专利名称：导电性液态合金及制备方法
技术领域：
导电性液态合金及制备方法，本发明属於特种合金制造领域。
背景技术：
随着材料制备和检测技术的进步，具有液态结构的材料的优异性能也得到应用。目前，在室温20℃附近，能以液态存在并获得实际应用的仅有Hg和Ga。二者中，Hg的应用泛围很广泛，数量也相当大；然而Hg对环境和人体健康存在严重的污染和毒害，随着社会进步和科学发展，人们已逐渐远离它。
在20世纪90年代末期，有报导制备出一种GaInSn合金，熔点为温度10℃左右，很稳定，对人体无毒害，因此人们用它代替Hg制成Ga齐合金充填剂应用於口腔修复学中。
2005年5月8日，山东小熊网站报导，INQ利用GaInSn液态合金做为RodeonBlizzard X850XTPE显卡的冷却剂，这种液态金属，不易燃烧，环保达到要求操作简便。但是GaInSn液态合金的导电性还不高，应用范围还不广。
发明内容
1、发明目的根据液态金属电子迁移理论，添加导电性高的金属，达到提高GaInSn液态合金的导电性。制备一种熔点在在温度9～15℃之间，具有较高导电性的GaInSn液态合金，使其应用范围扩大。
2、技术方案(1)导电性液态合金的成分为Ga、In、Sn，或Ga、In、Sn、Ag；合金成分范围的重量百分比为Ga 50～70％，In 15～30％ Sn 7～20％各组分之和为100％；或Ga 50～70％ In 15～30％ Sn 7～20％ Ag 1～5％，各组分之和为100％。
(2)导电性液态合金的制备方法为选择纯度大於99.999％的Ga、In及大於99.99％Sn、Ag为原料，先按配比在保护性气氛及特制坩埚中熔炼制备GaIn主合金，再加入Sn在保护性气氛及特制坩埚中熔炼制备成GaInSn合金；或在制备得的GaInSn合金中再加入Ag在保护性气氛及特制坩埚中，熔炼制成GaInSnAg合金。导电性液态合金熔点为温度9～15℃，导电率GaInSn合金为(3.19～3.310)×10-2(μΩ-cm)-1；GaInSnAg合金为(3.10～3.325)×10-2(μΩ-cm)-1；。
3、发明的积极效果(1)所制得的GaInSnAg导电性液态合金导热性比水高65倍，比空气高1600倍，吸热效率极高，应用於电子学显示卡的冷却系统，装置的体积小，较轻；装填和密封时，无需储液和补充；还能降低电源损耗和几乎接近无声的运行。
(2)GaInSnAg导电性液态合金导电率比GaInSn液态合金高，在室温稳定，有利於该液态合金在电子学中的应用。
(3)制造方法简便，易实施。
(4)所发明的液态合金可应用於医用口腔术、电子学材料及制冷系统。
具体实施例方式
1、GaInSn合金制备了5组GaInSn合金，其组分、熔点(Tm)、导电率数据列于表1。
表1 GaInSn合金组份、熔点、导电率
2、GaInSnAg合金制备了5组GaInSnAg合金，其组分、熔点(Tm)，导电率数据列于表2。
表2 GaInSnAg合金组分、熔点、导电率
权利要求
1.导电性液态合金，其成分为Ga，In，Sn或Ga，In，Sn，Ag，其特征是合金成分范围的重量百分比为Ga50～70％In15～30％Sn7～20％各组分之和为100％；或Ga50～70％In15～30％Sn7～20％Ag1～5％各组分之和为100％。
2.导电性液态合金制备方法，其特征是选择纯度大于99.999％的Ga、In及纯度大于99.99％Sn、Ag为原料，先按配方在保护气氛及特制坩埚中熔炼制备GaIn主合金，再加入Sn，在保护性气氛及特制坩埚中熔炼制备成GaInSn合金；或在制备得的GaInSn合金中，在保护性气氛及特制坩埚中，再加入Ag熔炼制成GaInSnAg合金；导电性液态合金熔点为温度9～15℃，导电率GaInSn合金为(3.19～3.310)×10-2(μΩ-cm)-1，GaInSnAg合金为(3.310～3.325)×10-2(-μΩ-cm)-1。
全文摘要
导电性液态合金及制造方法。设计并制造了在室温稳定的导电性GaInSn及GaInSnAg液态合金。选择纯度大于99.99％的金属，先熔炼制造GaIn主合金，再熔炼进Sn或Sn、Ag制成GaInSn或GaInSnAg合金。可应用于医用口腔术、电子学材料及制冷系统。
文档编号C22C1/02GK101089216SQ20061001095
公开日2007年12月19日 申请日期2006年6月12日 优先权日2006年6月12日
发明者冯本政 申请人:冯本政