专利名称：发光二极管照明装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管照明装置。
背景技术：
发光二极管(LED， Light Emitting Diode)以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集 成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域，可参见 Joseph Bielecki等人在文献Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium, 2007. SEMI-THERM 2007, Twenty Third Annual IEEE中的Thermal Considerations for LED Components in an Automotive Lamp—文。
由于发光二极管自身亮度高，在其被点亮以用于照明的时候会产生大量的光和热，然而 发光二极管自身的体积较小，因此照明过程中所产生的光和热较为密集，从而产生较为强烈 的眩光。在眩光的影响下，人眼受到的刺激比较大而且极易产生疲劳或不适。
有鉴于此，有必要提供一种发光均匀的发光二极管照明装置。
发明内容
以下将以具体实施例说明一种发光均匀的发光二极管照明装置。 一种发光二极管照明装置，其包括至少一个发光二极管光源，至少一个导光体，以及一 个光扩散板，所述至少一个导光体分别为台体，其分别包括一个入光面以及一个出光面，所
述发光二极管光源与所述入光面相对设置；所述光扩散板位于所述至少一个导光体的出光面一侧。
与现有技术相比，所述发光二极管照明装置包括至少一个导光体以及一个光扩散板，所 述至少一个导光体可接收来自发光二极管光源的点出射光线并将该点出射光线耦合为面出射
光线，该面出射光线可经由导光体的出光面出射至所述光扩散板，该光扩散板接收从出光面 出射的光线，并将该光线扩散以使其均匀出射，从而该发光二极管照明装置具有发光均匀的 优点。
图l是本发明实施例所提供发光二极管照明装置的结构示意图。
图2是图1所示发光二极管照明装置的结构分解示意图。
图3是本发明实施例所提供的具有反射罩的发光二极管照明装置的侧视图。
具体实施例方式
以下将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。
参见图1及图2，本发明实施例所提供的一种发光二极管照明装置10包括三个发光二极管 光源ll,三个导光体12以及一个光扩散板13。
所述发光二极管光源ll可包括一个或多个发光二极管芯片，例如氮化镓(GaN)发光二极 管芯片、氮化铟镓(InGaN)发光二极管芯片或磷化铝铟镓(AlInGaP)发光二极管芯片或及组合 等。本实施例中，所述三个发光二极管光源ll各包括一个氮化镓发光二极管芯片。
所述三个导光体12分别与所述三个发光二极管光源11相对设置，用于将发光二极管光源 ll耦合成为面光源。该导光体12可接收并耦合所述发光二极管光源11产生的光线，进而将耦 合后的光线输出至所述光扩散板13。该导光体12由透光材料制成，其形状可为棱台、圆台、 球台、椭球台或抛物台等台体。该导光体12包括入光面120、出光面122以及侧面124。所述 入光面120与发光二极管光源11相对设置，用于接收与其相对的发光二极管光源ll产生的光 线，以使该光线入射至导光体12内。所述出光面122用于将导光体12内部的光线输出至所述 光扩散板13。所述侧面124用于将入射至其上的光线反射回导光体12内，以使被其反射后的 光线从所述出光面122出射。
本实施例中该导光体12为棱台，所述入光面120、出光面122分别为棱台的上底面、下底 面。所述侧面124位于入光面120及出光面122之间且与入光面120及出光面122相接，该侧面 124具有预定的倾斜角度以使入射至其上的光线发生全反射，从而使发生全反射后的光线返 回至导光体12内部。该侧面124上还可形成有材质为反光油墨的反光膜或材质为铝、金或银 的反射板等，以提高侧面124的反射效率。当然，所述入光面120并不局限为棱台的上底面， 例如，该入光面120也可为棱台的侧面，从而发光二极管光源ll产生的光线可从棱台的侧面 入射至导光体12内，并经由棱台的下底面出射至光扩散板13。
所述光扩散板13与所述导光体12的出光面122相对设置，用于接收从所述出光面122出射 的光线，并扩散该光线以输出至光扩散板13的外部。该光扩散板13由透光材料制成，如聚甲 基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate)、聚碳酸酯(Polycarbonate)、环氧树脂(Epoxy Resin)、聚丙烯酸酯(Polyacrylate)、硅树脂(Silicone)或玻璃等，其形状可为立方体。该 光扩散板13包括一个光入射面130， 一个光出射面132，多个凸起134，以及侧面136。
所述光入射面130与所述出光面122相对设置且紧贴所述出光面122，用于接收从所述出 光面122出射的光线，以使所述出光面122出射的光线入射至光扩散板13内部。
所述光出射面132与所述光入射面130相对设置，且位于所述光入射面130的远离所述出光面122的一侧，用于将光扩散板13内的光线输出至光扩散板13外部。
所述多个凸起134设置在光出射面132上，该凸起134会使经由光出射面132出射的光线发 生不规则的折射，从而可避免光线集中朝向某个单一的方向射出，进而避免眩光现象的发生 。在此，该凸起可为半球形凸起，其直径优选为小于或等于5毫米。当然，该光扩散板13的 防眩光设计还可采用不同于上述凸起134的设计，例如，采用压印或射出成型等方法在所述 光出射面132上形成凹洞来代替所述凸起134;或采用研磨或喷砂等方法将该光出射面122力口 工成为粗糙的雾化表面；或在射出成型工艺中向光扩散板13内部掺杂与光扩散板13折射率不 同的微粒，该微粒材质可选自氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氟化钙、硫酸钡、氧化锌 、氧化硼、氧化铌、氧化钠、氧化锂及其组合；或采用高能量密度的电磁波照射光扩散板 13,以在光扩散板13内部形成空气孔隙或材料缺陷等。
所述侧面136与光出射面132相邻设置，该侧面136上涂有反光油墨，或镀有高反射率的 金属材料如铝、金或银等，用于将入射至其上的光线反射回光扩散板13内部，以使光线从光 出射面132出射。
优选的，参见图3，所述发光二极管照明装置10还包括三个反射罩14。该三个反射罩14 分别设置在所述三个发光二极管光源11的远离所述导光体12入光面120的一侧。所述反射罩 14可将来自发光二极管光源11的、入射至其上的光线反射向所述导光体12的入光面120，以 使该光线从入光面120入射至导光体12内部，从而可提高光的利用效率。所述反射罩14可为 锥形、圆球形或椭球形等。
可以理解的是，所述光扩散板13的光出射面132并不局限于与入射面130相对，该光出射 面132也可以是入射面130相邻设置的，从而所述侧面134与光出射面132相对或相邻设置；而 且，所述导光体12、光扩散板13并不一定是两个独立的结构单元，该导光体12与光扩散板 13也可以是一体成型的，从而经由导光体12耦合的光线可全部入射至光扩散板13内部，进而 提高光的利用效率。另外，所述发光二极管光源11及光扩散板13的数目也不局限为三个，其 还可以是一个、两个、四个或更多。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化，如适当变更光扩散板光出射面 的微结构形状或尺寸大小，适当变更光扩散板的光出射面与光入射面的位置关系，适当变更 发光二极管光源及导光体的数目，适当变更导光体的入光面设置等，只要其不偏离本发明的 技术效果均可。这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内
权利要求
权利要求1一种发光二极管照明装置，其包括至少一个发光二极管光源，其特征在于，该发光二极管照明装置还包括至少一个导光体，其分别为台体，所述至少一个导光体分别包括一个入光面以及一个出光面，所述发光二极管光源与所述入光面相对设置；以及一个光扩散板，其位于所述至少一个导光体的出光面一侧。
2.如权利要求l所述的发光二极管照明装置，其特征在于，所述台体 为棱台、圆台、球台、椭球台及抛物台中之一。
3.如权利要求l所述的发光二极管照明装置，其特征在于，所述导光 体还包括位于所述入光面及出光面之间且与所述入光面及出光面相接的侧面，该侧面上形成 有反光膜或反射板。
4.如权利要求l所述的发光二极管照明装置，其特征在于，所述光扩 散板包括一个远离所述导光体出光面的光出射面，该光出射面为雾化表面。
5.如权利要求l所述的发光二极管照明装置，其特征在于，所述光扩 散板包括一个远离所述导光体出光面的光出射面，该光出射面形成有凹洞或凸起。
6.如权利要求l所述的发光二极管照明装置，其特征在于，所述光扩 散板内部掺杂有与该光扩散板折射率不同的微粒。
7.如权利要求6所述的发光二极管照明装置，其特征在于，所述微粒 的材质为氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氟化钙、硫酸钡、氧化锌、氧化硼、氧化铌、 氧化钠及氧化锂中之一或其组合。
8.如权利要求l所述的发光二极管照明装置，其特征在于，所述光扩 散板内部形成有空气孔隙或材料缺陷。
9.如权利要求l所述的发光二极管照明装置，其特征在于，该发光二 极管照明装置还包括反射罩，该反射罩设置在所述发光二极管光源的远离所述导光体入光面
10.如权利要求l所述的发光二极管照明装置，其特征在于，所述导 光体和光扩散板是一体成型的。
全文摘要
本发明提供一种发光二极管照明装置，其包括至少一个发光二极管光源，至少一个导光体，以及一个光扩散板。所述至少一个导光体分别为台体，其分别包括一个入光面以及一个出光面，所述发光二极管光源与所述入光面相对设置。所述光扩散板位于所述至少一个导光体的出光面一侧。该发光二极管具有发光均匀的优点。
文档编号F21V7/00GK101413639SQ20071020208
公开日2009年4月22日 申请日期2007年10月16日 优先权日2007年10月16日
发明者方瑞文, 曹治中, 杨宏智, 林玫君, 谢淑惠, 赖志铭 申请人:富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司