专利名称：阴极射线管用荫罩的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种阴极射线管用荫罩，具有用于在彩色阴极射线管的萤光面上，均匀形成大致长方形的电子束的大致长方形槽和弯曲槽。
背景技术：
图6是具有多个大致长方形的槽的彩色阴极射线管用荫罩的整体图。荫罩61由槽形成部62和边框63组成。通过槽的电子束在荫罩的中心S对着槽照直入射，但随着向外周方向发展是对着槽倾斜入射的。因此目前荫罩的槽，可以调整构成槽的外侧开口部和内侧开口部的形成位置。
图7是表示目前形式的荫罩各部位的槽的外侧开口部和内侧开口部的位置关系简图。荫罩中央的槽如图7(ⅰ)所示，由为使电子束通过不受干扰而大面积蚀刻而成的外侧开口部72，和配置在该外侧开口72大致中央的电子束73入射侧的内侧开口部71构成。另一方面，荫罩外周侧的槽，例如图6所示的Y坐标轴上的P点、X坐标轴上的R点及对角坐标轴上的Q点的各槽，分别如图7(ⅱ)、(ⅲ)、(ⅳ)所示，各槽的外侧开口部72，与内侧开口部71相对，向荫罩61的外周靠近而配置，以使对着各个槽斜着入射的电子束73的通过不受阻碍。
在这样的荫罩中，为防止由电子束与荫罩的碰撞而产生的热变形(称为架桥)，使用由镍铁合金等热膨胀系数小的材料构成的金属薄板作为荫罩用的金属薄板。但是使用这样金属薄板的荫罩造价高，所以通过使用便宜的软钢板制的加厚的荫罩，来抑制安装在阴极射线管上的荫罩的热膨胀，防止架桥。
这样荫罩的厚板，使得利用蚀刻加工形成的槽的断面高度增大。因此，如在图7(ⅱ)、(ⅲ)、(ⅳ)分别所示的形成在外周侧的槽那样，仅将外侧开口部72错开的槽，会以槽的厚壁断面遮挡住斜着入射的电子束73。其结果会产生下述问题，电子束73不能以规定的形状覆盖在阴极射线管的萤光面上。
图8～
图10是说明这一问题的简图。图8(ⅰ)表示设置在图6所示的X坐标轴上R点的槽形状，将外侧开口部72相对内侧开口部71错开，蚀刻加工而成。通过槽中心部A的电子束73，如图8(ⅱ)的断面图所示，能以希望的宽度W，通过进行充分蚀刻加工而形成薄壁的台阶81，82的侧壁部83，84之间，与此相对，通过槽的长边方向上端部B的电子束73，如图8(ⅲ)的断面图所示，由形成在未被充分进行蚀刻加工的侧壁部88的厚壁台阶86遮挡住，不能以希望的宽度W通过。这样，之所以在槽的中心部A和长边方向的上端部B处侧壁部的形状，特别是台阶的厚度各不相同，那是因为与外侧开口部72和内部开口部71之间位置关系有关的蚀刻进行的速度不同。即，槽的中心部A，蚀刻进行的速度大，通过以很快的速度进行蚀刻加工，形成了薄壁台阶81，82。与此相对，槽的上端部B由于蚀刻进行的速度小，未充分地进行蚀刻加工，所以，通过从开口宽度小的内侧开口部71进行的蚀刻加工，形成厚壁的台阶85、86。其结果是通过槽，覆盖在萤光面上的电子束的光斑，由厚壁的台阶86遮挡入射的电子束73，而形成阴极射线管外周侧的边界线的上端部和下端部欠缺的弯曲形状，其中厚壁的台阶86，形成在未被充分进行蚀刻加工的外周侧的侧壁部88。
如图3中将后述的，通过槽长边方向两端部的电子束31的(荫罩中央侧的)边界线39，利用开口面积增大的内侧开口部11，改变电子束31的通过位置。因此，在大致长方形的槽的情况下，通过槽中心部的电子束31不能通过与所述边界线39相同的位置，覆盖在萤光面上的光斑，有时形成所述边界线39的长边方向两端向荫罩中央侧弯曲的形状。
因此，在使用目前的荫罩61时，通过槽覆盖在萤光面上的电子束的光斑，如图9所示，光斑91的长边方向的两端形成弯曲的形状，并靠近通过阴极射线管的萤光面中央的纵坐标轴。这种光斑91的变形，电子束73的入射角越大时，即越远离所述纵坐标而朝向左右方向就变得越大。
图10是表示变形后的光斑91覆盖在阴极射线管的萤光面上的状态的概略图。电子束的光斑91的这种变形有可能产生以下问题，不能充分得到本应以大致长方形的形状覆盖在萤光面而得到的辉度。另外在阴极射线管的萤光面各部，由于其光斑形状不同，所以会产生以下问题根据场所不同产生辉度差别或发生R、G、B发光不均。
发明的概述本发明是为了解决上述问题而开发的，其目的在于提供一种荫罩，覆盖在阴极射线管的萤光面上的电子束的光斑形成为希望的大致长方形。
本发明的荫罩具有在彩色阴极射线管的萤光面上、均匀地形成大致长方形电子束光斑的多个槽，前述荫罩包括大致长方形的槽，设置在通过其中央的纵坐标轴附近；和弯曲的槽，设置在远离前述纵坐标轴的外周侧，前述大致长方形槽包括大致长方形的内侧开口部，在电子束入射侧蚀刻加工而成；大致长方形的外侧开口部，大面积蚀刻加工而成，以使电子束的通过不受阻碍；和侧壁部，在所述内侧开口部和所述外侧开口部之间倾斜，前述弯曲槽包括内侧开口部，在电子束入射侧蚀刻加工而成，长边方向的两端弯曲，以远离所述纵坐标轴；大致长方形的外侧开口部，大面积地进行蚀刻加工而成，以使电子束的通过不受阻碍；侧壁部，在所述内侧开口部和所述外侧开口部之间倾斜，所述弯曲槽内侧开口部的弯曲程度随着远离所述纵坐标轴而变大。
根据本发明，由于设置有弯曲槽，使大致长方形的长边方向两端远离通过荫罩中央的纵坐标轴而弯曲，所以，在目前的槽形状中被长边方向两端的侧壁部遮挡的电子束，可以毫无遮挡地通过。其结果是，覆盖在阴极射线管萤光面上的光斑的长边方向两端没有缺欠。而且，这样的弯曲槽，由于形成槽的荫罩中央侧的长边也同样弯曲，所以即使在槽的长边方向两端内侧开口部的端面边缘间扩大时，也不会使覆盖在阴极射线管萤光面上的电子束的光斑形状变形。而且，弯曲槽的弯曲程度，随远离通过荫罩中央的纵坐标而增大，所以能够与射向弯曲槽的电子束的入射角的变化对应，可在阴极射线管萤光面全部范围内，形成大致长方形的电子束的光斑。因此，根据本发明的荫罩，在阴极射线管的萤光面上可均匀地形成大致长方形的光斑，所以，可以使电子束覆盖在规定位置，不会引起辉度降低和发光不均匀。
在所述的本发明中，在所述弯曲槽侧壁部，随着从该弯曲槽的中心部转向长边方向的两端，蚀刻深度依次变小的外侧开口部侧的蚀刻面，和蚀刻深度依次变大的内侧开口部侧的蚀刻面，在厚度方向的中间部分，形成接触的台阶，所述弯曲槽的内侧开口部理想的是具有随着从该弯曲槽的中心部转向长边方向的两端，对向宽度扩大的端面边缘。
根据本发明，弯曲槽的侧壁部在厚度方向的中间部分具有台阶，该台阶由随着自其中心部转向长边方向的两端蚀刻深度缩小的外侧开口部侧的蚀刻面和蚀刻深度增大的内侧开口部侧的蚀刻面形成。所以越向槽的长边方向两端台阶越厚。因此，通过槽长边方向两端的电子束的荫罩外周侧的边界线，利用变厚了的台阶阻碍其通过。但是弯曲槽的内侧开口部的长边方向两端向荫罩外周侧弯曲而形成，所以通过槽两端的电子束，即使形成变厚的台阶时，也通过与通过槽中心部的电子束的所述边界线相同的坐标位置。其结果，覆盖在萤光面上的光斑使所述边界线变得笔直。
同时该弯曲槽的内侧开口部具有这样的端面边缘，随着从该弯曲槽的中心部转向长边方向的两端部，对向宽度扩大，所以内侧开口部的长边方向的端面边缘之中，荫罩中央侧的端面边缘与所述纵坐标轴平行，其结果，入射到弯曲槽的荫罩中央侧的电子束毫不弯曲地通过，形成笔直的边界线，覆盖在萤光面上。其结果，可不使覆盖在阴极射线管的萤光面上的光斑形状弯曲，而成为大致长方形。
而且，所述弯曲槽理想的是，弯曲度表示线与通过该弯曲槽中心点的纵坐标轴所成角度在10度以下。其中，弯曲度表示线是连结该弯曲槽的中心点与该弯曲槽的长边方向两端部开口宽度的中心点的线。
根据本发明，通过使随着远离通过荫罩中央的纵坐标轴而增大的弯曲程度，相对于通过弯曲槽的中心点的纵坐标轴，以小于10度范围的角度弯曲，可使大致长方形的光斑均匀地形成在阴极射线管的萤光面上。
附图的简单说明如下图1是图6所示的X坐标轴与Y坐标轴相交的S点的槽的正面图(ⅰ)、A1-A1断面图(ⅱ)及A2-A3断面图(ⅲ)；图2是图6所示的Y坐标轴上P点的槽的正面图(ⅰ)，B1-B1断面图(ⅱ)及B2-B2断面图(ⅲ)；图3是图6所示的X坐标轴上R点的槽的正面图(ⅰ)，C1-C1断面图(ⅱ)，C2-C2断面图(ⅲ)及C3-C3断面图(ⅳ)；图4是图6所示的对角坐标轴上Q点的槽的正面图(ⅰ)，D1-D1断面图(ⅱ)，D2-D2断面图(ⅲ)及D3-D3断面图(ⅳ)；图5表示用于制造荫罩的光掩膜图形之一例及各图形的位置关系；图6是具有多个大致长方形槽的目前模式的彩色阴极射线管用荫罩的整体图；图7是表示目前模式的荫罩各部的外侧开口部及内侧开口部的位置关系的概略图；
图8是目前模式的荫罩的槽中心部及上端部的断面图；图9是表示目前模式的荫罩的槽及通过该槽覆盖在萤光面上的电子束的光斑形状的概略图；图10是表示变形后的光斑覆盖在阴极射线管的萤光面上的状态的概略图。
用于实施发明的最佳形态图1～图4表示形成在本发明的阴极射线管用荫罩各部的槽的形状。本发明的荫罩整体形状，与图6所示的目前的荫罩61有相同的形状，由槽形成部62和边框部63组成。槽由下述各部分构成内侧开口部1，在电子束9入射侧蚀刻加工而成；外侧开口部2，大面积蚀刻加工而成，以使电子束9的通过不受阻碍；侧壁3......6，在内侧开口部1和外侧开口部2之间倾斜。本发明的荫罩形成的槽使得在阴极射线管整个萤光面上形成大致长方形的电子束的光斑。
以下说明形成在荫罩各部的槽的形状。
图1是图6所示的X坐标轴与Y坐标轴相交点S的槽正面图(ⅰ)，A1-A1断面图(ⅱ)，及A2-A2断面图(ⅲ)。如图1(ⅰ)所示，S点的槽的内侧开口部1和外侧开口部2均以大致长方形形成，电子束9相对于S点的槽呈直角入射，所以外侧开口部2将内侧开口部1作为其中心而形成。因此，外侧开口部2的开口中心M与内侧开口部的开口中心N分别一致，如图1的(ⅱ)，(ⅲ)所示，利用蚀刻加工形成的侧壁部3，4的形状左右对称。再有，在槽的侧壁部，形成外侧开口部侧的蚀刻面及内侧开口部侧的蚀刻面在厚度方向的中间部分接触的台阶。
如图1(ⅱ)的断面图所示，由于在槽中心部蚀刻进行速度大，故分别形成于侧壁部3、4的台阶15、16的厚度H，h都变薄。
另一方面，如图1(ⅲ)的断面图所示，由于在槽的下端部蚀刻进行的速度小，所以蚀刻从开口宽度小的内侧开口部1进行。其结果，在侧壁部3、4分别形成的台阶15、16的厚度H,h比图1(ⅱ)时的要厚，同时内侧开口部1的蚀刻开口面积增大，端面边缘扩大。但是，与这种蚀刻速度不同无关，通过电子束9的台阶15、16之间宽度W，和图1(ⅱ)所示的槽中心部的宽度相同。因此，通过S点的槽的电子束9在萤光面上形成大致长方形的光斑。
图2是图6所示的Y坐标轴上P点的槽正面图(ⅰ)，B1-B1断面图(ⅱ)及B2-B2断面图(ⅲ)。如图2(ⅰ)所示，P点的槽，以与图1所示的S点的槽同一形状的内侧开口部1、及外侧开口部2形成。外侧开口部2相对于内侧开口部1，向靠近荫罩外周偏移而形成，以使相对于槽斜着入射的电子束9的通过不受阻碍。P点的槽由于在Y坐标轴上，所以外侧开口部2的开口中心M与内侧开口部1的开口中心N分别一致，如图2的(ⅱ),(ⅲ)所示，利用蚀刻加工形成的侧壁部3、4的形状，左右对称。
图2(ⅱ),(ⅲ)所示的P点的槽各部的断面形状，与图1(ⅱ),(ⅲ)所示的S点的槽各部的断面形状相同，以相同方式的蚀刻状态形成。因此，斜着入射通过P点的槽的电子束9，不受外侧开口部2阻碍，在萤光面上形成大致长方形的光斑。
图3是图6所示的X坐标轴上R点的槽的正面图(ⅰ)，C1-C1断面图(ⅱ),C2-C2断面图(ⅲ)，及C3-C3断面图(ⅳ)。在图3(ⅰ)所示，R点的槽由内侧开口部11和大致长方形的外侧开口部2形成，其中，内侧开口部11使图1和图2所示的大致长方形的内侧开口部1的长边方向两端部(上、下端部)弯曲形成从而远离图6所示的Y坐标轴(通过荫罩1中央的坐标轴)。外侧开口部2相对于内侧开口部1向荫罩的外周靠近地偏移，以使对于槽斜着入射的电子束31的通过不受阻碍。因此，外侧开口部2的开口中心M相对于内侧开口部11的开口中心N向荫罩1的外周侧偏移。
如图3(ⅱ)的断面图所示，由于在槽中心部蚀刻进行速度大，所以在侧壁部3,4分别形成的台阶35、36的厚度H,h都变薄，但由于外侧开口部2的开口中心M向荫罩的外周侧偏移，所以形成于荫罩中央侧的侧壁部3的台阶35的厚度H，比形成于荫罩外周侧的侧壁部4的台阶36的厚度h要厚。斜着入射到这样蚀刻加工而成的槽的C1-C1断面部的电子束31，通过槽，通过的宽度W由荫罩中央侧的内侧开口部11的端面边缘37及荫罩外周侧的侧壁部4的台阶36来决定。这时电子束31通过的宽度W，与形成图1及图2所示的大致长方形槽的台阶15、16之间的宽度W相等。
如图3(ⅲ)的断面图所示，在槽的下端部，由于蚀刻进行速度稍慢，所以外侧开口部2的蚀刻深度变浅，但由内侧开口部11进行的蚀刻，其深度变得稍深。其结果，侧壁部3的各台阶35、36的厚度H、h，分别比由图3(ⅱ)所示的情况要厚，同时内侧开口部11的蚀刻开口面积稍大。但是荫罩中央侧的内侧开口部11的端面边缘37的坐标位置，大致与图3(ⅱ)所示的端面边缘的坐标位置相同，并且荫罩外周侧的侧壁部4的台阶36的坐标位置，也形成从图3(ⅱ)所示的台阶36的坐标位置向深度方向偏移的同一坐标位置。斜着入射到这样蚀刻加工而成的槽的C2-C2断面部的电子束31通过槽，通过的宽度W由荫罩中央侧的内侧开口部11的端面边缘37，和荫罩外周侧的侧壁部4的台阶36来决定。C2-C2断面部的内侧开口部11的形成位置，尽管比C1-C1断面设置得更靠近外侧开口部2的开口中心M处，但是电子束31通过的宽度W，与形成图1及图2表示的大致长方形槽的台阶15,16间的宽度W相等，同时，通过图3(ⅱ)的断面部的宽度及通过的坐标位置一致。
如图3(ⅳ)的断面图所示，在槽的下端部，由于蚀刻进行速度小，所以外侧开口部2的蚀刻深度更小，但是从内侧开口部11进行的蚀刻，其深度变大。其结果，侧壁部3的各台阶35、36的厚度H,h，分别比由图3(ⅲ)表示的情况变厚，同时内侧开口部11的蚀刻开口面积更大。但是，荫罩中央侧的内侧开口部11端面边缘37的坐标位置，大致与图3(ⅱ),(ⅲ)所示的端面边缘的坐标位置相同，同时荫罩外周侧的侧壁部4的台阶36的坐标位置，也形成由图3(ⅱ),(ⅲ)所示的台阶36的坐标位置向上方偏移的同一坐标位置。斜着入射到这样蚀刻加工而成的槽的C3-C3断面部的电子束31通过槽，通过宽度W由荫罩中央侧的内侧开口部11的端面边缘37及荫罩外周侧的侧壁部4的台阶36来决定。C3-C3断面部的内侧开口部11的形成位置，尽管设置得比C2-C2断面部更加靠近外侧开口部2的开口中心M，但是电子束31通过的宽度W与形成图1及图2所示的大致长方形槽的台阶15、16间的宽度W相等，同时通过图3(ⅱ)、(ⅲ)的断面部的宽度及通过的坐标位置一致。
图4是图6所示的对角坐标轴上Q点的槽的正面图(ⅰ)、D1-D1断面图(ⅱ)、D2-D2断面图(ⅲ)，及D3-D3断面图(ⅳ)。如图4(ⅰ)所示，Q点的槽由与图3所示的R点的弯曲槽大致为同一形状的内侧开口部11、及外侧开口部2形成。在此之所以是大致同一形状，是由于设置槽的荫罩的坐标位置需要因电子束的入射角而进行若干调整。外侧开口部2相对于内侧开口11向靠近荫罩的外周的方向偏移而形成，以使相对于槽斜着入射的电子束31的通过不受阻碍。Q点的槽位于对角坐标轴上，同时位于图2所示的P点的大致长方形槽的正侧面，还位于图3所示的R的弯曲槽的正上方。因此与内侧开口部11相对的外侧开口部1的相对位置这样形成在X坐标轴方向，形成与R点的弯曲槽相同的坐标位置，在Y坐标轴方向形成与P点的大致长方形槽相同的坐标位置。
图4(ⅱ),(ⅲ),(ⅳ)所示的Q点的槽各部断面形状，与图3(ⅱ),(ⅲ),(ⅳ)所示的R点弯曲槽各部断面形状大致相同，以同样方式的蚀刻状态形成。因此斜着入射通过Q点的槽的电子束31，不受外侧开口部2的阻碍，在萤光面上形成大略长方形的光斑。
如上所述，配置在荫罩左右外周侧的槽，随着从其中心部转向下端部，产生与蚀刻进行速度的减慢相称的断面形状的变化。即，随着从槽中心部转向下端部，从外侧开口部2的蚀刻深度变小，所以相对地从内侧开口部11的蚀刻深度变大，侧壁3、4的台阶35、36的厚度H,h变厚，同时内侧开口部11的蚀刻开口面积也增大。
通过槽下端部的电子束31的荫罩外周侧的分界线40，由变厚的台阶36阻碍其通过。因此在目前这样的大致长方形槽的情况下，通过槽中心部的电子束31，不能通过与上述边界线40相同的位置，覆盖在萤光面上的光斑，产生所述边界线40的长边方向两端欠缺的变形而弯曲。但是，在本发明中，由于形成内侧开口部11，以使槽的长边方向两端向荫罩外周侧弯曲，所以通过槽下端部的电子束31，即使是形成变厚的台阶36时，也会通过与通过槽中心部的电子束31的所述边界线40相同的坐标位置，覆盖在萤光面上的光斑的上述边界线40变得笔直。
另一方面，通过槽下端部的电子束31的荫罩中央侧的边界线39，利用开口面积增大的内侧开口部11改变其通过位置。因此在目前这样的大致长方形槽的情况下，通过槽中心部的电子束31不能通过与上述边界线39相同的位置，覆盖在萤光面上的光斑，使上述边界线39的长边方向两端向荫罩中央侧弯曲。但在本发明中，通过形成内侧开口部11，使槽的长边方向两端向荫罩外周侧弯曲，内侧开口部11的端面边缘37的坐标位置在槽的中心部和下端部形成大致相同的坐标位置，因此，通过槽下端部的电子束31即使内侧开口部11的开口面积增大，也通过与通过槽中心部的电子束31的上述边界线39相同的坐标位置，使覆盖在萤光面上的光斑的上述边界线39变得笔直。
这样的情况不限于槽的下端部，上端部也有同样的现象，所以上端部侧也最好与下端部侧作成同样的形状。其结果，利用使内侧开口部11远离Y坐标轴弯曲而形成，能够使覆盖在阴极射线管萤光面上的光斑的形状不弯曲，形成大致长方形。
荫罩中央侧的侧壁部3的台阶35的厚度H，由于形成得较厚，所以即使荫罩在冲压加工时施加很大的冲压力，其台阶25也不变形。另外，即使发生变形时，也不会达到使覆盖在阴极射线管的萤光面上的电子束31的光斑的形状变形的程度。
弯曲槽的弯曲程度，理想的是由荫罩1的各部分，以10度以下的角度弯曲。弯曲的程度，以连结弯曲槽中心点与弯曲槽的长边方向两端部开口宽度的中心点的弯曲度表示线；和通过弯曲槽的中心点的坐标轴所形成的角度表示。
如以图1和图2所述的，在通过荫罩1中央的纵坐标轴附近，由于相对于槽电子束从正面大致以直角入射，所以电子束很少受形成在槽上下端部的厚壁台阶遮挡之类的影响。再有如果在纵坐标轴附近，无论是荫罩的上边侧还是下边侧，都不会受很大的影响。因此通过荫罩1中央的纵坐标附近的槽，理想的是，形成大致长方形或小角度的弯曲形状。
但是，如以图3和图4所述的，在荫罩1的外周侧，由于相对于槽斜着倾斜入射电子束，所以电子束被形成于槽的长边方向两端部的厚壁台阶遮挡。被厚壁台阶遮挡的程度，随着与对应槽的电子束的入射角变变小，即，随着远离通过荫罩1中央的纵坐标轴而变大，所以最好使槽弯曲的角度，也随远离通过荫罩1中央的纵坐标轴，在所述范围内而增大。再有，其遮挡的程度，无论是上边侧还是下边侧都不太变化，所以，最好使槽弯曲的角度，从通过荫罩1中央的纵坐标轴开始，在距离相同时，也形成相同的角度。
下边说明用于制造所述阴极射线管用荫罩的光掩膜。
图5表示用于制造荫罩1的光掩膜图形的一例及各图形的位置关系。图5(ⅰ)表示用于形成荫罩的大致长方形的外侧开口部2的外侧开口图型52，图5(ⅱ)表示用于形成荫罩的弯曲的内侧开口部1的内侧开口图型51。另外图5(ⅲ)表示，采用具有外侧开口图型52的光掩膜及具有内侧开口图型51的光掩膜曝光时的各图型的位置关系。
外侧开口图型52，如图5(ⅰ)所示，是为直角的长方形。而且，具有该外侧开口图型52的光掩膜，设置在分别与荫罩1的大致长方形的外侧开口部2对应的规定位置。
内侧开口图型51，如图5(ⅱ)所示，远离通过光掩膜中央的纵坐标轴而镜象地形成长方形的上部图型53和相同的长方形状的下部图型54的弯曲图型。弯曲图型的弯曲角度这样形成，相对于通过图型中央中心点55的纵坐标轴，以小于10度的角度弯曲。弯曲的角度，与蚀刻加工后形成的荫罩的槽的弯曲角度相同，所以随远离通过光掩膜中央的纵坐标轴其角度变大。具有这样的内侧开口图型51的光掩膜，设置在分别与荫罩1的弯曲的内侧开口部11对应的规定位置。另外，设在通过荫罩1中央的纵坐标轴附近的内侧开口部1，由于大致呈长方形，所以光掩膜中央附近也同样形成长方形的内侧开口图型。
荫罩1可以通过采用以上说明的光掩膜，以目前公知的方法来形成。通常以光蚀刻的各工序进行，以连续的在线装置制造。例如将水溶性胶质系列光致抗蚀剂等涂敷在金属板的两面，干燥后，将形成所述的外侧开口图型52的光掩膜紧贴在其表面，将形成上述的内侧开口图型51的光掩膜紧贴在其内侧，利用高压水银等的紫外线曝光，用水显影。再有，如图5(ⅲ)所示，形成外侧开口图型52的光掩膜与形成内侧开口图型51的光掩膜的位置关系与得到的荫罩的外侧开口部2与内侧开口部1,11之间的位置关系相同。以光致抗蚀剂膜图像盖住周围的金属露出的槽部，根据各部分蚀刻进行速度的不同，以所述的各个断面部特有的形状形成。再有，蚀刻加工在热处理等后从两面侧喷洒氯化铁溶液等，之后通过连续进行水洗、剥离等的后工序而制造荫罩。
利用该光掩膜，可制造在阴极射线管萤光面的全部范围内可形成大致长方形的电子束光斑的荫罩。
通过采用得到的荫罩，通过荫罩的电子束，不会发生图10所示的目前这样的位置偏移，可准确地照射在萤光面上的规定位置。其结果在萤光面全部范围内，能产生希望的辉度，同时也不会引起R、G、B的发光不均。
产业上利用的可能性如上说明，根据本发明的阴极射线管用荫罩，由于设有大致长方形槽的长边方向两端远离通过荫罩中央的纵坐标轴而弯曲的弯曲槽，所以在目前的槽形状中被长边方向两端侧壁部遮挡的电子束，能不受遮挡地通过。其结果，覆盖在阴极射线管的萤光面上的光斑的长边方向两端，没有欠缺。再有，这样的弯曲槽，由于形成槽的荫罩中央侧的长边也同样地弯曲，所以即使槽长边方向两端的内侧开口部的端面边缘扩大时，覆盖在阴极射线管的萤光面上的电子束的光斑形状也不变形。而且弯曲槽的弯曲程度随着远离通过荫罩中央的纵坐标轴而变大，所以能与射向弯曲槽的电子束的入射角的变化对应，在阴极射线管的萤光面全部范围，能够形成大致长方形的电子束的光斑。因此，根据本发明的荫罩，由于能够使大致长方形的光斑，均匀地形成在阴极射线管的萤光面上，所以能使电子束覆盖在规定位置，不会产生辉度低下和光色不均。
权利要求
1．一种阴极射线管用荫罩，具有多个槽，使大致长方形的电子束光斑均匀地形成于彩色阴极射线管的萤光面上，其特征在于前述荫罩包括大致长方形的槽，设置在通过其中央的纵坐标轴附近；和弯曲槽，设置在远离所述纵坐标轴的外周侧，所述大致长方形槽包括大致长方形的内侧开口部，在电子束入射侧蚀刻加工而成；大致长方形的外侧开口部，大面积蚀刻加工而成，以使电子束的通过不受阻挡；和侧壁部，在所述内侧开口部和所述外侧开口部之间倾斜，前述弯曲槽包括内侧开口部，在电子束入射侧蚀刻加工而成，长边方向的两端弯曲以远离所述纵坐标轴；大致长方形的外侧开口部，大面积地蚀刻加工而成，以使电子束的通过不受阻碍；和侧壁部，在所述内侧开口部和所述外侧开口部之间倾斜，所述弯曲槽的内侧开口部的弯曲程度，随远离所述纵坐标轴而变大。
2．如权利要求1所述的阴极射线管用荫罩，其特征在于在所述弯曲槽的侧壁部形成随着从该弯曲槽的中心部转向长边方向的两端蚀刻深度依次减小的外侧开口部侧的蚀刻面、和蚀刻深度逐渐增大的内侧开口部侧的蚀刻面在厚度方向的中间部分接触的台阶，前述弯曲槽的内侧开口部具有端面边缘，随着自该弯曲槽的中心部转向长边方向的两端对向宽度扩大。
3．如权利要求1或权利要求2所述的阴极射线管用荫罩，其特征在于所述弯曲槽，弯曲度表示线与纵坐标轴所成的角度在10度以下，其中，所述弯曲度表示线为连结该弯曲槽的中心点与该弯曲槽的长边方向两端部开口宽度的中心点的线；所述纵坐标轴通过该弯曲槽的中心点。
全文摘要
提供一种荫罩,具有将大致长方形的电子束光斑,均匀地形成在彩色阴极射线管的荧光面上的多个槽。包括:大致长方形槽,设置在通过荫罩中央的纵坐标轴附近;和弯曲槽,设置在远离所述纵坐标轴的外周侧,所述大致长方形槽包括:大致长方形的内侧开口部,在电子束入射侧蚀刻加工而成;大致长方形的外侧开口部,大面积地蚀刻加工而成,以使电子束的通过不受阻碍;和侧壁部,在所述内侧开口部和所述外侧开口部之间倾斜,前述弯曲槽包括:内侧开口部(11),在电子束入射侧蚀刻加工而成,长边方向的两端弯曲,以远离所述纵坐标轴;大致长方形的外侧开口部(2),大面积地蚀刻加工而成,以使电子束的通过不受阻挡;和侧壁部(3……6),在内侧开口部(11)和外侧开口部(2)之间倾斜,所述弯曲槽的内侧开口部(11)的弯曲程度随远离所述纵坐标轴而变大。
文档编号H01J29/07GK1297572SQ00800386
公开日2001年5月30日 申请日期2000年1月25日 优先权日1999年1月26日
发明者池上健, 羽鸟敏洋 申请人:大日本印刷株式会社