专利名称：深沟槽填充方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体工艺方法，尤其是一种深沟槽填充方法。
背景技术：
目前，对于高深宽比的浅沟槽，通常采用高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)。但是，对于深沟槽，由于HDP CVD固有的自下而上的生长机理，使得生产周期较长，成 本较高。正硅酸乙酯(TEOS)-臭氧(O3)基CVD有良好的台阶覆盖性，较低的淀积温度，广 泛应用于金属层前介质膜淀积(PMD)和金属层间介质膜淀积(IMD)，但由于其较大的拉伸 应力和较小的屈服强度，限制了其在沟槽结构方面的应用。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种深沟槽填充的方法，使得沟槽填充不仅具 有良好的台阶覆盖达到良好的填孔性能，而且填孔薄膜有较小的拉伸应力以防止产生缺陷 或在薄膜内部及界面产生开裂。为解决上述技术问题，本发明深沟槽填充方法的技术方案是，在对深沟槽进行填 充的时候，先淀积第一层压缩应力的薄膜，然后采用TEOS-O3基々 /^々CVD淀积第二层拉伸 应力的薄膜，从而完成对深沟槽的填充。作为本发明深沟槽填充方法的进一步改进是，在淀积第一层压缩应力的薄膜之 后，进行回刻蚀工艺，然后再采用TEOS-O3基々 /^々CVD淀积第二层拉伸应力的薄膜。本发明通过两次性能不同的薄膜淀积，使得沟槽填充不仅具有良好的台阶覆盖达 到良好的填孔性能，而且填孔薄膜有较小的拉伸应力以防止产生缺陷或在薄膜内部及界面 产生开裂。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明附图为采用本发明深沟槽填充的方法制作的深沟槽的结构示意图。图中附图标记为，1.硅衬底或外延层；2. TEOS LPCVD氧化膜；3. TE0S_03AP/SA CVD
氧化膜。
具体实施例方式本发明提供了一种深沟槽填充方法，在对深沟槽进行填充的时候，先淀积第一层 压缩应力的薄膜，然后采用TEOS-O3基々 /^々CVD淀积第二层拉伸应力的薄膜，从而完成对 深沟槽的填充，得到如附图所示的深沟槽结构。在淀积第一层压缩应力的薄膜之后，进行回刻蚀工艺，然后再采用TEOS-O3基AP/ SA CVD淀积第二层拉伸应力的薄膜。本发明结合TEOS基良好的台阶覆盖性，低压CVD(LPCVD)压缩应力的特点，采用LPCVD和AP/SA CVD(常压/亚常压CVD)薄膜的堆叠结构，来达到改善薄膜应力的同时又能 够较好的填充沟槽，其中为了达到更好的填充性能可以在两层薄膜中间加入回刻蚀工艺。 以上所述的两层薄膜都具有良好的台阶覆盖性。在本发明中，所述深沟槽深宽比为1 10，深度为2 20um，实施于这种深沟槽能 够达到最好的效果。所述第二层薄膜淀积温度为300 700°C，压力为20 760Torr，薄膜厚度为 1000 25000A。在采用TE0S-03基AP/SA CVD淀积第二层拉伸应力的薄膜之后，在其上面再淀积 一层压缩应力薄膜。这样可以进一步提高深沟槽的性能。本发明中，在淀积第一层压缩应力的薄膜之前，氧化形成一层垫层氧化膜。本发明中所述压缩应力薄膜为具有良好台阶覆盖的薄膜，可以采用TEOS LPCVD淀 积的LPCVD薄膜，但不限于此。本发明采用TEOS LPCVD薄膜和TEOS-O3基AP/SA CVD薄膜的堆叠结构，对深沟槽 进行填充。由于TEOS LPCVD薄膜和TEOS-O3基々 /^々CVD薄膜都有较好的台阶覆盖性能， 可以得到较好的沟槽填充性能，如附图所示，在沟槽中仅有很小的孔洞，且该孔洞的顶部低 于沟槽两侧的硅表面，在第二次成膜前进行回刻蚀可以进一步优化该孔洞。另外，对光片进 行成膜实验，如下表所示，在具有拉伸应力的氧化膜2之前添加压缩应力的氧化膜1之后， 薄膜的应力得到了优化，从而能够有效的防止产生缺陷或在薄膜内部及界面产生开裂。
综上所述，本发明通过两次性能不同的薄膜淀积，使得沟槽填充不仅具有良好的 台阶覆盖达到良好的填孔性能，而且填孔薄膜有较小的拉伸应力以防止产生缺陷或在薄膜 内部及界面产生开裂。
权利要求
一种深沟槽填充方法，其特征在于，在对深沟槽进行填充的时候，先淀积第一层压缩应力的薄膜，然后采用TEOS-O3基AP/SA CVD淀积第二层拉伸应力的薄膜，从而完成对深沟槽的填充。
2.根据权利要求1所述的深沟槽填充方法，其特征在于，在淀积第一层压缩应力的薄 膜之后，可以进行回刻蚀工艺，然后再采用TEOS-O3基々 /5々00)淀积第二层拉伸应力的薄膜。
3.根据权利要求1所述的深沟槽填充方法，其特征在于，所述深沟槽深宽比为1 10， 深度为2 20um。
4.根据权利要求1所述的深沟槽填充方法，其特征在于，所述第二层薄膜淀积温度为 300 700°C，压力为20 760Torr，薄膜厚度为1000 25000A。
5.根据权利要求1所述的深沟槽填充方法，其特征在于，在采用TEOS-O3基々 /^々CVD 淀积第二层拉伸应力的薄膜之后，在其上面再淀积一层压缩应力薄膜。
6.根据权利要求1所述的深沟槽填充方法，其特征在于，淀积第一层压缩应力的薄膜 之前，氧化形成一层垫层氧化膜。
7.根据权利要求1 6中任意一项所述的深沟槽填充方法，其特征在于，所述压缩应力 薄膜为具有良好台阶覆盖的薄膜。
8.根据权利要求7中任意一项所述的深沟槽填充方法，其特征在于，所述压缩应力薄 膜为采用TEOS LPCVD淀积的LPCVD薄膜。
全文摘要
本发明公开了一种深沟槽填充方法，在对深沟槽进行填充的时候，先淀积第一层压缩应力的薄膜，然后采用TEOS-O3基AP/SA CVD淀积第二层拉伸应力的薄膜，从而完成对深沟槽的填充。本发明通过两次性能不同的薄膜淀积，使得沟槽填充不仅具有良好的台阶覆盖达到良好的填孔性能，而且填孔薄膜有较小的拉伸应力以防止产生缺陷或在薄膜内部及界面产生开裂。
文档编号C23C16/44GK101887852SQ20091005725
公开日2010年11月17日 申请日期2009年5月13日 优先权日2009年5月13日
发明者季伟, 彭虎, 缪燕, 谢烜 申请人:上海华虹Nec电子有限公司