专利名称：缺陷修正装置和缺陷修正方法
技术领域：
本发明涉及在显示设备的制造过程中所进行的缺陷修正技术，尤其涉及适于对诸如FPD (平板显示器)的TFT (薄膜晶体管)基板等基板上所形成的设备图案或布线图案中的缺陷进行修正的缺陷修正装置和缺陷修正方法。
背景技术：
如今，诸如有机EL(电致发光)显示器和液晶显示器等所谓的平板显示器广泛用作显示器设备。这些显示器设备是由包括以下元件的布线基板形成诸如薄膜晶体管 (TFT)和电容等元件以及诸如电连接到这些元件的多个布线(例如，信号布线和电位供应布线)等各种导电部件。在大规模制造用于形成这类显示器设备的布线基板时，例如，由于存在杂质的原因，出现诸如短路(是指本来分开布置的多个布线或元件彼此电连接)和断路(是指本来连续设置的布线或元件的内部部分彼此分开)等所谓的缺陷。随着显示设备的尺寸的增加，在大规模生产时缺陷的发生使得在TFT基板(充当驱动显示器设备的布线基板)中出现的缺陷部分增加，从而导致产率的降低。因而，用于修正(修复)缺陷部分的缺陷修正过程是必要的。例如，用于修正诸如短路和断路等缺陷的方法包括通过激光照射来切断短路部分的方法(激光修复)和通过激光CVD (化学气相沉积)法来连接断路部分的方法。例如，本申请人披露了一种缺陷修正方法，该缺陷修正方法将基板上的单位像素 (布线部)划分成多个区域、为每个区域选择适当的方法、并修正缺陷(参照日本专利申请公开公报No. 2008-159930，在下文称作专利文献1)。如在专利文献1中所述，当通过将缺陷图像(被检查的图像)与具有参考图案的图像(参考图像)之间的差异图像简单设定成缺陷区来实现修正时，除非掌握了缺陷的位置和类型、基板的存在有缺陷的部分的状况等，否则可能出现修正失败。这是因为，缺陷修正方法的选择和诸如施加到缺陷的激光的脉冲周期、激光功率、激光的光点形状(spot shape)、振荡时间等参数中的每一参数的选择取决于操作者的技能和经验，因此，选择结果随着操作者的技能和经验而不同。对于显示器等的TFT基板，对应于每个像素的布线部不仅包括信号布线和扫描布线，而且还包括多个电位供应布线和其它电气元件，因而显著增加了像素内的布线密度和像素结构的复杂性。例如，在对出现的与相同布线接触的缺陷、在布线部内的大体同一位置出现的缺陷等进行修正时，需要根据处于缺陷周围的部件的类型和存在与否来分别选择不同的缺陷修正方法。另外，例如，当考虑通过激光照射切断短路部分时，需要避免由热扩散所导致的周边薄膜晶体管(TFT)等的劣化。尤其是，TFT基板上的如作为单位像素的电容的上层和下层(布线部)之间的层间短路缺陷以高的发生率出现，这是因为电容在布线部内具有较大的面积，而缺陷自身尺寸小。然而，通常，还没有建立用于实现这类有效修正的缺陷修正方法。因而，激光照射条件(激光处理参数)的设定耗费了人力和时间，从而降低了工作效率。在面板生产线的缺陷修正过程中，具有技能的操作者现场检查缺陷、确定缺陷修正方法、并执行诸如激光修复等缺陷修正操作，因而占用了大量的周期时间(cycle time)。 因此，缺陷修正过程的操作速度不能达到整体生产线的大规模生产的速度。于是，在一些面板制造工厂中，通过购置多个缺陷修正装置(修复机)及增加负责各缺陷修正装置的操作者的数量，来解决这个问题。然而，采用这类解决方法导致了如下严重问题，S卩，缺陷修正装置和操作者的数量的显著增加使得设备成本和操作者的工时成本增加，从而显著减少了利润。
发明内容
基于上述情况，提出了本发明。本发明能够在显著提高用于多层结构的上层与下层之间的层间短路缺陷的缺陷修正过程的工作效率的同时，提高缺陷修正的质量。在本发明中，通过包含在缺陷修正装置中的缺陷检测设备检测多层基板中的重复图案内的缺陷。接下来，在由所述缺陷检测设备所检测到的所述缺陷与认为发生层间短路缺陷的区域重叠时，通过包含在缺陷修正装置中的控制设备生成与用于所述层间短路缺陷的缺陷修正方法相对应的对象。接着，使用所生成的对象控制用于修正所述缺陷的缺陷修正设备。另外，期望确定能否执行所生成的对象的缺陷修正方法，并在基于所生成的对象的缺陷修正方法不合适时不进行缺陷修正。根据本发明，能够自动进行层间短路缺陷的修正，然而，在过去，难以设定层间短路缺陷的缺陷修正方法，而且不能自动进行层间短路缺陷的缺陷修正。根据本发明，能够在显著提高层间短路缺陷的缺陷修正过程的工作效率的同时， 提高缺陷修正的质量。
图1表示作为检测目标的基板的结构示例；图2表示图1中所示的基板内的重复图案区域；图3是表示平板显示器的布线基板的制造过程的流程图；图4表示图3中的缺陷检查过程到缺陷修正过程之间的具体流程；图5表示本发明实施例的缺陷修正装置的结构示例；图6表示图5所示的控制设备的内部结构；图7是表示本发明实施例的缺陷修正过程的流程图；图8表示重复图案(布线部)的示例；
图9表示缺陷图像和模板的示例；图10是图8所示的重复图案的层结构的立体图；图11是泄露缺陷(层间短路缺陷)的示例的剖面图；图12用于辅助说明通过过去的清除(zapping)对同层短路缺陷所进行的缺陷修正；图13用于辅助说明通过使用模板对同层短路缺陷所进行的缺陷修正；图14A和图14B表示层间短路缺陷的修正方法，图14A表示通过上层清除实现修正的情况，图14B表示通过所有层清除实现修正的情况；图15A和图15B用于辅助说明激光照射区域的选择，图15A表示环绕清除 (enclosure zapping)，图 15B青除(stationary zapping)；图16表示重复图案的图像中的不具有层的区域进行加标签的示例；图17用于辅助说明环绕清除形式的修复对象的设定图像和用于确定是否能够布置对象的参数；图18表示由于使用环绕清除的修复对象的影响而导致的布线的分离的示例；图19表示基于环绕清除形式的修复对象的最外周矩形的绘制线来确定布线分离的示例；图20表示从进行泄露确定的节点区突出的环绕清除形式的修复对象的示例；图21表示环绕清除形式的修复对象的最外周矩形的绘制线对激光照射禁止区的干扰的示例；图22表示环绕清除形式的修复对象的最外周矩形的绘制线对节点区之外的区域的干扰的示例；图23用于辅助说明节点区随着环绕清除形式的修复对象所进行的缺陷修正而减小的面积的定义；图M表示将不适于确定为断路的缺陷确定为断路的示例；图25表示对断路不是环绕清除形式断路进行确定的示例；图沈表示通过优化环绕清除形式的修复对象的一部分而获得的对象的示例；图27表示通过进一步优化环绕清除形式的修复对象的一部分而形成的对象的示例；图观是用于辅助说明环绕清除形式的修复对象的优化方法的图(1)；图四是用于辅助说明环绕清除形式的修复对象的优化方法的图(2)；图30是用于辅助说明环绕清除形式的修复对象的优化方法的图(3)；图31A和图31B表示使用具有包括泄露缺陷和节点区所彼此重叠部分的外周的对象的示例；图32用于辅助说明静止清除形式的修复对象和用于生成该修复对象的参数；图33表示静止清除形式的修复对象的最外周矩形的绘制线对激光照射禁止区的干扰的示例；图34表示从进行泄露确定的节点区突出的静止清除形式的修复对象的示例；图35表示静止清除形式的修复对象的最外周矩形的绘制线对节点区之外的区域的干扰的示例；
图36表示基于静止清除形式的修复对象的最外周矩形的绘制线来确定布线分离的示例；图37用于辅助说明节点区随着静止清除形式的修复对象所进行的缺陷修正而减小的面积的定义；图38表示通过电导通检查确定泄露缺陷的示例；图39表示在图38中的泄露缺陷应用过去的模板的示例；图40是本发明的一个实施例的获得泄露缺陷的缺陷修正方法(修复对象)的过程的示例的流程图(1)；及图41是本发明的一个实施例的获得泄露缺陷的缺陷修正方法(修复对象)的过程的示例的流程图O)。
具体实施例方式下文将参照
本发明的实施方式的示例。按照下述顺序进行说明。注意， 使用相同的附图标记来表示附图中的相同部分，并省略或简化了重复说明。1. 一个实施例(自动生成泄露缺陷修复对象的示例)下文所述的实施例是本发明的优选示例。因此，增加了各种在技术上优选的限定。 然而，除非下文具体限定本发明，否则本发明的范围不限于这些形式。例如，下文中所说到的处理次序、各个参数的数值条件等仅是优选示例，且说明书中所使用的附图中的尺寸、形状、布置关系也仅是示意性示例。一个实施例概述在本实施例中，将说明目标布线基板形成显示器设备的情况，即，说明大量的用于构成布线基板(由TFT基板等所形成的)的布线部二维地形成为对应于显示器设备中的像素的情况。图1表示本发明的设定成修正目标的平板显示器的制造过程中的基板的示例。图 2表示图1所示的基板内的重复图案区域。在这个示例中，在公共基板3上形成四个平板显示器的布线基板。布线基板1划分成具有稍后所述的重复图案的区域(重复图案区域6)(参照图2)、通过布线5从重复图案连接到外部的外围电路4的区域(外围电路区域)和作为重复图案区域6与外围电路区域之间边界的最外周的区域(最外周区域)。通过二维地形成与平板显示器的像素相对应的布线部2，来获得重复图案区域6与最外周区域。如图2所示，重复图案区域6是除最外周区域之外的重复形成有布线部2的区域中的部分。图3表示平板显示器的布线基板的制造过程的流程，S卩，从布线图案形成过程到缺陷检查过程再到缺陷修正过程的流程。在本实施例中，首先进行布线部形成过程，S卩，以层叠方式在基板3上形成作为期望的布线部2的主要构成的扫描布线、层间绝缘膜、信号布线和电位供应布线(步骤S1、S2 和S3)。另外，还形成外围电路4和布线5，外围电路4连接到最外周区域中的布线部2。可在上述步骤Sl S3中的扫描布线、层间绝缘膜、信号布线和电位供应布线的形成过程之前或之后进行外围电路4和布线5的形成过程。
接下来，通过光学观察(在经历布线部形成过程之后形成的)基板3上的大量布线部2，执行用于检测缺陷布线部加的光学检查过程(步骤S4)。当检测出缺陷布线部加时，将缺陷布线部加在基板3上的位置信息发送到缺陷修正装置的计算机(控制设备)。 在光学检查过程中，根据包含有图1所示的缺陷布线部加的图像(缺陷图像)，来确定所谓的图案缺陷分类信息，图案缺陷分类信息不仅表示缺陷布线部加的存在，也表示缺陷(图案缺陷、杂质等)和缺陷的位置。也确定诸如缺陷的尺寸、类型(例如，材料或状态)等其它特征。另外，通过电气检查过程检测表面之外的区域出现的缺陷，这些缺陷不能通过光学检查过程检测(步骤S5)。接着，在缺陷修正过程中，读取缺陷位置信息，以便对缺陷修正装置的平台 (stage)进行控制，以使其移动到缺陷的位置，通过观察系统确认缺陷，通过激光照射等修正缺陷(步骤S6)。对于缺陷中的各个区域，用于修正基板3上的布线基板1中出现的缺陷的适当方法是不同的。当这个过程结束时，TFT过程(布线基板的制造过程)完成。通过将过去的修正数据配置成能够被调用(call up)的修正数据，极大地改善了修正过程的效率。另外，由于选择适用于缺陷的位置、尺寸和类型的修正数据，所以能够自动地进行过去难以自动进行的缺陷修正过程。图4是表示图3所示的从缺陷检查过程到缺陷修正过程之间具体流程的框图。将经历布线部形成过程后的基板3移动到光学检查机11 (第一步骤)。执行光学检查以识别缺陷。检查结果21输出到缺陷信息管理系统12(第二步骤)。另外，将基板3 移动到电气检查机13 (第三步骤)。执行电气检查以识别缺陷。检查结果22输出到缺陷信息管理系统12 (第四步骤)。缺陷信息管理系统12生成缺陷信息，生成的缺陷信息是上述两个检查结果中的一个检查结果，或是通过将上述两条缺陷信息彼此结合而获得的(第五步骤)，而且缺陷信息管理系统12将缺陷信息作为缺陷信息文件M记录在存储器中。同时，将基板3从电气检查机13移动到修复机14 (第六步骤)，修复机14从缺陷信息管理系统12接收缺陷信息文件M。修复机14基于缺陷信息文件M的内容自动选择适当的修复方法(缺陷修正方法模板(修复对象))、执行修复、并将修复结果25 (数据文件和修复后的图像等)输出到缺陷信息管理系统12 (第七步骤)。此时与基板3 —同接收的缺陷信息文件M还包括基板的层结构的信息。此后，如果需要，将基板3移动到电气检查机13 (第八步骤)。通过电气检查再次核查缺陷修复后的状态。如果需要，再次将缺陷信息输出到缺陷信息管理系统12 (第九步骤)。接着，能够通过缺陷信息管理系统12将缺陷信息发送到修复机14，将基板3移动到修复机14 (第十步骤)以再次执行修复。缺陷修复装置的结构示例图5是对布线基板执行缺陷修正处理的缺陷修正装置(对应于修复机14)的示例的框图。本实施例的缺陷修正装置300是所谓的激光修复设备的示例，其用于通过激光照射断开短路部分的连接。然而，本实施例的缺陷修正装置300也可以是能够执行诸如激光CVD(化学气相沉积)法等布线连接过程的设备(例如，参照日本专利申请公开公报No. 2008-159930的图幻。缺陷修正装置300包括处理设备，该处理设备能够在物镜308与基板3之间执行激光CVD法。日本专利申请公开公报No. 2008-159930的图5、图6和说明书介绍了该处理设备的详细结构。缺陷修正装置300大致上是由控制设备301、缺陷修正设备302和缺陷检测设备 303构成。控制设备301通过通信接口(未图示)等连接到缺陷信息管理系统12，并连接到显示器327和诸如键盘等输入设备328。控制设备301通过缺陷信息管理系统12获得由缺陷检查装置400预先执行的缺陷检查的结果(缺陷信息)，并基于缺陷信息选择最佳的模板。接着，控制设备301对用于修正缺陷的缺陷修正设备302和用于执行详细缺陷观察的缺陷检测设备303进行控制。能够将MPU(微处理单元)或诸如个人计算机等计算机(算法处理单元)应用到控制设备301。控制设备301向缺陷修正设备302中的平台控制部307发送命令，从而移动并调整XY平台305(其上安装有基板幻，使得具有缺陷部分的像素位于物镜308的正下方。接下来，移动聚焦平台310，以调整物镜308和基板3之间的间隔，使得缺陷检测设备303中的成像设备317能够摄制由光学透镜314g所传输的光的对焦图像(in-focus image) 0注意，在这种情况下，通过半镀银镜31 和315b、光学透镜31 和灯309所产生的反射照明 (epi-illumination)来获得适当亮度的图像。所摄制的包括缺陷部分的图像(缺陷图像) 被临时存储在缺陷图像存储器318中。此时的像素对应于图1所示的缺陷布线部加。接下来，控制设备301向平台控制部307发送命令，以移动XY平台305，使得与具有缺陷部分的像素的像素图案完全相同的像素图案的位置位于物镜308的正下方。接着， 摄制不具有缺陷的图像(参考图像)，并将其存储在参考图像存储器319中。此时的像素对应于图1所示的布线部2。缺陷提取部320通过在将缺陷图像存储器318中所存储的缺陷图像和参考图像存储器319中所存储的参考图像彼此对齐之后产生差异图像(缺陷区域图像)，来提取缺陷部分的图像。缺陷提取部320接着将提取的缺陷部分图像输出到详细位置信息提取部321和特征提取部322。注意，差异图像(缺陷区域图像)也输出到控制设备301。详细位置信息提取部321根据XY平台305的目前位置和缺陷图像来计算基板3 上的所提取缺陷的精确位置。详细位置信息提取部321将信息发送到修正方法生成部。特征提取部322将诸如缺陷的颜色、尺寸、对比度和形状等各种特征信息转换成数字值，缺陷的特征信息用于标识缺陷提取部320所提取的缺陷的形式和类型等。特征提取部322将数字值输出到控制设备301。接着，控制设备301基于通过详细位置信息提取部321和特征提取部322获得的详细位置信息和特征信息从修正方法数据库325读取缺陷修正信息(修复方法信息，稍后将详细说明)。该缺陷修正信息界定了缺陷修正设备302中的修正机构部304中每个单元的操作。具体地，例如，控制设备301基于来自详细位置信息提取部321的详细位置信息确定缺陷部分存在于布线基板的哪个位置及处于哪个状态，以及缺陷部分包含什么层信息， 并进行控制以便执行适用于缺陷位置的缺陷修正过程。层信息是形成多层基板的各层的信息。例如，层信息包括表示各层层叠顺序的层ID、层名称和层内的标签数。还存在表示用于形成对应层的各区域(标签)的信息的标签信息。标签信息包括用于标识对应层内的标签的标签ID和表示包括对应标签的层的层ID。另外，如下文所详细描述，控制设备301基于生成的缺陷修正信息在显示器327上以叠加在缺陷图像上的状态显示修正方法(模板(修复对象))。注意，控制设备301具有如下功能，即，控制设备301基于缺陷信息(例如，位置、特征等)根据条件对后文所述的缺陷修正信息的修复对象的一部分进行修正(优化)。另外，一条缺陷修正信息可包括多个修正方法。当操作者查看显示器327上显示的修正方法并确定存在问题时，例如，操作者通过操作诸如键盘、鼠标等输入设备3 (输入部)来选择另一个修正方法，或者改变部分或全部修正方法(缺陷修正信息)。另外，当从修正方法数据库325读取多个缺陷修正方法时，在显示器327上显示多个缺陷修正方法，以提示操作者选择。然后，根据操作者通过操作输入设备3 所选择的缺陷修正方法，进行缺陷修正。当控制设备301接收从输入设备3 输入的操作信号时，控制设备301将缺陷修正方法的选择和改变历史记录在修正方法数据库325中。修正方法数据库325中存储的修正方法用于随后的缺陷修正。当确定出缺陷修正方法时，控制设备301向修正机构控制部316发送命令，以操作修正机构部304内的每个单元，并根据缺陷修正方法对缺陷进行修正。修正机构部304配置成能够通过修正在光学透镜314b和3Hc中激光源313所施加的激光束并随后使激光束穿过可变狭缝312来改变照射尺寸和照射角度。假定可变狭缝312例如是能够在矩形的X方向和Y方向上改变开口长度和旋转角 θ的XY- Θ狭缝，能够通过来自修正机构控制部316的驱动信号来驱动可变狭缝312。照射形状被可变狭缝312调整的激光束通过光学透镜314d传输，并被检流计反射镜(galvanometer mirror) 311a和311b反射。检流计反射镜311a和311b的角度能够二维地变化。通过在修正机构控制部316的控制下驱动检流计反射镜311a和311b，能够在不移动XY平台305的情况下，在物镜308视场内调整激光束的光轴(即，照射位置)。包括这类可变狭缝312和检流计反射镜311a和311b的缺陷修正装置300能够使用激光束等以足够的位置精确度照射缺陷，因而精确地修正图案缺陷。然后，由检流计反射镜311a和311b反射的激光束通过不同类型的光学透镜3He 和314f传输、被半镀银镜(half-si lvered mirror) 31 fe反射、并随后通过物镜308施加到基板3，从而进行缺陷修正。上述缺陷检查装置400能够将光学检查机用作搜寻缺陷的方法，因而能够对具有正常导通状态的图案缺陷进行修正。将更详细地说明控制设备301。图6是表示控制设备301的内部结构的框图。控制设备301包括输入-输出部 351、图像处理部352、缺陷确定部353、修复对象生成部354、环绕清除优化部355、修复对象确定部356、注释生成部357、模板选择部358、修复去除面积计算部359和存储器360。输入-输出部351接收从外部输入的信息，并向外部输出信息。图像处理部 352执行诸如图像合成等图像处理，其将布线图案图像和修复对象合成，例如，二值化 (binarization)等。缺陷确定部353以简单的方式通过缺陷图像和参考图像(无缺陷图像)来确定缺陷的类型、位置、区域、尺寸等。修复对象生成部354生成环绕清除形式或静止清除形式的修复对象。环绕清除优化部355根据缺陷区的位置、尺寸等对环绕清除形式的修复对象进行优化。而且，修复对象确定部356确定自动生成的修复对象对重复图案的电路的影响， 例如，修复对象是否与禁用区重叠，或者修复对象是否导致断路。注释生成部357生成注释内容，以显示在显示器327上。当缺陷确定部353确定缺陷区不与出现泄露缺陷的节点区重叠时，模板选择部358选择最佳模板。修复去除面积计算部359计算用于修正的候选修复对象之中的所有自动生成的修复对象的去除面积。存储器360是内部存储器。存储器360 可采用如半导体存储器等非易失性存储装置。下面将详细说明各处理部的功能和操作。缺陷修正过程将结合缺陷修正装置300的缺陷修正过程来说明由上述结构形成的缺陷修正系统的系列操作。图7是表示缺陷修正过程的主要程序的流程图。步骤Sll:参数设定执行缺陷修正装置300的初始设定。即，设定缺陷修正装置300中的用于实现修正的基本信息。参数是与基板3有关的具体基本信息(设备信息)，例如，作为修正目标的基板3 内的布线部2的数量和布置、图案的数量和布置、对齐标记的位置等。另外，参数也是作为自动修正目标的缺陷的尺寸和条件、诸如在基板3内进行的修正的数量、具有优先权的缺陷的特征等修正条件设定信息、布线图案的形状、所应用的修正方法数据库(可应用在多个数据库的情况下)等。对唯一地设定在缺陷修正装置300中的参数进行设定。步骤S12 放入基板3和设定输入信息将基板3从外部放入缺陷修正装置300，并且输入用于预处理基板3的缺陷信息。 将放入缺陷修正装置300中的基板3的信息和缺陷信息与缺陷修正装置300内设定的参数进行对比，确定作为修正目标的基板3的基本信息，并进行修正条件的初始设定(例如，清除修正过程的数量)。缺陷信息是由缺陷检查装置400中的光学检查所检测的缺陷的数量和坐标，或者是电气检查所检测的缺陷的像素信息(包括用于表示线缺陷或点缺陷的信息)。或者，通过将电气检查所检测的缺陷与光学检查所检测的缺陷联系起来获得缺陷信息。步骤S13:设定缺陷信息在如下方法中，输入来自上述每个基板3的缺陷信息的列表中的一条缺陷信息， 即，该方法是从列表的上部开始依次进行修正的方法、对特定缺陷进行分类(例如，向线缺陷给予优先权)并共同进行修正的方法和缺陷修正装置300的操作者选择任意缺陷的方法中的一种方法。步骤S14:核查缺陷信息核查能否通过基板3的输入缺陷信息的列表进行自动修正。也就是说，存在仅通过输入缺陷信息不能进行自动修正过程的情况，从而核查这种情况。例如，存在如下可能，S卩，如同在已执行了规定数量以上的暗点形成处理的情况下，在已执行了规定数量以上的修正过程的情况下，及在缺陷已经历修正过程的情况下， 在不满足目前的基板3的修正条件时，不能够进行自动修正。另外，还存在如下可能，即，在缺陷的输入坐标不清楚的情况下，或在图案的外部等位置处给出表示不进行修正的清楚限定的情况下，不能进行自动修正。例如，本申请人先前申请的日本专利申请公开公报 No. 2008-155263的图4等详细介绍了这些条件。步骤S15 获得缺陷位置信息当确定输入缺陷信息代表要修正的缺陷时，获得缺陷的详细坐标信息。具体地，根据光学检查结果的缺陷坐标或电气检查结果的像素编号等来计算实际存在有缺陷的位置。 注意，图7将步骤S15描述为“获得子像素坐标”。步骤S16:获取缺陷图像在计算出缺陷的详细位置后，移动XY平台305，并获取缺陷图像以获得重复图案内的详细缺陷信息。详情请参照本申请人先前申请的日本专利申请公开公报 No. 2007-163892和日本专利申请公开公报No. 2008-159930。注意，图7将步骤S16描述为
“获得查看信息”。步骤S17 获得缺陷修正方法将从缺陷图像获得的详细的缺陷信息与缺陷修正方法进行对比，从修正方法数据库325中搜索最佳的缺陷修正方法，并将最佳的缺陷修正方法和缺陷的位置信息一起输出。详情请参照本申请人先前申请的日本专利申请公开公报No. 2008-159930、日本专利申请公开公报No. 2009-251200和日本专利申请公开公报No. 2010-102050。步骤S18 优化缺陷修正方法对要应用到缺陷(其作为修正目标)的缺陷修正方法的应用区域(修复对象)和处理尺寸等进行调整，以及进行诸如修正次序的重新排列等调整。在存储器360或修正方法数据库325等中存储调整结果。稍后将说明缺陷修正方法的优化。步骤S19 修正的执行过程根据实际缺陷的位置设定缺陷修正方法、根据要求进行位置修正、此后执行修正。 此时执行修正的结果分别存储在存储器360或修正方法数据库325等中。此时，也能够使用日本专利申请公开公报No. 2007-281376中所述的缺陷修正技术。
步骤S20:修正确定过程在执行完修正之后，在与摄制缺陷图像的位置处相同的坐标处以相同的放大率对修正后的基板拍照，并对图像进行彼此对比。由此，简单地确定是否完成了适当修正。步骤S21 修正结果更新过程更新修正结果。更新内容是是否适当地进行了修正的判断、详细修正内容、修正过程的数量、暗点形成修正处理的数量等。在更新了修正结果之后，再次核查缺陷信息的列表，以确定是否存在未处理的缺陷或是否结束修正，并通过输入下一缺陷信息确定是否继续进行修正过程，或确定是否结束修正过程及取出基板3。当在步骤S21中确定存在未处理的缺陷时，返回到步骤S12。步骤S22 取出基板并设定修正信息在修正了载入的基板3的所有缺陷之后，或在满足修正结束条件之后，取出基板 3，并将缺陷修正信息输出到缺陷信息管理系统12。修正结束条件是进行规定数量以上的修正、进行规定数量以上的暗点形成修正或完成特定缺陷的修正等。步骤S23:参数更
例如，当在上述过程中登记新的缺陷修正方法时，或当要修正的缺陷的条件或诸如激光功率等修正方法需要改变时，对设定在缺陷修正装置300的修正方法数据库325中的参数信息进行更新，并设定下一基板3。图8表示形成在布线基板1的重复图案区域6中的布线部(单位像素)2的示意结构。布线部2划分成形成单位像素的各个颜色的子像素，或例如划分成与三种基色R、 G和B相对应的三个区域2R、2G和2B (下文也称作“子区域”)。这三个子区域2R(2G和2B) 具有彼此不同的结构，即，这三个子区域具有不同的电容器(电容元件)45IU45G和45B)。 在本实施例中，作为示例，将说明形状(结构)彼此部分不同的三个子区域2R(2G和2B)。 然而，这些子区域当然可具有彼此相同的形状(结构)。每个子区域2R(2G或2B)形成为具有基本上相同的尺寸。在设置在布线基板1上的扫描布线41上布置信号布线42R(42G或42B)、电位供应布线43R(43G或43B)和接地电极(未图示)，信号布线42R(42G或42B)、电位供应布线43R(43G或43B)和接地电极在与扫描布线41相互垂直的方向上延伸，在扫描布线41与信号布线42R(42G或42B)、电位供应布线43R(43G或43B)、接地电极之间有层间绝缘膜(未图示)。信号布线42R(42G或42B) 与未图示的电容器45R(45G或45B)相对，电容器45R(45G或45B)连接到接地电极，TFT元件44R(44G或44B)的栅极在信号布线42R(42G或42B)和电容器45R(45G或45B)之间。注意，图8所示的布线部2的布线图案仅是实际布线图案的示意表示。因此，应注意，图8所示的布线部2的布线图案不同于实际布线图案。假定根据像素内的缺陷位置能够将图8所示的具有重复图案的布线图案(布线部 2)中的修正图案划分成多个修正图案，所应用的修正方法可随着条件而不同。在这种情况下，缺陷修正方法的信息用于如下缺陷，即，该缺陷的条件作为模板预先登记在修正方法数据库325中。模板是将缺陷修正信息(修复方法信息)(即缺陷修正方法)转换成对象(可视化)的结果。例如，如下方法是有效的，S卩，通过输入缺陷的位置和重复图案(布线部幻的参考坐标从修正方法数据库325中搜寻最佳缺陷修正方法，并通过将其叠加在缺陷图像上来应用该缺陷修正方法。例如，可采用日本专利申请公开公报No. 2007-163892所披露的技术作为使用这类模板的缺陷修正方法。图9表示在布线部分中存在的短路缺陷的缺陷图像和所应用的模板的示例。缺陷图像内的缺陷50是布线部分(电位供应布线43G和43B)中的短路缺陷的示例。首先，详细位置信息提取部321检测设定在布线部2的一个角落处的参考坐标51和重复图案区域。而且，基于与参考坐标51的相对位置，重复图案上的缺陷50的位置和条件缩小范围。接着，控制设备301从修正方法数据库325中选择适于缺陷50的条件的登记模板。模板包括模仿缺陷的“缺陷对象”和表示布线部上的基于缺陷对象的位置和缺陷对象的特征应用有修正过程的部分的“修复对象”。缺陷对象表示缺陷对象的位置、缺陷对象所属的区域、缺陷对象的范围、缺陷对象的形状、缺陷对象所处的电路等。修复对象表示激光照射的与缺陷相对应的位置、激光照射的功率等。在这个示例中，假设在修正方法数据库325中登记了三个作为缺陷50(其在多条布线间导致短路)的缺陷修正方法的最佳模板(1) (3)，也就是说，这三个最佳模板(1) (3)分别用于缺陷对象50a、50b和50c。S卩，模板(1) (3)作为与缺陷50的位置相对应的缺陷修正方法登记在修正方法数据库325中。从模板(1) (3)中选择最适于缺陷50的修正的模板。模板(1)具有用于缺陷对象50a的修复对象60a，缺陷对象50a的位置和诸如尺寸等条件基本上与缺陷50相同。另外，模板( 具有用于缺陷对象50b的修复对象60b，缺陷对象50b位于缺陷50的稍下方。另外，模板(3)具有用于缺陷对象50c的修复对象60c，缺陷对象50c位于缺陷50的远下方。在这种情况下，选择具有其位置和诸如尺寸等条件与缺陷50接近的缺陷对象50a 的模板(1)作为用于缺陷50的修正的最佳模板。接着，在显示器327上显示输出到控制设备301的模板。此时，通过执行模板(1) 的参考坐标61与缺陷图像(布线图案)的参考坐标51(作为原点)的坐标转换，将修复对象60a叠加在缺陷图像的缺陷50上。例如，日本专利申请公开公报No. 2008-159930更详细地说明了坐标转换方法。根据这类重复图案区域中的缺陷修正方法，能够基于重复图案(布线部)内的缺陷部分的位置、尺寸和类型选择最佳模板。由此，能够通过读取经选择以与位置关系相对应的缺陷修正方法，自动地进行缺陷修正过程，从而避免了人为区分的麻烦。然而，在本发明中，通过不同于“登记”的方法进一步自动生成及获得了用于层间短路缺陷的缺陷修正方法，其中，该层间短路缺陷难以通过将缺陷区与登记模板进行对比而获得对应模板的缺陷修正方法进行修正。注意，在下述实施例中，由于频繁使用图像处理，所以坐标系统具有处于左上处的原点，水平方向设定成X方向，垂直方向设定成Y方向， 旋转方向是逆时针方向。然而，本发明不限于这个示例。另外，重复图案中的存在有缺陷的区域(缺陷所占据的区域)也称为“缺陷区域”或“缺陷范围”。注意，如果在从修正方法数据库325中读取修正程序时不存在对应于或适用于作为目标的缺陷的缺陷修正方法(模板)，则基于预定的优先权等选择第二最佳模板。自动选择具有最高优先权的缺陷修正方法的模板或例如高频使用的模板、或选择具有低修正难度的缺陷修正方法的模板等，并将其显示在显示器327上。接着，自动地执行基于所显示的模板的修正方法，或在操作者视觉核查之后执行该修正方法。例如，当不存在适于作为目标的缺陷的处理设定文件(模板)时，操作者可通过操作输入设备3 手动地设定激光处理条件，并进一步将设定文件加入到修正方法数据库 325。头信息和对象信息在本实施例中显示为模板的缺陷修正方法是具有头信息和与头信息相关的对象信息的数据文件(详情请参照日本专利申请公开公报No. 2007-163892)。另外，该缺陷修正方法也称为“缺陷修正信息(修复方法信息)”。头信息包括缺陷修正方法的“方法名称(或方法编号)”、表示具有缺陷的子区域 (范围)的“区域编号”、表示子区域的“子区域编号”、表示基板3上的参考像素的位置的 “参考像素编号”、表示参考像素的上下左右处的邻近像素的存在与否及位置的“邻近像素编号”和表示登记为方法的缺陷和缺陷修正方法的修复对象的“对象总数”。对象信息包括模仿缺陷的“缺陷对象”和“修复对象”，该“修复对象”表示布线2上的根据缺陷对象的位置和特征而应用有修正过程的部分。S卩，对象信息是彼此相关且经登记的缺陷对象和修复对象，缺陷对象和修复对象的数量与头信息中所登记的对象总数相等。注意，简述“登记”是指在上述修正方法数据库 325中的登记。上述对象信息包括以下基本信息要与方法头核对的“方法名称(或方法编号)”、 表示对象在布线部2中的位置的“坐标”、“对象形状”、“角度”和“位置修正信息”。缺陷对象和修复对象均设有这些基本信息。注意，“修正信息”是用于通过与实际缺陷图像中的缺陷的位置的比较而进行位置修正的信息。“角度”是从上述XY平台305上的缺陷的常规位置开始旋转的角度。在本发明中，将登记模板中的缺陷修正方法(修复对象)的尺寸进一步优化成如下尺寸，即，在该尺寸下，缺陷修正装置能够在实际处理之前，基于存在于重复图案(布线部2)中的缺陷的位置、尺寸和类型执行处理。由此，消除了由于不同的缺陷修正装置的修正规格的原因以及由于这些规格的差异的原因所导致的缺陷修正问题。另外，在图像中显示实际模板优化的状态能够使对模板登记等中的错误进行可视地核查。区域信息(层结构)图10是图8所示的重复图案(布线部2)的层结构的示意立体图。布线部2是多层结构。因此，在特定层的下面可存在另外的层，从而可能发生在彼此不同的上层和下层之间导致短路的缺陷(层间短路缺陷)。将子区域2B作为示例，层叠有用于形成电容45B的上层和下层的区域47B(节点区)、连接到接触孔46B的部分、电容 45B与扫描布线41重叠的部分等对应于由多个不同层形成的区域。图11是泄露缺陷(层间短路缺陷)的示例的剖面图。图11所示的示例是具有多层结构的布线基板，在该多层结构中，布线层82层叠在玻璃基板81上，还层叠有布线层84，在布线层82和布线层84之间有绝缘层83，保护层85 形成为最上层。在布线基板中，泄露缺陷86出现在作为下层的布线层82与作为上层的布线层84之间，从而引起了层间短路。图12用于辅助说明过去的通过清除对同层短路缺陷所进行的缺陷修正。使用脉冲激光(图12的中部)对连接两个布线87A和87B的短路部分88 (图12 的上部)进行照射。由此，去除了短路部分88，从而修正了布线87A和布线87B之间的同层短路缺陷(图12的底部)。然而，通过图12所示的过去的通过清除对同层短路缺陷所进行的修正方法难以对图11所示的层间短路缺陷进行修复。图13用于辅助说明通过使用登记模板对同层短路缺陷的修正。这个示例示出了如下模板(修复对象7 ，即，该模板将电容45G的发生有泄露缺陷71的部分与信号布线42G断路，从而使电容45G与信号布线42G绝缘。如在图13所示的电容45G的修复对象72的示例中，能够对层间短路缺陷的发生区域执行同层清除(修复对象72)。然而，当使用模板时，不能直接到达发生有缺陷的区域，因此该修正方法总是使全部短路区域无效。因而，当电容区域中的层间短路等在重复图案中占用较大区域时，在发生缺陷的部分(子像素或像素)中形成暗点，于是导致基板质量的劣化。在日本专利申请公开公报No. 2007-281376中，为了解决上述问题，作为示例，披露了一种用于直接到达发生有层间短路的区域的方法。下面提出了一种本发明实施例的基于上述方法的层间短路修复方法。图14A和图14B表示具有图11的层间短路缺陷的布线基板的修正方法。图14A 表示通过上层清除进行修正的情况。图14B表示通过所有层清除进行修正的情况。图14A中的上层清除是如下方法，S卩，该方法选择性地仅去除发生有短路的绝缘层83上的布线层84。图14B中的所有层清除是如下方法，即，该方法将作为上层的布线层 84和作为下层的布线层82的目标区域与绝缘层83的泄露部分(泄露缺陷86) —起去除。 可以说是通过改变激光照射的深度来实现图14A和图14B的修正方法。将进一步通过如下示例进行说明，S卩，该示例选择性地改变具有缺陷的区域的激光照射区域。图15A和图15B用于辅助说明激光照射区域。图15A表示环绕清除。图15B表示静止清除。“环绕清除”对泄露缺陷90周围的区域91进行扫描处理，并将其去除。因而，不直接用激光对缺陷进行照射，而是去除了较大区域，从而该处理占用时间。另一方面，“静止清除”不占用较多处理时间。然而，例如，因为静止清除对包括泄露缺陷90的区域92直接进行激光处理，所以静止清除是在保证缺陷区的扩散不会导致次生缺陷的条件下可进行的处理方法。注意，假定能够根据缺陷的尺寸、缺陷发生的位置等任意改变图14A或14B和图 15A或15B所表示的层间短路修正方法和处理区域选择。下文将说明利用该修正方法自动修正缺陷的方法。虽然本发明提出了电容部分的层间短路缺陷的修正方法，然而，只要层间短路缺陷是作为上层和下层的多个不同层之间的层间短路，以及只要本发明实施例的修正方法是适用的，则应用本发明实施例的修正方法的部分不限于电容。如图13所示，电容区域中的层间短路具有由电导通检查所预测的较大缺陷发生区域。因而，在获得缺陷图像之前，难以确定实际缺陷发生的确切位置、实际缺陷的区域等。 而且，多个层间短路可发生在相同区域。因而，过去的用于模板中的缺陷区的修正方法(修复对象)的登记方法不适用于层间短路缺陷。因此，在本发明中，不执行模板登记，而是将图15A和图15B中的泄露缺陷视为缺陷对象，自动生成调整为缺陷区的模板，以便向缺陷对象提供合适的修复对象。假定对于通过使用日本专利申请公开公报No. 2010-102050所公开的技术生成的模板执行修正的区域，能够获得发生缺陷的部分或重复图案区域内的特定坐标处的层和层标签的组合。另外，还假定将发生图13所示的特定缺陷的部分界定和登记为节点，以及假定能够将包括发生该缺陷的部分的区域任意设定为不同于层信息的区域信息。在图13的示例中，例如，电容45G中的层叠有两个特定层的区域界定为节点区47G。节点区的登记方法例如包括CAD (计算机辅助设计)等的电路信息的元件的组合、电路图像等的读取和节点区的登记、以及节点区的徒手制图。假定能够通过任意方法实现节点区的登记方法。假定在自动生成模板时，在所产生的修复对象满足下述条件时能够执行修正。(1)修复对象不使布线断路。(2)修复对象的区域内不存在激光照射禁止区。(3)与进行修正的部分不直接相关的区域(邻近子像素或数据线等的除界定有节点区的电路元件(例如，发生有层间短路的电容等)之外的区域)不在修复对象的区域内重叠。(4)节点区的由修正所导致减小的面积的减少量不超过特定限值。注意，同样，对于激光照射禁止区，如同在登记层间短路缺陷发生区域中，假定预先登记了任意激光照射禁止区，并假定能够获得用于表示图案区域内的任意坐标处是否存在激光照射禁止区的信息。激光照射禁止区的界定随着电路配置而改变。然而，通常，激光照射禁止区界定为电路元件特性由于激光的热效应等而发生变化的区域，或界定为与在修正时没有形成的上层相连接的区域。例如，在使用有机EL的TFT基板的情况下，前一区域对应于晶体管部，后一区域对应于与充当发光部等的EL元件相连接的阳极。然而，如下情况下不适用激光照射禁止区如例如在保证激光的热效应不影响晶体管部的情况下，激光照射甚至在晶体管部中仍不影响正常的电路操作；或者该效应非常微弱，因而可忽略。图16表示对重复图案的图像中的不具有层的区域进行加标签的示例。假定不具有任何层的区域能够以与层信息相同的方式被加标签，并用于稍后所述的确定断路等。在图16的示例中，能够将九个标签界定为区域95(存在有一些标签)的背景中的标签。注意，也能够将背景的标签用于日本专利申请No. 2009-239852所述的层确定方法。例如，当背景的特定标签彼此连接以形成一个区域时，与无缺陷图案的标签不同的区域表示断路缺陷(在过去的层的情况下的短路缺陷)。通过环绕清除进行缺陷修正接下来将说明根据实际缺陷的区域的尺寸生成环绕清除形式的修复对象的方法。图17用于辅助说明对图15所示的环绕清除形式的修复对象进行设定的图像以及用于确定是否能够布置修复对象的参数。以下述方式界定每个参数。在修复对象102中最多设定四个穿过有激光照射区域的顶点10 102d(ZapTurn)的坐标，修复对象102布置成包围导致泄露的泄露缺陷100。将激光的处理尺寸的宽度105W表示为“SlitSizeX”。将激光的处理尺寸的高度105H表示为“SlitSizeY”。将总是包括修复对象102的外周的两个顶点的矩形表示为“OuterRect”。将从环绕泄露缺陷100周围的四边形IOl(DefectRect) 到修复对象102的内周的距离104L表示为“IrmerDist”。另外，将从修复对象的外周 (OuterRect)到激光照射禁止区(其上方能够进行距离修正)的最短距离106L表示为 “OuterDist”。将通过OuterDist与修复对象的外周(OuterRect)分开的矩形(该矩形也称作“最外周矩形”)表示为“OuterMostRect ”。在此情况下假定环绕清除形式的修复对象采取从右下方开始顺时针转一周的方式。然而，从任意起始坐标开始也能够经过所有的顶点并转一周。通过在一个方向上应用多个具有处理尺寸为SlitSizeX和SlitSizeY的激光对修复对象进行修正。在本实施例中，在修复对象的旋转角度为零度时，根据下述定义来布置激光照射区域所经过的顶点10 102d的坐标。StartPos =起始位置(右下)ZapTurnW]=第一转折点(左下)ZapTurn [1]=第二转折点(左上)ZapTurn [2]=第三转折点(右上)当使用 DefectRectLeft、DefectRectTop、DefectRectRight 禾口 DefectRectBottom的组合表示包围泄露缺陷100的四边形(DefectRect)的顶点的坐标时，修复对象102的顶点的坐标是Left = DefectRectLeft-InnerDist-SlitSizeX/2Top = DefectRectTop-InnerDist-SlitSizeY/2Right = DefectRectRight+InnerDist+SlitSizeX/2Bottom = DefectRectBottom+InnerDist+SlitSizeY/2在这种情况下，将左上方设定成坐标系统的参考坐标(参照图9)。接着，能够将修复对象102的参数(激光照射区域所经过的顶点10 102d的坐标(Χ，γ))定义为StartPosX = Right, StartPosY = BottomZapTurn
, X = Left, ZapTurn
, Y = BottomZapTurn [ 1 ] · X = Left，ZapTurn [ 1 ] · Y = TopZapTurn[2] · X = Left, ZapTurn[2] · Y = Right因而，通过下述四个点的组合获得了修复对象102的外周矩形OuterRect的顶点坐标。OuterRectLeft = Left-SlitSizeX/2OuterRectTop = Top-SlitSizeY/2OuterRectRight = Right+SlitSizeX/2OuterRectBottom = Bottom+SlitSizeY/2而且，通过下述四个点的组合获得包含有从激光照射禁止区到激光照射区域之间最短距离OuterDist的最外周矩形OuterMostRect。OuterMostRectLeft = OuterRectLeft-OuterDistOuterMostRectTop = OuterRectTop-OuterDistOuterMostRectRight = OuterRectRight+OuterDistOuterMostRectBottom = OuterRectBottom+OuterDist布线分离的确定下面将说明由于环绕清除形式的修复对象的作用所导致的布线分离。图18表示由于使用环绕清除的修复对象的作用所导致的布线分离的示例。出现泄露缺陷114的区域是第一层111和第二层112彼此重叠的区域(节点区113)。结合激光允许设定的确定及布线分离的确定，在考虑到激光照射作用的范围内的错误的情况下，在最外周矩形OuterMostRect(其与环绕清除形式的修复对象115的区域距离有一定距离) 上进行确定。当OuterDist为零时，修复对象115的外周(OuterRect)形成确定区域。在图 18的示例中，生成的修复对象115从发生泄露缺陷的节点区113突出，或者设定成非常靠近节点区113的边缘，因此，生成的修复对象115将连接到另一区域(虚线所包围的部分)的第一层111断路。通过核查作为确定区域的最外周矩形OuterMostRect的区域内是否存在多个背景标签(参照图16)，或在绘出(下文称作绘制)最外周矩形OuterMostRect的一圈时通过核查由各个坐标所构成的层的要素的变化，控制设备301的修复对象确定部356能够确定布线是否分离。修复对象能否设定以及构成要素在绘制过程中的变化的原理如下。
·在所有层结构不发生变化时，能够设定修复对象。·在检测到激光照射禁止区时，不能够设定修复对象。·在检测到背景标签的多个区域时，不能够设定修复对象。·在检测到在节点区中不存在的层标签时，不能够设定修复对象。·在绘制期间检测到新组合的结构(将使层类型增加时的层定义为IN，将使层类型减少时的层定义为OUT)时，通过作为键标(key)的经改变的层标签对标志IN或标志OUT 中任一标志进行设定。当此后作为键标的层标签的存在或不存在反转(当获得IN和OUT 两者时)时，将标志计数为一对。当在开始进行绘制时已存在的层标签的存在或不存在发生变化时，第一次设定一个标志(在第一次时，层标签消失时(OUT)的标志与层标签再次出现时的标志形成一对)。当对的数量是1以下时，能够设定修复对象。当对的数量为2以上时，确定出存在断路，从而不能设定修复对象。(层标签的存在或不存在的改变次数总是偶数。当层标签的存在或不存在的改变次数是奇数时，确定出发生错误，不能设定修复对象。)对于激光照射禁止区的存在与否、作为确定目标的节点区中不存在的层标签和多个背景标签的信息的获得，当已经实施了用于获得最外周矩形OuterMostRect的矩形区域内的信息的方法时，该方法可首先用于进行确定。另外，对于在绘制过程中偏离重复图案的情况，邻近标签的标签编号发生变化。因而，在对标签计数时应加以注意。将参照图19说明最外周矩形在将图18所示的第一层111断路时的绘制的示例。在图19的示例中，基于环绕清除形式的修复对象115的最外周矩形116的绘制线 (虚线部分)，确定布线的分离。在此情况下假定在箭头方向上绘制最外周矩形116的一圈的过程中，存在于最外周矩形116上的层标签仅是第一层111和第二层112两种类型。变化点117a表示第一层111出现在绘制线上的时刻。变化点117b表示第一层从绘制线消失的时刻。在图19的示例中，对于第二层112，最外周矩形116上存在相同的层标签，因而可认为构成要素没有发生变化。另一方面，第一层111具有存在于最外周矩形116上的部分及不存在于最外周矩形116上的部分，能够对各个部分的变化进行计数。基于以上定义，能够检测到第一层111的存在或不存在的变化的四个时刻(两个变化点117a和两个变化点 117b)。因此，能够确定第一层111断路。对于层变化的对的数量进行计数的方法，能够在对IN和OUT时刻进行计数时对整个一圈绘制一次，接着能够作出确定、仅对IN或OUT的数量进行计数并使用作为对的数量的计数值进行确定，以及确定在获得一个对之后层存在或不存在反转(在第二次检测出IN 或OUT时)时存在多个对，从而确定不能够设定修复对象。注意，绘制的最外周矩形的起始坐标和绘制的方向是任意的。在修复对象从节点区突出时确定能否对修复对象进行设定接下来，将说明在修复对象从确定出泄露的节点区突出时确定是否能够对修复对象进行设定。图20表示从确定泄露的节点区突出的环绕清除形式的修复对象的示例。修复对象121具有表示第一层111在最外周矩形122的绘制线上出现时刻的变化点123a、表示第一层111从最外周矩形122的绘制线上消失时刻的变化点12 和表示第二层112在最外周矩形122的绘制线上出现时刻的变化点12如。另外，修复对象125具有变化点123a、变化点123b、变化点1 和表示第二层112从最外周矩形122的绘制线消失时刻的变化点 124b。另外，修复对象127具有变化点123a、变化点12北、变化点12 和12 以及变化点 124b 和 124b。在修复对象121和125的情况下，第一层111和第二层112的两个层标签中的每个层标签的存在和不存在计数为一对。因此，能够设定修复对象。然而，在修复对象127的情况下，第一层111计数为一对，而第二层112计数为两对，这表明出现了断路。因而，不能够设定修复对象。注意，在修复对象127的情况下，背景中的既不属于第一层111也不属于第二层 112的两个部分在第二层112从绘制线消失的时刻出现。能够以与对层相同的方式对图16 所示的背景设定区域和标签，当背景中的多个标签编号出现时，能够确定至少存在这两个部分的区域(布线在这两个部分之间)。因此，能够确定在那个时刻存在断路，并能够确定不能设定修复对象。对激光照射禁止区的干扰除布线的断路之外，用于确定不能对修复对象进行设定的第一个条件是修复对象对激光照射禁止区的干扰。图21示出了最外周矩形的绘制过程(如在确定断路时)中所检测的激光照射禁止区在布置修复对象时的图像。图21表示如下示例，即，在该示例中，环绕清除形式的修复对象的最外周矩形的绘制线干扰激光照射禁止区。在该示例中，泄露缺陷141不与激光照射禁止区145重叠。然而，用于泄露缺陷141 的修复对象142的最外周矩形143的绘制线与激光照射禁止区145重叠。在变化点146A 和146B的坐标处，在绘制过程中能够证实激光照射禁止区145的重叠，由此能够确定修复对象干扰了激光照射禁止区145。对节点区之外的区域的干扰接下来，将说明修复对象对节点区之外的区域的干扰的示例。图22表示如下示例，在该示例中，环绕清除形式的修复对象的最外周矩形的绘制线干扰节点区之外的区域。用于泄露缺陷151的修复对象152在最外周矩形153的绘制线上具有第一层111的变化点123a和12 以及第二层112的两个变化点12 和两个变化点124b。在这种情况下，层(第二层11 的类型在绘制过程中相同，但是检测出不同标签的存在或不存在的变化。在这种情况下，确定出存在对节点区之外的区域的干扰，从而确定出不能设定修复对象。在对激光照射禁止区和节点区之外的区域的干扰情况下，不同于断路，在布置修复对象时获得存在于最外周矩形OuterMostRect所表示的矩形区域中的层标签的数量和类型，由此根据内容能够确定能否设定修复对象。即，在不检测层改变点的情况下，能够确定能否设定修复对象。注意，例如，日本专利申请公开公报No. 2010-102050说明了表示具体区域内的层标签的组成的信息的获得方法。对于这种情况下的确定方法，在激光照射禁止区存在于缺陷区内或作为绘制目标的最外周矩形OuterMostRect的矩形区域内时，或在检测到不包含在用于形成节点的区域内的层标签时，确定不能设定修复对象。确定节点区所减少的面积以下述方式定义节点区随着缺陷修正的实行而减少的面积。
图23用于辅助说明节点区随着环绕清除形式的修复对象所进行的缺陷修正而减少的面积的定义。如在修复对象161的情况下，如果在基于上述最外周矩形的绘制进行确定时没有检测到任何层变化，则修复对象161的最外周矩形(OuterRect) 162的面积表示节点区照现在所减少的面积。另外，如同在修复对象163的情况下，当修复对象的一部分从节点区113突出时，节点区113与修复对象163的最外周矩形的区域彼此重叠的部分164表示节点区所减少的面积。当多个修复对象设定在相同节点区中时，修复对象使节点区所减少的总面积是节点区所减少的面积。然而，当修复对象彼此部分重叠时，重叠的部分抵消。当从节点区去除较大面积时，极大地影响了重复图案的电路，从而出现了制造质量的劣化。因而，通过任意参数(RemoveLimit)来规定从节点区去除的面积的上限，只要没有超过该上限，则能够进行缺陷修正。对界定有泄露缺陷发生区域的每个节点区设定用于表示允许减少的面积比率的参数RemoveLimit。可从节点区的面积去除的面积的定义可以是比率(百分比)或者是实际面积的值。假定能够通过节点或根据电路元件的特征等从下述两个步骤中选择在缺陷修正所实际去除的面积超过参数RemoveLimit时所采取的步骤。(1)当布置多个修复对象时，仅通过能够进行修正的修复对象进行缺陷修正。—按照修复对象的布置次序，增加去除的面积，当超过参数RemoveLimit时，随后的修复对象不进行缺陷修正。—获得在不超过参数RemoveLimit的范围内能够进行缺陷修正的情况下使去除面积最大化的修复对象的组合，并进行缺陷修正。(2)不论所布置的修复对象的数量如何，不进行任何缺陷修正。到目前为止，在对环绕清除形式的修复对象所产生的断路进行确定时，当仅检测出一个背景区域时，或当没有检测出背景区域时，出现如下情况，即，即使发生多个层变化， 严格意义上讲，也不产生任何断路。下面将详细说明这种情况。图M表示将不适于确定为断路的缺陷确定为断路的示例。在该示例中，在修复对象171的最外周矩形172的绘制线上存在八个改变点。当进行缺陷修正时，区域173分离。在作为确定目标的第一层111分离的情况下，这个表述是正确的。然而，布线中没有出现任何断路，从而其它电路没有受到影响。因而，能够确定存在分离，及确定能够进行缺陷修正设定。然而，较大区域从电容部(或泄露发生区域)消失， 因而，预计会使电路元件的特性极大地劣化。即，可想到去除的面积超过规定的上限，因此， 即使不存在任何断路时仍不能进行缺陷修正的可能性很高。另外，由于缺陷自身的较大面积的原因，该缺陷是由诸如杂质等的粘附等其它因素导致的可能性很高，不确定层间泄露是否是由其自身导致的。因而，环绕清除形式的缺陷修正方法不合适的可能性很高。因而，即使在图M所示的层分离的情况下，断路时的方法能够用于确定自身能否进行缺陷修正。对断路不是环绕清除形式断路进行确定的示例接下来，将说明对断路不是环绕清除形式断路进行确定的示例。图25表示对断路不是环绕清除形式断路进行确定的示例。在这个示例中，虽然在修复对象181的最外周矩形182的绘制线上存在六个变化点，但不存在区域的分离，没有改变成不同的层标签。因而，没有出现对其它电路的干扰，重复图案的电路没有受到影响。然而，未必能保证在图M所示的单个背景区域情况下不存在分离。因而，实际不可能仅基于层标签改变的数量来确定缺陷修正设定。为了解决这个问题，下文将提出环绕清除形式的修复对象的一部分形状的优化方法。环绕清除形式的修复对象的优化图沈表示通过优化环绕清除形式的修复对象的一部分而获得的对象的示例。当将在四个侧上包围泄露缺陷90的缺陷区的环绕清除形式的修复对象设定成0 类型(ΖΑΡ_0)时，两种类型可视为0类型的改进类型。在这两种类型中，在一侧上不执行扫描的一个类型定义为U类型(ZAP_U)(修复对象191)，在两侧上不执行扫描的一个类型定义为L类型(ZAP_L)(修复对象192)。优化成U类型或L类型的环绕清除形式的修复对象的定义如下 在最外周矩形OuterMostRect的一侧的线上没有出现任何具有从IN到OUT的特定次序的层变化。·存在多个不包括泄露缺陷的节点区的顶点(OuterRect顶点)。·存在至少一个包括泄露缺陷的节点区的顶点(OuterRect顶点)。当满足上述条件时，对将不包括节点区的顶点彼此连接的部分不进行扫描处理， 界定具有彼此不同的起点和终点的修复对象。另外，在L类型的情况下，在激光的扫描路径的转向坐标中，其扫描被省略的顶点的转向坐标(ZapTUrn[2]的坐标=第三转向点(图沈中的右上顶点))的参数为无效。接下来将说明通过增加要扫描的顶点而优化的修复对象。图27表示通过进一步优化环绕清除形式的修复对象的一部分而形成的对象的示例。除其顶点部分的扫描被省略的U类型和L类型之外，增加了要扫描的顶点的两种改进类型定义为C类型。C类型包括Cl类型(修复对象193和194)和C2类型(修复对象195)。 Cl类型和C2类型根据起点和终点中的一个点是否是0类型的顶点而转换。优化成Cl类型或C2类型的环绕清除形式的修复对象的定义如下 在最外周矩形OuterMostRect的一侧的线上没有出现任何具有从IN到OUT的特定次序的层变化。·存在不包括泄露缺陷的节点区的顶点(OuterRect顶点)，或不存在这类顶点。·存在三个以上包括泄露缺陷的节点区的顶点(OuterRect顶点)。当满足上述条件时，对不包括节点区的区域部分不执行扫描处理，根据修复对象的形状增加激光的扫描路径的转向坐标，定义具有彼此不同的起点和终点的修复对象。在图 27 中，ZapTurn[3] ±曾力口至Ij Cl 类型，ZapTurn[3]和 ZapTurn[4] ±曾力口至Ij C2 类型。通过Cl类型和C2类型可想到更符合重复图案的电路的形状的优化。另一方面， Cl类型和C2类型增加了顶点的数量，并使处理复杂化。因而，可预料，根据激光的性能、控制方法和处理时间，Cl类型和C2类型比0类型、U类型和L类型占用更长的处理时间。因而，用于执行优化的修复对象的类型取决于激光修正设备和电路。当确定能够使用图沈和图27所示的所有类型的修复对象时，根据下述条件来确定用于优化的修复对象的类型的选择(然而，这在修复对象划分成多个部分时不适用)。 在存在三个不包括泄露缺陷的节点区的顶点(OuterRect顶点)时，选择L类型。
在存在两个不包括泄露缺陷的节点区的顶点(OuterRect顶点)时，选择U类型。·在存在一个不包括泄露缺陷的节点区的顶点(OuterRect顶点)时，选择Cl类型。·在不存在不包括泄露缺陷的节点区的顶点(OuterRect顶点)时，选择C2类型。环绕清除形式的修复对象的具体优化方法如下。图观 图30用于辅助说明环绕清除形式的修复对象的优化方法。对于包围泄露缺陷200的修复对象201，获得使激光照射区域穿过的四个顶点201a 201d的转向坐标。在这些顶点中，顶点201d是随后不进行扫描的顶点。接着，修复目标的最外周矩形 (OuterRect) 202绘制成如同断路确定中的，在绘制线上获得变化点203a和20 (在这些点处，节点区(对应于第一层111)的存在或不存在发生变化)的坐标。通过在不存在节点区的方向上将绘制线上的坐标偏移(移动)任一尺寸(ZapTurnOffsetSize)而获得的坐标分别定义为新顶点204a和204b (参照图28)。然后，在绘制线上执行一圈的扫描之后，不包含在节点区中的新定义顶点20 和 204b的转向坐标变成如下坐标，S卩，该坐标是通过在修复对象201的内周方向上将新定义顶点20 和204b的转向坐标偏移半个狭缝尺寸(SlitSizeX和SlitSizeY)的距离而获得的。例如，当将顶点20 偏移半个狭缝尺寸(SlitSizeY)的距离时，顶点204b偏移半个狭缝尺寸(SlitSizeX)的距离。将移动后的顶点分别设定成顶点201al和201cl。接下来，获得穿过有激光照射区域的新顶点201al和201cl (其由改变之后的坐标表示)。与新顶点 201al和201cl相比，在不存在节点区的方向上存在于修复对象201上的顶点201c、201d和 201a为无效，顶点201al、201b和201cl形成新的激光扫描路径(参照图29)。为新顶点201al、201b和201cl重新布置激光扫描路径的起始位置MartPos和扫描路径的顶点ZapTurnfc] (η是任意转向坐标)。接着，根据扫描路径的起始位置的坐标和扫描路径的顶点的坐标来获得重新布置后的修复目标201Α的最外周的顶点20 202d 的坐标。在这些坐标中，各个坐标在X方向和Y方向上的最大值和最小值设定成重新布置后的修复对象201A的外周矩形(OuterRect) 202A的最大坐标和最小坐标。根据最大坐标和最小坐标，重新定义新的最外周矩形(OuterMostRect) 205(参照图30)。当0类型中定义的右下顶点的坐标(参见图17)设定为起始坐标时，不需要优化重新布置后的修复对象。此时，修复对象的外周矩形(OuterRect)的顶点中的由重新布置新定义的顶点的一个顶点的坐标设定成起始坐标，根据起始坐标再次定义转向坐标。或者， 例如，通过其起始坐标定义在右下处的修复对象的旋转方法或反转扫描方向的方法来进行重新定义(然而，对于其起始坐标没有表示为顶点的Cl类型和C2类型的修复对象，不能够通过旋转来进行定义)。图31A和图31B表示具有包括泄露缺陷和节点区彼此重叠的部分的外周的对象的使用示例。可根据一个环绕清除形式的修复对象来生成多个修复对象，以作为修复对象的优化结果。在图31A和图31B的示例中，根据环绕清除形式的修复对象211生成L类型的修复对象211A和U类型的修复对象211B。所生成的修复对象的数量是设定成最外周矩形的绘制线上的新顶点的坐标的数量的一半。即，在两个顶点的情况下，生成一个对象，而在四个顶点的情况下，生成两个对象。在图31B中，两个新顶点设定在修复对象211A和修复对象21IB中的每个修复对象中。当能够生成多个修复对象时，临时重新布置所有的修复对象，并将在修复对象的外周矩形OuterRect内不具有缺陷区与节点区所彼此重叠的区域的修复对象删除。在图 31B的示例中，泄露缺陷210和与节点区相对应的第一层111所彼此重叠的区域存在于修复对象211A的矩形212A内，而在修复对象211B的矩形212B内不存在这类区域。因而，将修复对象2IlB删除。注意，进行与图M和图25所示的环绕清除形式的修复对象有关的错误确定的情况取决于电路的形状。可能存在将能够进行缺陷修正的区域确定为不能进行缺陷修正的区域的情况，但不会出现相反的情况。因而，如下方式作为一项选择是有效的，即，考虑到担心对不能进行缺陷修正的区域进行修正，在不对修复对象进行优化的情况下，确定停止缺陷修正。通过静止清除进行缺陷修正接下来，将说明根据实际缺陷的区域的尺寸生成静止清除形式的修复对象的方法。图32用于辅助说明图15B所示的静止清除形式的修复对象的设定图像和用于确定能否布置修复对象的参数。对每个参数进行如下定义。当缺陷的形状与倾斜椭圆的情况类似地弯曲时，相对缺陷面积的面积去除范围增加。然而，可认为这基本上不产生任何影响，这是因为绝大多数泄漏缺陷是微小缺陷，所有的修复对象以零度旋转角设定。在泄露缺陷220周围所圈定的四边形221 (DefectRect)的顶点定义为“Top、Left、 Right和Bottom”。四边形221 (DefectRect)的宽度和高度定义为“Width和Height”。激光处理尺寸(下文称为狭缝尺寸)的半宽度224W和半高度224H定义为“SlitSizeX和 SlitSizeY".另外，从在泄露缺陷220周围所圈定的四边形221 (DefectRect)到修复对象 222的外周矩形ZapRect (激光所照射的矩形区域)的距离225L定义为“ IrmerDist”。从修复对象222的外周OuterRect到可在其上进行距离修正的激光照射禁止区的最短距离 226L定义为“OuterDist”。此时，以下述方式获得作为修复对象222的参数的中心坐标 220a(StartPosX, StartPosY)和激光狭缝尺寸(SlitSizeX 和 SlitSizeY)的初始值。StartPosX = Left+ffidth/2StartPosY = Top+Height/2SlitSizeX = Width/2+InnerDis
SlitSizeY = Height/2+InnerDist左上方设定为坐标系统的参考坐标(参照图9)。此时，修复对象222的外周矩形ZapRect由下述表达式表示ZapRectLeft = StartPosX-SlitSizeXZapRectTop = StartPosY-SlitSizeYZapRectRight = StartPosX+SlitSizeXZapRectBottom = StartPosY+SlitSizeY不同于环绕清除形式的修复对象，不存在内周annerRect)和外周(OuterRect) 的概念，ZapRect = InnerRect = OuterRect0包括从激光照射禁止区到激光照射区域的最短距离226L的最外周矩形OuterMostRect的初始值为如下值。
OuterMostRectLeft = ZapRectLeft-OuterDistOuterMostRectTop = ZapRectTop-OuterDistOuterMostRectRight = ZapRectRight+OuterDistOuterMostRectBottom = ZapRectBottom+OuterDist根据修复对象222的外周矩形ZapRect和最外周矩形OuterMostRect的区域内的层标签和节点的构成的条件来确定能否对修复对象进行设定以及对对象尺寸进行优化。用于确定能否对静止清除形式的修复对象进行设定的条件基本上与环绕清除形式的修复对象的条件相同。然而，由于静止清除形式的修复对象基本上是使用激光直接照射缺陷的修复对象，所以增加了不应对超过一定面积的缺陷进行处理的条件。对激光照射禁止区的干扰接下来，核查缺陷面积的上限以及核查对激光照射禁止区的干扰。当泄露缺陷的面积大于预先规定的面积时，确定缺陷面积较大，及确定不能进行缺陷修正设定。在这种情况下，以环绕清除形式处理泄露缺陷，或者不进行缺陷修正。如同环绕清除形式(0类型)的情况(参照图21)，当激光照射禁止区在静止清除形式的修复对象的最外周矩形OuterMostRect的面积内重叠时，确定不能对目标缺陷进行缺陷修正。在图33的示例中，泄露缺陷231不与激光照射禁止区234重叠。然而，静止清除形式的修复对象232的最外周矩形233的绘制线与激光照射禁止区234重叠。当因而检测出对激光照射禁止区的干扰时，确定不能对静止清除形式的修复对象进行设定。布线分离的确定下文将说明由于静止清除形式的修复对象的影响所导致的布线的分离。图34表示从作出泄露确定的节点区突出的静止清除形式的修复对象的示例。如同环绕清除形式，通过核查背景标签(参照图16)的检测及随后绘制作为确定范围的最外周矩形OuterMostRect，来确定布线是否分离。首先，在绘制最外周矩形OuterMostRect时， 根据层元件变化对背景标签的存在进行核查。在图34的示例中，通过绘制泄露缺陷241的静止清除形式的修复对象242的最外周矩形M3，检测两个不同的背景区域(标签)244A和 M4B。因而，当检测到多个不同的背景区域(标签)时，确定出断路，因此确定出不能进行缺陷修正。对节点区之外的区域的干扰如同环绕清除形式的情况(参照图21)，在确认背景标签之后，核查对节点区之外的区域(电路)的干扰。图35表示静止清除形式的修复对象的最外周矩形的绘制线对节点区之外的区域的干扰的示例。泄露缺陷251的静止清除形式的修复对象252的最外周矩形253与两个第二层区域112和11 重叠。这两个第二层区域112和11 属于相同的类型，但具有不同的标签。在这种情况下，确定出对节点区之外的区域的干扰，及确定出不能对修复对象进行设定。最后，通过绘制修复对象的最外周矩形，进行断路的确定。假定进行基本上与环绕清除形式的情况相同的确定。图36表示基于静止清除形式的修复对象的最外周矩形的绘制线来确定布线的分离的示例。在绘制静止清除形式的修复对象的最外周矩形沈2的过程中存在于最外周矩形262上的层标签是第一层111和第二层112的两种层标签。变化点表示第一层在绘制线上出现的时刻。变化点26 表示第一层从绘制线消失的时刻。在图36的示例中， 如同环绕清除形式的情况(参照图19)，能够确定出第一层111断路。因而，当在相同的层中检测出多个标签时，或当检测出不存在于作为确定目标的节点区中的层标签时，确定出存在对另一区域(电路)的干扰，且当检测出绘制在相同层标签上的多个IN和OUT变化时，确定出存在断路的可能，及确定出不能进行缺陷修正。如同环绕清除形式的情况，取决于缺陷发生的位置和层的形状，在确定对节点区之外的区域的干扰及确定断路时，存在对确定为不能进行缺陷修正的缺陷之中的缺陷进行错误确定的情况。然而，在静止清除形式的情况下，使用激光直接照射缺陷区，因而激光照射面积小于环绕清除形式的情况下的激光照射面积。因此，预计错误确定的频率低，除非重复图案内的布线非常接近或除非MnerDist或OuterDist设定成较大值。即使事实上将缺陷修正错误地确定成不可能，在考虑到担心对不能够进行缺陷修正的区域进行修正的情况下，仍期望不执行激光照射。因而，此时，假定不需要静止清除形式的优化。确定节点区所减少的面积对节点区随着缺陷修正的实行而减少的面积进行如下定义。图37用于辅助说明节点区随着静止清除形式的修复对象所进行的缺陷修正而减少的面积的定义。可以与环绕清除形式相同的方式定义节点区所减少的面积的获得方法， 在多个修复对象彼此重叠时的抵消方法可与环绕清除形式的方法相同(参照图23)。在图 37的示例中，修复对象271和273的外周矩形分别与出现泄露缺陷的节点区113所重叠的部分272和274代表节点区所减少的面积。上述实施例中的环绕清除形式或静止清除形式的修复对象的对应形式和优先权次序等取决于缺陷修正装置、电路条件和激光设定。通常，优选地，优先考虑占用较短处理时间的静止清除形式，而在不能以静止清除形式进行缺陷修正时生成环绕清除形式的修复对象。缺陷区不与节点区重叠的情况的措施泄露缺陷并非必然是多层结构中的上层和下层之间的短路缺陷。图38表示通过电导通检查来确定泄露缺陷的示例。在这个示例中，由第二层112 的变形所导致的缺陷282使第二层112的不同层标签短路。在这种情况下，在出现泄露缺陷的节点区113内不存在任何缺陷，能够确切地将该缺陷视为同层短路。然而，接触孔
使第一层111和第二层112彼此连接，因此将第一层111和第二层112短路。因而，该缺陷与作为一类缺陷的层间短路产生了相同的结果，从而不能区别出该缺陷与层间短路，除非获得重复图案的图像。在这种情况下，如图39所示，如下方法是有效的，S卩，如同同层短路缺陷的情况， 通过过去的模板的登记来获得和应用修复对象观3。另外，在这个情况下，没有考虑作为缺陷修正结果的电路区域的去除面积。因而，优选地，根据缺陷发生的位置，在本发明实施例的通过使用环绕清除或静止清除的修复对象的自动生成所进行的缺陷修正方法与过去的使用模板的缺陷修正方法之间进行选择。在对泄露缺陷的缺陷修正方法中，对于出现在泄露缺陷发生区域(节点区)中的缺陷，根据激光性能、调整条件等能够生成多个使用环绕清除或静止清除的修复对象。然而，对于过去的所登记模板的选择和应用，由于使用用于执行布线连接过程的CVD对象的模板在与另一区域的修复对象重叠时导致问题，所以在存在多个缺陷区时，使模板能够应用的条件受到限制。基本上，在CVD对象不与另一缺陷区或另一缺陷区处所指定的修复对象重叠时， 模板是能应用的。另外，当不能够进行缺陷修正的缺陷区和能够进行缺陷修正的缺陷区作为多个缺陷区彼此混合时，将带有这个意思的消息连同模板一起输出。泄露缺陷的缺陷修正方法(修复对象)的获得过程下文将参照图40和图41说明控制设备301所执行的用于获得泄露缺陷的缺陷修正方法的获得过程(该过程对应于图7中的步骤S18中的缺陷修正方法(修复对象)的优化)的示例。注意，图40和图41所示的过程仅是示例，这是因为图40和图41所示的过程代表处于一个流程中的各上述过程。能够改变这些过程中的部分过程的次序，且能够省略部分过程。因而，该过程不限于这个示例。首先，表示泄露缺陷的位置和特征等的缺陷区信息从缺陷检测设备303输入到控制设备301 (参照图5)(步骤Si)。输入到控制设备301的缺陷区信息通过输入-输出部 351输入到图像处理部352(参照图6)，图像处理部352酌情执行图像处理。当控制设备 301根据缺陷区信息检测到泄露缺陷存在于重复图案中时，控制设备301清除输出消息(步马聚S2) ο接下来，控制设备301的缺陷确定部353(参照图6)根据缺陷区信息确定缺陷区是否与发生泄露缺陷的节点区重叠(步骤S3)(参照图38)。当缺陷区与节点区重叠时，过程行进到步骤S4。当缺陷区不与节点区重叠时，过程行进到步骤S15。当在步骤S3中确定缺陷区与发生泄露缺陷的节点区重叠时，缺陷确定部353确定缺陷区是否与禁用区重叠(步骤S4)。当缺陷区不与禁用区重叠时，过程行进到步骤S5。当缺陷区与禁用区重叠时，过程行进到步骤S 14。此时的禁用区对应于激光照射禁止区(参照图21和图3 、形成节点区的层标签之外的层标签(参照图22和图35)、多个背景标签 (参照图20和图34)和在相同层中检测到多个标签时的节点区之外的区域(参照图22和图 35)。当在步骤S4中确定出缺陷区不与禁用区重叠时，缺陷确定部353确定缺陷区是否具有能够通过静止清除进行处理的面积(步骤SQ。如图32的说明所述，具有能够通过静止清除进行处理的面积的缺陷区意味着缺陷区的面积小于作为设定上限的面积。当缺陷区具有能够通过静止清除进行处理的面积时，过程行进到步骤S6。当缺陷区具有不能够通过静止清除进行处理的面积时，过程行进到步骤S7。当在步骤S5中确定出缺陷区具有能够通过静止清除进行处理的面积时，修复对象生成部354生成静止清除形式的修复对象(步骤S6)(参照图3 。在这个过程结束后， 过程行进到步骤S10。当在步骤S5中确定出缺陷区具有不能够通过静止清除进行处理的面积时，修复对象生成部3M生成环绕清除形式的修复对象(步骤S7)(参照图17)。接下来，环绕清除优化部355确定是否要对所生成的环绕清除形式的修复对象进行优化(步骤S8)。当要对环绕清除形式的修复对象进行优化时，过程行进到步骤S9。当不对环绕清除形式的修复对象进行优化时，过程行进到步骤S10。当在步骤S8的过程中确定出要对环绕清除形式的修复对象进行优化时，环绕清除优化部355将环绕清除形式的修复对象作为目标进行优化(步骤S9)(参照图沈和图 27 图30)。在该过程结束之后，过程行进到步骤S10。在步骤S8的确定过程或步骤S6或S9的过程结束时，修复对象确定部356确定所生成的修复对象是否与禁用区域重叠(步骤S 10)。当所生成的修复对象与禁用区重叠时， 过程行进到步骤S14。当所生成的修复对象不与禁用区重叠时，过程行进到步骤S11。当在步骤SlO的确定过程中确定出所生成的修复对象不与禁用区重叠时，修复对象确定部356确定所生成的修复对象是否导致断路(步骤Sll)。当所生成的修复对象没有导致断路时，过程行进到步骤S12。当所生成的修复对象导致断路时，过程行进到步骤S13。当在步骤Sll的确定过程中确定出所生成的修复对象没有导致断路时，修复对象确定部356向输出到缺陷修正设备302的候选修复对象加入该修复对象(步骤Si》。在这个过程结束之后，过程行进到步骤S26。另一方面，当在步骤Sll的确定过程中确定出所生成的修复对象导致断路时，注释生成部357从存储器360读取带有如下意思的注释(步骤S13)，即由于会发生断路，所以不能够进行缺陷修正。在这个过程结束后，过程行进到步骤S22。在步骤S4或步骤SlO的确定过程结束之后，注释生成部357从存储器360读取带有如下意思的注释，即缺陷区不能够进行缺陷修正(步骤S14)。在这个过程结束后，过程行进到步骤S22。当在步骤S3的确定过程中确定出缺陷区不与发生泄露缺陷的节点区重叠时，模板选择部358从登记的模板中选择用于缺陷区的最佳模板(步骤SK)(参照图39)。接着， 确定是否获得了适用于缺陷区的模板(步骤S16)。当获得了适用于缺陷区的模板时，过程行进到步骤S17。当没有获得适用于缺陷区的模板时，过程行进到步骤S22。当在步骤S16的确定过程中确定出获得了适用于缺陷区的模板时，模板选择部 358确定适用模板是否包括CVD对象(步骤S17)。当适用模板包括CVD对象时，过程行进到步骤S18。当适用模板不包括CVD对象时，过程行进到步骤S25。当在步骤S17的确定过程中确定出适用模板包括CVD对象时，修复对象确定部356 确定CVD对象是否与另一缺陷区或另一修复对象重叠(步骤S18)。当CVD对象与另一缺陷区或另一修复对象重叠时，过程行进到步骤S19。当CVD对象不与另一缺陷区或另一修复对象重叠时，过程行进到步骤S25。当在步骤S18的确定过程中确定出CVD对象与另一缺陷区或另一修复对象重叠时，模板选择部358确定是否存在另一候选适用模板(步骤S19)。当存在另一候选适用模板时，过程行进到步骤S20，在步骤S20中，核查下一候选模板。此后，过程行进到步骤S17。 当不存在候选适用模板时，过程行进到步骤S21。当在步骤S19的确定过程中确定出不存在其它候选适用模板时，注释生成部357 从存储器360读取带有如下意思的注释(步骤S21)，即不存在相应的模板。在步骤S13、S14或S21的过程或步骤S16的确定过程结束后，注释生成部357确定是否设定输出消息(步骤S22)。当没有设定输出消息时，过程行进到步骤S23。当设定了输出消息时，过程行进到步骤S24。
当在步骤S22的确定过程中确定出没有设定输出消息时，注释生成部357根据用户的指令向输出消息设定注释(步骤S2!3)。另一方面，当在步骤S22的确定过程中确定出设定了输出消息时，从存储器360中读取带有如下意思的注释，即部分缺陷区不可修复，然后将其输出到显示器327(步骤S24)。在这些过程结束后，过程行进到步骤S26。另外，在步骤S17或S18的确定过程结束后，修复对象确定部356向输出到缺陷修正设备302的候选修复对象添加所得到的模板的修复对象(步骤S2Q。在这个过程结束后，过程行进到步骤S26。在步骤S12或S23 S25的过程结束之后，控制设备301确定是否已对所有缺陷区完成了适当处理(步骤S26)。当完成处理时，过程行进到步骤S27。当没有完成处理时， 过程行进到步骤S26A，以开始下一缺陷区的处理，然后行进到步骤S3。当在步骤沈的确定过程中确定出所有缺陷区的适当处理完成时，修复去除面积计算部359获得候选输出修复对象之中的所有自动生成修复对象的修复去除面积(步骤 S27)。在这个过程结束之后，过程行进到步骤S28。接下来，修复去除面积计算部359确定节点区的修复去除面积是否超过可去除面积的上限(步骤观)。当节点区的修复去除面积超过可去除面积的上限时，过程行进到步骤 S29。当节点区的修复去除面积没有超过可去除面积的上限时，过程行进到步骤S32。当在步骤S28的确定过程中确定出节点区的修复去除面积超过可去除面积的上限时，控制设备301确定是否仅对能够进行缺陷修正的缺陷区进行修正(步骤S29)。当仅对能够进行缺陷修正的缺陷区进行修正时，过程行进到步骤S30。当不是仅对能够进行缺陷修正的缺陷区进行修正时，过程行进到步骤S35。例如，用户能够预先选择是否仅对能够进行缺陷修正的缺陷区进行修正，并将所选择的内容存储在存储器360中。接着，基于所选择的内容作出上述确定。当在步骤S29的确定过程中确定出仅对能够进行缺陷修正的缺陷区进行修正时， 控制设备301删除部分登记的修复对象，以便不超过可去除面积的上限(步骤S30)。接着， 控制设备301的注释生成部357从存储器360读取带有如下意思的消息，即部分缺陷区不能进行修正(步骤S31)。当在步骤S28的确定过程中确定出节点区的修复去除面积没有超过可去除面积的上限时，控制设备301的注释生成部357确定是否设定输出消息(步骤S3》。当没有设定输出消息时，过程行进到步骤S37。当设定了输出消息时，过程行进到步骤S33。当在步骤S32的确定过程中设定了输出消息时，控制设备301确定是否仅对能够进行缺陷修正的缺陷区进行修正(步骤S33)。当仅对能够进行缺陷修正的缺陷区进行修正时，过程行进到步骤S37。当不是仅对能够进行缺陷修正的缺陷区进行修正时，过程行进到步骤S34。在步骤S32或S33的确定过程结束之后，控制设备301的注释生成部357设定带有成功获得修复对象的意思的消息(步骤S37)，接着行进到步骤S38。另一方面，当在步骤 S33的确定过程中确定仅对能够进行缺陷修正的缺陷区进行修正时，控制设备301的注释生成部357从存储器360读取带有缺陷区能够进行修正的意思的消息(步骤S34)，然后行进到步骤S36。当在步骤S29的确定过程中确定出不是仅对能够进行缺陷修正的缺陷区进行修正时，控制设备301的注释生成部357从存储器360读取带有如下意思的消息，即由于修复去除面积超过上限，所以不能进行缺陷修正(步骤S35)。在步骤S34或S35的过程结束之后，控制设备301清除所有候选输出修复对象(步骤S36)，接着行进到步骤S38。接着，在步骤S31、S37或S36结束之后，能够输出的修复对象以及消息输出到显示器327(步骤S38)。当这个过程结束时，泄露缺陷的缺陷修正方法(修复对象)的获得过程结束。在上述实施例中，定义了形成在登记的重复图案内的区域信息，根据层间短路缺陷的实际缺陷区自动生成缺陷修正方法(修复对象)及确定能否进行该缺陷修正方法。由此，能够自动进行在过去不能自动进行的层间短路缺陷的修正。虽然上文说明了本发明的各个实施例的示例，但本发明不限于各个实施例的上述示例，当然本发明也包括不脱离权利要求书中所限定的范围的变型示例和应用示例。例如，在上述实施例中，说明了在形成在平板显示器的玻璃基板上的设计图案中进行缺陷修正的情况。然而，修正的目标不限于这个实施例。例如，缺陷修正可应用到形成在诸如半导体晶片、光掩模(photomask)或磁盘等修正目标基板上的预定图案。另外，既能通过硬件也能通过软件来执行缺陷修正装置300的控制设备301中所执行的系列过程。另外，毋庸赘述，执行这些过程的功能也可通过硬件和软件的组合来实现。当通过软件实现系列过程时，组成软件的程序通过程序记录媒介安装到专用硬件所结合的计算机上，或例如安装到通用的个人计算机(其上通过安装各种程序，能够执行各种功能)上。在图5所示的控制设备301中，诸如MPU等算法处理设备执行记录在非易失性存储器中的程序，以实现预期功能。然而，可通过单个程序实现图5所示的每个功能块。另外， 也可通过一个程序实现多个功能块。另外，也可通过硬件实现图5所示的功能块。另外，也可存在如下配置，即，在该配置中，修正方法数据库325存储在远程服务器中，而不是存储在缺陷修正装置300中，通过诸如LAN、Internet等访问修正方法数据库 325，以获得缺陷修正方法。另外，本发明中的处理步骤不仅包括按上述次序以时间顺序执行的过程，而且包括并非必需按时间顺序执行而是并行或单独执行的过程(例如，并行处理或基于对象的处理)。本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其它因素，可以在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。
权利要求
1.一种缺陷修正装置，其包括缺陷检测设备，其用于检测多层基板中的重复图案内的缺陷；缺陷修正设备，其用于通过规定的缺陷修正方法修正所述多层基板中的所述缺陷；及控制设备，其用于在检测到由所述缺陷检测设备所检测的所述缺陷与认为发生层间短路缺陷的区域重叠时，生成与用于所述层间短路缺陷的所述缺陷修正方法相对应的对象， 并通过使用所生成的对象控制用于修正所述缺陷的所述缺陷修正设备。
2.如权利要求1所述的缺陷修正装置，其中，所述控制设备在所检测到的缺陷的面积小于预定面积时生成用于使用激光直接照射所述缺陷的对象，并在所检测到的缺陷的面积大于所述预定面积时生成用于执行环绕所述缺陷周围的激光照射的对象。
3.如权利要求2所述的缺陷修正装置，其中，若在基于所生成的对象执行所述缺陷修正方法的情况下，在认为发生所述层间短路缺陷的所述区域之外的区域中的电路会受到影响时，所述控制设备执行控制以不进行缺陷修正。
4.如权利要求3所述的缺陷修正装置，其中，若在基于所生成的对象执行所述缺陷修正方法时，对认为发生所述层间短路缺陷的所述区域进行的缺陷修正的面积超过预定面积，则所述控制设备执行控制以不进行缺陷修正。
5.如权利要求1 4中任一项所述的缺陷修正装置，其还包括数据库，其存储多个登记作为缺陷修正方法的对象，其中，当检测到由所述缺陷检测设备所检测到的所述缺陷不与认为发生所述层间短路缺陷的区域重叠时，所述控制设备从所述数据库读取适于所述缺陷的对象，并通过使用所读取的对象控制所述缺陷修正设备。
6.一种缺陷修正方法，其包括通过包含在缺陷修正装置中的缺陷检测设备检测多层基板中的重复图案内的缺陷；在检测到由所述缺陷检测设备所检测到的所述缺陷与认为发生层间短路缺陷的区域重叠时，通过包含在所述缺陷修正装置中的控制设备生成与用于所述层间短路缺陷的缺陷修正方法相对应的对象；及通过所述控制设备使用所生成的对象来控制用于修正所述缺陷的缺陷修正设备。
全文摘要
本发明涉及缺陷修正装置和缺陷修正方法。所述缺陷修正装置包括缺陷检测设备，其用于检测多层基板中的重复图案内的缺陷；缺陷修正设备，其用于通过规定的缺陷修正方法修正所述多层基板中的所述缺陷；及控制设备，其用于在检测到由所述缺陷检测设备所检测的所述缺陷与认为发生层间短路缺陷的区域重叠时，生成与用于所述层间短路缺陷的所述缺陷修正方法相对应的对象，并通过使用所生成的对象控制用于修正所述缺陷的所述缺陷修正设备。根据本发明，能够在提高层间短路缺陷的缺陷修正过程的工作效率的同时，提高缺陷修正的质量。
文档编号B23K26/00GK102412114SQ20111026186
公开日2012年4月11日 申请日期2011年9月6日 优先权日2010年9月17日
发明者冈亚希子, 本多友明, 泉岳 申请人:索尼公司