一种激光割圆用的硅片支架的制作方法

本实用新型涉及一种激光切割设备技术，特别是一种激光割圆用的硅片支架。其通过真空腔将激光切割前的大圆硅片和切割后的各个芯片吸在支架上。

背景技术：

随着电力半导体器件加工技术的提升，芯片制造在扩散、氧化、光刻等过程采用集成加工方式，以提高生产效率，即在大直径硅片上同时设计加工二个及以上的芯片，待集成加工完成后再进行分割。传统分割是采用机械磨削方式进行，首先是将大圆硅片粘在玻璃片上，然后用旋转的割园刀加金刚砂磨料，将大圆硅片上集成加工完成后的若干芯片一一切割下来，此工艺设备简单，但效率低，还需要操作技能。现在，新型切割加工工艺引进激光切割机，激光头沿设计好的轨迹行走，即可以将预定的芯片切割下来，速度快效率高，操作简便，设计好程序后可以自动运行。但此工艺需要将硅片凌空支撑在激光切割机的工作台上，使待加工硅片下面相对于激光头行走轨迹的部分要空的。因此，原来将硅片粘在玻璃上的支撑方式难以满足加工要求，迫切需要有一种新设计的特殊支撑工具。

技术实现要素：

本实用新型主要为了解决目前激光割圆时硅片支撑存在的问题，新提供一激光割圆用的硅片支架，其可使大圆硅片和每个割下来的芯片有良好的支撑，并且结构简单，使用方便。

本实用新型的技术方案为：一种激光割圆用的硅片支架，包括一个底座，和该底座上面分别立接的若干支撑杆，以及每个支撑杆顶端连接的一个吸盘；所述吸盘顶面均处在同一平面上；每个吸盘顶面均设有若干同心环槽，各环槽设有缺口相互贯通；每个吸盘中心通孔与所接支撑杆中心孔相通，并且支撑杆中心孔与底座上相接的底座通孔相通。

进一步，所述底座下端为凸柱。这样，使用本实用新型时更方便。

本实用新型的有益技术效果是：通过将底座上的通孔、吸盘和支撑杆的中心孔接于外部真空泵连，使放置在吸盘上面加工的硅片被真空孔腔吸附，这样使得大圆硅片和每个割下来的芯片有良好的支撑，并且结构简单，使用方便。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图2为图1俯视结构示意图。

图3为一个大圆硅片中设计的四个芯片排布图形。

图4为一个大圆硅片中设计的七个芯片排布图形。

图5为本实用新型使用状态示意图。

具体实施方式

附图说明：底座1、底座通孔10、凸柱11、支撑杆2、支撑杆中心孔20、吸盘3、吸盘中心通孔30、环槽31、工作台4、激光头5、真空泵接管6、大直径硅片7、芯片（8、9）。

如图1-图5所示，一种激光割圆用的硅片支架，包括一个底座1，和该底座1上面分别立接的若干支撑杆2，以及每个支撑杆2顶端连接的一个吸盘3；所述吸盘3顶面均处在同一平面上；每个吸盘3顶面均设有若干同心环槽31，各环槽31设有缺口相互贯通；每个吸盘中心通孔30与所接支撑杆中心孔20相通，并且支撑杆中心孔20与底座1上相接的底座通孔10相通。

在本实用新型中，所述底座1下端设为凸柱11。这样，使用本实用新型时，就可以方便地将底座1下端的凸柱11插接在激光切割机的工作台上。

本实用新型中的每个吸盘顶面与待切割大圆硅片上设定分布的芯片相应；所述支撑杆数量，以及所述吸盘外径和分布位置，均与待切割大圆硅片上设定分布的芯片相应。

本实用新型依照待切割大圆硅片及芯片个数和排布图形，确定支架、吸盘个数和位置，并可以根据正刻的光刻版确定吸盘中心的位置。本实用新型包括底座1、支撑杆2和吸盘3三部分。底座1和支撑杆2可由铝材料车制而成，吸盘3由黄铜车制而成。并且可设计支撑杆直径20mm,高度75mm，中心孔直径5mm。支撑杆2与底座1之间以螺纹连接。吸盘3直径大小与所对应的芯片芯片（8、9）直径相关，可略小于芯片的直径，厚度为5mm，吸盘3顶面制得若干同心环槽31的深度1.5-2.5mm，相邻环槽之间间隔1mm左右，环槽个数视芯片直径大小而定，芯片直径26mm及以下只开一条。吸盘中心通孔直径2mm，并且与支撑杆中心孔20相通。在吸盘3顶面制得若干同心环槽上，过吸盘中心通孔的径线上铣一条2-3mm宽的缺口，使各环槽相通。吸盘3与支撑杆2同轴连接固定在底座1上。

由于不同规格芯片直径的差异和所用大圆硅片的不同，吸盘相应地要采用不同的规格尺寸，但底座的尺寸统一，以便在激光切割机工作台上的安装使用。底座设直径125mm，厚度17，底座下端的凸柱11直径100mm。与工作台安装基座上的腔孔形成密封腔。操作时，先选用对应规格的本实用新型支架安装在基座上，调节好激光设备，将待切割大圆片按定位放在各吸盘上吸住，然后，启动切割程序，激光头依次完成各个芯片切割，真空腔放气，取下各个芯片，进入下一个装片切割循环。

本实用新型通过将底座上的通孔、吸盘和支撑杆的中心孔通过真空泵接管6连接于外部真空泵上，使放置在吸盘3上面加工的大圆硅片和切割后的芯片通过真空孔腔被吸附，从而使得大圆硅片和每个割下来的芯片有良好的支撑，并且结构简单，使用方便。

应该理解到的是：上述实施例只是对本实用新型的说明，任何不超出本实用新型实质精神范围内的发明创造，均落入本实用新型的保护范围之内。