原子级表面及结构的梯度加工系统及方法

文档序号:30497345发布日期:2022-06-22 06:18阅读:278来源:国知局
原子级表面及结构的梯度加工系统及方法

1.本发明属于精密、超精密、原子及近原子尺度制造领域,尤其是一种原子级表面及结构的梯度加工系统及方法。


背景技术:

2.随着信息技术及各领域的快速发展,量子芯片、光子芯片及生物芯片等重要核心器件制造对表面质量和加工精度提出了越来越高的要求,甚至需要实现原子级平坦表面及结构。在已有的减材制造技术中,超精密金刚石加工技术可达到微纳米级加工精度,超精密研磨或抛光技术可实现纳米级或亚纳米级表面粗糙度。离子束加工、电子束加工及极紫外(euv)光刻技术可达到纳米级材料去除和结构图形精度,但无法实现原子层量级可控的材料去除,高能粒子轰击环节会破坏表层原子排列、引起晶格损伤、改变材料表面微观性能。目前,芯片制造主要采用euv光刻技术,特征尺寸已突破3nm,进一步提升芯片的晶体管密度和性能便进入原子及近原子尺度(acs)。原子级表面在极端条件应用中也至关重要,比如在激光核聚变系统中存在大量光学镜片,现有加工技术引入的材料损伤会严重降低元件的损伤阈值从而导致制造成本高昂的光学元件快速失效,造成巨大的经济损失。因此,原子及近原子尺度制造(acsm)技术的研究已迫在眉睫。
3.原子层刻蚀技术(ale)可通过自限性化学反应进行原子层量级去除,达到原子级表面粗糙度,但存在去除速率低、选择性损失、净沉积和自发刻蚀等问题。基于原子力显微镜(afm)、扫描隧道显微镜(stm)和扫描探针显微镜(spm)可操纵单个原子,用于原子级结构制备和掺杂,但极低的工作效率目前还不适合用于生产实际。
4.生产过程中,原材料需历经粗加工(微米到亚微米级精度)、半精加工(纳米到亚纳米级精度)、精加工(原子到近原子级精度)环节,多种复杂工艺流程和设备切换、不同工序加工表面的定位和对准等问题都是影响加工结果与效率的重要因素。如何实现跨尺度精度等级演进与最终的原子及近原子级表面质量和结构图形精度是acsm亟待解决的问题。


技术实现要素:

5.本发明的目的在于克服现有技术的不足之处,提供了一种原子级表面及结构的梯度加工方法,实现了跨尺度精度等级演进与最终的原子及近原子级表面质量和结构图形精度。
6.本发明解决技术问题所采用的技术方案是:
7.本发明利用光栅不同衍射级对短波长超短脉冲光调控能量强弱,利用不同级次的能量梯度实现粗加工(微米到亚微米级精度)、半精加工(纳米到亚纳米级精度)与精加工(原子到近原子级精度)的跨尺度集成,最终获得原子级表面和结构。
8.短波长超快脉冲光具有单光子能量高、作用时间短的特点。通过精确控制辐照强度和脉冲数目可以实现不同程度的材料去除量与加工精度。采用大辐照强度与多脉冲,加工进行微米级材料烧蚀;随着辐照强度降低至烧蚀阈值以下,以及脉冲数目的减小,可发挥
短波长相比传统波段所具有的高光子能量优势,最大程度减小热效应、抑制材料表面的缺陷损伤,实现单层或几层原子的去除。
9.本发明短波长超短脉冲光指的是从软x射线/极紫外到紫外的纳秒及时间更短的脉冲光源,波长范围为10-380nm。200-380nm的紫外波段采用固体紫外激光器、气体紫外激光器、半导体紫外激光器等,10-200nm真空紫外波段采用极紫外毛细管放电激光、高次谐波源以及自由电子激光器。
10.为减小精加工时产生的热效应,应尽可能使单光子能量高于材料表层原子平均化学键能。设工件材料表面原子平均化学键能ε,则所采用的波长上限为:
[0011][0012]
其中h为普朗克常量,c为真空光速。
[0013]
光栅包括多层膜反射光栅、透射光栅、闪耀透射光栅等。本发明根据波长、单脉冲能量以及待加工材料各精度等级加工所需辐照能量密度等加工参数设计光栅,包括材料、入射角、光栅周期、占空比、光栅槽深等参数,并计算各级衍射效率。当光源波长远小于设计光栅周期且加工表面距离光栅足够远时,采用标量衍射理论计算各级衍射效率,并根据加工参数优化光栅得到最适合的光栅设计参数;当光源波长和设计光栅周期相当且光栅厚度不可忽略时,采用矢量衍射理论计算各级衍射效率并优化光栅参数,如严格矢量耦合波法、时域有限差分法、有限元法等。当光源波长足够小时,光栅制造过程中引起的粗糙度及形状误差对衍射效率的影响不可忽略,采用矢量衍射理论构建包含粗糙度及形状误差的模型并修正衍射效率。根据各级衍射效率确定粗、半精、精加工的光栅衍射级次。
[0014]
本发明的第一方面是提供了一种基于光栅分束的短波长超短脉冲光加工系统,包括:
[0015]
能量调节器,用于调节入射到加工系统的初始能量,确保入射到光栅表面的能量满足光栅衍射需求且不损伤光栅。
[0016]
光束整形模块,用于调整入射到加工系统的光斑形貌和大小,提高入射到光栅表面的光斑质量。
[0017]
光栅分束模块,包括光栅和分束镜,用于将加工光束分束为适合各精度等级加工所需辐照能量密度的光束。
[0018]
光斑形貌及能量监测模块,用于实时监测加工光斑状态。
[0019]
光阑,用于限制进入后续加工系统的衍射光束,避免不需要的光栅衍射级次影响加工质量。
[0020]
光开关,用于控制加工光束是否出光。
[0021]
光束聚焦模块,用于聚焦光束,缩小光斑以满足加工尺寸需求。
[0022]
加工精度检测模块,用于检测加工后的表面质量和结构图形精度。
[0023]
高精度位移平台,用于传送工件至不同精度加工束线并保证加工对准精度。
[0024]
本发明的第二方面是提供了基于上述加工系统的两种加工方法。
[0025]
第一种加工方法:固定光栅,移动工件进行不同精度加工。
[0026]
第二种加工方法:固定工件,调整光栅实现不同精度的原位加工。
[0027]
根据不同加工方法确定粗、半精及精加工工艺流程并进行加工,在每一个精度等
级的加工工序结束后,需要对工件表面进行检测,评估合格后进入更高精度等级的加工阶段。
[0028]
在加工之前还需要对材料进行预处理,获得微米级初始表面。可以采用超精密加工、抛光等工艺,微米级表面指粗糙度与晶格变形层厚度处于0.1~1μm范围内。预处理目的在于降低前期工序对材料的影响。采用掩模加工时,根据边缘效应可否忽略选择非接触式掩模和接触式掩模。
[0029]
采用直写或掩模技术来实现原子级表面与结构的加工。通过计算机程序控制光开关开闭、高精度位移平台运动以及加工精度检测模块自动检测工件。
[0030]
自动控制程序包括触发位移台移动条件和移动量、光开关开闭条件及持续时间、加工精度检测模块自动检测条件及数据反馈以及这三个部分的协同控制。
[0031]
在粗加工、半精加工和精加工的每一道工序结束后,对工件表面质量和形状精度进行检测,检测合格后再进行下一步工序。
[0032]
采用方法一进行加工,高精度位移平台先将待加工样品移至已标定的0级光斑位置,打开0级光开关进行粗加工,完成后关闭光开关并进行在线检测。合格后,高精度位移平台再移动样品至已标定的+1级光斑位置,打开+1级光开关进行半精加工,完成后关闭光开关并进行在线检测。合格后,位移台再移动样品至已标定的+2级光斑位置,打开+2级光开关进行精加工,完成后关闭光开关并进行在线检测。针对不同样品,粗、半精和精加工及检测可同时进行。批量加工时,不局限于一个高精度位移平台,可为每条加工束线设置一个位移平台进行批量加工,加工完成后进行检测,合格后再进入下一条加工束线的位移平台进行加工。
[0033]
采用方法二进行加工,位移台先将样品移至已标定的光斑位置,调整光栅倾角θ0对样品进行粗加工及在线检测,合格后调整光栅倾角θ1对样品进行半精加工及在线检测,合格后调整光栅倾角θ2对样品进行精加工及在线检测,合格后高精度位移平台移动下一个样品至加工位置。
[0034]
本发明的优点和有益效果:
[0035]
本发明提出了一种基于光栅分束的短波长超短脉冲光的原子级表面及结构加工方法,实现跨尺度微米级、纳米级和原子级的材料去除,加工系统集成度高,避免了多种加工方法与设备带来的衔接问题和重复定位困难;利用高光子能量的电离效应以及超短脉冲对材料的精细调控,有效降低最终表面的晶格损伤、提高加工精度。
附图说明
[0036]
图1为根据本发明实施例的第一种加工方法示意图;
[0037]
图2为根据本发明实施例的第二种加工方法示意图。
[0038]
图中标记:
[0039]
1光源,2能量调节器,3光束整形模块,4光栅分束模块,5光斑形貌及能量监测模块,6光阑,7光开关,8光束聚焦模块,9加工精度检测模块,10高精度位移平台。
具体实施方式
[0040]
需要说明的是,在不冲突的情况下,本技术中的实施例及实施例中的特征可以相
互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
[0041]
需要指出的是,除非另有指明,本技术使用的所有技术和科学术语具有与本技术所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0042]
图1、图2分别为根据本发明两种加工方法搭建的加工系统,包括:
[0043]
光源1,采用紫外飞秒激光器。
[0044]
能量调节器2,用于调节入射到加工系统的初始能量,确保入射到光栅表面的能量满足光栅衍射需求且不损伤光栅,可以选择半波片或偏振片。
[0045]
光束整形模块3,用于调整入射到加工系统的光斑形貌和大小,提高入射到光栅表面的光斑质量,可以选择衍射光学元件或相位调制器件实现高斯光束转换成平顶光束。
[0046]
光栅分束模块4,包括光栅和分束镜,用于将加工光束分束为适合各精度等级加工所需辐照能量密度的光束,可以选择si矩形透射光栅。
[0047]
光斑形貌及能量监测模块5,用于实时监测加工光斑状态,可以选择紫外波段ccd相机。
[0048]
光阑6,用于限制进入后续加工系统的衍射光束,避免不需要的光栅衍射级次影响加工质量,可以选择中心开孔的薄金属片。
[0049]
光开关7,用于控制加工光束是否出光,可以选择机械快门。
[0050]
光束聚焦模块8,用于聚焦光束,缩小光斑以满足加工尺寸需求,可以选择紫外物镜。
[0051]
加工精度检测模块9,用于检测加工后的表面质量和结构图形精度,可以选择共聚焦或光学干涉测头测量粗加工和半精加工后表面粗糙度和结构图形精度,精加工后选择高精度afm、stm检测。
[0052]
高精度位移平台10,用于传送工件至不同精度加工束线并保证加工对准精度,可以选择压电陶瓷或直线电机驱动的纳米精度位移平台。
[0053]
如图1所示,第一种加工方法:固定光栅,移动工件进行不同精度加工。根据已知辐照参数控制能量调节器输入合适的总能量场,调整光束整形模块中的光学元件对光斑进行扩束、准直、形貌调节等。光栅分束模块产生多级衍射光束,通过光阑选择0、+1、+2级衍射级作为粗、半精、精加工光束,每束光配备单独的光开关、光束聚焦模块和加工精度检测模块。光开关控制每条束线是否出光,光束聚焦模块进一步缩小光斑以满足加工尺寸需求,加工精度检测模块用来检测加工后的表面质量和结构图形精度。图1中所示加工精度检测模块为在线检测,实际加工中并不局限于此。搭建系统后测试各级加工光斑形貌及能量,根据测量数据标定光斑位置。加工时,通过高精度位移平台传送工件切换不同加工束线并保证加工对准精度,通过光斑形貌及能量监测模块对入射光进行实时监测。
[0054]
如图2所示,第二种加工方法:固定工件,调整光栅实现不同精度的原位加工。光栅分束模块产生多级衍射光束,选择0、+1、+2级衍射作为粗、半精、精加工光束,加工时通过光阑控制一条加工光束出射,通过调整光栅倾角θn来切换不同加工光束,后续光路配备光束聚焦模块和加工精度检测模块。搭建系统后测试光斑形貌及能量分布,根据测量数据标定光斑位置。一个工件不同精度加工时,只需调整光栅倾角,完成所有加工工序后,高精度位移平台传输下一个待加工样品至加工位置。
[0055]
下面以被加工材料为单晶si为例进行说明:
[0056]
第一步、选择光源波长上限为151.40nm,对应的si材料第一电离能为8.19ev,脉冲宽度为20fs~10ns,辐照能量密度应低于300mj/cm2。
[0057]
第二步、设计光栅并确定光栅材料、几何参数、各级衍射效率,确定粗、半精和精加工对应的衍射级。具体选择透射光栅,采用0、+1、+2级衍射级作为粗、半精、精加工光束。
[0058]
设计光栅时参考已知材料粗、半精及精加工工艺参数,包括光源波长、脉冲时间、单脉冲能量、去除深度和能量辐照关系等,确定光栅材料、入射角、光栅周期、占空比、光栅槽深。考虑侧壁粗糙度和光栅几何误差,采用蒙特卡洛方法,基于自相关函数建立si矩形透射光栅侧壁粗糙度模型,利用有限元仿真软件建立严格的有限元模型,求解出侧壁粗糙度对0、+1、+2级的衰减影响,再进行参数化扫描,确定光栅周期、占空比、槽深等因素对0、+1、+2级衍射效率的影响,并根据辐照能量密度确定最佳光栅几何参数。
[0059]
第三步、构建加工系统并调节光路,测试加工光斑形貌和能量分布,标定加工束线位置。10-200nm真空紫外波段由于材料吸收强烈,采用反射式光学元件。采用ccd相机测试光斑形貌,采用功率计或光电探测器检测辐照强度,根据探测数据标定光斑位置。
[0060]
采用第一种方法,入射光经光栅分束模块分束后,各级精度加工光束均配备独立的光束聚焦模块和加工精度检测模块。需对粗、半精和精加工位置分别标定。
[0061]
采用第二种方法,不同精度加工光束共用一套光束聚焦模块和加工精度检测模块。只需标定一个加工位置。
[0062]
第四步、对工件材料进行预处理,获得微米级初始表面;
[0063]
第五步、编写自动控制程序控制高精度位移平台运动、光开关开闭以及加工精度检测模块自动检测工件,自动控制程序包括触发位移台移动条件和移动量、光开关开闭条件及持续时间、加工精度检测模块自动检测条件及数据反馈以及这三个部分的协同控制。
[0064]
第六步、进行粗、半精和精加工并检测加工表面质量及结构图形精度,光开关采用机械快门,粗加工和半精加工后采用共聚焦或光学干涉测头测量表面粗糙度、晶格变形层厚度和结构图形精度,精加工后采用扫描探针技术测量,最终测量采用高精度afm、stm检测,检测方式不局限于在线检测。
[0065]
第七步、去除掩模。
[0066]
由于方法一具备独立的粗、半精和精加工的光束聚焦和检测系统,不同样件的粗、半精和精加工与测量可同时进行,方法二中样品不同精度的加工和检测不可同时进行。
[0067]
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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