一种单晶导电铜母排挤压成型加工方法与流程

文档序号:12932840阅读:568来源:国知局

本发明涉及一种铜加工工艺技术领域,特别是一种单晶导电铜母排挤压成型加工方法。



背景技术:

单晶导电铜材是相对于多晶导电铜材而言的一种新型导体材料,由于在金属微观结构中取消了横向晶界,从而可以显著地提高导电铜材的导电性以及信号传递的保真性;在具体地延伸性和导电性方面,单晶导电铜材相较于多晶导电铜材杆,延伸率可以增加60%~80%,电阻率可以降低15%~20%,可以广泛应用于音像设备、高清晰度电视等电子信息相关领域;单晶导电铜材的生产在工艺上主要采用定向凝固技术和连续铸造技术相结合的方法。

铜材连续挤压成型技术是以连续挤压技术为基础而发展起来的连续挤压复合、连续铸挤技术,常规的多晶导电铜材挤压成型作业过程为:首先将铜材上引连铸机利用电解铜连续熔铸生产不同规格的长度光亮的无氧铜杆开卷矫直,然后送入挤压成型机头中通过挤压加工成特定规格和形状的大长度光亮的无氧铜型材,然后通过卷绕设备卷绕成卷打包摆放;或者通过铜材挤压成型同步切断装置将挤压成型后的无氧铜型材切割成标准长度的杆材,然后成捆地打包装运储藏。为了避免破坏单晶导电铜材的内在金相结构,对于适用于常规的多晶导电铜材的挤压成型工艺需要作出进一步地改进。



技术实现要素:

为了克服现有技术的不足,本发明提供了一种单晶导电铜母排挤压成型加工方法,能够满足实际生产要求。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种单晶导电铜母排挤压成型加工方法,单晶导电铜母排包括以下百分含量的元素:锑0.15%~1.20%,铍0.66%~0.78%,铝0.78%~1.01%,铕0.02%~0.04%,余量为铜;且包括以下步骤:

步骤一、在单晶导电铜杆的表面均匀涂布抗氧化润滑油,所述抗氧化润滑油包括以下质量份数的组分:石墨8~12份,三乙醇胺4~7份,纤维素9~15份,葵二酸5~11份,对羟基苯甲基醛4~8份,高温牛油40~60份;

步骤二、将涂布了所述抗氧化润滑油的单晶导电铜杆送入到预热腔内,以每秒不大于20摄氏度的升温速率加热至350~380摄氏度;

步骤三、将预热后的单晶导电铜杆输送至连续挤压成型机头中,通过连续挤压成型机头中的挤压轮挤压推送单晶导电铜杆,单晶导电铜杆在连续挤压成型机头中摩擦受热提高流动性,然后使单晶导电铜杆通过连续挤压成型模具从而塑形制得单晶导电铜母排;

步骤四、将连续挤压成型的单晶导电铜母排浸入到步骤一中的所述抗氧化润滑油,直至冷却至40摄氏度以下,然后将单晶导电铜母排表面的所述抗氧化润滑油擦拭除去,再用少量工业酒精擦拭单晶导电铜母排的表面;

步骤五、通过若干个共线设置的矫直辊再次矫直并牵引单晶导电铜母排,然后通过在线同步切割设置对定长的单晶导电铜母排进行切割分段,然后将切割后的单晶导电铜母排进行成捆打包。

作为上述技术方案的进一步改进,单晶导电铜母排包括以下百分含量的元素:锑0.21%,铍0.72%,铝0.87%,铕0.02%,余量为铜。

作为上述技术方案的进一步改进,所述抗氧化润滑油包括以下质量份数的组分:石墨9份,三乙醇胺6份,纤维素13份,葵二酸7份,对羟基苯甲基醛5份,高温牛油50份。

作为上述技术方案的进一步改进,步骤三中控制单晶导电铜杆在连续挤压成型机头中的最高温度不大于610摄氏度。

作为上述技术方案的进一步改进,步骤四中,用于冷却单晶导电铜母排的所述抗氧化润滑油中设置有若干冷却铜管,冷却水流经若干所述冷却铜管从而间接对所述抗氧化润滑油进行冷却。

与现有技术相比较,本发明的有益效果是:

本发明所提供的一种单晶导电铜母排挤压成型加工方法,不会破坏单晶导电铜材的内在金相结构,适用于通过挤压成型工艺加工单晶导电铜母排,制备获得的单晶导电铜母排和现有技术中同规格的多晶导电铜母排相比,电阻率可以降低15%~20%,可以广泛应用于音像设备、高清晰度电视等电子信息相关领域。

具体实施方式

下面将结合具体的实施例来进一步详细说明本发明的技术内容。

具体实施例1

本实施例所提供的一种单晶导电铜母排挤压成型加工方法,单晶导电铜母排包括以下百分含量的元素:锑0.15%,铍0.78%,铝1.01%,铕0.04%,余量为铜;且包括以下步骤:

步骤一、在单晶导电铜杆的表面均匀涂布抗氧化润滑油,所述抗氧化润滑油包括以下质量份数的组分:石墨12份,三乙醇胺4份,纤维素9份,葵二酸11份,对羟基苯甲基醛8份,高温牛油60份。

步骤二、将涂布了所述抗氧化润滑油的单晶导电铜杆送入到预热腔内,以每秒不大于20摄氏度的升温速率加热至350~380摄氏度。

步骤三、将预热后的单晶导电铜杆输送至连续挤压成型机头中,通过连续挤压成型机头中的挤压轮挤压推送单晶导电铜杆,单晶导电铜杆在连续挤压成型机头中摩擦受热提高流动性,然后使单晶导电铜杆通过连续挤压成型模具从而塑形制得单晶导电铜母排;控制单晶导电铜杆在连续挤压成型机头中的最高温度不大于610摄氏度。

步骤四、将连续挤压成型的单晶导电铜母排浸入到步骤一中的所述抗氧化润滑油,直至冷却至40摄氏度以下,然后将单晶导电铜母排表面的所述抗氧化润滑油擦拭除去,再用少量工业酒精擦拭单晶导电铜母排的表面;用于冷却单晶导电铜母排的所述抗氧化润滑油中设置有若干冷却铜管,冷却水流经若干所述冷却铜管从而间接对所述抗氧化润滑油进行冷却。

步骤五、通过若干个共线设置的矫直辊再次矫直并牵引单晶导电铜母排,然后通过在线同步切割设置对定长的单晶导电铜母排进行切割分段,然后将切割后的单晶导电铜母排进行成捆打包。

具体实施例2

本实施例所提供的一种单晶导电铜母排挤压成型加工方法,单晶导电铜母排包括以下百分含量的元素:锑1.20%,铍0.66%,铝0.78%,铕0.03%,余量为铜;且具体方法步骤与具体实施例1相同,不同之处在于,所述抗氧化润滑油包括以下质量份数的组分:

石墨8份,三乙醇胺7份,纤维素15份,葵二酸5份,对羟基苯甲基醛4份,高温牛油40份。

具体实施例3

本实施例所提供的一种单晶导电铜母排挤压成型加工方法,单晶导电铜母排包括以下百分含量的元素:锑0.21%,铍0.72%,铝0.87%,铕0.02%,余量为铜;且具体方法步骤与具体实施例1相同,不同之处在于,所述抗氧化润滑油包括以下质量份数的组分:

石墨9份,三乙醇胺6份,纤维素13份,葵二酸7份,对羟基苯甲基醛5份,高温牛油50份。

对照实施例

本实施例所提供的一种单晶导电铜母排挤压成型加工方法,单晶导电铜母排成分以及具体方法步骤与具体实施例3相同,不同之处在于,删除步骤一和步骤二的操作,直接由步骤三开始操作。

具体实施例1和2相对于对照实施例,电阻率可以降低15%~17%;具体实施例3相对于对照实施例,电阻率可以降低17%~20%。

以上对本发明的较佳实施进行了具体说明,当然,本发明还可以采用与上述实施方式不同的形式,熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下所作的等同的变换或相应的改动,都应该属于本发明的保护范围内。

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