸等)、丙烯酸乙基己酯、丙烯酸五氟丙酯、聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯和/或乙二醇二甲基丙烯酸酯。
132.在一些实施方式中，可用于第一绝缘层520和/或第二绝缘层530的高折射率材料的折射率可在从约1.6至约1.85的范围内。在一些实施方式中，用于高折射率的分散颗粒可包括在具有高折射率的第一绝缘层520和/或第二绝缘层530中。分散颗粒可包括诸如氧化锌(zno
x
)、氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)和/或钛酸钡(batio3)的金属氧化物颗粒。本实施方式的具有高折射率的第一绝缘层520和/或第二绝缘层530可通过利用喷墨施加包含金属氧化物颗粒的有机材料来形成。
133.在一些实施方式中，第一绝缘层520和/或第二绝缘层530还可包括诸如环氧树脂
的热固化剂和/或光固化剂。
134.第一绝缘层520的开口520_op的侧表面520s可包括倾斜表面。侧表面520s的倾斜角可为从约(例如，至少)70度至约80度。在这种情况下，倾斜角可为在侧表面520s与薄膜封装层400的上表面之间形成的角度。
135.由于侧表面520s包括相对于薄膜封装层400的上表面在(例如，远离开口520_op的)正向方向上逐渐变细的倾斜表面，因此开口520_op的宽度可在与衬底100的上表面垂直(例如，实质上垂直或正交)的方向(z方向)上随着距离侧表面520s(例如，距离薄膜封装层400)的距离增加而逐渐增加。第一绝缘层520的开口520_op的上部的宽度可大于其下部的宽度，并且在这种情况下，作为上述开口520_op的宽度的第三宽度w3对应于开口520_op的下部的宽度。在一些实施方式中，像素限定层209的开口op的第一宽度w1也对应于像素限定层209的开口op的下部的宽度，并且遮光层510的开口510_op的第二宽度w2也对应于遮光层510的开口510_op的下部的宽度。
136.第二绝缘层530可选择性地吸收或减少从显示装置的内部反射的光和/或从显示装置的外部入射的光之中的具有部分波段的波长的光。
137.图6示出了根据一个或多个实施方式的第二绝缘层530的透光率。参照图6，第二绝缘层530可吸收约480nm至约505nm的第一波长范围内的光和约585nm至约605nm的第二波长范围内的光，并且可在第一波长范围和第二波长范围内具有约50％或更小的透光率。例如，第二绝缘层530可吸收(例如，可配置为吸收)具有在有机发光二极管oled的红色、绿色和/或蓝色发射波长范围内的波长的光。第二绝缘层530可在第二波长范围内比在第一波长范围内吸收更多的光。
138.第二绝缘层530可提供为包括染料、颜料或它们的组合的有机材料层。
139.在一个或多个实施方式中，第二绝缘层530可包括恶嗪基化合物、花青基化合物、四偶氮泊芬(tetraazoporfin)基化合物和/或方酸菁基化合物。
140.例如，第二绝缘层530可包括由化学式1至4中的任何一个表示的化合物：
141.化学式1
142.143.化学式2
[0144][0145]
化学式3
[0146][0147]
化学式4
[0148][0149]
在化学式1至4中，
[0150]
m为金属，
[0151]
x-为一价阴离子，
[0152]
r可包括：氢、氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0153]
各自独立地未被取代或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)或它们的一种或多种组合取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基；
[0154]
各自独立地未被取代或被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或它们的一种或多种组合取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫基；或
[0155]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)；并且
[0156]
多个r可彼此相同或不同。
[0157]q11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或各自独立地未被取代或被氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或它们的一种或多种组合取代的c
3-c
60
碳环基或c1-c
60
杂环基。
[0158]
在一个或多个实施方式中，x-可为卤根离子、羧酸根离子、硝酸根离子、磺酸根离子或硫酸氢根离子。
[0159]
例如，x-可为f-、cl-、br-、i-、ch3coo-、no
3-、hso
4-、丙酸根离子、苯磺酸根离子等。
[0160]
在一个或多个实施方式中，在第二绝缘层530的表面上以包含镜面反射分量(sci)模式测量的反射率可为约10％或更小。例如，第二绝缘层530可吸收显示装置的外部光反射以改善可见性。
[0161]
根据本实施方式的显示装置可不利用偏振膜或滤色器来减少外部光反射，而是可替代地引入低反射无机层300和第二绝缘层530。
[0162]
当偏振膜用于减少外部光反射时，由有机发光二极管oled发射的光的透射率也可能通过偏振膜而显著(例如，不期望地)减少。当利用与每个像素的颜色对应的滤色器来减少外部光反射时，根据针对每个像素的不同光反射率，可能出现反射色带，并且工艺成本可由于工艺步骤的数量而增加。
[0163]
根据本实施方式的显示装置引入了公共地(例如，一体地)施加到每个像素的低反射无机层300和第二绝缘层530，从而增加了透光率并且减少了外部光反射。
[0164]
图7和图8是根据实施方式的显示装置的剖视图。在图7和图8中，与图5的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且不提供其冗余描述。
[0165]
参照图7和图8，根据一个或多个实施方式的显示装置包括在衬底100上的包括发射区域ea的有机发光二极管oled(作为显示元件)、低反射无机层300、薄膜封装层400、包括开口510_op的遮光层510、包括开口520_op的第一绝缘层520和填充开口520_op的第二绝缘层530。在一个或多个实施方式中，显示装置还可包括有机发光二极管oled与低反射无机层300之间的覆盖层230。
[0166]
在图5中，示出了其中第一绝缘层520的开口520_op的第三宽度w3小于遮光层510的开口510_op的第二宽度w2的情况。然而，本公开不限于此。
[0167]
参照图7和图8，第一绝缘层520的开口520_op的第三宽度w3可大于或等于第二宽度w2。如图7中所示，第一绝缘层520的开口520_op的侧表面可与遮光层510的开口510_op的侧表面接触。在一些实施方式中，如图8中所示，第一绝缘层520的开口520_op可部分地暴露遮光层510的主体部分。例如，第一绝缘层520的主体部分和遮光层510的主体部分可形成阶梯形台阶。
[0168]
图9是根据一个或多个实施方式的显示装置的剖视图。在图9中，与图5的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且不提供其冗余描述。
[0169]
参照图9，根据一个或多个实施方式的显示装置包括在衬底100上的包括发射区域ea的有机发光二极管oled(作为显示元件)、低反射无机层300、薄膜封装层400、包括开口510_op的遮光层510、包括开口520_op的第一绝缘层520和填充开口520_op的第二绝缘层530。在一个或多个实施方式中，显示装置还可包括有机发光二极管oled与低反射无机层300之间的覆盖层230。
[0170]
在本实施方式中，在薄膜封装层400和遮光层510之间可排列有触摸感测层tsl。触摸感测层tsl可为用于感测用户的触摸输入的层，并且可通过利用诸如电阻方法和/或电容方法的合适触摸方法中的至少一种来检测用户的触摸输入。
[0171]
触摸感测层tsl可排列在薄膜封装层400上。触摸感测层tsl可包括第一子导电层ctl1和第二子导电层ctl2以及触摸绝缘层610。在一些实施方式中，触摸感测层tsl还可包括触摸缓冲层601。
[0172]
触摸缓冲层601可直接提供在薄膜封装层400上。触摸缓冲层601可防止或减少对薄膜封装层400的损坏，并且可用于阻挡或减少在驱动触摸感测层tsl时可能出现的干扰信号。触摸缓冲层601包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sio
x
ny)的无机绝缘材料和/或有机材料，并且可提供为单个层或多个层。
[0173]
第一子导电层ctl1、触摸绝缘层610和第二子导电层ctl2可顺序地堆叠在触摸缓冲层601上。第一子导电层ctl1和第二子导电层ctl2可分别排列在触摸绝缘层610下方和上方。在一些实施方式中，第二子导电层ctl2用作检测是否存在接触(例如，用户的触摸输入)的传感器单元，并且第一子导电层ctl1可用作在一个方向上连接被图案化的第二子导电层ctl2的连接单元。在其它实施方式中，第一子导电层ctl1用作检测是否存在接触的传感器单元，并且第二子导电层ctl2可用作在一个方向上连接被图案化的第一子导电层ctl1的连接单元。
[0174]
在一些实施方式中，第一子导电层ctl1和第二子导电层ctl2二者可用作传感器单元。在这种情况下，第一子导电层ctl1和第二子导电层ctl2可通过在触摸绝缘层610中提供的接触孔610ct彼此连接。当第一子导电层ctl1和第二子导电层ctl2两者被用作传感器单元时，可减小触摸电极的电阻，并且因此，可改善触摸感测层tsl的响应速度。
[0175]
在一些实施方式中，第一子导电层ctl1和第二子导电层ctl2可提供为网状结构，以使得由有机发光二极管oled发射的光可穿过其中。因此，第一子导电层ctl1和第二子导电层ctl2可排列为不与有机发光二极管oled的发射区域ea重叠。
[0176]
第一子导电层ctl1和第二子导电层ctl2可包括金属层和/或透明导电层，并且金属层可包括mo、ag、ti、铜(cu)、al或它们的一种或多种合金。透明导电层可包括透明导电氧化物，诸如ito、izo、zno和/或铟锡锌氧化物(itzo)。在一些实施方式中，透明导电层可包括诸如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(pedot)的导电聚合物、金属纳米线、碳纳米管和/或石墨烯。在一个或多个实施方式中，第一子导电层ctl1和第二子导电层ctl2中的每一个可具有ti层、al层和另一ti层的三层结构。
[0177]
触摸绝缘层610可包括无机材料和/或有机材料。无机材料可为氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。有机材料可为丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨酯基树脂、纤维素基树脂和苝基树脂中的至少一种。
[0178]
保护层pvx可排列在触摸绝缘层610上，以覆盖第二子导电层ctl2。保护层pvx可用于保护触摸感测层tsl。保护层pvx可包括无机材料和/或有机材料。无机材料可为氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。有机材料可为丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨酯基树脂、纤维素基树脂和苝基树脂中的至少一种。在一些情况下，可不提供保护层pvx。
[0179]
遮光层510、第一绝缘层520和第二绝缘层530可排列在触摸感测层tsl上，并且可减少通过包括在触摸感测层tsl中的导电层，例如，第一子导电层ctl1和第二子导电层ctl2
的外部光反射。
[0180]
图10是根据一个或多个实施方式的显示装置的剖视图。在图10中，与图9的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且不提供其冗余描述。
[0181]
参照图10，根据一个或多个实施方式的显示装置包括在衬底100上发射(例如，配置为发射)彼此不同颜色的光的第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3；公共地(例如，一体地)排列在第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3上的低反射无机层300；薄膜封装层400；触摸感测层tsl；包括开口510_op的遮光层510；包括开口520_op的第一绝缘层520；以及填充开口520_op的第二绝缘层530。在一个或多个实施方式中，显示装置还可包括位于第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3与低反射无机层300之间的覆盖层230。
[0182]
包括在低反射无机层300中的无机材料可具有约0.3或更大的吸收系数。在一个或多个实施方式中，包括在低反射无机层300中的无机材料可具有约1或更大的折射率。在一个或多个实施方式中，低反射无机层300可具有约0.1nm至约50nm，例如，约0.5nm至约30nm或约1nm至约20nm的厚度。
[0183]
遮光层510可具有可吸收可见光线波段，例如约380nm至约780nm的波长范围内的光的波长光谱。遮光层510可提供为黑色。
[0184]
第一绝缘层520可具有吸收具有蓝色光波段的波长，例如，约380nm至约500nm的波长的光的波长光谱。在一些实施方式中，第一绝缘层520对于约400nm至490nm的波长带中的光可具有约0.5％或更小的透射率。第一绝缘层520可提供为黄色。
[0185]
第二绝缘层530可吸收约480nm至约505nm的第一波长范围内的光和约585nm至约605nm的第二波长范围内的光，并且可在第一波长范围和第二波长范围内具有约50％或更小的透光率。例如，第二绝缘层530可吸收具有有机发光二极管oled的红色、绿色和/或蓝色发射波长范围之内的波长的光。
[0186]
低反射无机层300、遮光层510、第一绝缘层520和第二绝缘层530可公共地(例如，一体地)提供在第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3上。第一有机发光二极管oled1可发射红色光，第二有机发光二极管oled2可发射绿色光，并且第三有机发光二极管oled3可发射蓝色光。
[0187]
由于第二绝缘层530可以实质上相同的配置排列在第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3上，因此可改善可见性并且可简化工艺。
[0188]
在一个或多个实施方式中，遮光层510和第一绝缘层520可以实质上相同的配置排列在第一有机发光二极管oled1、第二有机发光二极管oled2和第三有机发光二极管oled3上。
[0189]
遮光层510可吸收具有可见光线波段的波长的光，并且第一绝缘层520可附加地吸收具有高反射率的低波长带，例如，蓝色光波段中的光。因此，由遮光层510表现的颜色可实现为中性黑，从而进一步减少外部光的反射率。
[0190]
在一些实施方式中，第一绝缘层520可包括具有的折射率与第二绝缘层530的折射率的差为约0.1至约0.2的材料。因此，第一绝缘层520和第二绝缘层530可用作透镜以增加
光提取效率。
[0191]
图11是当遮光层提供为单个层时和当遮光层上提供有第一绝缘层时的遮光层的反射率的曲线图。
[0192]
case1示出了其中遮光层提供为单个黑色层的情况。case2示出了其中堆叠有提供为黑色的遮光层和提供为黄色的用于吸收蓝色光的第一绝缘层的情况。
[0193]
参照图11，当比较遮光层本身的反射率时，对于case1，可看到在约380nm至约530nm的波长范围内的反射率高达约4.5％或更大。对于case2，在约380nm至约530nm的波长范围内的反射率降低到约4％，并且因此，可看到通过与case2类似的遮光层510和第一绝缘层520可降低总体外部光反射率。
[0194]
如上所述，在根据一个或多个实施方式的显示装置中，堆叠具有不同吸收波长光谱的遮光层和绝缘层以改善显示装置的颜色反射。
[0195]
在一些实施方式中，根据一个或多个实施方式的显示装置提供有具有不同折射率的第一绝缘层和第二绝缘层，从而可改善光提取效率。
[0196]
在一些实施方式中，根据一个或多个实施方式的显示装置可包括低反射无机层，以改善透光率和可见性。
[0197]
本文中描述的根据本发明的实施方式的显示装置和/或任何其它相关设备或部件可利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的组合来实现。例如，装置的各种部件可形成在一个集成电路(ic)芯片上或单独的ic芯片上。另外，装置的各种部件可实现在柔性印刷电路膜、带载封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上，或形成在一个衬底上。另外，装置的各种部件可为在一个或多个计算设备中在一个或多个处理器上运行从而执行计算机程序指令以及与其它系统部件交互以用于执行本文中描述的各种功能的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可使用诸如以随机存取存储器(ram)为例的标准存储器设备在计算设备中实现。计算机程序指令也可存储在诸如以cd-rom、闪存驱动等为例的其它非暂时性计算机可读介质中。而且，本领域技术人员应认识到，各种计算设备的功能可组合或集成到单个计算设备中，或者特定计算设备的功能可跨一个或多个其它计算设备分布，而不背离本公开的实施方式的范围。
[0198]
应理解，本文中描述的实施方式应仅在描述性意义上考虑，而不用于限制的目的。实施方式中的每一个内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施方式中的其它相似特征或方面。虽然已参照附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如由随附的权利要求书及其等同物限定的本公开的精神和范围的情况下，可在其中作出形式和细节上的一种或多种合适的改变。