专利名称：用于等离子体工艺的工艺检测系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及等离子体发生设备，特别涉及等离子体控制装置，例如在适当的终点中止等离子体镀敷或腐蚀工艺。本发明也涉及根据检测工作参数控制等离子体工艺，例如在DC等离子体操作中的电流和电压，或在RF等离子体操作中施加的射频(RF)电源的电流、电压和相位。本发明还涉及根据用户定义的要求修改控制算法的系统。
在典型的RF等离子体发生器的装置中，大功率RF源在预定的频率即，13.56MHz下产生RF波，并通过电源导线管供给等离子体室。由于通常在RF电源和等离子体室之间存在严重的阻抗不匹配，因此将阻抗匹配网络置于两者之间。在等离子体室内存在非线性，由于这些非线性并且由于线中和阻抗匹配网络中的损耗，并非所有的RF发生器的输出功率都能到达等离子体室。因此，可以很方便地在到等离子体室的功率输入处使用探针，检测进入等离子体室的RF波的电压和电流。通过准确地测量尽可能地接近室的电压和电流，等离子体工艺的用户可以得到更好的等离子体质量的指示。在RF等离子体的情况中，也测量相位角。这同样也能较好地控制室中硅晶片或其它工件的腐蚀或淀积特性。通过监测这些参数，可以通过用数学处理算符和信号处理运算符表示这些参数确定工艺终点。可以得到其它可观察到的参数，例如等离子体的辐射、匹配网络的数值错误或相位错误值、气压等，这些也可以用于工艺控制。
到目前为止，用于控制等离子体工序的工艺控制算法的开发和执行已通过系统控制器或外部计算机进行操作，例如用于检测腐蚀终点。这种装置的优点是系统制造商易于算法开发。另一方面，一个主要缺点是对系统控制器的响应时间太慢，即为几秒以上的量级。由于也需要模拟接口，因此妨碍了系统控制器执行精确的工艺检测所需要的高级算法。由于这个原因，优选在智能传感器中而不是附带的计算机中运行检测和控制算法，由此响应时间显著减小，例如为毫秒的量级。
现有方法的另一个问题是从用户的观点来看控制算法太不灵活，用户很难在工艺控制中进行调节。由于现有的工艺控制器必须在制造厂编程，因此用户不可能在算法中进行本地调节。这使得在本领域的现有状态下不可能进行快速的开发、测试、存储和调用检测算法。由于检测和控制算法在很大程度上归终端用户所有，并且通常很大程度上依赖于系统，因此最好是终端用户而不是传感器制造商开发这些算法。
系统控制器太慢和常规模拟接口阻碍了系统控制器执行精确的工艺检测需要的更高级算法。优选的装置要求在智能传感器中运行检测软件，其中响应时间由当前的响应时间显著降低到毫秒量级。
直到近来，传感器技术不能灵活而准确地监视在传感器的位置上的操作参数，例如电压、电流和相位角。根据公开的U.K.专利申请GB 2,315,620A中介绍的系统可以完成这些。现有的工艺检测和控制系统的装置要求将一个单独的小型计算机作为传感器的“智囊”。由于这个原因，需要将附加的硬件永久性地连接到等离子体设备，但这些装置并没有解决延迟的算法开发和慢响应时间的问题。此外，由于所有的计算都由传感器管理，不再需要到系统控制器的模拟连接，由此降低了施加噪声的机会。
最近出现了使用图形用户/设计界面的代码建立软件包。商用软件的一个例子是在Matlab Simulink Interface公司出售的。在Simulink软件包中，在计算机的显示器屏幕上使用计算机鼠标或类似装置拖放图标来操作图标或方框。有一个可使用的方框库，包括标准的方框和用户定制设计的方框。程序使用方框图的指代(metaphor)表示动态系统。方框由方框库拷贝并连接以便形成系统，用线表示一个方框到下一个方框的信号路径。然后目标定向软件产生与用户建立的方框图所代表的算法一致的数字信号处理代码。方框可以代表例如信号发生器、滤波器、示波器等，可允许用户模拟需要的信号处理环境并观察它的运行情况。然而，Matlab Simulink系统不能将算法或代码从计算机下载到工艺控制器的ROM或其它存储器件内。
监视RF等离子体电源的电流、电压和相位角并根据这些参数的变化确定工艺终点的等离子监视和控制系统在Turner等人的U.S.专利No.5,576,629中介绍。该系统要求一个专用的工艺控制计算机。也没有对用户对计算机编程以影响工艺终点检测中的变化的采取任何措施。该系统借助谐波检测可以达到工艺控制的任何速度。Turner等人的检测系统也很复杂、繁琐并且昂贵。此外，没有存储用户定义的算法的装置。
本发明的一个目的是通过提高系统控制器的响应速度并允许用户定义控制等离子体工艺的工艺算法，改善DC、RF或其它(例如千赫或微波范围的频率)等离子体工艺。
本发明的一个更具体的目的是提供一种等离子体工艺控制装置，能使等离子体处理系统的终端用户在智能等离子体传感器系统中快速地开发、测试、存储和调用检测算法。
本发明的再一目的是提供一种工艺控制装置，其中根据用户确定的控制标准，等离子体工艺的用户可以快速地定义和建立控制算法，并且不需要软件技术的专门培训。
本发明的又一目的是提供一种工艺控制装置，能使用拖放型图形用户界面(GUI)，能允许用户建成检测算法的方框图，能允许用户将表示该算法的代码下载到用于实时操作的传感器内，并且含有实时图形测试/调试界面允许用户检查和评估设计的算法。
本发明的还一目的是使用具有很高动态范围(50dB或更高)的传感器，进行能操作复杂的读出/检测算法的板上(on-board)信号处理。
本发明的另一目的是提供一种带传感器硬件的系统，能将输出信号(模拟或数字)发送到系统控制器用于工艺检测，需要时能存储和调用许多以前开发的算法。
本发明的又一目的是提供一种工艺检测装置，装备在小尺寸的机壳或箱体中，或能整个地固定在传感器机壳内。
本发明的还一目的是借助屏幕显示的算法直接控制发生器或相关设备，可以使用或不使用用于实时测试和调试屏幕显示的算法的系统控制器。
根据本发明的一个方案，等离子体工艺控制装置用于涉及如DC或RF等离子体的等离子体工艺。等离子发生器向等离子体室提供电源在控制的级别进行等离子体工艺。施加到等离子体室的电源具有可检测的操作参数，在RF等离子体时包括电压和电流级别以及相位角。检测系统置于等离子体发生器装置和室之间，用于检测操作参数，例如RMS电压、RMS电流和相位角。工艺检测系统(PDS.)控制器具有连接到检测系统以接收它的所述操作参数的输入装置，用于存储控制程序以根据这些操作参数确定输出控制信号的可编程存储器单元，和连接到等离子体发生器的控制输入的控制输出。外部的计算机装置包括显示器，拖放装置即鼠标、轨迹球、游戏杆等，和存储适当的代码建立程序以根据用户确定的工艺要求产生用户选择的控制程序的存储器。代码建立程序可以是面向对象程序。外部的计算机在显示器上显示各图标，用户通过使用拖放装置选择图标并在显示器上连接它们。拖放装置可以是从图标库将图标拷贝到显示器屏幕的工作区并连接这些图标的输入和输出节点的任何合适的装置。以此方式，用户可建立工艺算法的方框图以代表操作参数的逻辑处理。外部的计算机产生对应的用户选择的控制程序。然后，计算机装置将用户选择的控制程序下载到PDS控制器的可编程存储器，等离子体系统已准备好用于测试或使用。如果为校正工艺需要修改算法，例如改变工艺的终点，仅需几分钟就可完成。
几个这些读出和检测算法可以存储在PDS控制器的可编程存储器中，可以用于控制各个不同的等离子体工艺操作，或用于控制相同等离子体操作的不同阶段，例如，腐蚀和淀积。
在许多可能的应用的一个中，工艺工程师希望检测腐蚀操作的终点。工艺工程师希望腐蚀工艺完成时减活化RF等离子体电源。经过一些实验后，工程师假设经过特定的时间后，当重新激活的电源压降低于阈值级别时可以检测出确定终点的最好方法。
根据本发明的现有状态，如果工艺工程师想要验证它的理论，他要求助于系统控制器的软件工程师，要求开发植入控制器软件的算法。由等离子传感器到系统控制器的模拟线的线路以约每秒两次的速率取样。经过大量的工作后，系统控制器软件安装完毕并准备用于调试操作。如果执行的算法实际上工作了，那么工作就完成了。然而，如果算法没有按需要工作或如果算法需要修改，那么必须重复上述操作工艺。此外，存在RF噪声影响由传感器路由到系统控制器的模拟信号的可能性，能引入寄生信号。安装、测试和调试的周期时间在几个月的数量级。
根据本发明的工艺检测系统(PDS)，工程师可以容易地测试它的终点检测理论。工程师可以简单地建立代表它的控制算法的方框图，通过在计算机的显示器屏幕上拖和放需要的方框标识。然后他将工艺算法从计算机上下载到PDS控制器，即到传感器内，在其中测试工艺算法。开始进行工艺，使用工艺检测系统的实时图形调试特性，工程师可以监视算法的运行情况。工程师可以根据需要在现场修改。例如，如果他确定算法激活之前的时间长于0.2秒，那么他可以改变方框图上的时间标准，修正由计算机产生的代码。然后修正的算法再次下载到传感器内。算法永久地存储到pds存储器内，数字线将到达终点的信号送到系统控制器。调试时间已减少到约一个小时的数量级，软件专家或软件工程师不必参加也可以完成。此时，产生用于PDS控制器代码的所有必须工具都包含在外部的计算机中，并允许用户不必进行任何软件开发的专门培训就可以建立工艺控制算法。
本发明的PDS控制器将图形算法开发/调试系统集成到用于外部计算机的操作软件内，并由此允许完全由用户建立和修改等离子体工艺控制算法。此外，仅在算法开发阶段需要外部计算机，对于实际的工业等离子体处理并不需要。由此，任何一个这种计算机可以用于一个以上的等离子体系统。此外，可存储用于不同等离子体工艺应用的多种算法的等离子体PDS控制器允许最终用户根据需要选择一个存储的算法，由一个工艺到另一个工艺。
在优选的装置中，代码建立软件为PC兼容，并且可用“高级”语言写成，例如Microsoft Visual Basic或Visual C。软件通过如RS-232的标准的PC接口通讯用于算法下载。PDS优选的装置和智能等离子体传感器结合使用，具有下面的特点(1)板上(on-board)数字信号处理器(DSP)，在允许最终用户定义专用于他的/她的算法的多任务环境下操作；(2)永久地存储多个算法并根据命令调用这些算法的能力；(3)可由最终用户配置在运行用户选定的算法的状态以及(4)产生输出信号的能力，无论是模拟或数字，可以用于指示系统控制器或系统中其它的硬件的状态。
通过下面结合附图对优选实施例的说明，本发明的以上和许多其它目的、特点和优点将变得很显然
图1根据本发明的一个实施例用于等离子体工艺的工艺控制系统的系统方框图。
图2和3是为了介绍本发明的腐蚀工艺衬底和涂层的示意性剖面图。
图4示出了图1的等离子体系统的一个操作参数随时间变化的曲线。
图5示出了本发明的一个实施例中使用的图标库的一部分。
图6为用于解释本发明的控制算法的示意性方框图。
图7为另一个可能的控制算法的示意性方框图。
图8A到8G为解释图7的控制算法操作的图表。
参考附图，首先为图1，作为例子示出了等离子体处理系统10，此时系统10为RF等离子体系统。等离子体发生器12以预定的频率即13.56MHz提供RF电源。发生器12的输出后接阻抗匹配网络14，该网络通过电压/电流传感器系统16将电源加到等离子体室18的输入。真空连接部分20将等离子体室18连接到真空泵(未显示)，气体入口22连接到供气口(未显示)，气体通常包括氩气、或气体的混合物。气体压力控制器24用线与气体入口22连接，用于调节气体压力和在等离子体室中读出气体压力。
工艺检测系统控制器或PDS控制器26根据不同的传感器输入控制等离子体工艺。该PDS控制器可以为单独的单元，但也可以引入到V/I传感器系统16的机壳内。信号总线28将传感器16与PDS控制器26的输入连接，以传输施加到等离子体室18的电源的电压、电流、相位或其它操作参数的信号。
包括用于等离子体工艺的工艺控制算法的操作代码存储在PDS控制器26的存储器件30中。该器件30可以为能存储下载的编程代码的可擦除可编程只读存储器，例如E-PROM。
连接到PDS控制器26的附加传感器32设置在等离子体室18上，可以为例如响应于与等离子体辉光放电有关的可见波长的光学传感器。另一个传感器(或几个传感器)34与匹配网络14有关，可以提供电容调谐位置、相位错误、或数值误差的信息。与等离子体发生器12有关的传感器36可以提供有关正向电压或正向电流、或施加的电源的信息。PDS控制器26的输出38连接到等离子体发生器的控制端；PDS控制器26的另一输出40接到阻抗匹配网络14的控制端。这些传感器和输出意在举例说明检测和控制不同的可能操作参数和变量。除了这里讨论的这些，许多其它的都可以。
可以为小型个人电脑(PC)、笔记本、或膝上电脑的外部计算机42安装模块PDS编码系统44以在PDS控制器26中执行需要的算法。外部计算机也有一个显示器46、键盘48和鼠标或其它类似装置50，以及其它常规的外围装置(未示出)。计算机42使用标准的电缆和连接器连接到pds控制器26，虽然使用红外线耦合或其它无线连接也可以容易地进行。
下面参考图2和3介绍根据本发明的工艺。这里硅晶片或衬底52具有施加到它的整个前表面的铝涂层54。光刻胶掩模56覆盖铝涂层54的选择部分，岛(land)限定了电极和导体的位置，岛之间的空间限定了要除去金属化的位置。这里，铝金属要腐蚀除去。对铝进行等离子体腐蚀操作，除去光刻胶56的岛之间的铝金属化露出硅，如图3所示。腐蚀操作应除去所有的铝，但不应继续除去硅。工艺控制监视等离子体腐蚀的操作参数并根据这些参数的变化检测等离子体腐蚀的终点。
图4为无功功率与操作时间之间的关系图表，显示出了本发明可能的执行工艺。这里，监视无功功率中的变化以检测终点。功率的无功分量随腐蚀掉铝的时间变化，从初始级别到最终的级别，最终的级别对应于完成腐蚀阶段。无功功率为复数的RF施加功率的“虚部”分量，可以由(rms)电压Vrms、(rms)电流Irms和电压和电流之间的相位角φ得到，即，无功功率=Vrms*Irms*SIN(φ)。要避免错误的读取，工艺应继续至少一些最小时间，对应于图上的下拐点。要使用所述终点检测系统，用户可以建立一个算法，其中终点对应于达到或超过至少预定阈值的无功功率，预定的一些最小时间阈值已超过。这是一个简单并且相当直接的算法，要使用该算法，用户可从图标库中选择，如图5所示。
模块编码系统44包括内含图标库的图形用户界面，部分图标显示在图5中。这些图标出现在监视器46的屏幕上，用户可以点中并单击鼠标50拖住并释放这些图标。图表移动并拷贝到屏幕上的工作区以建立逻辑电路图。图5仅示出了所有可能图标中的一部分，包括许多可能的输入，例如相位角φ、电压Vrms、电流Irms，参考电压Vref、参考电流Iref、工艺时间T；算术操作符，包括加、乘、减、倒数、时间微分、可设置增益的放大和开方。也显示出了三角函数，Sinφ、Cosφ、Tanφ、arcsin x、和arccos x，以及不同的逻辑操作符，即比较器、AND门、OR门、异或门。虽然未显示在这里，但附加的输入可以包括正向功率、反射功率、无功功率、驻波比或SWR、反射系数、阻抗值、复数阻抗，以及V/I探针检查状态(报警条件等)。其它的输入可以包括匹配网络电容1位置、匹配网络电容2位置、匹配网络相位误差、匹配网络数量误差、匹配网络状态(报警等)、其它匹配网络传感器、发生器正向功率、发生器反向功率、发生器频率(频率调谐发生器)、谐波级别、发生器设定点、发生器状态(报警等)和其它传感器输入。附加的算术操作符可以包括除、积分、任意次方(XN)、自然对数(Ln)、对数(底为10)和exp(x)。附加的三角函数包括余切、反正切、双曲正弦、双曲余弦、和双曲正切。其它的操作符包括高通滤波器(HPF)、低通滤波器(LPF)、带通滤波器(BPF)、带阻滤波器(BSF)、通用的有限脉冲响应滤波器(FIR)、通用的无限脉冲响应滤波器(IIR)、快速傅立叶变换(FFT)、快速傅立叶逆变换(IFFT)、卷积和相关。逻辑操作符还包括NOT(逻辑反向器)、单触发(边沿触发器件)、J-K触发器和D触发器。输出包括模拟输出、数字输出、comm输出(借助串形连接用于通讯输出)、字存储器(存储一个值)、或标志存储器(存储一个标志或位)。以上并不是可能的图标或操作符的详尽列举；还可以更多地列举，但都在这里列出将太多。
图6示出了由用户产生的控制函数的示意性方框图。这里通过拖住和释放来自库的输入、操作符和输出并连接它们各自的输入和输出节点形成该例的控制算法。这里，选择输入Vrms和Irms以及相位角φ。有两个乘法操作符60,62、一个正弦操作符64、两个比较器操作符66,68和一个AND门70。rms电压和电流相乘，然后它们的结果乘以相位角φ的正弦得到无功功率的计算值。该值与选择的阈值相比较。工艺时间与时间阈值相比较，两个比较器66,68的输出送到AND门70的输入，它的输出驱动到达终点的输出72。本领域的技术人员明白，每个图标对应于执行功能的代码方框，数字地由图标表示。通过选择和连接这些建立的方框或图标，用户有效的在对应的代码框之外产生代码。然后模块编码系统中的软件自动地编辑和调试被下载到PDS控制器26的代码存储器30的代码。现在可以进行等离子体腐蚀工艺的测试运行，允许用户评估终点检测方案(scheme)。如果算法需要任何改变，使用外部的计算机，算法可以很容易地改变或者阈值升高或降低。改变算法需要的时间仅为几分钟，不需要任何技术性的软件帮助。
此外，控制实际的等离子体工艺的更复杂的算法显示在图7中，并附加参考图8A到8G。与图8A到8G有关的字母A到G对应于图7中这些字母指示的电路点处的信号。这里，重要的基本操作参数为正向功率，可以直接由V/I传感器系统16得到。在该算法中，建立的方框图如图7所示，正向功率输入74连接到低通滤波器方框76，之后接微分器方框78，它的输出连接到比较器80的一个输入。阈值输入82连接到比较器80的另一个输入。比较器80的输出连接到单触发电路84，电路84的输出接AND门86的一个输入。比较器的输出也连接到反向器或NOT88，它的输出连接到AND门86的另一个输入。AND门的输出连接到输出90，控制发生器12。
图7中点A处的正向功率与时间变量级别的关系，显示在图8A中。正向功率从等离子体操作的开始(时间T0处)保持较低级别，直到达到时间T1处的第一临界点。然后正向功率随时间增加而提高直到第二临界时间T2，之后它保持在第二较高的级别。选择时间T2处的正向功率曲线处的该拐点作为终点。在LPF级76处功率级别中小的变化变得平滑，如图8B所示。微分器78的输出(图8C)在时间T1处变高电平，然后在时间T2处下降变低电平。微分器的输出与比较器80中的参考级别相比较，产生方形信号(图8D)在T1处由低电平变高电平并在T2处由高电平变低电平。单触发电路84产生T1之前为低电平T1之后为高电平的逻辑信号(图8E)，而NOT或反向器88产生与图8D信号相反的逻辑信号(图8F)。图8E和8F的数字信号施加到AND门86的输入，由此AND门的输出向输出90施加终点信号，如图8G所示。时间T1和T2的实际位置根据等离子体的条件变化，但该方案可以可靠地发现确切的终点。然后对应的代码存储在存储器件30内，当使用相同类型的等离子体应用时随时可以调用。代码可以容易地上载回到计算机36并修正，毫不困难地完成控制算法的改变和校正。此外，如上面提到的，可以存储许多可以用于控制不同的各等离子体工艺操作控制算法。
用户可开始使用该算法控制的等离子体操作。在测试运行期间，用户仅简单地单击计算机显示器46上的电路测试点，计算机将显示在给定输入或输出下的参数值。例如单击微分器78的输出得到对应于图8C的微分输出的实时值。在运行期间，工艺值连续地由控制器上载到计算机。这样有助于控制算法的测试，以便在测试运行期间或紧接其后对算法进行任何校正或改变。
应该理解不同的逻辑处理可以得到相同的结果，例如使用J-K触发器、或其它可得到的逻辑、算术或图标库中可得到的其它操作符。
显示器上由图标代表的操作符可以使用鼠标或类似装置拖动光标进行连接，或用键盘使用由用户指定的节点号将电路点结合到一起。此外，程序具有增加用户建立的操作符图标的能力。
此外，采用本发明可以直接控制设备不必通过系统控制器。例如，在到等离子体室到RF发生器的输入处的探针的闭合回路控制可引入该系统，不受系统控制器26的控制。
现已参考选择的优选实施例介绍了本发明，意在提供实用的例子，而不是限定本发明的范围或精神。本发明也可应用于等离子体工艺以外的任何施加控制的RF或DC电流以影响材料或工件的一些物理或化学变化。
权利要求
1．一种等离子体工艺控制装置，其中等离子体发生器(12)向等离子体室(18)提供电源用于在控制的级别进行等离子体工艺，所述电源具有可检测的操作参数，包括电压和电流，其中检测系统(16)检测所述操作参数；包括具有连接到所述检测系统(16)以接收它的所述操作参数的输入装置(28)的PDS控制器(26)，用于存储控制程序以根据所述操作参数确定输出控制信号的可编程存储器单元(30)，以及连接到所述等离子体发生器(12)的控制输入的控制输出(38)；特征在于外部的计算机装置(42)具有显示器(46)，图标拷贝装置(50)，和存储适当的代码建立程序(44)以根据用户确定的工艺要求产生用户选择的控制程序的存储器，外部的计算机装置(42)连接到所述PDS控制器(26)，用于将用户选择的控制程序从外部的计算机装置装载到所述PDS控制器的可编程存储器中；特征在于各图标(图5)出现在显示器(46)上并被选择和连接以代表所述操作参数的逻辑处理，由此所述外部的计算机装置(42)产生装载到所述PDS控制器(26)的对应用户选择的控制程序。
2．根据权利要求1的等离子体工艺控制装置，特征还在于所述图标包括算术操作符、逻辑操作符、三角函数操作符和信号处理操作符。
3．根据权利要求1或2的等离子体工艺控制装置，特征还在于所述控制输出包括终点信号，并且在于所述等离子体发生器(12)响应所述终点信号停止提供所述电源。
4．根据权利要求1,2或3的等离子体工艺控制装置，特征还在于所述外部的计算机装置(42)包括将操作数据从PDS控制器(26)上载到计算机内的装置，在工艺进行的同时所述计算机进行测试和调试所述控制程序。
5．根据以上任意一个权利要求的等离子体工艺控制装置，特征还在于连接到所述发生器(12)的传感器(36)监视与所述发生器相关的附加操作参数，所述传感器(36)连接到所述PDS控制器(26)的输入。
6．根据以上任意一个权利要求的等离子体工艺控制装置，特征还在于所述图标拷贝装置(50)包括用于拖住和释放所述显示器(46)上的所述图标的装置。
7．根据以上任意一个权利要求的等离子体工艺控制装置，特征还在于所述检测系统(16)包括电压-电流探针，提供表示等离子体室(18)的RMS电压级别、RMS电流级别和所加的电压和电流之间的相位角的输出信号。
8．根据以上任意一个权利要求的等离子体工艺控制装置，特征还在于所述可编程存储器单元(30)为非易失性存储器。
9．根据以上任意一个权利要求的等离子体工艺控制装置，其中RF阻抗匹配网络(14)置于所述等离子体发生器(12)和所述离子体室(18)之间，所述匹配网络包括检测所述等离子体室的电级别和相位角之间差别的误差检测器(34)，匹配网络具有至少一个可调的阻抗，用于调节所述可变阻抗的值，特征在于所述PDS控制器(26)包括连接到所述匹配网络(14)的第二控制输出(40)，用于调节所述可变阻抗的值。
10．一种工业工艺控制装置，其中电源发生器(18)提供电源，用于在控制的级别进行工业工艺，所述电源具有可检测的操作参数，包括电压和电流，其中检测系统(16)检测所述操作参数；包括具有连接到所述检测系统(16)以接收它的所述操作参数的输入装置(28)的PDS控制器(26)，用于存储根据所述操作参数确定输出控制信号的控制程序的可编程存储器单元(30)，和连接到所述等离子体发生器装置的控制输入的控制输出(38,40)；特征在于外部的计算机装置(42)包括显示器(46)，图标拷贝装置(50)，和存储适当的代码建立程序(44)以根据用户确定的工艺要求产生用户选择的控制程序的存储器，其中各图标(图5)出现在显示器(46)上，使用图标拷贝装置(50)选择并连接以代表所述操作参数的逻辑处理，特征在于所述外部的计算机装置(42)产生相应用户选择的控制程序，并且特征在于用户选择的控制程序从外部计算机装置(42)装载到所述PDS控制器(26)的可编程存储器(30)。
11．根据权利要求10的工业工艺控制装置，特征还在于所述外部的计算机装置(42)包括在所述工业工艺的操作期间选择任何所述图标的装置，其中所述计算机显示器(46)显示对应于选择的图标的工艺操作参数。
全文摘要
等离子体工艺控制装置控制用于为RF或DC等离子体工艺的等离子体室(18)提供电源的等离子体发生器(12)。传感器系统(16)检测电源的操作参数,包括电压和电流。工艺检测系统(pds)控制器(26)具有连接到检测系统(16)以接收它的所述操作参数的输入,用于存储在所述操作参数的基础上确定输出控制信号的控制程序的可编程存储器单元(30),和连接到所述等离子体发生器的控制输入的控制输出。外部的计算机装置(42)包括显示器(46),图标拷贝装置,例如适于拖放操作的鼠标(50),和存储适当的代码建立程序(44)以根据用户确定的工艺要求产生用户选择的控制程序的存储器。各图标出现在显示器上并被选择和连接以代表所述操作参数的逻辑处理,外部的计算机装置(42)产生相应用户选择的控制程序。例如使用标准的连接器和电缆,用户选择的控制程序由外部的计算机装置下载到pds控制器(26)的可编程存储器(30)。
文档编号H01J37/32GK1224987SQ9812340
公开日1999年8月4日 申请日期1998年10月19日 优先权日1997年10月20日
发明者D·F·沃纳, K·S·格里斯, K·P·纳斯曼 申请人:恩尼技术公司