具有馈通结构的基板支撑件的制作方法
【专利摘要】在此提供用于提供电流的设备与利用此设备的基板支撑件。在一些实施例中，一种馈通结构可包括：主体，所述主体具有界定一或更多个开口的壁，所述一或更多个开口设置成从第一端穿过所述主体至第二端；一或更多个第一导体与一或更多个第二导体，每个第一导体和第二导体设置在所述壁中而从所述第一端至所述第二端；及多个导电网筛，所述多个导电网筛设置在所述壁中，至少一个导电网筛围绕所述壁的第一区域，所述壁的所述第一区域包括所述一或更多个第一导体，且至少一个导电网筛围绕所述壁的第二区域，所述壁的所述第二区域包括所述一或更多个第二导体，其中多个导电网筛使所述第一区域和所述第二区域与设置在所述第一区域和所述第二区域外面的分别的第一外部电磁场和第二外部电磁场分别实质上电气绝缘。
【专利说明】具有馈通结构的基板支撑件
【技术领域】
[0001] 本发明的实施例大体涉及基板处理系统。
【背景技术】
[0002] 随着电子器件的临界尺寸持续缩小，基板处理系统需要改善的工艺控制以可重复 地达到这样的尺寸。例如，在一些实施例中，基板支撑件可被制造成更紧密的设计，以致在 处理期间能在设置于基板支撑件上的基板上达到均匀的温度分布和/或在处理期间能快 速地改变所述温度分布。发明人已经发现增加这样的紧密度至基板支撑件设计会在馈通结 构（feedthrough structure)中留出受限的空间以用来为被提供在基板支撑件中或上的部 件（比如真空夹盘、静电夹盘、背侧气体线路、电极、温度传感器、加热器或其他适合的装置 的一或多个）提供适当的设备（例如管路和/或配线）。
[0003] 因此，发明人已经提供能与基板支撑件并同使用的被改善的馈通结构。
【发明内容】
[0004] 在此提供用于提供电流的设备与利用此设备的基板支撑件。在一些实施例中，一 种馈通结构可包括：主体，所述主体具有界定一或更多个开口的壁，所述一或更多个开口被 设置成从所述主体的第一端穿过所述主体至所述主体的第二端；一或更多个第一导体，所 述一或更多个第一导体设置在所述壁中而从所述第一端至所述第二端；一或更多个第二导 体，所述一或更多个第二导体设置在所述壁中而从所述第一端至所述第二端；及多个导电 网筛（mesh)，所述多个导电网筛设置在所述壁中，其中至少一个导电网筛围绕所述壁的第 一区域，所述壁的所述第一区域包括所述一或更多个第一导体，且其中至少一个导电网筛 围绕所述壁的第二区域，所述壁的所述第二区域包括所述一或更多个第二导体，其中所述 多个导电网筛使所述第一区域与所述第一区域外面的第一外部电磁场实质上电气绝缘且 使所述第二区域与所述第二区域外面的第二外部电磁场实质上电气绝缘。
[0005] 在一些实施例中，一种设备可包括基板支撑件，所述基板支撑件包含：支撑构件， 所述支撑构件具有基板处理表面以支撑基板于所述基板处理表面上；多个电气元件，所述 多个电气元件设置在所述基板支撑件中以当所述基板设置在所述基板处理表面上时至少 监测或至少处理所述基板；主体，所述主体具有界定一或更多个开口的壁，所述一或更多个 开口设置在面对所述支撑构件的所述主体的第一端与所述主体的相对第二端之间；一或更 多个第一导体，所述一或更多个第一导体设置在所述壁中而从所述第一端至所述第二端， 以提供第一电气信号至所述多个电气元件的至少第一电气元件；及一或更多个第二导体， 所述一或更多个第二导体设置在所述壁中而从所述第一端至所述第二端，以提供第二电气 信号至所述多个电气元件的至少第二电气元件。
[0006] 在一些实施例中，一种设备可包括基板支撑件，所述基板支撑件包含：支撑构件， 所述支撑构件具有基板处理表面以支撑基板于所述基板处理表面上；加热器，所述加热器 用于当所述基板存在于所述基板处理表面上时提供热至所述基板，所述加热器具有被布置 在多个加热区块内的多个电阻式加热元件；多个温度传感器，所述多个温度传感器用于当 所述基板存在于所述基板处理表面上时监测所述基板的温度；主体，所述主体具有界定一 或更多个开口的壁，所述一或更多个开口设置在面对所述支撑构件的所述主体的第一端与 所述主体的相对第二端之间；多个第一导体，所述多个第一导体设置在所述壁中而从所述 第一端至所述第二端，其中每个第一导体从所述一或更多个电阻式加热元件提供或接收第 一电气信号；多个第二导体，所述多个第二导体设置在所述壁中而从所述第一端至所述第 二端，其中每个第二导体从所述一或更多个温度传感器提供或接收第二电气信号；及多个 导电网筛，所述多个导电网筛设置在所述壁中，其中至少一个导电网筛围绕所述壁的第一 区域，所述壁的所述第一区域包括所述一或更多个第一导体，且其中至少一个导电网筛围 绕所述壁的第二区域，所述壁的所述第二区域包括所述一或更多个第二导体，其中所述多 个导电网筛使所述第一区域与所述第一区域外面的第一外部电磁场实质上电气绝缘且使 所述第二区域与所述第二区域外面的第二外部电磁场实质上电气绝缘。
[0007] 以下描述本发明的其他与进一步的实施例。
【专利附图】
【附图说明】
[0008] 能通过参考附图中所描绘的本发明的说明性实施例来理解以上简要概述的并在 下文更加详细论述的本发明的实施例。但是应注意的是，附图仅图示本发明的典型实施例， 因此附图不应被视为对本发明范围的限制，因为本发明可允许其他等同效果的实施例。
[0009] 图1描绘根据本发明的一些实施例的基板支撑件的部分示意图，所述基板支撑件 具有馈通结构。
[0010] 图1A描绘根据本发明的一些实施例的绘示在图1中的馈通结构的截面图。
[0011] 图1B描绘根据本发明的一些实施例的馈通结构的截面图。
[0012] 图1C描绘根据本发明的一些实施例的馈通结构的部分截面图。
[0013] 为帮助理解，已尽可能使用相同的标记数字来表示各附图共有的相同元件。附图 未按比例绘制且可为了清楚而被简化。应理解的是一个实施例的元件与特征可有益地并入 其他实施例而不需进一步详述。
【具体实施方式】
[0014] 在此提供用于提供电流的设备与利用此设备的基板支撑件。如以下所论述的，本 发明的馈通结构可被用作为用于处理基板的基板支撑件的一部分。然而，本发明的馈通结 构可与需要电气馈通的任何适合的装置并同使用。本发明的设备可有利地提供用于管理多 个电气配线和/或管路和/或用于提供有效空间使用的紧密设计。如以下所论述的，本发 明的设备可通过限制或消除每个信号之间的干扰（例如串扰）而有利地提供多个不同电气 信号的精确输送。另外，本发明的馈通设备可限制或避免来自外部电磁场（所述外部电磁 场比如由可被设置在馈通结构的壁中的导体、可存在于馈通结构的壁所界定的一或更多个 开口中的导体或可产生电磁场的其他部件（所述其他部件比如等离子体源、提供RF能量以 在基板支撑件上方或远程地产生等离子体的电极）所产生的那些场或由等离子体本身所 产生的外部电磁场）的干扰。
[0015] 图1描绘根据本发明的一些实施例的基板支撑件100。基板支撑件100可包括支 撑构件102与加热器106,支撑构件102用于当基板103存在于支撑构件102的第一表面 104 (例如上表面或基板处理表面）上或上方时将热分散到基板103,加热器106具有一或 更多个加热区块1〇8(图1图示多个加热区块）以提供热到支撑构件102。选择性地，加热 器106可进一步包括第二加热区块，第二加热区块在一或更多个加热区块108之下并横跨 一或更多个加热区块108,以对第一表面104提供额外的温度控制。如图1所示，加热器106 可设置在支撑构件102之下。然而，这仅是加热器106的一个示例性实施例。加热器106 可设置在支撑构件102中、支撑构件102的表面上或支撑构件102之下。
[0016] 在一些实施例中，基板支撑件可提供范围从约450°C至约600°C的温度。然而，在 此所揭示的基板支撑件的实施例不局限于上述温度范围。例如，所述温度可更低（比如室 温或以上或从约150°C至约450°C )或更高（比如高于约600°C )。
[0017] 支撑构件102可用于将热分散到基板103。例如，支撑构件可作为热散布器而分 散一或更多个加热区块108所提供的热。在一些实施例中，支撑构件102可在沿着支撑构 件102的第一表面104的一或更多个位置处包括嵌设在支撑构件102中或延伸穿过支撑构 件102的一或更多个温度监测装置120,以监测被提供到基板103的温度。温度监测装置 120可包括用于监测温度的任何适合的装置，比如温度传感器、电阻温度装置（resistance temperature device, RTD)、光学传感器、热电稱、电热调节器或类似装置的一个或更多 个。一或更多个温度监测装置120可耦接到控制器122,控制器122用以接收来自多个温 度监测装置120的每个温度监测装置的温度信息。如以下进一步论述的，控制器122可 进一步用于响应于温度信息而控制加热区块108。支撑构件102可由适合的工艺相容的 (process-compatible)材料形成，比如具有高热导率、高硬度以及低热膨胀系数的一种或 更多种材料。在一些实施例中，支撑构件102可具有至少约140W/mK的热导率。在一些实 施例中，支撑构件102可具有约9 X 1(T6/°C或更小的热膨胀系数。用于形成支撑构件102的 适合的材料的实例可包括铝（A1)、铜（Cu)或铜的合金、氮化铝（A1N)、氧化铍（BeO)、热解氮 化硼（PBN)、氮化硅（Si 3N4)、氧化铝（A1203)、碳化硅（SiC)、涂覆有PBN的石墨、涂覆有氧化 钇（Y 2〇3)的A1N或类似材料的一种或更多种。可与支撑构件102并同使用的其他适合的涂 层包括类金刚石涂层（DLCs)或类似涂层。
[0018] 加热器106可包括一或更多个电阻式加热元件124。例如，一或更多个加热区块 108的每个加热区块包括一或更多个电阻式加热元件124。尽管图1图示一或更多个加热区 块108均匀地分布，但可用期望在基板103上提供期望温度分布的任何适合的配置来分布 一或更多个加热区块108。电阻式加热元件124的每个电阻式加热元件可耦接到电源126。 电源126可提供与电阻式加热元件124相容的任何适合类型的功率，比如直流（DC)或交流 (AC)。电源126可耦接到控制器122并被控制器122或被另一控制器（未图示）控制，所 述另一控制器比如用于控制具有基板支撑件设置在其中的工艺腔室的系统控制器或类似 控制器。在一些实施例中，电源126可进一步包括功率分配器（power divider)(未图示）， 功率分配器分配被提供到每个加热区块108中的电阻式加热元件124的功率。例如，功率 分配器可响应于紧邻第一表面104设置的温度监测装置120的一或更多个温度监测装置而 起作用，以选择性地分配功率到特定加热区块108中的电阻式加热元件124。或者，在一些 实施例中，可针对每个个别的加热器区块中的电阻式加热元件提供多个电源。
[0019] 电阻式加热元件124与温度监测装置120可经由设置在加热器106之下的馈通结 构128分别耦接到电源126和控制器122。在一些实施例中，馈通结构128可经由任何适合 的固定手段和/或方法（比如螺栓、焊接、环氧树脂、扩散接合、压装、共烧（co-firing)、烧 结或任何适合的接附手段和/或方法）而直接地耦接到加热器106的背侧。在一些实施例 中，超过一个馈通结构128可耦接到加热器106的背侧，以例如提供各种电气供给和/或气 体供给到加热器106和/或基板支撑件100的其他元件（比如RF电极、静电夹盘、第一表 面104或类似元件）。
[0020] 图1与图1A分别图示馈通结构128的侧视截面图和俯视截面图。馈通结构128 可包括主体130,主体130具有界定一或更多个开口 136(图1与图1A图示中心开口）的 壁134, 一或更多个开口 136设置成从第一端138穿过主体130至第二端144。图1-1A所 示的中心开口仅是示例性的，并且其他配置的一或更多个开口 136是可行的（比如偏离中 心的配置、多个开口或类似配置）。一或更多个开口 136可用于提供配线和/或导管，以用 于气体、真空、RF功率、静电夹盘功率、或可与基板支撑件并同使用的任何适合的电气功率 或气体。例如，配线亦可包括光纤以及和光纤相关的装置。主体130可由介电材料形成，t匕 如陶瓷或类似材料，或具有与支撑构件102相同的热导率或比支撑构件102更小的热导率 的其他适合的材料。可通过任何适合的介电材料（比如陶瓷、玻璃纤维、空气、真空或类似 物）来隔开导电元件（例如以下所论述的导体或网筛）。
[0021] 主体130可包括设置在壁134中的多个开口，所述多个开口可用于沿着一或更多 个开口 136在第一端138与第二端144之间容纳一或更多个导电元件（例如以下所论述的 导体或网筛）。例如，导电元件可用于提供功率到是基板支撑件100的一部分的电气装置， 所述电气装置比如电阻式加热元件124或温度监测装置120 ;或导电元件可用于遮蔽用来 从不期望的电磁场承载电气信号（比如从相邻的电气配线和/或其他装置承载电气信号， 所述其他装置比如RF电极、使用远程等离子体源的RF能量、静电夹盘或可以是基板支撑 件100的一部分的类似装置）的电气配线。壁134中的开口在图1-1A中显示成超过设置 穿过开口的各种导电材料的尺寸。然而，这仅是为了说明性目的，并且导电材料可填充整个 开口。壁134和/或主体130中的开口可呈任何适合的形状，比如圆形（如图1和图1A所 示）、矩形或任何期望的形状。例如，主体130可由模具、形体（form)或类似物制成以使得 开口围绕导电元件形成，而不是在开口被形成后将导电元件放到开口中。然而，许多制造方 法是可行的，包括在将导电元件放在开口内之前形成开口的制造方法。
[0022] 壁134可包括设置在壁134中沿着一或更多个开口 136而在第一端138与第二端 144之间的一或更多个第一开口 146。一或更多个第一导体148可例如穿过在第一端138 与第二端144之间的一或更多个第一开口 146而设置在壁134中。如图1A所示，一或更多 个第一导体148可以是多个第一导体148且一或更多个第一开口 146可以是多个第一开口 146,其中每个第一导体148设置在相应的第一开口 146中。选择性地，在一些实施例中，每 个第一导体148可单独地被遮蔽件149所遮蔽。例如，遮蔽件149可以是电气绝缘体（比如 非导电材料），或者遮蔽件149可作为法拉第笼以将每个第一导体148和外部电磁场隔开。 例如，这样的外部电磁场能够通过如以下所论述的一或更多个第二导体152、可存在于一或 更多个开口 136中的导体或可产生电磁场的其他部件（比如等离子体源、提供RF能量以在 基板支撑件100上方或远程地产生等离子体的电极）来产生，或这样的外部电磁场是由等 离子体本身产生的外部电磁场。另外，第一导体148与第一开口 146的配置仅是示例性的， 并且其他配置是可行的，例如，比如具有多个第一导体148设置在单个第一开口 146中的单 个第一开口 146,其中每个第一导体148可包括遮蔽件149和/或可通过任何适合的配置而 被物质上隔开，所述任何适合的配置使相邻的第一导体148彼此不接触。
[0023] 如图1所示，一或更多个第一导体148可用于将电源126耦接到电阻式加热元件 124的每个电阻式加热元件。在一些实施例中，每个第一导体148可被配置成既提供又返 归功率，比如使用多个相邻的彼此绝缘的配线。一或更多个第一导体148可以是导电配线 以提供一或更多个电气信号。或者，一或更多个第一导体148可以是装置（例如比如热电 耦）或光学配线（比如光缆或其他适合的光学配线）。
[0024] 壁134可包括一或更多个第二开口 150, 一或更多个第二开口 150沿着一或更多个 开口 136而在第一端138与第二端144之间设置在壁134中。一或更多个第二导体152可 例如穿过在第一端138与第二端144之间的一或更多个第二开口 150而设置在壁134中。 如图1A所示，一或更多个第二导体152可以是多个第二导体152且一或更多个第二开口 150可以是多个第二开口 150,其中每个第二导体152设置在相应的第二开口 150中。遮 蔽件149可以如以上针对第一导体148所论述的实质上类似的方式与第二导体152并同使 用。另外，第二导体152与第二开口 150的配置仅是示例性的，并且其他配置是可行的（例 如，比如具有多个第二导体152设置在单个第二开口 150中的单个第二开口 150,其中每个 第二导体152可包括遮蔽件149和/或可通过任何适合的配置而被物质上隔开，所述任何 适合的配置使相邻的第二导体152彼此不接触）。
[0025] 如图1所示，一或更多个第二导体152可用于将控制器122耦接到温度监测装置 120的每个温度监测装置。例如，一个第二导体152可提供电气信号到给定的温度监测装置 120,并且另一第二导体152可返归电气信号到控制器122。在一些实施例中，第二导体152 的数量可以是温度监测装置120的数量的两倍、三倍、或大于温度监测装置120的数量的三 倍。例如，第二导体152相对于温度监测装置120的数量的额外数量可用于沿着每个第二 导体152的长度的电阻补偿或用于其他目的。或者，每个第二导体152可被配置成如以上 针对第一导体148所论述的那样提供与返回电气信号。类似于一或更多个第一导体148， 一或更多个第二导体152可以是导电配线以提供一或更多个电气信号。或者，一或更多个 第二导体152可以是装置（例如比如热电耦）或光学配线（比如光缆或其他适合的光学配 线）。
[0026] 壁134可包括多个第三开口 154,多个第三开口 154沿着在第一端138和第二端 144之间的一或更多个开口 136而设置在壁中（图1A图示三个第三开口 154)。每个第三开 口 154可具有设置在每个第三开口 154中的导电网筛156。如图1-1A所示，第三开口 154与 导电网筛156设置在一或更多个第一导体148的任一侧上，比如在一或更多个第一导体的 任一侧上的同轴环中，如图1A所示。例如，如图1A所示的导电网筛156的组合（例如两个 导电网筛156)能如图所示围绕一或更多个第一导体148,并且使一或更多个第一导体148 与外部电磁场（比如由行经一或更多个第二导体152的电流所产生的那些电磁场）电气绝 缘。介于导电网筛156之间的壁134的第一区域158包括一或更多个第一导体148以及一 或更多个第一开口 146,第一区域158可与任何外部电磁场电气绝缘。例如，这样的外部电 磁场能通过如以下所论述的一或更多个第二导体152、可存在于一或更多个开口 136中的 导体或可产生电磁场的其他部件（比如等离子体源、提供RF能量以在基板支撑件100上方 或远程地产生等离子体的电极）来产生，或这样的外部电磁场是由等离子体本身产生的外 部电磁场。在一些实施例中，导电网筛156可以实质上类似于法拉第笼的方式起作用来将 外部电气信号与包括第一导体148的第一区域158隔离。
[0027] 例如发明人已经发现由行经用于一个装置的给定配线的电流所产生的电磁场能 够干扰由行经用于基板支撑件上的另一装置的另一配线的电流所产生的另一电磁场。电磁 场的干扰会不期望地改变被提供到每个装置的期望电流且会不期望地造成错误读取（比 如从像温度传感器的监测装置的读取）和/或被输送到基板的错误的处理参数（比如来自 加热器的温度或来自RF电极的射频（RF)能量）。在一些实施例中，RF能量会造成干扰，t匕 如高电压噪声、和/或在一或更多个第一导体148和/或一或更多个第二导体152中的快 速改变的电压和/或电流。
[0028] 如图1A所示，例如通过提供设置在一或更多个第二导体与一或更多个开口 136之 间的第三导电网筛156,包括一或更多个第二导体152的第二区域159可被形成在第一区域 158与一或更多个开口 136之间。因此，在一些实施例中（比如在图1A中所示的那些实施 例中），馈通结构128可包括三个同轴地设置在一或更多个开口 136周围的导电网筛156， 并且第一区域158与第二区域159可被形成在相邻的导电网筛156之间。类似于第一区域 158,导电网筛156可作用以使第二区域159与由行经一或更多个第一导体148的电流所产 生的外部电磁场或任何外部电磁场（比如以上所论述的外部电磁场）电气绝缘。
[0029] 或者，图1B图示根据本发明的一些实施例的馈通结构128。如图1B所示，馈通结 构128可包括两个第三开口 154,每个第三开口 154具有设置在每个第三开口 154中的导电 网筛156。如图1B所示，每个第三开口 154与导电网筛156可沿着半环形截面的轨迹，其中 两个第三开口 154与两个导电网筛156设置在一或更多个开口 136的相对侧上。设置在一 个半环形轨迹内的可以是包括一或更多个第一导体148的第一区域158,并且设置在另一 半环形轨迹内的可以是包括一或更多个第二导体152的第二区域159。导电网筛156、第一 区域158、第二区域159、一或更多个第一导体148以及一或更多个第二导体152可以如以 上关于图1A所论述的实质上类似的方式在图1B中起作用。
[0030] 回到图1，基板支撑件100可包括各种选择性的示例性的以及非限制的实施例，如 以下所论述的。在一些实施例中，基板支撑件100可包括第一导管140,第一导管140至少 能够从气源141提供气体到基板103的背侧或至少能够从真空泵143 (或其他真空源）提 供真空以将基板103固持到基板支撑件100。例如，可通过多路阀（multi-way valve) 147 交替地提供真空或气体，所述多路阀147将真空泵143和气源141耦接到第一导管140。例 如，由第一导管140提供的气体可用于改善支撑构件102与基板103之间的热传递（或达 到能重复的基板至加热器界面）。在一些实施例中，所述气体是氦（He)。例如，在操作时， 真空泵143可用于将基板103固持到基板支撑件100。在基板103被固持后，气源141可提 供气体到基板103与支撑构件102之间的空间以改善热传递。
[0031] 第一导管140可包括柔性区段142,比如波纹管（bellows)或类似管。在第一导 管140中这样的柔性是有益的，例如当基板支撑件100被矫平（leveded)时和/或在加热 期间的基板支撑件1〇〇的热变形或膨胀期间。例如，这样的矫平装置可包括动力起重器 (kinematic jack)或类似装置。另外，基板支撑件100可包括第二导管160,第二导管160 具有柔性区段162以排出由气源141通过第一导管140提供的气体，如图1所示。然而，在 不存在第二导管160时，气体亦可通过第一导管140由真空泵143排出。
[0032] 替代地或组合地，基板支撑件100可包括静电夹盘164以将基板103固持在第一 表面104上。可经由一或更多个第三导体166提供电力给静电夹盘164,所述一或更多个第 三导体166设置成穿过主体130的一或更多个开口 136以提供电气功率到静电夹盘164。 导电网筛156可进一步使第一区域158和/或第二区域159与由行经一或更多个第三导体 166的电流所产生的外部电磁场电气绝缘。
[0033] 替代地或组合地，基板支撑件100可包括电极168以提供RF能量到基板103。可 经由一或更多个第四导体170提供电力给电极168,所述一或更多个第四导体170设置成穿 过主体130的一或更多个开口 136以提供电气功率到电极168。导电网筛156可进一步使 第一区域158和/或第二区域159与由行经一或更多个第四导体170的电流所产生的外部 电磁场电气绝缘。
[0034] 或者，如图1C所示，在一些实施例中，可有效地利用（economize)设置在一或更多 个开口 136中的导管和/或导体的一或更多个以节约空间。例如，如图1C所示，第二导管 160可同轴地设置在第一导管140周围，并且第一导管140可同轴地设置在第三导体166或 第四导体170周围。导管和/或导体的其他配置可以是可行的，以节约一或更多个开口 136 内的空间。另外，遮蔽件180可设置在第三导体166或第四导体170周围，如图1C所示。遮 蔽件180可实质上类似于如以上所论述的遮蔽件149,并且遮蔽件180可用作为电气绝缘体 和/或法拉第笼。
[0035] 在一些实施例中，基板支撑件100可包括多个基板支撑销112,多个基板支撑销 112设置在支撑构件102的第一表面104上方的第一距离处，多个基板支撑销112能在基 板103存在于基板支撑件上时支撑基板103的背侧表面。多个基板支撑销112可被支撑环 123环绕。支撑环123可在靠近基板103的外围边缘处接触基板103的背侧。例如，支撑 环123可用于例如界定基板103的背侧与基板支撑件100之间的空间或容积。例如，所述 空间可用于形成用于将基板103固持到基板支撑件100的真空和/或可用于提供用于基板 支撑件100与基板102之间的热传递的气体，如以上所论述。
[0036] 在一些实施例中（如靠近每个基板支撑销112与支撑环123的虚线所示），支撑环 123与多个基板支撑销的每一个可从支撑构件102的第一表面104延伸（例如基板支撑销 112与支撑环123可以是支撑构件102的一部分且被形成在支撑构件102中）。或者，在一 些实施例中，支撑层116可设置在支撑构件102的第一表面104上，并且支撑环123与多个 基板支撑销112的每一个可从支撑层116的表面114延伸。在一些实施例中，支撑层116 以及支撑环123与多个基板支撑销112的每一个可以由相同材料形成。例如，支撑层116 以及支撑环123与基板支撑销112的每一个可以是单件式（one-piece)结构（图示于图2A 且论述于下文）。支撑层以及支撑环123与多个基板支撑销112的每一个能由具有耐磨特 性的适合的工艺相容的材料形成。例如，材料可与基板相容、与将在基板上执行的工艺相容 或与类似物相容。在一些实施例中，支撑层116和/或基板支撑销112和/或支撑环123 可由介电材料制成。在一些实施例中，用于形成支撑层116和/或基板支撑销112和/或 支撑环123的材料可包括聚酰亚胺（polyimide ;比如KAPTON? )、氧化铝（A1203)、氮化 错（A1N)、二氧化娃（Si02)、氮化娃（Si 3N4)、碳化娃（SiC)、石英、蓝宝石（sapphire)或类似 材料的一或更多种。在一些实施例中，例如对于低温应用（例如在约200°C以下的温度）， 支撑层116和/或基板支撑销112和/或支撑环123可包括KAPTON?。
[0037] 在一些实施例中，基板支撑件100可包括对准导引件118,对准导引件118从支撑 构件102的第一表面104延伸且在多个基板支撑销112周围（例如紧邻支撑构件102的外 缘119)。例如当基板被多个升降销（未图示，图1图示升降销孔113且升降销孔113可延 伸穿过支撑层116和支撑构件102)降低到基板支撑销112上时，对准导引件118可用于比 如相对于设置在基板103下方的一或更多个加热区块108引导、置中、和/或对准基板103。
[0038] 对准导引件118可由适合的工艺相容的材料形成，比如具有耐磨特性和/或低热 膨胀系数的材料。对准导引件118可以是单件物体或多个部件的组件。在一些实施例中， 对准导引件118可由介电材料制成。例如，用于形成对准导引件118的适合的材料可包括 CELAZOLE? PBI (聚苯并咪唑;polybenzimidazole)、氧化错（A1203)或类似材料的一 或更多种。一般地，用于基板支撑件1〇〇的各种部件的任何部件的材料可基于这些材料彼 此之间的化学与热相容性和/或这些材料和给定工艺应用的化学与热相容性而被选择。
[0039] 虽然上述内容针对本发明的实施例，但在不背离本发明的基本范围的情况下可设 计出本发明的其他与进一步的实施例。
【权利要求】
1. 一种基板支撑件，包含： 支撑构件，所述支撑构件具有基板处理表面以支撑基板于所述基板处理表面上； 多个电气元件，所述多个电气元件设置在所述基板支撑件中以当所述基板设置在所述 基板处理表面上时至少监测或至少处理所述基板； 主体，所述主体具有界定一或更多个开口的壁，所述一或更多个开口设置在面对所述 支撑构件的所述主体的第一端与所述主体的相对第二端之间； 一或更多个第一导体，所述一或更多个第一导体设置在所述壁中而从所述第一端至所 述第二端，以提供第一电气信号至所述多个电气元件的至少第一电气元件；及 一或更多个第二导体，所述一或更多个第二导体设置在所述壁中而从所述第一端至所 述第二端，以提供第二电气信号至所述多个电气元件的至少第二电气元件。
2. 如权利要求1所述的基板支撑件，进一步包含： 多个导电网筛，所述多个导电网筛设置在所述壁中，其中至少一个导电网筛围绕所述 壁的第一区域，所述壁的所述第一区域包括所述一或更多个第一导体，且其中至少一个导 电网筛围绕所述壁的第二区域，所述壁的所述第二区域包括所述一或更多个第二导体，其 中所述多个导电网筛使所述第一区域与所述第一区域外面的第一外部电磁场实质上电气 绝缘且使所述第二区域与所述第二区域外面的第二外部电磁场实质上电气绝缘。
3. 如权利要求2所述的基板支撑件，进一步包含： 一或更多个第三导体，所述一或更多个第三导体设置在所述一或更多个开口中，其中 所述多个导电网筛使所述第一区域和所述第二区域与由行经所述一或更多个第三导体的 电流所产生的第三外部电磁场电气绝缘。
4. 如权利要求1至3中任一项权利要求所述的基板支撑件，其中所述多个导电网筛进 一步包含以下之一： 第一导电网筛；第二导电网筛，所述第二导电网筛同轴地设置在所述第一导电网筛周 围；及第三导电网筛，所述第三导电网筛同轴地设置在所述第二导电网筛周围，其中所述第 一区域被形成在所述第二导电网筛与所述第三导电网筛之间，并且所述第二区域被形成在 所述第一导电网筛与所述第二导电网筛之间；或 第一导电网筛，所述第一导电网筛围绕所述第一区域；及第二导电网筛，所述第二导电 网筛围绕所述第二区域。
5. 如权利要求1至3中任一项权利要求所述的基板支撑件，进一步包含： 一或更多个第一开口，所述一或更多个第一开口设置在所述壁中而介于所述第一端与 所述第二端之间，并且所述一或更多个第一开口具有设置成穿过所述一或更多个第一开口 的所述一或更多个第一导体； 一或更多个第二开口，所述一或更多个第二开口设置在所述壁中而介于所述第一端与 所述第二端之间，并且所述一或更多个第二开口具有设置成穿过所述一或更多个第二开口 的所述一或更多个第二导体；及 多个第三开口，所述多个第三开口设置在所述壁中而介于所述第一端与所述第二端之 间，其中每个第三开口具有设置成穿过每个第三开口的所述多个导电网筛之一。
6. 如权利要求5所述的基板支撑件，其中所述一或更多个第一开口是多个第一开口， 并且其中所述一或更多个第一导体是多个第一导体，其中每个第一导体设置在相应的第一 开口中。
7. 如权利要求1至3中任一项权利要求所述的基板支撑件，其中所述多个电气装置的 至少第一电气装置是具有多个电阻式加热元件的加热器，并且其中所述多个电气装置的至 少第二电气装置是多个温度传感器。
8. 如权利要求7所述的基板支撑件，其中所述多个电阻式加热元件被布置在一或更多 个加热区块内。
9. 如权利要求1至3中任一项权利要求所述的基板支撑件，进一步包含： 静电夹盘，所述静电夹盘用于当所述基板存在于所述基板处理表面上时固持所述基 板；及 一或更多个第三导体，所述一或更多个第三导体设置成穿过所述主体的所述一或更多 个开口以提供电气功率至所述静电夹盘，其中所述多个导电网筛使所述第一区域和所述第 二区域与由行经所述一或更多个第三导体的电流所产生的第三外部电磁场电气绝缘。
10. 如权利要求1至3中任一项权利要求所述的基板支撑件，进一步包含： 一或更多个导管，所述一或更多个导管设置成穿过所述主体的所述一或更多个开口； 及 真空设备，所述真空设备耦接至所述一或更多个导管以当所述基板存在时经由所述一 或更多个导管提供吸力到所述基板的背侧，而将所述基板固持在所述基板处理表面上。
11. 如权利要求1至3中任一项权利要求所述的基板支撑件，进一步包含： 电极，所述电极用于当所述基板存在于所述基板处理表面上时提供RF能量至所述基 板；及 一或更多个第四导体，所述一或更多个第四导体设置成穿过所述主体的所述一或更多 个开口以提供电气功率至所述电极，其中所述多个导电网筛使所述第一区域和所述第二区 域与由行经所述一或更多个第四导体的电流所产生的第四外部电磁场电气绝缘。
12. -种用于基板支撑件的馈通结构，包含： 主体，所述主体具有界定一或更多个开口的壁，所述一或更多个开口设置成从所述主 体的第一端穿过所述主体至所述主体的第二端； 一或更多个第一导体，所述一或更多个第一导体设置在所述壁中而从所述第一端至所 ΛΑ- -?丄山 述弟一牺； 一或更多个第二导体，所述一或更多个第二导体设置在所述壁中而从所述第一端至所 述第二端；及 多个导电网筛，所述多个导电网筛设置在所述壁中，其中至少一个导电网筛围绕所述 壁的第一区域，所述壁的所述第一区域包括所述一或更多个第一导体，且其中至少一个导 电网筛围绕所述壁的第二区域，所述壁的所述第二区域包括所述一或更多个第二导体，其 中所述多个导电网筛使所述第一区域与所述第一区域外面的第一外部电磁场实质上电气 绝缘且使所述第二区域与所述第二区域外面的第二外部电磁场实质上电气绝缘。
13. 如权利要求12所述的馈通结构，进一步包含： 一或更多个第三导体，所述一或更多个第三导体设置在所述一或更多个开口中，其中 所述多个导电网筛使所述第一区域和所述第二区域与由行经所述一或更多个第三导体的 电流所产生的第三外部电磁场电气绝缘。
14. 如权利要求12或13中任一项权利要求所述的馈通结构，其中所述多个导电网筛进 一步包含以下之一： 第一导电网筛；第二导电网筛，所述第二导电网筛同轴地设置在所述第一导电网筛周 围；及第三导电网筛，所述第三导电网筛同轴地设置在所述第二导电网筛周围，其中所述第 一区域被形成在所述第二导电网筛与所述第三导电网筛之间，并且所述第二区域被形成在 所述第一导电网筛与所述第二导电网筛之间；或 第一导电网筛，所述第一导电网筛围绕所述第一区域；及第二导电网筛，所述第二导电 网筛围绕所述第二区域。
15. 如权利要求12或13中任一项权利要求所述的基板支撑件，其中所述主体进一步包 含： 一或更多个第一开口，所述一或更多个第一开口设置在所述壁中而介于所述第一端与 所述第二端之间，并且所述一或更多个第一开口具有设置成穿过所述一或更多个第一开口 的所述一或更多个第一导体； 一或更多个第二开口，所述一或更多个第二开口设置在中而介于所述第一端与所述第 二端之间，并且所述一或更多个第二开口具有设置成穿过所述一或更多个第二开口的所述 一或更多个第二导体；及 多个第三开口，所述多个第三开口设置在所述壁中而介于所述第一端与所述第二端之 间，其中每个第三开口具有设置成穿过每个第三开口的所述多个导电网筛之一。
【文档编号】B23Q3/15GK104247001SQ201380016546
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年3月19日 优先权日:2012年3月30日
【发明者】利昂·沃尔福夫斯基, 马尤尔·G·库尔卡尼 申请人:应用材料公司