腐蚀晶片的方法

专利名称：腐蚀晶片的方法
技术领域：
本发明涉及改进的等离子腐蚀反应设备及方法，特别涉及一种腐蚀晶片的方法。
背景技术：
一组新的新出现的膜(emerging film)正有益地用于如高密度DRAM等高密度半导体芯片的开发中。这些材料通过使存储器件的各结构的尺寸减小提供较高容量的器件。因此，需要提高选择性和外形控制。
过去，人们使用作为慢物理处理的离子铣在半导体晶片上建立所要求外形。这种离子铣的缺点是在半导体晶片上形成的外形对离子铣束的角度敏感，所以不得不精确地定位离子铣束，以获得所要求的外形。然而，在实现这些外形时，出现了从所要求的外形的边缘立起的大遮盖物或肋条。因此，离子铣不适用于新出现的膜。
用于新出现的膜的等离子腐蚀工艺较快，但这些工艺在某种程度上导致了不能接受的结构外形。因此，需要提供能够快速精确地处理用于最新半导体产品的新出现的膜的工艺。

发明内容
本发明针对一种等离子腐蚀反应器，它能够成功地处理用于高密度半导体器件的新出现的膜。
本发明提供的等离子反应器具有反应室和接地的上电极，与高频电源和低频电源连接的下电极，定位于上下电极之间的外围或环形电极。所说的外围或环形电极的电位能够浮置。另外，环形电极可以接地。这种反应器可成功地处理用于高密度半导体产品的最新出现的膜。
本发明再一目的是提供带有磁体的反应室，所说磁体用于产生高磁场，并由此产生足够密度的等离子体，用于成功地腐蚀最新出现的膜。
本发明再一目的是具有受一种或更多的电源控制的等离子体的密度和腐蚀特性。
为了实现上述目的，本发明提供一种腐蚀晶片的方法，包括以下步骤将晶片放置于与第一电极关联的反应室内；从第一电源给所述第一电极在约1200伏电压施加第一功率；从第二电源给所述第一电极在约300伏电压施加第二功率；与所述施加步骤关联地，向所述反应室内引入处理气；与所述施加步骤和所述引入步骤关联地，在所述反应室内形成低于150毫乇的压力；用磁限制控制所述反应室内的等离子体；和在所述晶片上腐蚀结构；其中，所述放置步骤包括放置至少包括锆钛酸铅(PZT)、铂(Pt)、铱(Ir)、钛酸锶铋(Y-1)、钛酸锶钡(BST)、氧化铱(IrO2)、钌(Ru)、和氧化钌(RuO4)中一种膜的晶片。
本发明还提供一种在晶片上腐蚀亚微米结构的方法，包括将晶片放置于反应室的与电极关联的晶片夹盘上，所述晶片包括其上淀积有锆钛酸铅(PZT)、铂(Pt)、铱(Ir)、钛酸锶铋(Y-1)、钛酸锶钡(BST)、氧化铱(IrO2)、钌(Ru)、和氧化钌(RuO4)中至少一种膜的衬底；向所述反应室内引入处理气；与所述引入步骤关联地，在约1200伏电压从第一电源给该电极施加功率；与所述引入步骤关联地，在约300伏电压从第二电源给该电极施加功率；与所述引入步骤关联地，给所述反应室施加磁限制；及在约150毫乇或以下的压力操作所述反应室，以便在所述晶片上腐蚀亚微米结构。
从以下的说明书、权利要求书及附图中可以得到本发明的其它目的和优点。


图1是本发明等离子腐蚀反应器的剖面图。
图2是带有附加增强处理气引入喷嘴与图1类似的示图。
图3a和3b分别是本发明喷嘴的优选实施例的端部和侧面剖面图。
图4a-4d分别是本发明喷嘴的另一优选实施例的示意图、侧面剖面图、部分放大侧剖图和端部示图。
图5a-5c分别是本发明喷嘴的再一优选实施例的侧剖图、部分放大的剖面图、端部示图。
图6a-6c分别是本发明喷嘴的又一优选实施例的侧剖图、部分放大的剖面图、端部示图。
图7是本发明实施例的与外围电极有关的磁体设置的透视图。
图8所示是与图7的磁体有关联的本发明实施例的与上电极有关的磁体的设置的透视图。
具体实施例方式
参考各附图，具体参考图1，该图是本发明等离子腐蚀反应器20的实施例的侧剖图。该反应器20是对美国专利4464223中所描绘和记载的反应器的改进和提高，在此引入该专利作为参考。
反应器20包括由接地的上电极24、侧壁外围电极26和下电极28界定的反应室22。侧壁外围电极26接地或具有浮置电位，工作时可以利用等离子体充电。在优选实施例中，下电极28与电源30连接，电源30给下电极28提供频率最好是13.56MHz(或其数倍)和功率最好是900W且电压最好是1200V的功率。在优选实施例中，高频电源可以工作于10W至高达2000W。应理解，这是一种高频电源(最好在射频范围)，且频率最好可以在2MHz-40MHz范围且高达约900MHz。最好还可以在100W-3000W的范围和电压为200-5000V的条件下供电。
另外第二电源32与下电极28连接。第二电源32最好工作在450MHz，最好在100W和300V的电压下供电。这是一种低频电源。应理解，这种电源(最好在射频范围)可以工作在约100KHz至约950KHZ(最好为1MHz以下)，功率为10W-2000W，电压为10V-5000V。与下电极28连接的还有DC电源34。高频电源控制离子流，而低频电源独立地控制离子能量。
控制电源且主要是控制高频电源，可有利地控制腐蚀等离子体的密度，从而提供优秀的腐蚀特性。另外，反应器20设计成可以提供增强的等离子体密度范围，并且可以通过控制电源从该范围内选择最佳等离子体密度。
有关接地的上电极24是一种中心喷嘴36，其作用是向反应室22中喷入指向半导体晶片48的处理气体射流。如以下将更具体讨论的，来自喷嘴36的处理气射流能够有效地到达半导体晶片48的表面，在半导体晶片48的整个表面上提供新鲜且均匀分布的处理气。
在接地的上电极24和喷嘴36正上方的是排气管38，用于从反应室22排放所消耗的气体。应理解，为了从反应室22抽空气体物质，给排气管38安装一泵(未示出)。
如图1所示，在上电极24和喷嘴36正下方的是伸出的外围挡板40。挡板40由绝缘材料构成，如以下所述，其伸到喷嘴36和等离子体腐蚀反应器20的外壳44之间的排气通道42中。伸出的挡板40确保了来自喷嘴36和反应室22中的固态源50的各种气体能很好地混合。
位于伸出的挡板40正下方且在该实施例中引入到侧壁外围电极26中的是一个磁体或多个磁体46。另外最好在上电极24中引入一个磁体或多个磁体47。如以下将讨论的，这些磁体46和47中的一种或两种限定了绕反应室22且与其相符的磁限制室。该磁限制室确保了反应室中带电的离子不会从中泄漏，并且带电的离子集中在半导体晶片48周围。这种磁限制室禁止带电离子聚集在反应室22的壁上。
侧壁外围固态源50覆盖侧壁外围电极26和磁体46。在不给环形电极26供电时，该优选实施例中不需要这种固态源50。然而，如果除上述电源外，给固态源50提供高频电源，则该固态源50将提供气体形式的新型源，这种源可以通过例如射频激发的离子的轰击进行溅射，所说离子将来自固态源50的气体物质的原子撞击或冲刷(erode)到反应室22中。来自固态源表面的气体物质的冲刷会受电源脉冲的影响。关于另一优点，在固态源的表面部分冲刷时，不会因气体物质的结合而在冲刷表面上形成颗粒。所以避免了在固态源的冲刷部分上形成这种颗粒污染。以下讨论各种固态源50。
晶片夹盘52位于固态源50正下方，用于相对于反应室22定位半导体晶片48。晶片夹53固定晶片夹盘52上的晶片48。该实施例中，晶片夹盘52及下电极28可以垂直向下移动，以便插入和取出晶片48。
该实施例中，如果需要，可以利用冷却水歧管54冷却侧壁外围电极26和磁体46。还应理解，如果需要，还可以利用热水歧管56加热固态源50。加热固态源50特别是其暴露的前表面的其它方法有电阻加热、感应加热、及由灯和其它光子源提供的辐射热能。
伸出的挡板40及磁体的结构，以及来自喷嘴的处理气体射流和从固态源冲刷出的气体物质(如果电源与外围环形电极26连接的话)在半导体晶片的表面附近提供了高密度等离子体。这种结构极大地提高了可以在反应室22内获得的密度范围。
现有装置不可能有上述工作范围。应理解，一个以上的上述特征可用于扩大等离子体密度范围，并由此改进腐蚀工艺，它们属于本发明的精神范畴和本发明的范围。
反应器20的另一实施例如图2所示，其中与上述类似的元件用类似的数字表示。图2中，改变了喷嘴36，以便提高反应室22中的气体物质的混合均匀性。如图2所示，喷嘴36包括可以在数个方向引导处理气射流的歧管70。歧管70具有水平且平行于上电极24引导处理气射流的水平开口72和74。开口76引导垂直向下到晶片48上的气体射流。开口78和80以偏离水平方向的方向主要是向着晶片48的外围引导处理气射流，以确保处理气的均匀分布和/或气体物质的很好混合。该实施例中，歧管70的各开口与伸出的挡板40结合可以确保(1)从固态源50溅射或冲刷的气体物质(如果电源与外围环形电极26连接)与(2)来自喷嘴的各开口的处理气能在半导体晶片48的表面上很好地混合。
现有技术的装置一般在300-500毫乇下进行腐蚀，该范围比由本发明反应器实现的低压高一到两个数量级。关于现有技术的半导体器件需要的亚微米结构的腐蚀，要求低压操作。然而，低压下，更难保持高密度等离子体。
关于图1和2的实施例，本发明实现了含有低压(3-5毫乇)、高等离子体密度(晶片处为1011cm3)且低离子能量(低于15-30电子伏特)等离子体的磁场。一般情况下，低压操作在约150毫乇或约100毫乇以下，最好在约20毫乇或约10毫乇以下。关于亚微米(亚微米指0.5微米)器件，等离子体源必须以晶片处的低压、及高密度的激发气体及低离子能量进行操作，以便得到优良的腐蚀结果。通过减少对整体成品率有相反影响的钻蚀晶片结构及微负载效应(比低密度结构更快地腐蚀高密度结构)，低压等离子体改善了腐蚀的整体质量。然而，低压要求在晶片处有高密度等离子体，以增加与正在腐蚀的半导体晶片上的膜反应的的等离子体的数量，以保持很快的腐蚀速率。很快的腐蚀速率是实现高平均产量的一个因素。而且，低离子能量导致了腐蚀选择性的提高，并减少了晶片损伤，两者都提高了整体成品率。可以预计本实施例可以在约150毫乇以下操作。
本发明的反应器20可用于腐蚀要求不同腐蚀化学试剂或方法的不同衬底或薄膜。本发明的实施例主要用于腐蚀新出现的膜。一般情况下，这种化学试剂包括两种以上的如下气体氦气、含氦气体、惰性气体、和二价气体。
下面更具体地介绍上述各结构。
固态源另外，应记住，只有在电源与外围环形电极26连接的情况，固态源才进行工作。然而，在另一实施例中如果电源，高频电源最好如电源30与外围电极26连接，则如下进行。
已确定从固态源50冲刷或溅射的气体物质或没有从固态源50冲刷或溅射的气体物质对于在等离子腐蚀反应器20中进行的腐蚀工艺具都有显著的影响。例如，固态源50可以由如二氧化硅(SiO2)或石英等介质材料构成，射频激发离子的轰击将来自固态源的硅和氧气体离子提供到反应室。另一类型的介质源可以包括如氧化铝(Al2O3)等陶瓷。在被激发气体离子撞击时，这种陶瓷具有低溅射或冲刷率，适用于不需要或要求有来自固态源的附加分布的情况。具体说，关于氧化铝，对于约600V峰到峰的电源，观察到很少或观察不到溅射。在该阈值以上，从氧化铝固态源发出溅射。
一般情况下，固态源可以由半导体材料、介质材料或导体构成。实际上，可以用包括电极的材料作为固态源，这些材料可以被冲刷提供对于反应室中的等离子体合适的气体物质。除氧化铝外的其它金属氧化除外，合适的介质材料还包括氮化硅(Si3N4)。半导体材料可以包括碳化硅(SiC)。
固态源50的表面温度最好在80℃以上，以便提供合适的溅射。此温度下，合适的激发离子冲刷这些固态源的表面，固态源不会变成由如这里所述的气体物质形成颗粒的冷沉(cooling sink)，这些颗粒能分裂并能污染反应室22。如上所述，从固态源50的气体物质的冲刷或溅射率可以由高频电源(未示出，但与电源30类似)控制。通过提高电源(未示出，但与电源30类似)，可以用较高能量的离子轰击固态源50，以便为了腐蚀工艺的目的增大从固态源的气体物质的冲刷率。例如，用二氧化硅固态源时，由于从二氧化硅溅射的气体物质可以钝化半导体晶片的垂直表面，从而使这种表面不会被气体腐蚀剂钻蚀，所以增强的轰击可以增强各向异性腐蚀。
气体源除相对从固态源冲刷出的气体物质介绍的上述益处之外，还可以通过向处理气中引入具有源于从固态源的表面冲刷出的气体物质的效果的气体实现这种益处。例如，可以利用处理气引入气体形式的四乙氧基原硅烷(TEOS)。TEOS是腐蚀过程中硅和氧的来源。处理室中的TEOS提供了与具有这里所述对腐蚀工艺有利的优点的二氧化硅(SiO2)固态源相同的气体物质。另外，应注意，固态源和这种物质的气态源的组合也属于本发明的精神范畴和范围。
喷嘴图3a-3b、4a-4d、5a-5c、6a-6c展示了可用于上述发明的喷嘴装置的另外的优选实施例。常规喷嘴装置一般构成为具有200个开口的“喷头”结构，处理气从这些开口中喷出。这种装置可以确保处理室内处理气，特别是正在处理的半导体晶片表面气体的均匀分布。已发现现有技术的装置会产生已与晶片表面反应的所用气体的滞流层，所以降低了流向该表面的新处理气体的均匀性。本发明改进了现有技术的这种喷嘴。本发明包括产生单独且准直的处理气射流的喷嘴，这些处理气在晶片表面附近聚合在一起，在晶片表面处形成均匀分布。气体的速度和喷射量应确保新鲜处理气到达晶片的表面。于是，新鲜处理气均匀分布于半导体晶片表面。这些处理气的射流激起了晶片表面的气体，产生了处理气和来自固态源的冲刷气物质的均匀分布。
图3a和3b展示了具有标记为92的开口的单开口喷嘴90。该喷嘴最好由氧化铝构成。由于该装置，一个气体射流射向半导体晶片。
图4a-4d展示了本发明另一优选实施例的喷嘴94，该喷嘴也由氧化铝构成。该实施例中，喷嘴94包括限定指向半导体晶片的数个处理气射流的十二个开口。各射流最好以偏移垂直方向的角度取向，每个射流的中心线指向晶片的外围边缘。这种装置对于确保新的处理气在晶片表面的均匀分布也是有益的。如4d所示，各开口分布于喷嘴表面的外围。
图5a-5c展示了本发明又一实施例的喷嘴98。该实施例中，示出开口99呈星形，某些开口设置于喷嘴98表面的外围(图5c)，而另一些开口中心设置，喷嘴中心线上有一个开口。与源于图4a的喷嘴的气体相同，图5a的喷嘴的射流相对于垂直方向呈一角度，所以既指向半导体晶片的主体，也指向半导体晶片的边缘，从而提供均匀分布的处理气体。
图6a-6c展示了本发明又再一优选实施例的喷嘴100。该实施例中，开口102基本上指向垂直于嘴喷与半导体晶片间的垂直线的方向。该实施例中，喷嘴指向侧壁上的固态源，用以确保来自固态源的气体物质与处理气很好地混合。
新出现的膜应注意，上述反应器特别适于腐蚀用于新芯片设计的一类新出现的膜。例如，这些反应器结构适于腐蚀一般用于高密度DRAM器件开发的铂(Pt)。另外，这些反应器还适于一般用于非易失性铁电随机存取存储(FRAM)器件的开发的锆钛酸铅(PZT)。此外，该反应器还适于腐蚀铱(Ir)。另外，可利用该装置和方法成功地腐蚀的另一新出现的膜由钛酸锶铋(BST)构成，尽管这些新膜对于改进电路性能有利，但它们独特的特性使得它们很难腐蚀，因此，需要本发明的更先进的腐蚀工艺技术。可用本优选实施例处理其它的新出现的膜包括钛酸锶钡(Y-1)、氧化铱(IrO2)、钌(Ru)和氧化钌(RuO4)。
应理解，这些新出现的膜对于最新的半导体器件具有显著的优点。例如，用于老半导体器件的介质具有2-4的介电常数。而PZT的介电常数为1400。所以利用这种膜的新存储器件可以相当小(具有较小的结构)和更大的存储容量。另外，这种膜可用于形成可代替如EPROM、SRAM等器件的DRAM和非易失性存储器的电容。
已观察到，下电极28的双频有利于成功地腐蚀最新半导体产品的新出现的膜。这种配置可用于腐蚀适于各向异性侧壁外形的器件结构，从而与为约0.25微米以下的亚微米范围的减小临界尺相适应。
磁限制上述相同的磁体46、47绕反应室22提供磁限制，以确保可以低压形成高密度等离子体。应记住，等离子体是通过气体原子与电子的碰撞产生的，产生离子以在低压下形成高密度的等离子体。本发明通过增大电子通过等离子体的总路径长度并将离子到反应器壁的损失减至最小，实现在低压下产生高密度的等离子体。向等离子体行进的电子被磁场反射回进入等离子体，由此加长了电子路径的长度。
关于本发明，磁体可以是电磁体或永久磁体，两者都属于本发明的精神和范围。这些围绕腐蚀室的磁体产生一个静磁场罩。磁场的作用仅存在于反应壁附近，实际上晶片上没有磁场，所以产生了固有的均匀等离子体。由于利用了较强的磁限制，磁体具有保护电极的作用，几乎不发生对电极的侵蚀。较弱的限制对电极和固态源有较大的侵蚀。
如此设计由磁体46、47形成的磁限制以聚集等离子体，并可以具有保护处理室部件的作用，包括各电极不被等离子体侵蚀。所以，由于减少了替换电极的花费，极大地节约了成本。
图7和8展示了分别与侧壁电极26和上电极24有关的磁体46、47的设置。如图7所示，具有多个相对于电极26建立的狭缝60。在优选实施例中，每个狭缝60中都填有磁体46。这些位于固态源50后的磁体影响了来自固态源50的气体物质的冲刷率。如上所述，在没有磁体的情况下，可能会有太多的气体物质从固态源冲刷出来，并因而影响了腐蚀速率。
应注意，这些磁体是极面磁体，其北极和南极在磁体的表面62和相对表面64上。另外磁体可设置成首先使一个磁体46的北极面指向处理室中心，然后使第二磁体46的南极面指向处理室的中心。这样绕电极26的外围重复设置。
图8展示了与上电极24有关的磁体47的设置。另外，这些磁体是极面磁体。其北极和南极从磁体的侧面延伸。对于图8的结构，磁体交替设置，首先使北极然后使南极面向处理室。
关于该实施例，本发明的磁限制室最好用强稀土磁体，以便在反应室内提供对等离子体的最佳限制。稀土磁体将电子和气体离子从反应室22中的泄漏效应减到最小。这有助于增大等离子体的密度。在一个优选实施例中，稀土磁体由钐钴构成。这些磁体的表面最好具有2000高斯至2200高斯之间的磁场强度。然而，一般情况下，这些稀土磁体的表面可以具有1500-2500高斯的磁场强度。
在一个特定实施例中，外围电极26具有在反应器20的外围边到边设置的十八个这种稀土磁体(图7，8)。一个优选实施例中，接地的上电极24具有有关的二十四个这种稀土磁体(图8)。这些磁体设置成在反应室22中提供对称的磁场，关于与接地的上电极24有关的稀土磁体47，这些磁体绕中心点按所说的方式设置。该设置包括从中心点向外围延伸的磁体和从外围向短距离的中心点延伸的较短磁体。如上所述，这种稀土磁体对反应室22壁处的带电颗粒和电子具有最大的排斥力。利用这种结构，没有过多的气体物质的溅射或冲刷(特别是在外围电极26接地或浮置时)，所以可以用二氧化硅(SiO2)作固态源，而不用更昂贵的氧化铝(Al2O3)。
反应室如上和下所述，为提高等离子体的均匀性，特地设计了本发明的反应室，关于反应室22的物理特性，如上所述，挡板40和喷嘴36、70的设置对反应室22内处理气体的均匀性有作用。挡板40确保了从固态源50的表面冲刷出来的气体物质(特别是在电源与外围电极26连接时)不会通过排气管38立即被泵抽出，但可以与反应室中半导体晶片48附近的气体混合。另外，具有垂直、水平和以偏斜角度引导气体射流的开口的喷嘴38，确保了来自固态源的任何气体物质与来自喷嘴的处理气体充分混合，给半导体晶片48提供这种均匀的混合物。
可以使从喷嘴到半导体晶片表面的反应室的高度最佳化。现有技术装置的高度为5″。已发现，具有上述高度，也可以使喷嘴设置最佳化，以便来自喷嘴的气体射流在半导体晶片的表面产生均匀的处理气分布。所以，也考虑改变反应器的高度，可以相对腐蚀工艺包括利用固态源的腐蚀工艺最佳化与室压力相比的喷嘴型式。尽管在优选实施例中，反应室的直径约为14″，但该高度与反应室的直径无关。例如，关于在反应室22中，在二到三毫乇的压力下的优选操作，反应室的高度最好约为4″。在高度小于4″时，射流仍将准直，所以导致了晶片表面上不均匀的散布。在高度大于4″时，射流在半导体晶片的表面上结合在一起，所以不能在晶片形成处理气体的均匀分布。
关于给定的喷嘴结构，已发现，在处理室内有压力的反应室22的高度应恒定，以便提供最佳性能。所以，如上所述，高度为4″和压力为二到三毫乇时，可以实现最佳性能。为了实现最佳性能，压力和高度值的范围包括对应于100毫乇高度为1/10英寸至对应于一毫乇压力高度为10英寸。也就是说，随着反应室内压力增大，反应室的高度可以减小，随着压力减小，高度将增大，以提供(1)从固态源的冲刷出的气体、(2)入射的处理气体、与(3)来自晶片表面的反应产物最好地混合。
上述本发明的效果在于(1)提高了选择率(即例如保护氧化衬底)，(2)加强了腐蚀工艺的外形控制，及(3)加强了线宽控制(即，保护了光刻胶不被腐蚀，以便从光刻将正确的线宽传递到晶片上)。
综上所述，可以得知，本发明提供了一种能够成功地腐蚀用于制造如高密度半导体存储器等高密度半导体器件的新出现的膜的装置和方法。
通过阅读附图和权利要求书可以得到本发明的其它特征、方案和目的。
应理解，可以开发出本发明的其它实施例，但它们都将属于本发明的精神范畴和本发明的范围。
权利要求
1.一种腐蚀晶片的方法，包括以下步骤将晶片放置于与第一电极关联的反应室内；从第一电源给所述第一电极在约1200伏电压施加第一功率；从第二电源给所述第一电极在约300伏电压施加第二功率；与所述施加步骤关联地，向所述反应室内引入处理气；与所述施加步骤和所述引入步骤关联地，在所述反应室内形成低于150毫乇的压力；用磁限制控制所述反应室内的等离子体；和在所述晶片上腐蚀结构；其中，所述放置步骤包括放置至少包括锆钛酸铅(PZT)、铂(Pt)、铱(Ir)、钛酸锶铋(Y-1)、钛酸锶钡(BST)、氧化铱(IrO2)、钌(Ru)、和氧化钌(RuO4)中一种膜的晶片。
2.如权利要求1所述的方法，包括操作其中具有至少一种所述膜的反应室，以便腐蚀亚微米结构。
3.如权利要求1所述的方法，包括给所述第一电极在约13.56MHz加第一功率；及给所述第一电极在约450KHz加第二功率。
4.如权利要求1所述的方法，包括操作所述反应室，以腐蚀铁电随机存取存储器(FRAM)。
5.如权利要求1所述的方法，包括施加10W到约2000W之间的所述第一功率；及施加在100W到约3000W之间的所述第二功率。
6.如权利要求1所述的方法，包括使第二电极浮置或具有地电位。
7.如权利要求1所述的方法，包括利用固态源与至少来自所述第一电源的功率结合，以与引入所述反应室的所述处理气关联地、产生等离子体。
8.如权利要求1所述的方法，包括用稀土磁体控制所述反应室内的等离子体。
9.如权利要求1所述的方法，包括利用极面磁体控制所述反应室内的等离子体。
10.如权利要求9所述的方法，包括将第三电极接地。
11.如权利要求1所述的方法，包括所述形成步骤包括与所述施加步骤和所述引入步骤关联地、在所述反应室内形成50毫乇的反应室内压力。
12.如权利要求9所述的方法，包括使与所述反应室关联的第二电极浮置或具有地电位。
13.一种在晶片上腐蚀亚微米结构的方法，包括将晶片放置于反应室的与电极关联的晶片夹盘上，所述晶片包括其上淀积有锆钛酸铅(PZT)、铂(Pt)、铱(Ir)、钛酸锶铋(Y-1)、钛酸锶钡(BST)、氧化铱(IrO2)、钌(Ru)、和氧化钌(RuO4)中至少一种膜的衬底；向所述反应室内引入处理气；与所述引入步骤关联地，在约1200伏电压从第一电源给该电极施加功率；与所述引入步骤关联地，在约300伏电压从第二电源给该电极施加功率；与所述引入步骤关联地，给所述反应室施加磁限制；及在约150毫乇或以下的压力操作所述反应室，以便在所述晶片上腐蚀亚微米结构。
14.如权利要求13所述的方法，包括在约10W-约3000W范围之间给所述电极施加功率。
15.如权利要求13的方法，包括使与所述反应室关联的第三电极接地。
全文摘要
一种腐蚀晶片的方法，包括以下步骤将晶片放置于与第一电极关联的反应室内；从第一电源给所述第一电极在约1200伏电压施加第一功率；从第二电源给所述第一电极在约300伏电压施加第二功率；与所述施加步骤关联地，向所述反应室内引入处理气；与所述施加步骤和所述引入步骤关联地，在所述反应室内形成低于150毫乇的压力；用磁限制控制所述反应室内的等离子体；和在所述晶片上腐蚀结构；其中，所述放置步骤包括放置至少包括锆钛酸铅(PZT)、铂(Pt)、铱(Ir)、钛酸锶铋(Y－1)、钛酸锶钡(BST)、氧化铱(IrO
文档编号H01J37/32GK1549309SQ200410003859
公开日2004年11月24日 申请日期1997年1月23日 优先权日1996年7月3日
发明者斯蒂芬·P·德奥尼拉斯, 艾尔弗德·科弗, 罗伯特·C·韦尔, C 韦尔, 德 科弗, 斯蒂芬 P 德奥尼拉斯 申请人:泰格尔公司