入射至荧光部件22。进而，荧光部件22中，将构成该荧光部件22的荧光体激发。由此，在荧光部件22中，自荧光体放射荧光LI。该荧光自荧光射出面即光激性结构部23的表面射出，通过分色镜16沿垂直方向上反射后，射出至荧光光源装置10的外部。
[0111]在这样的荧光光源装置10中，波长转换部件21在荧光部件22的表面上形成有光激性结构部23，由该光激性结构部23的表面构成激发光受光面和荧光射出面。进而，在光激性结构部23的表面上形成有二维周期性排列大致圆锥状凸部25而成的周期结构24。因此，能够以高效率将自构成荧光部件22的荧光体放射的荧光LI从波长转换部件21的荧光射出面即光激性结构部23的表面取出至外部。而且，由于能够以高的效率自波长转换部件21将荧光LI取出，因而抑制了荧光部件22被无法自荧光射出面射出的荧光LI加热。因此，由于抑制了荧光部件22的温度上升，因而可以抑制在荧光体中因发生温度消光导致的荧光光量的降低。
[0112]进而，光激性结构部23由于其材质是无机化合物(金属氧化物)，因此形状不会因激发光L即激光的热量等热量影响而变形。因而，波长转换部件21中，能够长期地以高的效率将荧光LI自荧光射出面取出。
[0113]因此，利用荧光光源装置10，由于能够有效地利用在波长转换部件21内部产生的荧光LI并以高的效率射出至外部，因而可获得高的发光效率。
[0114]另外，该荧光光源装置10由于波长转换部件21由荧光部件22和光激性结构部23构成，因而不需要使荧光部件22形成有周期结构。而且，构成光激性结构部23的特定无机化合物层具有优异的加工性(易加工性)。因此，通过经由波长转换部件形成工序，可以容易地形成具有所需形状的周期结构24。
[0115]以上对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，可以加以各种改变。
[0116]例如，波长转换部件只要形成于荧光部件上的光激性结构部由特定无机化合物层构成即可，该光激性结构部的光激性结构(周期结构)并不限定于图1?图4的周期结构。具体而言，波长转换部件也可以具有如图11和图13?图15所示的结构。
[0117]具体而言，图13的光激性结构部23除了由设置于荧光部件22表面上的薄膜部42和设置于该薄膜部42上的多个(图13中为4个)纺锤状(例如大致圆锥状)凸部43构成之外，具有与图1的光激性结构部23相同的构成。
[0118]图14的光激性结构部23除了凸部43的形状为锥台状(例如圆锥台状)以外，具有与图13的光激性结构部23相同的构成。
[0119]图15的光激性结构部23除了凸部43为使该凸部43的高度方向的截面形状为六边形形状且这些多个凸部43以相互间分离的状态以一定的间隔排列以外，具有与图13的光激性结构部23相同的构成。该图15的例子中，与凸部43高度方向垂直的方向的截面形状为圆形。
[0120]这里，凸部43的形状如图11、图14和图15所示那样，当前端部43a平坦时，前端部43a的尺寸(最大尺寸)小于激发光L的波长。
[0121]如图11和图14?15所示那样，当光激性结构部23为具有薄膜部42和凸部43的构成时，由于在光激性结构部23与荧光部件22之间获得了高的密合性，因而抑制了在光激性结构部23与荧光部件22之间发生剥离。
[0122]另外，如图11、图14和图15所示那样，当凸部43的前端部43a平坦时，例如在荧光光源装置的制造过程中构成部件的组装工序等中，抑制了因其他构成部件(例如分色镜16等)接触凸部43前端部43a等而发生破损。
[0123]另外，波长转换部件只要由光激性结构部的表面形成波长转换部件的荧光射出面即可，波长转换部件的激发光受光面例如可以由荧光部件的内表面形成。
[0124]另外，荧光光源装置整体的结构并不限定于图1所示的结构，可以采用各种构成。例如图1的荧光光源装置中，使用了 I个激光二极管11的光，但也可以是激光二极管有多个、在波长转换部件前配置集光透镜、将集光光照射至该波长转换部件的形态。另外，激发光并不限定于由激光二极管产生的光，只要能够激发波长转换部件的荧光体即可，可以是对LED产生的光进行集光，进而也可以是来自密封有汞、氙等的灯的光。另外，如灯或LED那样，当利用在放射波长上具有幅度的光源时，激发光的波长是主要的放射波长的区域。但是本发明中并不限定于此。
[0125]符号说明
[0126]10荧光光源装置
[0127]11激光二极管
[0128]15准直透镜
[0129]16分色镜
[0130]20荧光发光部件
[0131]21波长转换部件
[0132]22荧光部件
[0133]23光激性结构部
[0134]23A无机化合物层(光激性结构部形成层)
[0135]24周期结构
[0136]25凸部
[0137]27抗蚀图案膜
[0138]27A残膜
[0139]28A薄膜部
[0140]28B凸部
[0141]31基板
[0142]33光反射膜
[0143]34扩散反射部件
[0144]39放热部件
[0145]39a散热用翅片
[0146]41周期结构
[0147]42薄膜部
[0148]43凸部
[0149]43a前端部
[0150]51软模具
[0151]52凹部
[0152]61荧光部件
[0153]62基板
[0154]63硫酸钡层
[0155]65放热部件
[0156]65a散热用翅片
[0157]L激发光
[0158]LI荧光
【主权项】
1.一种荧光光源装置，其特征在于，其具备由在激发光作用下激发的荧光体构成的波长转换部件， 所述波长转换部件由含有荧光体而成的荧光部件和形成在该荧光部件上的光激性结构部构成，该光激性结构部的表面为该波长转换部件的荧光射出面， 所述光激性结构部通过由金属氧化物形成且具有自所述荧光部件向远方延伸的柱状结构的无机化合物层构成。2.根据权利要求1所述的荧光光源装置，其特征在于，所述光激性结构部在所述无机化合物层的表面上形成有二维周期性地排列多个凸部而成的周期结构，该多个凸部分别由构成该无机化合物层的柱状单元构成。3.—种荧光光源装置的制造方法，其特征在于，其用于制造具备由在激发光作用下激发的荧光体构成的波长转换部件而成的荧光光源装置， 通过经由以下工序获得由下述荧光部件和利用表面进行了蚀刻处理的下述无机化合物层构成的光激性结构部构成的波长转换部件: 在含有荧光体而成的荧光部件上形成由金属氧化物形成且具有自该荧光部件向远方延伸的柱状结构的无机化合物层，对该无机化合物层的表面进行蚀刻处理。4.根据权利要求3所述的荧光光源装置的制造方法，其特征在于，所述无机化合物层利用溅射法形成。
【专利摘要】本发明的目的在于提供荧光光源装置及能够容易地制造该荧光光源装置的制造方法，所述荧光光源装置能够有效地利用在波长转换部件内部产生的荧光并以高的效率射出至外部，因此可获得高的发光效率。本发明的荧光光源装置的特征在于，其具备由在激发光作用下激发的荧光体构成的波长转换部件，所述波长转换部件由含有荧光体而成的荧光部件和形成在该荧光部件上的光激性结构部构成，该光激性结构部的表面为该波长转换部件的荧光射出面，所述光激性结构部通过由金属氧化物形成且具有自所述荧光部件向远方延伸的柱状结构的无机化合物层构成。
【IPC分类】F21Y115/30, F21V9/16, C09K11/08, C09K11/00, H01L33/50, H01S5/02, F21V7/22
【公开号】CN105556201
【申请号】CN201480051629
【发明人】井上正树, 北村政治
【申请人】优志旺电机株式会社
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2014年9月11日
【公告号】WO2015041138A1