、黄绿色发光二极管芯片以及白色发光二极管芯片所 构成的组的一种或更多种的组合。
[0054] LED可以是俯视型发光二极管或侧视型发光二极管。
[0055] 封装体IlOA可以由具有反射率的材料形成。另外，封装体IlOA可以由环氧模塑 化合物（EMC)形成，但实施例不限制封装体IlOA的材料。
[0056] 布置在封装体IlOA中的第一引线框112和第二引线框114可以沿与X轴方向（其 是发光结构180的厚度方向）交叉的方向（例如，y轴方向，其是与X轴方向垂直的方向） 布置为彼此间隔开。第一引线框112和第二引线框114的每一个可以由导电材料（例如， 金属）制成，但是实施例不限制第一引线框112和第二引线框114的每一个的材料的类型。 封装体IlOA可以作为绝缘层布置在第一引线框112与第二引线框114之间，以电绝缘第一 引线框112和第二引线框114。
[0057] LED可以包括衬底170、发光结构180以及第一电极190和第二电极192。
[0058] 发光结构180可以布置在衬底170上。衬底170可以由适合生长半导体材料的材 料或载体晶片形成。另外，衬底170可以由具有优良导热率的材料形成，或者可以是绝缘 衬底。例如，衬底170可以由包括选自蓝宝石（Al 2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga203、 GaAs以及Ge所构成的组的至少之一的材料形成。不均匀图案可以形成在衬底170的顶面 上。例如，虽然未示出，然而衬底170可以是图案化蓝宝石衬底（PSS)。
[0059] 另外，缓冲层（未示出）可以布置在衬底170与发光结构180之间。缓冲层可以 使用第III-V族化合物半导体材料形成。缓冲层用于减小衬底170与发光结构180之间的 晶格常数的差异。例如，缓冲层可以包括氮化铝（AlN)或无掺杂氮化物，但本公开文本不限 于此。取决于衬底170和发光结构180的类型，可以省略缓冲层。
[0060] 发光结构180可以包括第一导电半导体层182、有源层184以及第二导电半导体层 186〇
[0061] 第一导电半导体层182布置在衬底170上。第一导电半导体层182可以布置在 衬底170与有源层184之间，并且可以包括半导体化合物。在本文中，第一导电半导体层 182可以由第III-V族或第II-VI族化合物半导体材料形成，并且也可以掺杂有第一导电 掺杂剂。例如，第一导电半导体层182可以包括成分表达式为Al xInyGau x y)N(0 < X < 1， 0彡y彡1，0彡x+y彡1)的半导体材料，或者可以包括选自InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、 GaAsP以及AlGaInP所构成的组的至少之一。当第一导电半导体层182是n型半导体层时， 第一导电掺杂剂可以包括η型掺杂剂，诸如Si、Ge、Sn、Se、Te等。第一导电半导体层182 可以具有单层或多层结构，但是本公开文本不限于此。
[0062] 有源层184可以布置在第一导电半导体层182与第二导电半导体层186之间。有 源层184可以具有选自单阱结构、双异质结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱（MQW) 结构、量子点结构以及量子线结构所构成的组的一种结构。有源层184可以具有阱层和 势皇层的成对结构，例如，选自使用第III-V族化合物半导体材料形成的AlGaN/AlGaN、 InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs (InGaAs)/AlGaAs 以 及GaP (InGaP) /AlGaP构成的组的至少一种成对结构，但本公开文本不限于此。该阱层可以 由能量带隙低于势皇层的能量带隙的材料制成。
[0063] 第二导电半导体层186可以布置在有源层184上，并且可以包括半导体化合物。第 二导电半导体层186可以由第III-V族和第II-VI族化合物半导体材料形成，并且可以包 括例如成分表达式为In xAlyGa1 x yN(0彡X彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的半导体材料，或 者可以包括选自AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP所构成的组的至少之一。
[0064] 当第二导电半导体层186是p型半导体层时，第二导电掺杂剂可以包括p型掺杂 剂，诸如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。第二导电半导体层186可以具有单层或多层结构，但本公开 文本不限于此。
[0065] 第一导电半导体层182可以实现为η型半导体层，并且第二导电半导体层186可 以实现为P型半导体层。另一方面，第一导电半导体层182可以实现为ρ型半导体层，而第 二导电半导体层186可以实现为η型半导体层。因此，发光结构180可以包括选自η-ρ结、 ρ-η结、η-ρ-η结以及ρ-η-ρ结结构所构成的组的至少之一。
[0066] 第一电极190布置在第一导电半导体层182上，通过使第二导电半导体层186、有 源层184、以及第一导电半导体层182的一部分经受台面蚀刻而暴露该第一导电半导体层 182。第二电极192布置在第二导电半导体层186上。
[0067] 发光器件LED可以具有如图2所示的水平接合结构，但是实施例不限于此。LED也 可以具有竖直接合结构或倒装芯片接合结构。如上所述，图1所示的光源LSl至LS9的每 一个可以具有水平接合结构、竖直接合结构或倒装芯片接合结构，如图2所示。如此，LED LSI至LS9全部可以具有相同的接合结构。根据另一个实施例，LED LSI至LS9可以具有不 同的接合结构。即，LED LSl至LS9中的一些可以具有水平接合结构，LED LSl至LS9中的 一些可以具有竖直接合结构，而其它LED可以具有倒装芯片接合结构。
[0068] 另外，图2示出了 LED布置在第二引线框114上的情况，但实施例不限于此。艮口， LED可以布置在第一引线框112上。
[0069] 另外，虽然未示出，当LED具有水平接合结构时，LED的第一电极190可以通过第 一导线电耦接到第一引线框112,而第二电极192可以通过第二导线电耦接到第二引线框 114〇
[0070] 进一步，虽然未示出，但齐纳二极管可以进一步布置在封装体IlOA上。
[0071] 波长转换单元130可以布置在第一透镜140与封装体IlOA之间。波长转换单元 130用于转换从光源120发出的光的波长。为此目的，波长转换单元130可以例如由硅（Si) 形成，并且可以包括磷光体（或磷光材料），因此可以转换从光源120发出的光的波长。磷 光体可以包括选自YAG基、TAG基、硅酸盐基、硫化物基以及氮化物基荧光材料所构成的组 的至少一种荧光材料（即，波长转换装置），它们全部可以用于将光源120发出的光转换成 白光，但是实施例不限制磷光体的类型。
[0072] 本文可使用的YAG基荧光材料和TAG基荧光材料可以选自（Y、Tb、Lu、Sc、La、Gd 以及Sm) 3 (Al、Ga、In、Si以及Fe) 5 (0和S) 12:Ce，而本文可使用的硅酸盐基荧光材料可以选 自（Sr、Ba、Ca 以及 Mg) 2Si04: (Eu、F 以及 Cl)。
[0073] 另外，本文可使用的硫化物基荧光材料可以选自（Ca、Sr) S :Eu和（Sr、Ca、Ba) (Al、Ga) 2S4:Eu，而本文可使用的氮化物基磷光体可以选自磷光体组分，诸如（Sr、Ca、Si、 Al 以及 0)N :Eu(例如，CaAlSiN4:Eu 和 β -SiAlON :Eu)或 Ca-α SiAlON :Eu(例如，Cax、 My) (Si、A1)12(0、N)16，其中M表示选自Eu、Tb、Yb以及Er所构成的组的至少一种材料， 0· 05〈（x+y)〈0· 3、0· 02〈χ〈0· 27 以及 0· 03〈y〈0. 3。
[0074] 包含N的氮化物基磷光体（例如，CaAlSiN3=Eu)可以用作红色磷光体。与硫化物 基磷光体相比，这种氮化物基红色磷光体在外部环境（诸如热量和潮湿）下可以具有卓越 可靠性和较低的褪色风险。
[0075] 第一透镜140可以布置在封装体IlOA上。第一透镜140可以布置在波长转换单 元130上，使得通过波长转换单元130的光入射到第一透镜140,入射光被第一透镜140折 射和/或反射，然后从第一透镜140发出。第一透镜140可以包括透明材料，例如，硅（Si)、 聚碳酸酯（PC)、丙烯酸树脂（即，聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA))、玻璃等。
[0076] 另外，第一透镜140可以具有诸如球形和非球形等各种形状，但实施例不限制第 一透镜140的形状。
[0077] 根据其它实施例，图1所示的发光模块100A可以实现为如图3所示。
[0078] 参照图3,发光模块100A-2可以包括PCB IlOB和多个LED封装LSl至LS9。图1 所示的基底110可以与图3所示的PCB IlOB对应，而图1所示的多个光源LSl至LS9可以 分别与图3所示的LED封装对应。
[0079] 图3所示的多个LED封装的每一个（例如，LS4、LS5以及LS6)可以具有与图2所 示的发光模块100A-1相同的结构。即，多个LED封装的每一个（例如，LS4、LS5以及LS6) 可以包括封装体110A、第一引线框112和第二引线框114、发光器件LED、波长转换单元130 以及第一透镜140。在本文中，由于LED封装的每一个（LS4、LS5以及LS6)包括与图2所 示的相同的部件，因而相似的部件具有相似的附图标记，因此为了清晰起见省略相同部件 的说明。
[0080] 多个LED封装（例如，LS4至LS6)的每一个的封装体IlOA布置在PCB IlOB上。 在这种情况下，至少一个LED可以布置在封装体IIOA上。
[0081] PCB IlOB中可以形成具有电极图案，该电极图案用于将光源120连接至提供电力 的适配器。例如，用于将适配器连接至光源120的电极图案可以形成在PCB IlOB的上表面。
[0082] 这种PCB IlOB可以是由选自聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)、玻璃、PC以及硅（Si) 所构成的组的至少一种材料制成的衬底，并且可以呈膜的形式。
[0083] 另外，单层PCB、多层PCB、陶瓷衬底以及金属芯PCB可以选择性地用作PCB 110B。
[0084] 结果是，图1所示的基底110可以是图2所示的封装体110A，并且图1所示的光 源120可以是图2所示的LED。在这种情况下，光源