一种采取双二焊封装的多导电线集成幻彩灯珠的制作方法

本实用新型涉及一种多导电线集成幻彩灯珠，更具体地说，是涉及一种采取双二焊封装的多导电线集成幻彩灯珠。

背景技术：

现有集成幻彩灯珠及多导线封装灯珠通常都是采取单二焊封装。在灯珠应用回流焊接高温环境中，易受应力拉扯至引线架与电极连接导电线开路，且开路点均集中在二焊点位置，从而导致灯珠功能失效。也有部分采取二焊加焊球方案，但同一焊接点，连续焊接又会对引线架电镀层造成损伤，从而引发新的品质隐患。

技术实现要素：

为克服现有技术中的上述缺陷，本实用新型提供一种采取双二焊封装的多导电线集成幻彩灯珠。

为实现上述目的，本实用新型提供一种采取双二焊封装的多导电线集成幻彩灯珠，包括引线架，设置于引线架上的引线架金属导电层、发光二极管晶片、驱控IC和若干根导电线，所述若干根导电线用于将发光二极管晶片导电电极、驱控IC功能电极与引线架金属导电层电连接以及将发光二极管晶片与驱控IC电连接，所述导电线与引线架金属导电层之间具有两个相互错开的焊点。

作为优选的，所述发光二极管晶片包括G晶片、R晶片和B晶片。

作为优选的，所述驱控IC具有VCC接口、DIN接口、GND接口、DOUT接口、B晶片接口、R晶片接口和G晶片接口。

作为优选的，所述导电线包括用于连接引线架金属导电层与驱控IC的VCC接口的第一导电线，用于连接引线架金属导电层与驱控IC的DIN接口的第二导电线，用于连接引线架金属导电层与驱控IC的GND接口的第三导电线，用于连接引线架金属导电层与驱控IC的DOUT接口的第四导电线，用于连接B晶片与驱控IC的B晶片接口的第五导电线，用于R晶片与驱控IC的R晶片接口的第六导电线，用于连接G晶片与驱控IC的G晶片接口的第七导电线，用于连接引线架金属导电层与G晶片的第八导电线，用于连接引线架金属导电层与B晶片的第九导电线。

作为优选的，所述第一导电线与引线架金属导电层连接的一端具有相互错开的第一焊点和第二焊点，所述第二导电线与引线架金属导电层连接的一端具有相互错开的第三焊点和第四焊点，所述第三导电线与引线架金属导电层连接的一端具有相互错开的第五焊点和第六焊点，所述第四导电线与引线架金属导电层连接的一端具有相互错开的第七焊点和第八焊点，所述第八导电线与引线架金属导电层连接的一端具有相互错开的第九焊点和第十焊点，所述第九导电线与引线架金属导电层连接的一端具有相互错开的第十一焊点和第十二焊点。

作为优选的，还包括填充于引线架金属导电层、发光二极管晶片和驱控IC之间的防护胶体。

作为优选的，所述发光二极管晶片和驱控IC底部具有连接胶体。

作为优选的，所述连接胶体为导电胶或固晶胶。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

本实用新型包括引线架，设置于引线架上的引线架金属导电层、发光二极管晶片、驱控IC和若干根导电线，所述若干根导电线用于将发光二极管晶片导电电极、驱控IC功能电极与引线架金属导电层电连接以及将发光二极管晶片与驱控IC连接，所述导电线与引线架金属导电层之间具有两个相互错开的焊点。所述导电线与引线架导电层面有双结合点，且双结合点错开位置，避免同一焊接点重复焊接对引线架导电层之电镀层造成损伤，同时有利于错开应力破坏点，避免在灯珠应用回流焊接高温环境中，受应力拉扯至引线架与电极连接导电线开路，从而导致发光二极管晶片功能失效。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的一种采取双二焊封装的多导电线集成幻彩灯珠的结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的一种采取双二焊封装的多导电线集成幻彩灯珠的IC的结构图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型的实施例提供一种采取双二焊封装的多导电线集成幻彩灯珠。

请参考图1，本实用新型提供一种采取双二焊封装的多导电线集成幻彩灯珠，包括引线架1，设置于引线架1上的引线架金属导电层2、发光二极管晶片3、驱控IC5和若干根导电线4，所述若干根导电线4用于将发光二极管晶片3、驱控IC5与引线架金属导电层2电连接以及将发光二极管晶片3与驱控IC5电连接，所述导电线4与引线架金属导电层2之间具有两个相互错开的焊点。发光二极管晶片3在高温环境中，产生应力通常都有一个点受的应力最大，即应力聚焦点，通过双二焊实施方案，即导电线4与引线架金属导电层2之间设置两个相互错开的焊点，将对灯珠的破坏性应力损伤概率成倍降低，避免在灯珠应用回流焊接高温环境中，受应力拉扯至引线架与电极连接导电线开路，从而导致发光二极管晶片功能失效。

本实施例中采用的发光二极管晶片3包括G晶片、R晶片和B晶片。本实施例中采用的驱控IC5具有VCC接口、DIN接口、GND接口、DOUT接口、B晶片接口、R晶片接口和G晶片接口。

请参考图1和图2，所述导电线4包括用于连接引线架金属导电层2与驱控IC5的VCC接口的第一导电线8，用于连接引线架金属导电层2与驱控IC5的DIN接口的第二导电线10，用于连接引线架金属导电层2与驱控IC5的GND接口的第三导电线11，用于连接引线架金属导电层2与驱控IC5的DOUT接口的第四导电线12，用于连接B晶片与驱控IC5的B晶片接口的第五导电线16，用于R晶片与驱控IC5的R晶片接口的第六导电线15，用于连接G晶片与驱控IC5的G晶片接口的第七导电线14，用于连接引线架金属导电层2与G晶片的第八导电线9，用于连接引线架金属导电层2与B晶片的第九导电线13。

所述第一导电线8与引线架金属导电层2连接的一端具有相互错开的第一焊点81和第二焊点82，所述第二导电线10与引线架金属导电层2连接的一端具有相互错开的第三焊点101和第四焊点102，所述第三导电线11与引线架金属导电层2连接的一端具有相互错开的第五焊点111和第六焊点112，所述第四导电线12与引线架金属导电层2连接的一端具有相互错开的第七焊点121和第八焊点122，所述第八导电线9与引线架金属导电层2连接的一端具有相互错开的第九焊点91和第十焊点92，所述第九导电线13与引线架金属导电层2连接的一端具有相互错开的第十一焊点131和第十二焊点132。

所述第一导电线8通过相互错开的第一焊点81和第二焊点82固定连接在引线架金属导电层2上，所述第二导电线10通过相互错开的第三焊点101和第四焊点102固定连接在引线架金属导电层2上，所述第三导电线11通过第五焊点111和第六焊点112固定连接在引线架金属导电层2上，所述第四导电线12通过相互错开的第七焊点121和第八焊点122固定连接在引线架金属导电层2上，所述第八导电线9通过相互错开的第九焊点91和第十焊点92固定连接在引线架金属导电层2上，所述第九导电线13通过相互错开的第十一焊点131和第十二焊点132固定连接在引线架金属导电层2上。

所述引线架金属导电层2、发光二极管晶片3和驱控IC5之间填充有防护胶体6。导电线4完成邦定后在引线架1杯内填充防护胶体6，将导电线4及发光二极管晶片3，驱控IC5遮盖，并通过烘烤固化，从而形成保护层。

所述发光二极管晶片3和驱控IC5底部具有连接胶体7，所述连接胶体7为导电胶或固晶胶，引线架金属导电层2上通过导电胶或固晶粘接胶将发光二极管晶片3及驱控IC5按预定位置粘接在引线架1上并通过高温烘烤固定。

所述的驱控IC5并不局限于本实施例所述，其还适用于多类IC与多类LED集成封装灯珠产品。

所述发光二极管晶片3并不局限于本实施例中采用的RGB三种颜色，也可以是任意1-3种颜色的单一颜色或两个以上颜色的组合。

上述实施例为本实用新型较佳的实施方式，但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。