一种大功率led灯的制作方法

文档序号:2891556阅读:198来源:国知局
专利名称:一种大功率led灯的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种照明领域使用的灯,特别是一种出光效率、光斑一致性好的 大功率LED灯。
背景技术
传统大功率产品是在芯片表面直接涂敷荧光层,外封表面采用加盖塑料PC材质 透镜LENS,然后在LENS里注入硅胶的一种封装形式。 传统技术方案生产出的产品出光效率较低、光斑不均匀、还因表面外封技术在应 用环节受到焊接限制。 而传统的焊接又制约应用中的大批量生产,生产效率较低、生产成本较高,无法适 应现在国家对LED产品大规模推广使用的需求。

发明内容发明目的本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的不足,提供一种大 功率LED灯。 技术方案本实用新型公开了一种大功率LED灯,包括壳体,设置在壳体内的铜
柱,设置在铜柱内的发光芯片、在发光芯片上方的荧光粉层以及与铜柱连接的正、负接线
柱,在发光芯片与铜柱的接触面之间设有一层高导热银胶层,在发光芯片与荧光粉层之间
填充高折射硅胶层,在荧光粉层上方设有外封硅胶层。 本实用新型中,优选地,所述壳体为PPA外壳。 有益效果本实用新型为在芯片与荧光粉层之间填充一层高折射硅胶层,外封表 面采用model成型外封硅胶层取代加盖LENS技术,使LED产品在出光效率、光斑一致性方 面都取得了满意的效果,解决了因焊接问题技术难度制约应用大批量生产的瓶颈,同时提 高生产效率、降低了生产成本。
以下结合附图
具体实施方式
对本实用新型做更进一步的具体说明,本实用新型 的上述和/或其他方面的优点将会变得更加清楚。 图示为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
如图所示,本实用新型公开了一种大功率LED灯,包括壳体1,设置在壳体1内的铜 柱2,设置在铜柱2内的发光芯片3、在发光芯片3上方的荧光粉层4以及与铜柱2连接的 正、负接线柱8、9,在发光芯片3与铜柱2的接触面之间设有一层高导热银胶层5,在发光芯 片3与荧光粉层4之间填充高折射硅胶层6,在荧光粉层4上方设有外封硅胶层7。所述壳 体1为PPA外壳。
3[0012] 本实用新型所述的一种大功率LED灯在生产中主要包括以下四个步骤 步骤一、固晶固晶具有一定的方向性,以利于统一制程标准提高生产效率,发光
芯片通过导电胶直接固定在金属层上,热阻低,导热迅速。 步骤二、焊线由于前段固晶方向性合理,发光芯片的正负极焊线不会出现交叉短 接现象,制作流畅。 步骤三、点高折射硅胶点胶时控制好胶量,点微凹胶量使荧光粉层能有效的对杯 壁外圈反射光进行中和减少黄光圈。 步骤四、点荧光粉在荧光粉层下面点一层高折射硅胶层,发光芯片蓝光经过折射 后再与均匀的荧光粉层混光,形成的白光无黄斑光圈饱满。整个大功率管发光均匀,批量色 泽一致性好。 步骤五、封装采用model成型技术即在模型里注入透光性很好的外封硅胶填充 层,保证出光无空隙障碍,发光效率高。 本实用新型提供了一种大功率LED灯的思路及方法,具体实现该技术方案的方法 和途径很多,以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通 技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进 和润饰也应视为本实用新型的保护范围。本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术 加以实现。
权利要求一种大功率LED灯,包括壳体(1),设置在壳体(1)内的铜柱(2),设置在铜柱(2)内的发光芯片(3)、在发光芯片(3)上方的荧光粉层(4)以及与铜柱(2)连接的正、负接线柱,其特征在于,在发光芯片(3)与铜柱(2)的接触面之间设有一层高导热银胶层(5),在发光芯片(3)与荧光粉层(4)之间填充高折射硅胶层(6),在荧光粉层(4)上方设有外封硅胶层(7)。
2. 根据权利要求1所述的一种大功率LED灯,其特征在于,所述壳体(1)为PPA外壳。
专利摘要本实用新型公开了一种大功率LED灯,包括壳体,设置在壳体内的铜柱,设置在铜柱内的发光芯片、在发光芯片上方的荧光粉层以及与铜柱连接的正、负接线柱,在发光芯片与铜柱的接触面之间设有一层高导热银胶层,在发光芯片与荧光粉层之间填充高折射硅胶层,在荧光粉层上方设有外封硅胶层。有益效果本实用新型为在芯片与荧光粉层之间填充一层高折射硅胶层,外封表面采用model成型外封硅胶层取代加盖LENS技术,使LED产品在出光效率、光斑一致性方面都取得了满意的效果,解决了因焊接问题技术难度制约应用大批量生产的瓶颈,同时提高生产效率、降低了生产成本。
文档编号F21V29/00GK201547559SQ20092023597
公开日2010年8月11日 申请日期2009年10月15日 优先权日2009年10月15日
发明者张春华, 许杰, 钟日光, 魏久耕 申请人:宜兴市新得利电子有限公司
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