切割基台、切割装置和切割方法与流程

1.本技术涉及切割的技术领域，尤其涉及一种切割基台、切割装置和切割方法。


背景技术：

2.如图1所示，在显示器制造中，切割工艺是将整块基板1变为独立显示器的必要工艺。该工艺能实现各种尺寸和形状的显示器生产，实际中常选用激光进行切割。激光位于基板1正上方，切割基板1时会产生大量的碳化物杂质，部分杂质被激光设备中自带的具有抽吸功能的管口吸走，这能有效减少降落在基板1背面的杂质颗粒2。同时，激光切割路径位于切割基台3的切割凹槽4正上方，以便切割时产生的杂质落入切割凹槽4中。目前，部分切割基台的切割凹槽4底部连有通道，后续再利用动力装置将凹槽中的杂质颗粒吸走排出。
3.但杂质尺寸非常微小且质量极轻，这一特点导致杂质颗粒2在切割工艺完成后仍不能落入切割凹槽4底部，杂质颗粒2会悬浮在切割凹槽4的空间中；另一方面，基板1被激光切割后，其四边相比于切割前存在一定程度的翘曲，杂质颗粒2就会落在基板1背面和切割基台3表面的空隙中。切割工艺结束后，机械臂利用真空吸附功能将独立的显示产品进行转移放置，当产品显示区域存在杂质时，吸附压力会使杂质刺破产品的表面保护膜，从而影响产品的质量，严重时造成产品破损报废，极大降低了良品率。


技术实现要素：

4.本技术提供了一种切割基台、切割装置和切割方法，用于解决现有技术中的基板在切割的时候容易发生翘曲的问题。
5.为解决上述问题，本技术提供了一种切割基台，包括：基台本体，包括用于与基板相配合的承载面，承载面设置有对齐于基板切割线的切割凹槽；连接件，连接件包括第一连接面以及第二连接面，第一连接面用于可拆卸地连接于基板，第二连接面可拆卸地连接切割凹槽内壁，通过连接件将基板固定于基台本体。
6.进一步地，第一连接面远离基台本体的边缘与基板的切割线平行，且第一连接面外边缘与基板的切割线的间距与切割凹槽的宽度的比值为m，第一预设值≤m≤第二预设值。
7.进一步地，第一预设值为1.5％，第二预设值为40％。
8.进一步地，连接件朝向基板的表面为第一连接面，基板朝向切割凹槽内壁的表面为第二连接面，第一连接面与第二连接面均是粘接面。
9.进一步地，切割凹槽与基板切割线的延伸方向相同，且基板切割线完全位于切割凹槽正投影面内，连接件封闭连接于切割凹槽的内侧壁与基板底面之间的结合缝外。
10.进一步地，连接件采用弹性材料制成，连接件的高度等于或大于切割凹槽的深度。
11.进一步地，连接件还包括吸附面，吸附面为与第一连接面和第二连接面相邻，且朝向切割凹槽中部的表面。
12.进一步地，一个切割凹槽内设置有两个连接件，两个连接件分别与切割凹槽的两
个侧壁相邻设置。
13.进一步地，连接件为多层结构。
14.进一步地，连接件包括多个连接层，各连接层在沿切割凹槽的侧壁至切割凹槽的中轴线的方向叠置。
15.进一步地，连接件包括多个连接层，各连接层在沿切割凹槽的底壁至基板的方向叠置。
16.进一步地，连接件包括多个连接层，各连接层包括一体结构的第一分连接层和第二分连接层，各连接层的第一分连接层在沿切割凹槽的底壁至基板的方向叠置，各连接层的第二分连接层在沿切割凹槽的侧壁至切割凹槽的中轴线的方向叠置。
17.根据本技术的另一方面，还提供了一种切割装置，包括：切割基台和用于切割切割基台上的基板的切割设备，切割基台为上述的切割基台。
18.根据本技术的另一方面，还提供了一种切割方法，使用上述的切割基台，切割方法包括以下步骤：将连接件固定在基台本体的切割凹槽内；将基板与连接件的第一连接面相贴合；切割基板；将切割完毕的基板转移。
19.进一步地，如果连接件不符合密封要求可以将连接件的最外层去除，继续将基板与连接件相贴合，并切割；如果连接件符合密封要求，继续将基板与连接件相贴合，并切割。
20.本技术提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
21.本技术的技术方案，基板在切割的时候，切割的位置和切割凹槽相对应，连接件与基台本体和基板均可拆卸地连接，这样基板在切割的时候或者切割完毕均会受到连接件的束缚，基板不会发生翘曲，基板的下表面和基台本体之间不会出现间隙。上述的切割基台使得产品的显示区域不容易存在杂质。
22.另一方面，还可以理解为，切割凹槽一方面用于容纳连接件，另一方面为切割工艺提供让位空间，这样不仅高效利用了切割凹槽的空间，还进一步保护了显示产品。因此，上述结构极大地保护了产品，提高了产品的良品率。本技术的技术方案有效地解决了现有技术中的基板在切割的时候容易发生翘曲的问题。
附图说明
23.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
24.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
25.图1示出了现有技术中的切割基台和基板的切割过程的剖视示意图；
26.图2示出了本技术的实施例一切割基台和基板的切割过程的剖视示意图；
27.图3示出了图2的切割基台和基板配合结构示意图；
28.图4示出了图2的切割基台的连接件的连接层的结构示意图；
29.图5示出了本技术的实施例二的切割基台的连接件的连接层的结构示意图；
30.图6示出了本技术的实施例三的切割基台的连接层的结构示意图；
31.图7示出了本技术的切割方法的流程示意图。
32.其中，上述附图包括以下附图标记：
33.1、基板；2、杂质颗粒；3、切割基台；4、切割凹槽；
34.10、基台本体；11、切割凹槽；20、连接件；21、轮廓线；22(23、24)、连接层；241、第一分连接层；242、第二分连接层；25、吸附面；100、基板；200、杂质颗粒。
具体实施方式
35.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
36.如图2至图6所示，本技术提供了一种切割基台，用于切割基板100，基板100可以为柔性基板或者刚性基板，柔性基板，例如oled基板，刚性基板，例如lcd基板。基板100在切割的时候，杂质颗粒200长期在切割基台的表面和切割凹槽11中累积，迫使切割基台频繁清洁，极大影响生产效率，同时造成切割后产品的损坏。甚至，如果切割凹槽11中的杂质颗粒200的残留过多，清洁不彻底，会逐渐缩短相邻两次清洁的时间，浪费人力资源和生产时间，极大地影响工作效率，经济效益低下。
37.如图2至图4所示，实施例一的切割基台包括：基台本体10和连接件20。切割基台包括与基板100相配合的承载面，承载面设置有切割凹槽11。连接件20设置在切割凹槽11内并与基台本体10可拆卸地连接，连接件20与基板100可拆卸地连接。连接件20包括第一连接面和第二连接面，第二连接面可拆卸地连接切割凹槽11的内壁，第一连接面用于可拆卸地连接于基板100，通过连接件20将基板100绑定于基台本体10。
38.实施例一的技术方案，基板100在切割的时候，基板100的切割的位置和切割凹槽11相对应，位于切割凹槽11的上方。连接件20与基台本体10固定且与基板100相贴合，这样基板100在切割的时候或者切割完毕均会受到连接件20的束缚，不会出现基板100由于切割出现翘曲，而产生基板100和基台本体10之间出现间隙。即基板100无论在切割的时候还是切割完毕杂质颗粒200均不会进入基板100的下表面和切割基台之间的间隙中。上述的切割基台使得产品的显示区域不容易存在杂质。因此，上述结构极大地保护了产品，提高了产品的良品率。本实施例的技术方案有效地解决了现有技术中的基板100在切割的时候容易发生翘曲的问题。
39.如图2所示，在本实施例的技术方案中，连接件20朝向基板100的表面为第一连接面，第一连接面与基板100的下底面通过粘接相连。第一连接面的宽度小于或等于由切割凹槽11的边缘至基板100的待切割线的距离。此处的待切割线为距离相对应地切割凹槽11的边缘的最近的切割线。连接件20的第二连接面与切割凹槽11的内壁相粘接。上述结构使得连接件20不仅仅起到约束基板100的作用，还起到密封的作用，即连接件20可以阻挡杂质颗粒200进入基板100和基台本体10之间。而且在切割的时候，上述的连接件20不会受到破坏。需要说明的是，在本实施例的技术方案中，第二连接面包括与切割凹槽11的侧壁相贴合的表面，也包括与切割凹槽11的底壁相贴合的表面。作为其它可实施的技术方案，第二连接面只包括与切割凹槽11的侧壁相贴合的表面，或者第二连接面只包括与切割凹槽11的底壁相贴合的表面。
40.如图2所示，在实施例一的技术方案中，第一连接面远离基台本体10的边缘与基板100的切割线平行，且第一连接面外边缘与基板100的切割线的间距与切割凹槽11的宽度的比值为m，第一预设值≤m≤第二预设值。第一预设值的设置避免了激光切割基板100的时候，会切割到连接件20，对基板100造成污染。第二预设值的设置可以对基板100起到很好的阻挡和约束的作用。具体地，第一预设值为1.5％，第二预设值为40％。如图2所示，在实施例一的技术方案中，沿垂直切割凹槽11的延伸线的平面切割连接件20形成横截面，在靠近基板100至远离基板100的方向上，横截面的宽度逐渐减小。上述结构的连接件20与基板100的作用面积较大，这样一方面保证了连接件20对基板100的束缚作用力较大，另一方面保证了位于切割凹槽11上方的基板100的下表面受到连接件20的紧密贴合，降低杂质颗粒200对产品的污染概率。连接件20的横截面的宽度上大下小还能够保证杂质颗粒200不容易出现堆积的问题，即切割后的杂质颗粒200落入切割凹槽11的底部更容易。具体地，本实施例还包括负压吸附结构，负压吸附结构的吸附口位于切割凹槽11的底壁，真空泵通过管路与吸附口相连，杂质颗粒200通过负压吸附更容易落下。
41.需要说明的是，通过连接件20的结构设置可让杂质颗粒200容易被连接件20吸附。另外，连接件20采用弹性材料制成，连接件20的高度高于切割凹槽11的深度。具体地，连接件20的高度在切割凹槽11深度的100％至103％之间。连接件20可以为塑料、pet等材质，可以在连接件20上设置容易吸引杂质颗粒200的静电荷，这样杂质颗粒200更容易吸附在连接件20的最外层。作为其它的实施方式，在连接件20上设置静电，该静电与切割后的杂质颗粒200所带的静电相同，这样杂质颗粒200与连接件20形成互相排斥的作用力，进一步保证了杂质颗粒200不容易吸附在连接件20上，更不容易在连接件20形成堆积。
42.如图2和图4所示，在本实施例的技术方案中，靠近切割凹槽11的中轴线的连接件20的横截面的轮廓线21为弧形。这样的连接件20一方面容易设置，另一方面轮廓线21为弧线使得杂质颗粒200更容易吸附在连接件20上。
43.如图2所示，在实施例一的技术方案中，切割凹槽11与基板100切割线的延伸方向相同，且基板100切割线完全位于切割凹槽11正投影面内，连接件20封闭连接于切割凹槽11的内侧壁与基板100底面之间的结合缝外。上述结构使得连接件20可以封堵基台本体10和基板100之间的间隙，具体地，连接件20采用粘接的方式与基板100的下表面和基台本体10相贴合。切割线位于切割凹槽11的中线。
44.如图2和图4所示，在本实施例的技术方案中，连接件20与切割凹槽11的内壁相粘接。粘接的方式一方面保证了连接件20和切割基台的固定较好，拆装方便，另一方面连接件20和切割基台之间不会出现间隙，这样杂质颗粒200不容易嵌入连接件20和切割基台之间。在本实施例的技术方案中，连接件20与切割凹槽11的底壁和切割凹槽11的侧壁均相粘接，而且为连接件20的底部平面全部与切割凹槽11的底壁相粘接，连接件20靠近切割凹槽11一侧的侧壁全部与切割凹槽11的侧壁相粘接。作为其它的实施方式可以为，连接件20仅与切割凹槽11的底壁相粘接，或者连接件20仅与切割凹槽11的侧壁相粘接。
45.如图2和图4所示，在实施例一的技术方案中，连接件20为多层结构。多层结构的连接件20可以减少更换连接件20的更换周期。例如，当连接件20使用时间较长之后，杂质颗粒200会在连接件20的靠近切割凹槽的中部一侧堆积较多，这时将连接件20的最外层去除即可，而不需要更换整个连接件20。作为其它的实施方式，连接件20也可以为整体结构，即整
个连接件20为一体结构。连接件20还包括吸附面25，吸附面25为上述的轮廓线21为弧线的表面，吸附面25用于吸附切割凹槽11内的杂质颗粒200。连接件20的每个连接层的结构如下：胶材+pet。胶材由pu+acrylic+pu构成，当胶材失效后，撕下pet膜即可露出下一层膜的胶材部分。连接件20又重新具有吸附杂质颗粒的能力。连接件20的第二表面是一层胶材，用于紧密吸附在基台本体10上；连接件20背离贴附于切割凹槽11的侧壁的第二表面的那个表面是吸附面，吸附面是一层pet，用于保护后面的胶材不受破坏，将其撕下暴露出胶材部分即可开始使用。连接件20的胶材可以粘住基板100的下表面，同时不会在基板100的下表面残留黏性物质。
46.如图2和图4所示，在实施例一的技术方案中，连接件20包括多个连接层22，各连接层22在沿切割凹槽11的侧壁至切割凹槽11的中轴线的方向叠置。上述结构的连接件20可以逐层取下，直到将每层连接层22使用完毕，再进行更换新的连接件20。当然，根据需要连接件20在没有全部使用完毕时就不能够满足要求，此时连接件20可以不用全部使用完毕就可以进行更换。需要说明的是，相邻的连接层22之间是通过粘接的方式贴合到一起的，相邻的连接层22之间没有间隙。
47.需要说明的是，连接件20的各个连接层的厚度和连接件20的层数的关系如下：
48.在图2的剖面视图的方向上，连接件20的第一连接面的长度s1：s1大于0，小于切割凹槽宽度的48.5％。(与连接件20的第一连接面不能超过切割线的1.5％的位置相对应，这样可以有效地避免激光切割连接件20)。连接件20与切割凹槽11的底壁贴合的长度s2：s2始终小于底部抽吸口最外边缘到切割凹槽11的侧壁的位置。如图4所示，连接件20的各个连接层的厚度一致；各个连接层22贴合基板100的下表面的厚度为h1，贴合切割凹槽11的底壁的厚度为h2。h1/h2的值在1/5至9/5之间，即连接件20上部的厚度小于连接件20的下部的厚度也是可以，在本实施例中采用的是h1/h2的值在11/10，即图4中的连接件20上部的厚度大于连接件20的下部的厚度。假设连接件20具有n层，那么需要满足h1*n＝s1，s1应该大于0，小于切割凹槽11宽度的48.5％；h2*n＝s2，s2应该始终小于底部抽吸口最外边缘到切割凹槽11的侧壁的距离。
49.如图3所示，在实施例一的技术方案中，一个切割凹槽11内设置有两个连接件20，两个连接件20分别与切割凹槽11的两个侧壁相邻设置。两个连接件20的设置保证了基板100在切割的时候，切割凹槽11上部的两侧的产品均不会出现翘曲的现象，有效防止杂质颗粒200进入基板100的下表面，这样的结构有利于降低产品的破损率。
50.需要说明的是，同一个切割基台设置有多个切割凹槽11，此处的多个切割凹槽11可以为同一竖向或者同一横向，竖向切割凹槽11和横向切割凹槽11虽然相连通可以称为不同的切割凹槽11，而不是同一个切割凹槽11。同一切割凹槽11的两侧分别设置连接件20，同一切割凹槽11内的两个连接件20之间具有切割通道，这样激光切割基板100的时候不会对连接件20有损伤，而且杂质颗粒200可以通过切割通道被负压吸附结构吸附。
51.此处的以基板100为柔性基板为例，通过上述可知，在实施例一的技术方案中，弧面楔形体的清洁装置(连接件20)，该楔形体由多层具有双面粘性的薄膜组成，清洁装置的截面如图2所示。利用此清洁装置，能够防止切割产生的杂质颗粒200进入基板背面和切割基台之间的空隙中，该清洁装置还可实现自清洁，能够持续粘附激光切割产生的杂质颗粒。在满足造价低廉、使用便捷的同时，有效降低杂质颗粒200对显示产品的影响，提高良率。从
图2中弧面楔形体的截面图来看，整个楔形体的上表面与基板的背面贴合，且上表面中的最外层薄膜位置未超过显示产品的最外侧边缘，下表面与切割凹槽的底部贴合，与切割凹槽11的侧壁相接触的连接件20的表面与切割凹槽11的侧壁贴合，吸附面暴露在空气中。当楔形体对杂质颗粒200的粘着程度降低后，可手动或使用动力装置驱动机械臂撕下连接件20的最外层的薄膜，楔形体吸附面的表面又恢复到最初具有较强粘性的状态。
52.这样设计的好处是：
53.1、弧面楔形体整体具有粘性，当整个楔形体的上表面与基板的背面贴合时，激光切割后的显示产品四周边缘不会翘起，这样设计有效保证了激光切割时产生的杂质颗粒不会进入显示产品背面和切割基台之间的空隙中，从根源上阻断了杂质颗粒进入基板背面。
54.2、整个楔形体的吸附面的表面暴露在空气中，能在切割过程中粘住部分杂质颗粒，降低杂质颗粒悬浮在凹槽中的数量和时间，减轻动力抽吸装置对切割凹槽底部通道中沉积的杂质颗粒的清洁压力。
55.如图5所示，实施例二的技术方案和实施例一的区别在于，连接件20包括多个连接层23，各连接层23在沿切割凹槽11的底壁至基板100的方向叠置。当靠近基板100的连接层23出现磨损、粘接力等不符合要求的时候，取下该连接层23，下部的连接层23与基板100进行贴附。各个连接层23由靠近基板100至远离基板100的方向其宽度逐渐减小，各个连接层23靠近切割通道的一侧为平面或者弧面，平面时加工、组装均比较方便。当各个连接层23靠近切割通道的一侧为弧面的时候，连接层23靠近基板100的一侧的宽度大于连接层23远离基板100的一侧，且相邻的连接层23具有如下特点，上部的连接层23的下部的宽度等于下部的连接层23的上部的宽度。
56.同样的道理，实施例二的技术方案，基板100在切割的时候，基板100的切割的位置和切割凹槽11相对应，位于切割凹槽11的上方。连接件20与基台本体10相贴合，且连接件20与基板100相贴合，这样基板100在切割的时候或者切割完毕均会受到连接件20的束缚，不会出现基板100由于切割出现翘曲而产生的基板100和基台本体10之间出现间隙。即基板100无论在切割的时候还是切割完毕杂质颗粒200均不容易进入基板100的背面和切割基台之间的间隙中。上述的切割基台使得产品的显示区域不容易存在杂质。因此，上述结构极大地保护了产品，提高了产品的良品率。
57.需要注意的是，此时的连接件20会低于切割凹槽11的深度，此实施例的切割基台设置有升降结构，升降结构可以推动贴附有连接件20的切割凹槽11上下移动。这样切割凹槽11的底壁具有可移动的部位，贴附有连接件20的部分可移动，没有贴附连接件20的部分与基台本体10为一体结构固定不动。升降结构包括电机、丝杠和连接块，电机和丝杠相连，连接块通过螺纹与丝杠相配合，连接块固定在切割凹槽11的可移动的壁体上。升降结构还包括限位柱，连接块具有光孔，光孔与限位柱相适配，这样保证了移动的精度。底壁的两侧和侧壁的内壁面具有相配合的凸起和滑槽，以保证底壁在上下移动的时候精度较高，此时连接件20与侧壁没有贴合。
58.如图6所示，实施例三的技术方案和实施例二的区别在于，连接件20包括多个连接层24，各连接层24包括一体结构的第一分连接层241和第二分连接层242，各连接层24的第一分连接层241在沿切割凹槽11的底壁至基板100的方向叠置，各连接层24的第二分连接层242在沿切割凹槽11的侧壁至切割凹槽11的中轴线的方向叠置。这样实施例三兼具实施例
一和实施例二的优点，去除最外层的时候，可以将堆积的杂质颗粒200全部去除，这样连接件20对杂质颗粒200的吸附能力又可以恢复到初始状态。
59.同实施例二一样，去除最外层的连接层24时，会出现连接件20降低的问题，此实施例的切割基台设置有升降结构，升降结构可以推动贴附有连接件20的切割凹槽11上下移动。这样切割凹槽11的底壁具有可移动的部位，贴附有连接件20的部分可移动，没有贴附连接件20的部分与基台本体10为一体结构固定不动。升降结构包括电机、丝杠和连接块，电机和丝杠相连，连接块通过螺纹与丝杠相配合，连接块固定在切割凹槽11的可移动的壁体上。升降结构还包括限位柱，连接块具有光孔，光孔与限位柱相适配，这样保证了移动的精度。第一分连接层241和第二分连接层242的横截面为倒置的l型，多个l型叠置。
60.本技术还提供了一种切割装置包括：切割基台和用于切割切割基台上的基板100的切割设备，切割基台为上述的切割基台。本技术的切割装置切割基板100的成品率较高。
61.如图7所示，本技术还提供了一种切割方法，使用上述的切割基台，切割方法包括以下步骤：将连接件20固定在基台本体10的切割凹槽11内。将基板100的下表面与连接件20的第一表面相粘贴。切割基板100。将切割完毕的基板100转移。如果连接件20不符合密封要求可以将连接件20的最外层去除，继续将基板100与连接件20相粘贴，并切割；如果连接件20符合密封要求，继续将基板100与连接件20相粘贴，并切割。直到移除分层后的连接件20完全不符合基板100的密封要求，此时可以更换新的连接件20，重复上述步骤，在此不再赘述。
62.需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
63.以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。