专利名称：球体辐射局部镀膜装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种镀膜装置，特别是有关一种环保性高及具有优良镀膜的球体辐射局部镀膜装置。
背景技术：
物理镀膜法(Physics vapor deposition；PVD)一般被广泛的使用在半导体的制作上，如整流器、发光二极管等。
如图1所示，然而大多数的工艺都是将被镀物42(晶圆)放置于市售的垫电阻丝蒸镀机(Thermal Coater)，电子束蒸镀机(E-Bcam Coater)或溅镀机(sputter)的承盘3上，而承盘3位置在蒸发源空间的上方，将欲蒸镀成薄膜物质(以下简称蒸镀材料)置于此机器的蒸镀源5的位置，此蒸镀源5为一球体，此蒸镀源5由一半径51所形成的半球形体53；接着开始抽真空，先将关闭蒸镀机的门，等到真空度到达设定值之后，再将蒸镀源5内的蒸镀材料加热(用电阻方式或E-Beam方式)，使蒸镀材料蒸发汽化而生成一蒸镀路径52，就可将蒸镀材料镀在被镀物42欲镀的位置上，也就是镀在半导体材料的表面上。
接着，如图2所示，取出己镀镆的被镀物42，必需再依照微影技术，其步骤如(A)～(J)(A)将光阻均匀涂布在被镀物的薄膜上。
(B)进行低温烤干光阻，以增加光阻对紫外线的敏感度。
(C)将涂布好的被镀物置于光罩机(Mask aligner)中，以事先设计好图案的光罩对光阻进行紫外线曝光，光罩上的图案即是决定留在被镀物上薄膜的位置及薄膜图案，其它位置的薄膜要利用(F)中的化学蚀剂将薄膜去除，这样的流程即是传统上选择被镀物的薄膜位置的方法。
(D)光阻经过紫外光线曝光后，就会形成曝光区及未曝光区，光阻在显影液体中能将曝光区或未曝光区的光阻留下(光阻性质不同决定，曝光己留在薄膜上或未曝光区留下)。
(E)留下的光阻需进行N2(氮气)烤箱中进行高温烤干，以增加光阻对薄膜的附着力。
(F)进行化学蚀剂，选择正确的化学药品将无光阻的处的薄膜进行蚀剂将该位置的薄膜去除，仅留下有光阻保护位置的薄膜。
(G)被镀物上的化学药品洗净。
(H)将留在薄膜上的光阻去除。
(I)再将被镀物的化学药品洗净。
(J)用干净的N2将被镀物吹干，方可进行以下工艺继续完成产品。
以上10个程序目的就是在选择薄膜镀在设计产时预定要留下的位置，目前产界业，特别是多层复杂的电路产品，大都采用上述方式生产半导体产品。此方式由于程序复杂，需消耗极冗长时间，对于简单单层电路的产品，如发光二极管，上述方式就显得大材小用，有浪费之疑。
有鉴于此，本实用新型针对上述问题，提出一种球体辐射局部镀膜装置，以有克服传统技术的问题及困扰。
实用新型内容本实用新型的主要目的在于提供一种球体辐射局部镀膜装置，以克服公知技术中存在的缺陷。
为实现上述目的，本实用新型提供的球体辐射局部镀膜装置，包括一真空腔室，其内设有一旋转支撑组件；至少一蒸镀源，设置在该旋转支撑组件下方，以该蒸镀源为中心旋转以一蒸镀半径散发欲镀的蒸汽；至少一承盘，设置在该旋转支撑组件上，该承盘位于该蒸镀源的该蒸镀半径上的球面位置；以及至少一基材整合体，设置在该承盘内表面上，用以接该蒸镀源散发欲镀的蒸汽物质。
其中该镀膜方式为电阻式蒸镀法(Thermal coater)。
其中该镀膜方式为电子束蒸镀法(E-beam coater)。
其中该镀膜方式为溅镀式蒸镀法(sputter)。
其中该真空腔室的形状可为长方体、正方体、球体及圆柱体。
其中该旋转支撑组件包括有马达、连接器及支撑架，该连接器连结该马达及该支撑架，由该马达带动该支撑架旋转。
其中该蒸镀源在蒸镀时，该蒸镀半径可形成一球体，而该蒸镀源位于球心位置。
其中至少一该承盘连接至该连接器连结。
其中该承盘以蒸镀源为球面形状。
其中该承盘贴附于以蒸镀源为中心的球形体的表面上。
其中该承盘上的被镀基材贴附于以蒸镀源为中心的球形体的切面上。
其中该基材整合体包括金属薄膜罩、被镀物、磁铁及夹具。
其中该金属薄膜罩具有磁性或可被磁性吸附。
其中该金属薄膜罩具有复数穿透孔洞。
其中该被镀物供设计的电路蒸镀于其表面上。
其中该被镀物可为半导体材料。
其中该被镀物可为陶瓷材料。
其中该被镀物可为塑料材料。
其中该磁铁为具有磁性的物质。
其中该夹具可装设于承盘上。
其中该夹具用以夹持固定磁体。
其中该穿透孔洞的形状依蒸镀于被镀物的电路形状而决定。
其中该金属薄膜罩包括有机材料、陶瓷材料及金属材料等。
由本实用新型的实施，可取得如下效果1)因不需要处理蒸镀物残留于电路以外部分的程序，不但可以缩短制成时间，并可大量节省清洗残留蒸镀物过程所需的化学药品，符合环保要求。
2)可使被镀基材上所形成的蒸镀材料薄膜图案、位置、厚度，不因金属薄膜罩的厚薄而产生变化，进而使蒸镀材料所形成的薄膜图案的优良性大幅提高。
图1为公知蒸镀机的结构示意图。
图2为公知技术蒸镀的流程图。
图3为本实用新型的蒸镀机的结构示意图。
图4为本实用新型的基材整合体的结构分解图。
具体实施方式
以下由具体实施例配合附图作详细说明，当更容易了解本实用新型的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。
本实用新型系球体辐射局部镀膜装置，提供在被镀物上制简单电路的产品使用。本装置如图3所示，由一真空腔室1、一旋转支撑组件2、复数个承盘3，复数个基材整合体4以及蒸镀源5所共同组成。其中旋转支撑组件包含马达21、连接器19及支撑架22。而基材整合体4如图4所示，则包含具有孔洞411及磁性的金属薄膜罩41、被镀物42，磁铁43以及夹具44。
此支撑架22与承盘3连结，而基材整合体4放置于承盘3内。由于本装置的承盘3设计是以蒸镀源5为球心(圆心)，蒸镀源5为中心旋转以一蒸镀半径51散发欲镀的蒸汽，因此蒸镀源5是以蒸镀半径51形成一球面，故本装置的承盘3实际为此球面的一部份，较公知装置(图1)的承盘深度略浅、盘面较大，因此承盘3系装置于以蒸镀源5为中心的半球形体53的球面位置上。
而置放于承盘3内的基材整合体4与蒸镀源5的距离跟蒸镀半径51几近相等，与实际上蒸镀源5的蒸镀物至各基材整合体4的蒸镀路径52几乎一样，因此蒸镀物可均匀一致的分配给各基材整合体4。此外基材整合体4的夹具44锁固于承盘3并夹持磁铁43。且此基材整合体4的夹具44锁固于承盘3并夹持磁铁43。可穏定的吸附被镀物42及金属薄膜罩41于承盘3上。由于金属薄膜罩41上可选择性的开设不同孔洞以因应被镀物42上不同形式电路的需求，前述由蒸镀源5出发的蒸镀物42经过蒸镀路径52至金属薄膜罩41时，通过在金属薄膜罩41上的孔洞411而蒸镀于被镀物42上所设定电路的位置，被镀物42上其它的位置，则因金属薄膜的阻隔，而无法将蒸镀金属物蒸镀于被镀物42。换言之，因为有选择性的孔洞在金属薄膜上造成在被镀物42上只有电路所需部分才会被蒸镀物42蒸镀于上，其它部分则因金属薄膜41的阻絶，并无蒸镀物42残留其上。因此利用本装置在被镀物42上制造电路时，不需要处理蒸镀物残留于电路以外部分的程序，不但可以缩短制成时间，并可大量节省清洗残留蒸镀物过程所需的化学药品，符合环保要求。
另外，由本装置的设计以蒸镀原理，承盘3为球面，承盘3上的被镀物42为球面切线，而蒸镀材料路径为球体半径，半径与切线呈现垂直(几何原理)，故本装置的蒸镀材料与被镀物42表面的金属薄膜罩(Metal Mask)孔洞永为垂直，因此蒸镀材料是垂直进入金属薄膜罩(Metal Mask)孔洞而镀于被镀物42表面上，所以被镀物42上的蒸镀材料所形成的薄膜图案、位置、厚度都不会因金属薄膜罩的厚薄而产生变化，而较可保证蒸镀材料所形成的薄膜图案的优良性。
以上所述的实施例仅为本实用新型的较佳实施例，由实施例说明本实用新型的特点，其目的在使熟习该技术者能理解本实用新型的内容并据以实施，并非用以局限本实用新型实施的范围。举凡运用本实用新型申请专利范围所述的构造、形状、特征及精神所为的均等变化及修饰，皆应包括于本实用新型申请专利的范围内。
权利要求1.一种球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，包括一真空腔室，其内设有一旋转支撑组件；至少一蒸镀源，设置在该旋转支撑组件下方，以该蒸镀源为中心旋转以一蒸镀半径散发欲镀的蒸汽；至少一承盘，设置在该旋转支撑组件上，该承盘位于该蒸镀源的该蒸镀半径上的球面位置；以及至少一基材整合体，设置在该承盘内表面上，用以接该蒸镀源散发欲镀的蒸汽物质。
2.如权利要求1所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该真空腔室的形状为长方体、正方体、球体或圆柱体。
3.如权利要求1所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该旋转支撑组件包括有马达、连接器及支撑架，该连接器连结该马达及该支撑架，由该马达带动该支撑架旋转。
4.如权利要求1所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该蒸镀源在蒸镀时，该蒸镀半径形成一球体，而该蒸镀源位于球心位置。
5.如权利要求3所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中至少一该承盘连接至该连接器连结。
6.如权利要求1所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该承盘以蒸镀源为球面形状。
7.如权利要求1所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该承盘贴附于以蒸镀源为中心的球形体的表面上。
8.如权利要求1所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该承盘上的被镀基材贴附于以蒸镀源为中心的球形体的切面上。
9.如权利要求1所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该基材整合体包括金属薄膜罩、被镀物、磁铁及夹具。
10.如权利要求9所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该金属薄膜罩具有磁性或可被磁性吸附。
11.如权利要求9所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该金属薄膜罩具有复数穿透孔洞。
12.如权利要求9所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该被镀物供设计的电路蒸镀于其表面上。
13.如权利要求9所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该被镀物为半导体材料。
14.如权利要求9所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该被镀物为陶瓷材料。
15.如权利要求9所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该被镀物为塑料材料。
16.如权利要求9所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该磁铁为具有磁性的物质。
17.如权利要求9所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该夹具装设于承盘上。
18.如权利要求9所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该夹具用以夹持固定磁体。
19.如权利要求11所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该穿透孔洞的形状依蒸镀于被镀物的电路形状而决定。
20.如权利要求9所述的球体辐射局部镀膜装置，其特征在于，其中该金属薄膜罩包括有机材料、陶瓷材料及金属材料。
专利摘要一种球体辐射局部镀膜装置，由一真空腔室、一旋转支撑件、复数个承盘、复数个基材整合体、与蒸镀源所共同组成。旋转支撑组件包含马达、支撑架，而基材整合体则包含具有孔洞及磁性的金属薄膜、被镀物、磁铁及夹具。本装置由于承盘深度略浅，盘面较大，可尽量放置于以蒸镀源为球心的球面上，以及在金属薄膜上选择性的开设不同孔洞以因应被镀物上不同电路的需求。因此不但可大幅缩短工艺的时间，且所镀的薄膜厚度均匀，不易变形。
文档编号C23C14/56GK2861180SQ20052012990
公开日2007年1月24日 申请日期2005年10月17日 优先权日2005年10月17日
发明者朱源发, 吴宗丰 申请人:翔名科技股份有限公司, 先宇科技有限公司