发光器件、发光器件封装和包括发光器件封装的照明系统的制作方法

专利名称：发光器件、发光器件封装和包括发光器件封装的照明系统的制作方法
技术领域：
实施方案涉及发光器件、发光器件封装和包括发光器件封装的照明系统。
技术背景
氮化物半导体因为其高热稳定性和宽带隙能而在光学器件和高功率电子器件的 领域中引起广泛关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件(LED)、绿色LED和UV LED已经商业化并得到广泛使用。近来，LED用作显示设备、室内和室外照明和车头灯的光源。有必要改进LED的光 学功率以将LED应用于各种高功率电子器件。根据相关技术的LED，注入的电子和空穴并未在LED内均勻供给，而是集中供给到 特定部分或相互复合。因此，未将电流平稳地供给到其他部分而引起电流聚集。电流的部分集中可向LED施加大的应力，以及使发光均勻性变差。随着电流供给 量增加，电流聚集可引起严重缺陷。也就是说，当施加高于预定水平的电流时，光效率不是 保持恒定，而是降低。所施加电流和光学功率之间的关系不是成线性增加。随着供给的电 流越来越大，产生更大量的热。当局部产生更大量的热时，可能使LED的性能和寿命周期变 差。此外，这种现象也会因为在高电流下运行大尺寸LED或高功率LED而变得更糟。

发明内容
实施方案提供一种可以防止电流聚集并提高光提取效率的发光器件、发光器件封 装和包括发光器件封装的照明系统。在一个实施方案中，一种发光器件(LED)包括衬底；在所述衬底上的第二导电型 半导体层；在所述第二导电型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导电型半导体 层；和在所述第一导电型半导体层上的第一电极，其中所述第一导电型半导体层和所述第 二导电型半导体层之间的垂直距离是变化的。在另一实施方案中，一种发光器件(LED)包括第一导电型半导体层、第二导电型 半导体层和在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层；在所述 第一导电型半导体层上的包括至少一个台阶的导电衬底；和在所述导电衬底上的第一电 极。在另一实施方案中，一种发光器件(LED)封装包括LED，所述LED包括衬底、在所 述衬底上的第二导电型半导体层、在所述第二导电型半导体层上的有源层、在所述有源层 上的第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的第一电极，其中所述第一导电 型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的垂直距离是变化的；和包含LED的封装体。在又一实施方案中，一种发光器件(LED)封装包括第一导电型半导体层、第二导 电型半导体层和在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层；在 所述第一导电型半导体层上的包括至少一个台阶的导电衬底；在所述导电衬底上的第一电 极；和包含LED的封装体。
在又一实施方案中，一种照明系统包括发光模块，所述发光模块包括发光器件 (LED)封装，所述LED封装包括LED，所述LED包括衬底、在所述衬底上的第二导电型半导 体层、在所述第二导电型半导体层上的有源层、在所述有源层上的第一导电型半导体层、在 所述第一导电型半导体层上的第一电极，其中所述第一导电型半导体层和所述第二导电型 半导体层之间的垂直距离是变化的；和包含LED的封装体。在又一实施方案中，一种照明系统包括发光模块，所述发光模块包括发光器件 (LED)封装，所述LED封装包括LED，所述LED包括第一导电型半导体层、第二导电型半导 体层和在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层、包括在所述 第一导电型半导体层上的至少一个台阶的导电衬底和在所述导电衬底上的第一电极；和包 含LED的封装体。一个或更多个实施方案的细节在附图和下文的说明中进行说明。从说明书和附图 以及权利要求书，其他特征将变得明显。



图1是根据第一实施方案的发光器件(LED)的截面视图。图2是根据第一实施方案的LED的平面视图。图3是示出根据第一实施方案的LED中因台阶引入引起的光提取效率的示意图。图4-8是示出制造根据第一实施方案的LED的工艺的截面视图。图9和10是根据第二实施方案的LED的截面视图。图11是根据第三实施方案的LED的截面视图。图12是根据第四实施方案的LED的截面视图。图13是根据一个实施方案的LED封装的截面视图。图14是根据一个实施方案的照明单元的透视图。图15是根据一个实施方案的背光单元的分解透视图。
具体实施例方式在下文，将参照附图描述发光器件、发光器件封装和包括发光器件封装的照明系 统。在本发明的说明中，应当理解，当称层(或膜)在另一层或衬底之“上/上方”时， 它可以直接在所述另一层或衬底之上，或者也可以存在中间层。此外，应理解，当称层在另 一层之“下/下方”时，它可以直接在所述另一层之下，并且也可以存在一个或更多个中间 层。此外，还应理解，当称层在两层“之间”时，它可以是所述两层之间的唯一层，或者也可 以存在一个或更多个中间层。图1是根据第一实施方案的发光器件(LED)的截面视图，图2是根据第一实施方 案的LED的平面视图。图3是示出根据第一实施方案的LED中因台阶引入引起的光提取效 率的示意图。根据第一实施方案的LED可包括第二导电型半导体层130、有源层120。此外，LED 还可包括在有源层120上具有台阶S的第一导电型半导体层110。根据第一实施方案的LED，在垂直型LED中，可以在第一或第二导电型半导体层结构或导电衬底引入台阶以减轻电流聚集并改善向上的光提取效率。在相关技术中，出现电流聚集的原因是因为从中央部分的η-电极垫注入的电子 穿过有源层的路径互不相同。也就是说，由于电流从具有相对短的路径和低电阻的η-电极 垫垂直流向P-电极，所以电流集中在η-电极垫之下。另一方面，由于电流通常在η-电极垫 外侧以垂直和水平方向流动，所以电流路径相对较长且在水平方向上出现额外的电阻。因 此，电流不能顺利地扩散。由于在垂直方向上的路径相比水平方向上的路径较短，所以大部分电流实际上在 垂直方向上流动。因此，由于少量电流朝外侧流动而大量电流朝中央部分流动，所以出现电 流聚集。在该实施方案中，为了解决相关技术的局限性，向第一导电型半导体层如η-型 GaN层引入阶梯状台阶以延长流入中央部分中的电流路径并缩短流入外侧的电流路径。结果，由于从η-电极垫向ρ-电极流动的电流具有实际上均勻的有效路径长度，所 以可以通过抵消因水平流动的电流引起的效应来改善整个LED中的电流聚集现象。例如，由于其中设置有第一垫165的区域和有源层120之间的距离比其中未设置 有第一垫165的区域和有源层120之间的距离长，所以在第一垫165之下的载流子移动距 离可以延长，以防止电流集中在第一垫165之下。在该实施方案中，可以部分且重复执行蚀刻工艺以形成设置在η-型GaN层上的阶 梯状台阶。在此处，可以控制台阶的深度。由于电流的有效路径长度随LED的实际长度和宽度尺寸变化，所以设置在η-型 GaN层上的阶梯状台阶可以通过LED的长度和宽度尺寸优化。也就是说，当LED是大尺寸的且驱动电流增加时，调整台阶的深度以均勻地形成 有效电流路径。结果，可以预期相同的效果，而无论LED的尺寸或驱动电流如何。此外，如图3所示，提取到上侧的光的量可以增加。也就是说，与其中未设置所述 台阶的结构相比，设置在η-型GaN层上的阶梯状台阶可以具有通过台阶部分而增加的发光 区域。因此，可增加实际的上部区域以向上侧发射极大量的光。此外，在不提供台阶的情况下，引入LED中的光被全反射。此时，在该实施方案中， 由于形成台阶改变光入射角，所以光不发生全反射，而是被提取到外部。因此，与其中未提 供台阶的结构相比，该实施方案可减少全反射的光以最终促进光的提取。因此，上述两种效 应可增加提取到上侧的光量。图2示出根据第一实施方案的LED的平面视图。设置在第一导电型半导体层110 的阶梯状台阶上的第一电极160可以设计为具有各种形状。图2示出第一电极160的一个 实例。在此，虽然第一电极160具有围绕第一垫165的方形形状，但是该实施方案不限于此。 例如，第一电极160可具有各种形状，例如圆形形状或梳齿形状。如图2所示，为了使该实 施方案中提出的效应最大化，第一电极160的一部分可包括其中设置所述台阶的部分。在下文，将参照图4-8描述制造根据第一实施方案的LED的方法。如图4所示，准备第一衬底100。第一衬底100可以是蓝宝石衬底或SiC衬底，但 是不限于此。可以在第一衬底100上执行湿蚀刻工艺以移除第一衬底100表面上的杂质。之后，在第一衬底100上形成第一导电型半导体层110。例如，第一导电型半导体 层110的Π-型GaN层可通过利用化学气相沉积(CVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺、溅射工艺或氢化物气相外延(HVPE)沉积工艺形成。此外，可以向腔室中注入包含N-型杂质的硅烷气体(SiH4)例如三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)、氢气(H2)和硅(Si)以 形成第一导电型半导体层110。第一导电型半导体层110 可由 GaN、InN、A1N、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、 AlGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaPjP InP 中的一种或更多种形成。有源层120形成于第一导电型半导体层110之上。有源层120用作如下层其中 通过第一导电型半导体层110注入的电子与通过第二导电型半导体层130注入的电子空穴 复合以发射具有由有源层(发光层)材料的适当能带所确定的能量的光。有源层120可具有单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构和量子点结构中的 至少一种结构。例如，在有源层120中，注入三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)和 三甲基铟(TMIn)气体以形成多量子阱结构，但是不限于此。有源层120可具有InGaN/GaN 结构、InGaN/InGaN 结构、AlGaN/GaN 结构、InAlGaN/GaN 结构、GaAs/AlGaAs (InGaAs)结构、 和GaP/AlGaP (InGaP)结构中的一种或更多种结构。之后，在有源层120之上形成第二导电型半导体层130。例如，可以向腔室中注入 含有P-型杂质的双(乙基环戊二烯基)镁(Etcp2Mg) {Mg (C2H5C5H4)2I如三甲基镓(TMGa)气 体、氨(NH3)气、氮(N2)气和镁(Mg)以形成第二导电型半导体层130的ρ-型GaN层，但是 不限于此。第二电极层140可形成于第二导电型半导体层130上。第二电极层140可包括欧 姆层142、反射层(未显示)、粘合层(未显示)和第二衬底144。例如，第二电极层140可包括欧姆层142。此时，可多次堆叠单一金属或金属合金 以提高电子空穴注入的效率。欧姆层可由ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、 AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-GaZnO)、Ir0x、Ru0x、Ru0x/IT0、Ni/Ir0x/Au、Ni/Ir0x/Au/IT0、Ni、 Pt、Cr、Ti和Ag中的至少一种形成，但是不限于此.根据该实施方案，第二电极层140可包括含Al、Ag或含Al或Ag的合金的金属层。 诸如Al或Ag的材料可有效反射在有源层处产生的光以提高LED的光提取效率。此外，当第二电极层140包括粘合层时，反射层可用作粘合层，或者粘合层可利用 Ni或Au形成。 第二电极层140可包括第二衬底144。第二衬底144可由具有良好导电性的金属、 金属合金或导电半导体材料形成以有效地注入电子空穴。例如，第二衬底144可由铜(Cu)、 Cu合金、Si、钼(Mo)、SiGe、Ge、GaN和SiC中的一种或更多种形成。第二衬底144可利用电 化学金属沉积或利用共晶金属的接合法形成。如图5所示，移除第一衬底100以暴露第一导电型半导体层110。第一衬底100可 利用高功率激光分离或通过使用化学蚀刻工艺移除。此外，第一衬底100可通过物理研磨 移除。所暴露的第一导电型半导体层110可包括移除第一衬底100时产生的表面缺陷层。 表面缺陷层可利用湿或干蚀刻工艺移除。如图6所示，在所暴露的第一导电型半导体层110上形成台阶。例如，可以在所暴 露的第一导电型半导体层110上形成第一图案310，并且可以利用第一图案310作为蚀刻 掩模对第一导电型半导体层110实施蚀刻工艺来形成第一台阶Si。例如，第一光刻胶图案 310可在其中随后将形成第一垫165的区域中形成，并且可以以所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模对第一导电型半导体层110局部进行蚀刻工艺以形成第一台阶S1。如图7所示，可以移除第一图案310，并且可以形成具有比第一图案310大的宽度 的第二图案320以形成第二台阶S2。例如，第一图案可利用灰化工艺移除。具有比第一图案310大的宽度的第二图案 320可以利用光刻胶形成。随后，可以利用第二图案320作为蚀刻掩模蚀刻第一导电型半导 体层110来形成第二台阶S2。如图8所示，在包括台阶S的第一导电型半导体层110上形成第一电极160。第一 电极160可以是透明电极。在该实施方案中，可以在包括台阶S的第一导电型半导体层110上形成具有各种 形状的第一电极160。例如，如图2所示，设置在第一导电型半导体层110的阶梯状台阶上的第一电极 160可设计成各种形状。在此，虽然第一电极160具有围绕第一垫165的方形形状，但是该 实施方案不限于此。例如，第一电极160可具有各种形状，例如圆形形状或梳齿形状。如图 2所示，为了使该实施方案中提出的效应最大化，第一电极160的一部分可包括其中设置所 述台阶的部分。第一垫165形成于第一电极160上。根据第一实施方案的LED，在垂直型LED中，可以向第一或第二导电型半导体层结 构弓I入所述台阶以减轻电流聚集并提高上侧光提取效率。图9和10是根据第二实施方案的LED的截面视图。第二实施方案可采用第一实 施方案的技术特征。与第一实施方案不同，在第二实施方案中，可以在导电衬底100a上形成半导体 层，并且可以在导电衬底100a上形成台阶S。在下文，可主要描述第二实施方案的特征。如图9所示，准备导电衬底100a。导电衬底100a具有高电导率，并且在可见光 的范围内透明。导电衬底100a可以是由氮化镓(例如GaN)、氧化镓(例如Ga203)、氧化锌 (ZnO)、碳化硅(SiC)或金属氧化物形成的单晶衬底。与第一实施方案类似，在导电衬底100a上形成第一导电型半导体层110、有源层 120和第二导电型半导体层140。移除导电衬底100a的部分底部。例如，可以进行抛光工艺来减小导电衬底100a 的底部层的厚度。抛光工艺之后的导电衬底100a的厚度可根据期望器件的应用产品而变 化。例如，将具有约400 u m至约500 u m厚度的导电衬底100a抛光至约70 y m至约100 u m 的厚度，但是实施方案不限于此。当在高温下通过薄层生长设备在导电衬底100a上形成氮化物半导体薄层时，导 电衬底100a底表面的表面晶体质量可能因高的薄层生长温度和反应性气体而变差。因此， 抛光导电衬底100a的底表面可改善所述器件的电特性。如图10所示，可以在导电衬底100a上形成台阶S。形成台阶S的方法可采用第一 实施方案的方法。第一电极160可以在包括台阶S的导电衬底100a上形成，第一垫165可以在第一 电极160上形成。根据该实施方案的LED，在垂直型LED中，可以向第一或第二导电型半导体层结构
7或导电衬底弓I入所述台阶以减轻电流聚集并提高上侧光提取效率。图11是根据第三实施方案的LED的截面视图。第三实施方案可采用第一或第二实施方案的技术特征。在第三实施方案的LED中，可以在发光结构的上部之上设置光提取结构R以进一 步提高光提取效率。例如，可以在第一导电型半导体层110上设置粗糙结构以形成光提取 结构R，但是不限于此。例如，可以通过图案化形成光提取结构R或可以通过湿蚀刻形成粗糙结构。光提取结构R可以只在未形成电极垫165的发光结构上形成。图12是根据第四实施方案的LED的截面视图。第四实施方案可以采用第一、第二和第三实施方案的技术特征。在第四实施方案中，第一垫165可设置在LED的顶表面的边缘上。根据第四实施方案，由于其中设置第一垫165的区域和有源层之间的距离比其中 未设置第一垫65的区域和有源层之间的距离长，所以在第一垫165之下的载流子移动距离 可以延长，以防止电流集中在第一垫165之下。在另一实施方案中，可以在LED之下形成台阶。例如，与电极垫165对应的第二电极层140区域可以形成为比第二电极层140的 其他区域低，由此可以防止电流扩散。此外，在另一实施方案中，可以在LED之上和之下均形成台阶。此外，台阶的形状可具有阶梯形状，但是该实施方案不限于此。例如，所述台阶可 小于90°或者所述台阶可以具有半球形的上部。图13是根据一个实施方案的包括LED的LED封装的截面视图。参照图13，根据一个实施方案的LED封装包括主体205、设置在主体205中的第三 电极层210和第四电极层220、设置在主体205中且电连接至第三电极层210和第四电极层 220的LED100、和包围LED100的模制件240。主体205可由硅材料、合成树脂或金属材料形成。LED100周围可设置倾斜表面。第三电极层210和第四电极层220彼此电隔离并向LED 100供电。第三电极层 210和第四电极层220可反射在LED 100中产生的光以提高光学效率。此外，第三电极层 210和第四电极层220可将LED 100中产生的热释放到外部。图1中显示的垂直型LED可用作LED 100，但是不限于此。例如，横向型LED可用 作 LED 100。例如，在横向型LED中，形成的电极之间的距离比未形成的电极之间的距离短，由 此可防止电流聚集。LED 100可设置在主体205上或第三电极层210和第四电极层220上。LED 100可通过导线300电连接至第三电极层210和/或第四电极层220。在该 实施方案中，垂直型LED 100作为实例进行说明，并且可以使用一根导线300作为例子，但 是不限于此。模制件240可围绕LED 100以保护LED 100。此外，模制件240可包含磷光体以改 变从LED 100发射的光的波长。根据一个实施方案的LED封装可应用于照明系统。照明系统可包括图14中示出的照明单元、图15中示出的背光单元。此外，照明系统可包括交通灯、车头灯和标志。图14是根据一个实施方案的照明单元1100的透视图。参照图14，照明单元1100可包括壳体1110、设置在壳体1110中的发光模块1130 和设置在壳体1110中以接收来自外部电源的电力的连接端子1120。壳体1110可由具有改善的热耗散特性的材料形成。例如，壳体1110可由金属材 料或树脂材料形成。发光模块1130可包括衬底1132和安装在衬底1132上的至少一个发光器件封装 200。可以在绝缘材料上印刷电路图案以形成衬底1132。例如，衬底1132可包括印刷电 路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB或陶瓷PCB。此外，衬底1132可由可有效反射光的材料形成。衬底1132的表面可涂有彩色材 料，例如，有效反射光的白色或银色材料。至少一个发光器件封装200可以安装在衬底1132上。发光器件封装200可包括 至少一个发光二极管(LED) 100。发光二极管100可包括发射红色、绿色、蓝色或白色光的彩 色LED和发射紫外(UV)光的UV LED。发光模块1130可包括多个发光器件封装200以获得各种颜色和亮度。例如，白色 LED、红色LED和绿色LED可相互组合设置以确保高的显色指数(CRI)。连接端子1120可电连接至发光模块1130以供电。如图14所示，虽然连接端子 1120以套接方式螺旋插入外部电源中，但是本公开不限于此。例如，连接端子1120可具有 销的形状。因此，连接端子1120可插入外部电源中或利用互连装置连接至外部电源。图15是根据一个实施方案的背光单元1200的透视图。根据一个实施方案的背光单元1200可包括导光板1210、发光模块1240、反射构 件1220和底盖1230，但是不限于此。发光模块1240可为导光板1210提供光。反射构件 1220可设置在导光板1210之下。底盖1230可容纳导光板1210、发光模块1240和反射构 件 1220。导光板1210可扩散光以产生平面光。导光板1210可由透明材料形成。例如，导 光板1210可由丙烯酸树脂类材料例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(C0C)树脂和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树 脂中的一种形成。发光模块1240可向导光板1210的至少一个表面提供光。因此，发光模块1240可 用作包括背光单元的显示设备的光源。发光模块1240可接触导光板1210，但是不限于此。具体而言，发光模块1240可 包括衬底1242和安装在衬底1242上的多个发光器件封装200。衬底1242可接触导光板 1210，但是不限于此。衬底1242可以是包括电路图案的PCB(未显示)。然而，衬底1242可包括金属芯 PCB或柔性PCB以及PCB，但是不限于此。多个发光器件封装200中每一个的发光表面可以与导光板1210间隔预定的距离。反射构件1220可设置在导光板1210之下。反射构件1220反射入射到导光板1210 底表面上的光以在向上的方向上行进，由此提高背光单元的亮度。例如，反射构件可由PET、PC和PVC中的一种形成，但是不限于此。底盖1230可容纳导光板1210、发光模块1240和反射构件1220。为此，底盖1230 可具有有开放上侧的盒形状，但是不限于此。底盖1230可由金属材料或树脂材料形成。此外，底盖1230可利用压制成形工艺 或挤塑工艺制成。该说明书中提及的“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等是指关于 实施方案所描述的具体特征、结构或特征包含在本发明的至少一个实施方案中。说明书中 各处使用的这类短语不一定都是指相同的实施方案。此外，当关于任意实施方案描述具体 特征、结构或特征时，关于实施方案的其它特征、结构或特性来实现该特征、结构或特性也 在本领域技术人员的范围内。虽然已经参照本发明的多个示例性实施方案描述本发明，但是应理解，本领域的 技术人员可以设计多种其它修改方案和实施方案，它们也在本公开内容的原理的精神和范 围内。更具体地，可以对本公开内容、附图和所附权利要求中的主题组合布置的组成部件和 /或布置进行各种变化和修改。除了对组成部件和/或布置进行变化和修改之外，可替代使 用对本领域的技术人员而言也是明显的。
权利要求
一种发光器件(LED)，包括衬底；在所述衬底上的第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导电型半导体层；和在所述第一导电型半导体层上的第一电极，其中所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的垂直距离是变化的。
2.权利要求1所述的LED，其中所述第一导电型半导体层包括至少一个台阶。
3.权利要求2所述的LED，其中所述垂直距离根据所述台阶而变化。
4.权利要求2所述的LED，其中所述台阶形成于所述第一导电型半导体层的顶表面上。
5.权利要求2所述的LED，其中所述台阶包括多个阶梯形状。
6.权利要求1所述的LED，还包括在所述第一电极上的电极垫，其中其上设置有所述电 极垫的所述第一导电型半导体层与所述有源层之间的距离比其上未设置有所述电极垫的 所述第一导电型半导体层与所述有源层之间的距离长。
7.权利要求1所述的LED，还包括在所述第一电极上的电极垫和在所述第一导电型半 导体层上的光提取结构。
8.权利要求7所述的LED，其中所述电极垫位于所述光提取结构上。
9.权利要求1所述的LED，其中所述第二导电型半导体层包括至少一个台阶。
10.一种发光器件(LED)，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和在所述第一导电型半导体层与所述第二 导电型半导体层之间的有源层；在所述第一导电型半导体层上形成的包括至少一个台阶的导电衬底；和 在所述导电衬底上的第一电极。
11.权利要求10所述的LED，其中所述台阶在所述导电衬底的上表面上形成。
12.权利要求10所述的LED，其中所述台阶包括多个阶梯形状。
13.权利要求10所述的LED，其中所述导电衬底包括氮化镓、氧化镓、氧化锌、碳化硅和 金属氧化物中的至少一种。
14.权利要求10所述的LED，其中所述导电衬底具有70 100y m的厚度。
15.一种发光器件(LED)封装，包括 权利要求1或10的LED ；和包含所述LED的封装体。
16.一种照明系统，其包括发光模块，所述发光模块包括权利要求15的发光器件(LED)封装。
全文摘要
提供一种发光器件、发光器件封装和包括发光器件封装的照明系统。所述发光器件(LED)包括衬底、第二导电型半导体、有源层、第一导电型半导体层和第一电极。所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的垂直距离是变化的。
文档编号F21S2/00GK101834247SQ20101012846
公开日2010年9月15日 申请日期2010年3月3日 优先权日2009年3月3日
发明者姜正模, 崔正铉, 金在煜, 金斗显 申请人:Lg伊诺特有限公司