专利名称：：成膜方法、面板制造装置、退火装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及对等离子体显示器面板的保护膜进行成膜的技术，特别涉及对适于作为保护膜的MgO膜进行成膜的成膜方法及其成膜装置。
背景技术：
：历来，在等离子体显示器面板(PDP)中使用的玻璃基板，作为保护膜形成有MgO等的金属氧化膜。在保护膜的成膜方法中一般使用蒸镀法，在实际的生产线中，广泛使用通过成膜法，即在真空槽内部搬送基板，使其通过放出金属氧化物的蒸气的蒸镀源上的方法。通过成膜法与使基板相对于蒸镀源静止的成膜法相比，能够连续地对许多枚基板进行成膜处理，因此生产效率高。适于高效率地进行成膜。专利文献1日本专利申请特开2005-050688号公报专利文献2日本专利申请特开2000-021302号公报专利文献3日本专利申请特开平11-339665号公报专利文献4日本专利申请特开2002-117757号公报本发明要解决的课题MgO膜中(111)结晶取向强度高、膜密度高的膜适合于PDP的保护膜，但是当以通过成膜法在基板上形成MgO膜时，基板的四边中的作为与搬送方向平行的两侧边与中央部相比(111)结晶取向强度变低，此外，在膜密度中也产生不均。
发明内容用于解决课题的方法为了解决上述课题，本发明是一种成膜方法，将一边作为先头，使矩形的成膜对象物在真空气氛中移动，使上述成膜对象物与放出等离子体显示器用保护膜材料的蒸气的蒸发源面对，使上述保护膜材料的蒸气到达上述成膜对象物的表面并形成保护膜，之后，对上述成膜对象物进行加热并进行退火处理，其中，在上述成膜对象物的四边中，将与上述先头的一边呈直角的两边，与该两边的中央相比加热到高温，进行上述退火处理。本发明是一种成膜方法，一面将反应气体导入上述真空气氛，一面使上述保护膜材料的蒸气放出，对上述保护膜进行成膜，其中，在上述成膜对象物的四边中，对与上述先头的一边呈直角的两边的边缘部分，与该两边间的中央部相比，一面较多地喷吹上述反应气体一面形成上述保护膜。本发明是一种成膜方法，其中，在上述成膜对象物的四边中，比起与上述先头的一边呈直角的两边，一面将上述两边的中央加热到高温一面形成上述保护膜。本发明是一种成膜方法，其中，在上述保护膜材料的蒸气到达上述成膜对象物之前，在上述成膜对象物的四边中，比起与上述先头的一边呈直角的两边，预先将上述两边的中央加热到高温。本发明是一种成膜方法，其中，在将上述成膜对象物配置在1气压以上的加热气氛中的状态下，进行上述退火处理。本发明是一种面板制造装置，构成为具有成膜室；成膜材料室，内部空间经由开口连接于上述成膜室的内部空间；蒸发源，其为配置在上述成膜材料室内的等离子体显示器用保护膜材料的蒸发源；以及退火室，设置有退火用加热器，在将该成膜对象物的一边作为先头，一面使矩形的成膜对象物与上述开口面对，一面使其移动，在上述成膜对象物表面形成上述保护膜材料的蒸镀膜之后，将上述成膜对象物搬入上述退火室内，以上述退火用加热器进行加热，其中，该面板制造装置构成为，上述退火用加热器在上述成膜对象物的四边中，将与上述先头的一边呈直角的两边与该两边的中央相比加热到高温。本发明是一种面板制造装置，构成为具有反应气体导入系统，将反应气体导入上述成膜室内，上述反应气体导入系统在上述成膜对象物的四边中，对与上述先头的一边呈直角的两边的边缘部分，与该两边的中央部相比较多地喷吹上述反应气体。本发明是一种面板制造装置，构成为具有成膜用加热器，在上述成膜室内对上述成膜对象物进行加热，上述成膜用加热器在上述成膜对象物的四边中，比起与上述先头的一边呈直角的两边，将上述两边的中央加热到高温。本发明是一种退火装置，构成为将一边作为先头，使矩形的成膜对象物在真空气氛中移动，使上述成膜对象物与放出等离子体显示器用保护膜的蒸气的蒸发源面对，使上述保护膜材料的蒸气到达上述成膜对象物的表面并形成保护膜，之后，对上述成膜对象物进行加热并进行退火处理，其中，该退火装置具有退火室；气体导入系统，连接于上述退火室，导入包含氧的压力调整气体，使退火室为一气压以上的气氛；以及加热单元，对收容在上述退火室内的上述成膜对象物进行加热，上述加热单元将加热器相互平行地空开固定间隔而配置多个，能在加热器间的缝隙中配置上述成膜对象物，其中，上述加热器以将上述成膜对象物的与上述先头的一边呈直角的两边，与该两边的中央相比加热到高温的方式构成。本发明以上述方式构成，当对作为形成的保护膜的MgO膜的(111)结晶取向强度的分布进行测定，调查其强度变高的部分、和变低的部分时，在一面搬送成膜对象物一面进行成膜的通过成膜法的情况下，(111)结晶取向强度变低的部分是与成膜对象物的搬送方向平行的侧边。由于退火处理的基板温度越高(111)结晶取向强度变得越高，所以如果基于分布的测定结果，使预想(111)结晶取向强度变低的部分为高温，使预想(111)结晶取向强度变高部分为低温，进行退火处理的话，能够使(111)结晶取向强度的分布均勻。此外，在成膜中，相反地基板温度越低(111)结晶取向强度越高，成膜中的基板周围的压力越高(111)结晶取向强度越高。因此，在仅以退火处理时的温度差不能充分改善(111)结晶取向强度分布的情况下，使预想为(111)结晶取向强度变低的部分为低温，使预想为(111)结晶取向强度变高的部分为高温，进行成膜，或使预想为(111)结晶取向强度变低的部分暴露于高压气氛中，使预想为(111)结晶取向强度变高的部分暴露于低压气氛中。发明的效果在以通过成膜法在成膜对象物成膜MgO膜之后，通过使与成膜对象物的先头的一边呈直角的两边的边缘部分与上述两边的中央相比变为高温，进行退火处理，从而边缘部分的(111)结晶取向强度变强，因此改善(111)结晶取向强度的分布。图1是用于说明本发明的面板制造装置的示意侧面图。图2是用于说明本发明的面板制造装置的一部分的示意剖面图。图3是用于说明加热室和处理室的示意剖面图。图4是用于说明退火室的一个例子的示意剖面图。图5是用于说明退火室的一个例子的示意剖面图。图6是用于说明处理室的其它例子的示意剖面图。图7是表示MgO膜的膜厚分布的图表。图8是表示退火处理前的(111)峰值强度的分布的图表。图9是表示热处理温度和(111)峰值强度的关系的图表。图10是表示退火处理时的基板的温度分布的图表。图11是表示退火处理后的(111)峰值强度的分布的图表。图12是表示加热温度和(111)强度的半值宽度的关系的图表。图13是表示退火处理时的加热温度和放电延迟的关系的图表。图14是表示CL强度和经过时间的关系的图表。图15是表示(111)峰值强度和压力的关系的图表。图16是表示(111)峰值强度半值宽度和压力的关系的图表。图17是表示(111)峰值强度和密度、以及成膜中的基板温度的关系的图表。图18是表示(111)峰值强度和密度、以及成膜室的压力的关系的图表。附图标记说明5退火装置10基板12加热室13处理室14退火室22成膜室23成膜材料室3IMgO蒸发源33a、33b气体喷出管34气体喷出孔35反应气体导入系统3638加热器36a38a细长加热器具体实施例方式图1的附图标记1表示本发明的面板制造装置的一个例子。该面板制造装置1具有搬入室11、加热室12、处理室13、退火室14、冷却室15、以及搬出室16。搬入室11、加热室12、处理室13、退火室14、冷却室15、以及搬出室16经由隔离阀18而以该顺序连结，在内部设置有搬送机构。图2是用于说明加热室12、处理室13和退火室14的剖面图。加热室12、处理室13、和退火室14分别以真空槽4143构成。处理室13的真空槽42被划分为成膜室22和成膜材料室23。成膜室22具有细长形状，在一端和另一端具有利用隔离阀18的入口和出口。成膜材料室23位于成膜室22的下方，连接于成膜室22。在成膜材料室23的内部的、成膜材料室23和成膜室22连接的部分的正下位置，配置有MgO蒸发源31。MgO蒸发源31具有坩埚，在该坩埚的内部配置有粒状的MgO。此外，在成膜材料室23设置有电子枪32。构成为当使电子枪32工作时，对坩埚内的MgO照射电子线，放出MgO的蒸气。在成膜室22和成膜材料室23的连接部分配置有限制板27。在限制板27的、MgO蒸发源31上部形成有开口28，从MgO蒸发源31放出的MgO蒸气通过开口28侵入成膜室22内。图2的附图标记29表示搬送机构，搬送机构29分别设置在加热室12的真空槽41、处理室13的成膜室22、退火室14的真空槽43(退火室)。在搬送机构29安装有保持单元30。作为成膜对象物的基板(例如玻璃基板)10被保持在保持单元30，通过入口从加热室12的真空槽41被搬入成膜室22，在成膜室22内从入口向出口被搬出之后，通过出口被搬入退火室14的真空槽43内。限制板27的开口28位于搬送基板10的搬送路径的下部。基板10在通过开口28上时与开口28面对，MgO的蒸气到达。处理室13具有一根或多根气体喷出管33a、33b，各气体排出管33a、33b配置在成膜室22内部的、基板10移动的平面和成膜材料室23之间。在这里，气体喷出管33a、33b的数量是两根。当将成膜室22的入口侧作为上游、将出口侧作为下游时，气体喷出管33a、33b分别与开口28的上游侧端部相比位于上游侧、与下游侧端部相比位于下游侧，不妨碍从开口28放出的MgO的蒸气侵入成膜室22内部。各气体喷出管33a、33b是直线状，朝向与基板10通过搬送机构29移动的方向(搬送方向)垂直的方向。各气体喷出管33a、33b连接于反应气体导入系统35，此外在这里，在各气体喷出管33a、33b中，在与搬送方向垂直的方向上成列设置有多个气体喷出孔34。反应气体导入系统35的反应气体被导入气体喷出管33a、33b之后，通过各气体喷出孔34喷出。各气体喷出孔34朝向基板10的搬送路径，基板10至少在开口28上移动时与喷出孔34面对，被喷吹反应气体。基板10是正方形、长方形等的四角形状，在其四边中，两边与搬送方向平行，另两边与搬送方向垂直，在与搬送方向垂直的两边中，将一边作为先头进行搬送。在将基板10的与搬送方向F平行的两边(与先头垂直的两边)作为侧边时，喷出口34的位置、间隔、直径等的设置条件被设定为，与基板10的中央部相比，在两侧边的边缘部分喷吹较多的反应气体。因此，在MgO蒸气到达基板10时，基板10的两侧边的边缘部被大量喷吹反应气体，由此与中央部相比被暴露在高压的气氛中。在加热室12和处理室13和退火室14的内部配置有加热器3638。加热器3638分别位于各室1214内部的室顶侧，在通过搬送装置29而移动的基板10中，背面与加热器3638面对。图3是为了说明加热室12和处理室13的加热器36、37的示意平面图、图4为了说明退火室14的加热器38的示意平面图。加热器3638分别具有多根细长加热器36a38a。各细长加热器36a38a在与基板10的搬送方向F平行的状态下，在与搬送方向F正交的方向上排列。当将与搬送方向F正交的方向的长度作为宽度时，加热器3638的宽度与基板10的宽度相同或比其宽，两端的细长加热器36a38a与基板10的两侧边面对，或与基板10的两侧边相比位于外侧。因此，基板10从宽度方向的一端到另一端被加热。此外，至少在处理室13的加热器37中，沿着搬送方向F的长度与开口28相同或比其长，在开口28的搬送方向F的一端到另一端配置。因此，在蒸气到达基板10的期间，基板10被加热器37加热，被维持在规定温度。各细长加热器36a38a从长尺寸方向的一端到另一端升温至均勻的温度，但该温度也能够按照细长加热器36a38a的每一个进行变更。加热室12和处理室13的加热器36、37以如下方式设定，即，位于两端部的细长加热器36a、37b与中央部的细长加热器36a、37a相比变为低温。另一方面，退火室14的加热器38以如下方式设定，即，位于两端部的细长加热器38a与中央部的细长加热器相比变为高温。因此，在加热室12和处理室13中，基板10的与搬送方向F平行的两侧边与中央部相比被加热到低温，在退火室14中，基板10的与搬送方向F平行的两侧边与中央部相比被加热到高温。接着，对使用了上述面板制造装置1的MgO膜的成膜工序的一个例子进行说明。使连接于各室1116的真空排气系统19a19f起动，进行除了搬入室11之外的各室1216的排气，在内部形成规定压力的真空气氛。此外，如上述那样，以在加热器3638内产生温度差的方式使各室1214内的加热器3638升温。在从其它室1216切断搬入室11的状态下，将安装在保持单元30的基板10搬入到搬入室11。对搬入室11内进行真空排气使其成为规定压力之后，打开隔离阀18，将基板10搬入加热室12内。一面使基板10在加热室12内静止或搬送，一面如所述那样，以两侧边比中央部变为低温的方式进行预备加热。预备加热在搬入室11进行也可，在成膜室22内进行也可。当两侧边和中央部分别达到预先决定的温度之后，将基板10搬入处理室13内。从反应气体导入系统35将氧(O2)和水(H2O)的任何的一方或两方作为反应气体导入到气体喷出管33a、33b，一面对成膜室22和成膜材料室23内部进行真空排气，一面从气体喷出孔34使反应气体喷出，形成规定压力的反应气体气氛。一面持续加热器37的加热、和反应气体的喷出、和MgO蒸气的放出，一面对基板10进行搬送，使其通过开口28上，对MgO膜进行成膜。基板10的搬送速度以如下方式设定，艮口，在基板10通过开口28上、到达成膜室22的出口之前，MgO膜达到规定膜厚。将到达出口、形成有规定膜厚的MgO膜的基板10搬入到退火室14，一面使基板10在退火室14内静止或搬送，一面通过加热器38加热规定时间，进行退火处理。在退火处理时，当基板10的温度分布是均勻时，存在移动方向F的两侧边与中央部相比(111)结晶取向强度降低的倾向。在本发明中，由于基板10的两侧边与中央部相比被加热到高温，所以在退火处理后，在两侧边形成的MgO膜的(111)结晶取向强度上升，与中央部的差变小。结果，MgO膜的(111)结晶取向强度的面内分布变得均勻。在退火处理后，将基板10从退火室14搬入冷却室15，冷却后，经由搬出室16取出到外部。再有，使加热室12和处理室13的加热器36、37的温度分布均勻也可，在仅利用退火处理存在(111)结晶取向强度的面内分布不能变得充分均勻的担忧的情况下，进行使基板10的两侧边与中央部相比变为低温而对MgO膜进行成膜的温度差成膜、和两侧边与中央部相比暴露在高压气氛中的压力差成膜的任何的一方或两方。此外，如图2所示，在各室1214同时进行不同基板10的处理，在处理结束后将基板10搬送到接下来的各室1216，并且将新的基板10搬入到搬入室11，从搬出室16将处理结束后的基板10搬出，由此能够连续处理多枚基板10，生产效率高。再有，退火室14并不限定为连接于处理室13的情况，从面板制造装置1分离也可。图5的附图标记5表示从面板制造装置1分离后的退火装置的一个例子，退火装置5具有退火室51、和配置在退火室51内部的加热单元50。加热单元50具有多个加热器38。各加热器38与图4的退火室14的加热器38同样地，通过相互平行排列的多根细长加热器38a构成，两端部的细长加热器38a与中央部的细长加热器38a相比，以变为高温的方式而设定。在加热器38中，排列有细长加热器38a的平面相互平行，空开固定间隔配置在退火室51内。加热器38间的间隔被设定得比基板10的厚度大，能够在加热器38间的间隙中配置基板10。各加热器38是大致相同形状，各加热器38的细长加热器38a在相同方向上排列，变为高温的两端部的细长加热器38a彼此面对。细长加热器38a的根数和配置间隔以如下方式设定，即，在配置基板10时，两端部的细长加热器38a与基板10的两侧边面对，或与基板10的两侧边相比稍微位于外侧。因此，配置在加热器38间的基板10通过上下的细长加热器38a，两边缘部分与中央部相比被加热为高温。对使用了该退火装置5的退火处理进行说明，在图1所示的面板制造装置1的处理室13中，通过通过成膜法在基板10对MgO膜进行成膜之后，不进行退火处理，在冷却室15冷却后搬入到搬出室16。在将大气、CDA(CleanDryAir，洁净干燥空气)或N2导入到搬出室16，恢复到大气压后，从搬出室16将基板10取出至面板制造装置1外部，搬入到图5的退火装置5的退火室51内。以使与MgO成膜时的搬送方向F平行的两边(与先头呈直角的两边)与细长加热器38a的长尺寸方向平行，该两边与高温的细长加热器38a面对的方式，对基板10进行位置对准，配置在加热器38之间。在该退火装置5中，与基板10的搬送方向F平行的两侧边与中央部相比被加热到高温，因此MgO膜的(111)结晶取向强度的分布也变得均勻。此外，该退火装置5能够一次对许多枚基板10进行退火处理。将真空排气系统连接于退火装置5，在退火装置5内部形成真空气氛的状态下进行退火处理也可。可是，使退火装置5的内部压力为大气压，或从连接于退火室51的气体导入系统39导入大气等包含氧的压力调整气体，形成一气压以上的高压气氛进行退火处理，(111)结晶取向强度的平均值变高。当在压力调整气体中使用包含氧的气体时，MgO膜的氧被补充，膜质变好。在图1的退火室14中，也可以将气体导入系统39连接于真空槽43，从气体导入系统39导入压力调整气体形成高压气氛，进行退火处理。本发明中使用的反应气体没有特别限定，使用02、H2O等一种以上的在化学结构中含有氧原子的氧化气体。如果在使MgO蒸发时照射电子线，则Mg从材料的一部分中离解，离解后的Mg通过氧化气体而被还原，返回MgO。此外，作为反应气体，将氧和水(H2O)双方导入到各气体喷出管33a、33b，使其从气体喷出管34喷出也可，但也可以在限制板27的下部设置气体喷出管，利用限制板27的上部的气体喷出管和的限制板27的下部的气体喷出管，从一方导入氧，从另一方导入水。气体喷出管33a、33b的设置也不被特别限定，如图6所示，与搬送方向F平行地设置气体喷出管33a、33b，对基板10的两侧边的边缘部分喷吹反应气体也可，使用4个气体喷出管，在与搬送方向正交的方向和与搬送方向平行的方向的双方配置也可。此外，在各气体喷出管33a、33b形成有多个气体喷出孔34，但只要对基板10的两侧边部喷吹反应气体即可，并不被上述实施方式限定。在加热室12和退火室14中，仅将加热器36和加热器38设置在基板10的背面侧，但在基板10的表面侧也可以一起设置。此外，在处理室13中，仅在基板10的背面侧设置加热器37，但在不遮挡开口28的范围内，在基板10的表面侧也可以一起设置。电子枪32的设置台数是1台也可，是多台也可。一个例子是在搬送宽度方向为1500mm的基板10的情况下是2台或4台，在搬送宽度方向为2400mm以上的基板10的情况下是3台以上。此外，虽然使用电子枪32进行蒸镀，但使用离子电镀法等其他方法也可。退火处理时的加热温度没有特别限定，一个例子是使基板10的中央部为400°C以上，两侧边比中央部高50°C以上(例如80°C)。基板10不限定于四角形，能够使用圆形、多角形等各种形状的基板。在该情况下，预先求取(111)结晶取向强度变低的部分，以该部分与其它部分相比变为高温的方式进行退火处理。(实施例)在图2的处理室13中，在有效膜厚范围1500mmXIlOOmm的PDP用基板(PD200)成膜大约750nm(7500A)的MgO膜。在下述表1中表示其成膜条件。表1:MgO膜的成膜条件<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>MgO膜的膜厚分布是7597A土4.2%(参照图7的图表)。此外，以XRD(χ线衍射)测定的(111)结晶取向强度的分布是2844叩8士21.4%(参照图8的图表)。再有，在图7、8和后述的图10、11的横轴中，表示将基板10的中央作为零的情况下的、从中央到与搬送方向F平行的两侧边的距离，将图3的附图左方表示为-，将附图右方表示为+O在将形成有MgO膜的基板10在真空中和大气中进行60分钟的退火处理之后，测定了MgO膜的(111)结晶取向强度，在图9中表示(111)结晶取向强度(面内平均)和加热温度的关系。图9的符号gl是在大气中进行了退火处理的情况，同图的符号&是在真空中进行了退火处理的情况。与真空中相比在大气中有(111)结晶取向强度高的倾向，但可知在任何情况下在400°c以上(111)结晶取向强度急剧上升。像这样，通过退火处理(111)结晶取向强度提高，但如图8所示，由于在成膜时在(111)结晶取向强度中存在不均勻，所以当使基板10的温度分布均勻地进行退火处理时，在退火处理后也残存强度不均。基于图8所示的(111)结晶取向强度的分布，以强度低的地方变为高温，强度高的地方变为低温的方式进行退火处理。退火处理时的基板10的温度分布如图10所示，退火处理后的(111)结晶取向强度的测定结果如图11所示。从图11可明确得知，通过赋予温度差的退火处理，(111)结晶取向强度的分布被改善为3545cps士8.9%0接着，改变加热温度在大气中进行退火处理，对(111)结晶取向强度的半值宽度、和放电延迟(相对值)进行了测定。在图12中表示半值宽度和加热温度的关系，在图13中表示放电延迟和加热温度的关系。再有，半值宽度越小，表示结晶性越好。根据图12、13，可知通过在大气中加热到400°C以上，能够大幅度改善半值宽度和放电延迟。进而，针对退火处理后和退火处理前的MgO膜，测定了CL(CathodeLuminescence，阴极发光)峰值强度。再有，CL峰值强度指的是对物质照射电子时，由于价电子带的激发而产生的空穴通过来自传导带的电子迁移而被填补时产生的光的强度。图14中表示CL峰值强度和真空保持后的经过时间的关系。图14的附图标记Ii1是退火处理后的测定结果，同图的附图标记h2是退火处理前的测定结果。根据图14可知，与退火处理前相比，退火处理后MgO膜的随时间变化少，MgO的膜质稳定。接着，以大气压气氛、和比大气压高压的加压气氛(1.7大气压)，进行500°C、60分钟的退火处理，测定了(111)结晶取向强度和其半值宽度。图15表示(111)结晶取向强度、图16表示半值宽度。在加压气氛的情况下，(111)结晶取向强度提高18%，此外半值宽度也提高28%。像这样，(111)结晶取向强度和半值宽度即使是在大气压下也是在实用上足够的值，但当比大气压高时，效果更高。因此，在本申请发明中，在大气压下也可，但更优选在比大气压(1气压，101.3XIO3Pa)高压的气氛下进行退火处理。接着，分别改变MgO成膜中的基板温度和成膜室22内部的压力对MgO膜(膜厚800nm)进行成膜，测定成膜后的MgO膜的(111)结晶取向强度和密度(膜密度)。图17是使成膜室22内部的压力为0.04Pa、改变成膜中的基板10的温度时的图表，图18是使基板10温度为250°C、改变成膜中的成膜室22内部的压力时的图表。根据图17、18，可知MgO膜的成膜中的基板温度越低(111)结晶取向强度越高，此夕卜，成膜中的压力(反应气体的分压)越高(111)结晶取向强度越高。因此，在仅以退火处理时的温度差不能充分地改善(111)结晶取向强度分布情况下，只要在成膜中在基板10设置温度差或压力差，就能够进一步改善结晶取向强度分布。权利要求一种成膜方法，将一边作为先头，使矩形的成膜对象物在真空气氛中移动，使所述成膜对象物与放出等离子体显示器用保护膜材料的蒸气的蒸发源面对，使所述保护膜材料的蒸气到达所述成膜对象物的表面并形成保护膜，之后，对所述成膜对象物进行加热并进行退火处理，其中，在所述成膜对象物的四边中，将与所述先头的一边呈直角的两边，与该两边的中央相比加热到高温，进行所述退火处理。2.一种成膜方法，一面将反应气体导入所述真空气氛，一面使所述保护膜材料的蒸气放出，对所述保护膜进行成膜，其中，在所述成膜对象物的四边中，对与所述先头的一边呈直角的两边的边缘部分，与该两边间的中央部相比，一面较多地喷吹所述反应气体一面形成所述保护膜。3.根据权利要求1或权利要求2的任一项所述的成膜方法，其中，在所述成膜对象物的四边中，比起与所述先头的一边呈直角的两边，一面将所述两边的中央加热到高温一面形成所述保护膜。4.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，在所述保护膜材料的蒸气到达所述成膜对象物之前，在所述成膜对象物的四边中，比起与所述先头的一边呈直角的两边，预先将所述两边的中央加热到高温。5.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，在将所述成膜对象物配置在一气压以上的加热气氛中的状态下，进行所述退火处理。6.一种面板制造装置，构成为具有成膜室；成膜材料室，内部空间经由开口连接于所述成膜室的内部空间；蒸发源，其为配置在所述成膜材料室内的等离子体显示器用保护膜材料的蒸发源；以及退火室，设置有退火用加热器，在将该成膜对象物的一边作为先头，一面使矩形的成膜对象物与所述开口面对一面使其移动，在所述成膜对象物表面形成所述保护膜材料的蒸镀膜之后，将所述成膜对象物搬入所述退火室内，以所述退火用加热器进行加热，其中，该面板制造装置还构成为，所述退火用加热器在所述成膜对象物的四边中，将与所述先头的一边呈直角的两边与该两边的中央相比加热到高温。7.根据权利要求6所述的面板制造装置，其中，构成为具有反应气体导入系统，将反应气体导入所述成膜室内，所述反应气体导入系统在所述成膜对象物的四边中，对与所述先头的一边呈直角的两边的边缘部分，与该两边的中央部相比较多地喷吹所述反应气体。8.根据权利要求6或权利要求7的任一项所述的面板制造装置，其中，构成为具有成膜用加热器，在所述成膜室内对所述成膜对象物进行加热，所述成膜用加热器在所述成膜对象物的四边中，比起与所述先头的一边呈直角的两边，将所述两边的中央加热到高温。9.一种退火装置，构成为，将一边作为先头，使矩形的成膜对象物在真空气氛中移动，使所述成膜对象物与放出等离子体显示器用保护膜的蒸气的蒸发源面对，使所述保护膜材料的蒸气到达所述成膜对象物的表面并形成保护膜，之后，对所述成膜对象物进行加热进行退火处理，其中，该退火装置具有退火室；气体导入系统，连接于所述退火室，导入包含氧的压力调整气体，使退火室为一气压以上的气氛；以及加热单元，对收容在所述退火室内的所述成膜对象物进行加热，所述加热单元将加热器相互平行地空开固定间隔而配置多个，能在加热器间的间隙中配置所述成膜对象物，其中，所述加热器以将所述成膜对象物的与所述先头的一边呈直角的两边，与该两边的中央相比加热到高温的方式构成。全文摘要本发明提供成膜方法、面板制造装置、退火装置，改善MgO保护膜的结晶取向强度分布。当将基板10的一边作为先头一面搬送一面对MgO膜进行成膜时，基板10的与先头呈直角的两边(两侧边)与两侧边之间的中央相比(111)结晶取向强度变低。当将退火用的加热器38分割为多根细长加热器38a，以基板10的两侧边与中央相比变为高温的方式进行加温时，两侧边的(111)结晶取向强度变高，(111)结晶取向强度的面内分布提高。文档编号H01J9/02GK101798673SQ201010116579公开日2010年8月11日申请日期2010年2月10日优先权日2009年2月10日发明者仓内利春,箱守宗人,饭岛荣一申请人:株式会社爱发科