专利名称：制备热障涂层结构的方法
技术领域：
本发明涉及一种在根据权利要求1的前述部分的基材表面上制备热障涂层结构 (thermal barrier coating structure)的方法和涉及使用该方法制备的基材。
背景技术：
热障涂层用在机器和方法中以保护经受来自热效应的热应变、热气体腐蚀和侵蚀的零件。机器和方法的效率的提高经常仅可能伴随着方法温度的提高，使得相应地必须保护暴露的零件。航空发动机和固定式燃气轮机中的涡轮叶片即是如此，例如，其通常提供有单层或多层热障涂层体系以保护涡轮叶片免受高方法温度的作用和延长使用周期和使用
寿命ο热障涂层体系根据应用可包含一个或多个层，例如阻挡层，特别地扩散阻挡层、粘结促进层、热气体腐蚀保护层、保护层、热障涂层和/或覆盖层。在前述涡轮叶片的例子中， 基材通常由Ni合金或Co合金制备。施加到该涡轮叶片上的热障涂层体系可以，例如，以上升顺序包含下述涂层-金属阻挡层，例如，来自NiAl相或NiCr相或合金；-金属粘结促进层，其也作为热气体腐蚀保护层，并且其可以例如至少部分地由金属铝化物(metal aluminide)或由MCrAlY合金进行制备，其中M代表金属Fe，Ni或Co之一或Ni和Co的组合；-氧化物陶瓷保护层，例如主要是Al2O3或其它氧化物；-氧化物陶瓷热障涂层，例如是稳定的氧化锆；和-氧化物陶瓷平滑层或覆盖层，例如稳定的氧化锆或Si02。热障涂层结构，其制备将在下面所述，包含至少一个氧化物陶瓷保护层和至少一个氧化物陶瓷热障涂层。将该热障涂层结构施加至金属基材表面上，该金属基材表面如在上述提及的涡轮叶片的例子中能够被提供有金属粘结促进层和/或热气体腐蚀保护层。文献US 5, 238, 752中，描述了热障涂层结构的制备，其被施加至金属基材表面上。该基材本身由Ni合金或Co合金组成，但是金属基材表面由25 μ m厚至125 μ m厚的Ni 铝化物或Pt铝化物的粘结促进层形成。在该基材表面上形成0. 03 μ m至3 μ m厚的Al2O3 氧化物陶瓷保护层，并且随后通过电子束物理蒸气沉积(EB-PVD)沉积125 μ m至725 μ m厚的^O2和6% -20% Y2O3氧化物陶瓷热障涂层。在EB-PVD方法中，待被沉积用于热障涂层的物质，例如具有8% Y2O3的，通过高真空中的电子束被变成蒸气相并且从所述蒸气相凝结于待涂覆的部件上。如果方法参数以合适的方式选择，产生柱状微结构。在US5，238，752中描述的热障涂层结构的制备具有通过EB-PVD沉积热障涂层的装置成本相对高并且EB-PVD不允许该热障涂层的任何非视线(NL0Q施加的缺点，但是，例如采用低压等离子体喷涂(LPPS)同样可能涂覆位于在边缘后和从等离子体炬看不见的基材部分。从W003/087422A1中知道通过LPPS薄膜方法同样能够制造具有柱状结构的热障涂层。在W003/087422A1中描述的等离子体喷涂方法中，待涂层材料通过等离子体射流喷涂至金属基材的表面上。在这方面，涂层材料被注入粉末射流散焦的等离子体中并且在低方法压力下在此进行部分或完全熔化，该低方法压力小于lOmbar。为此目的，产生具有足够高比热含量的等离子体，使得共计至少5重量％涂层材料的主要部分变为气相。将各向异性结构化层施加至具有涂层材料的基材。在该层中，形成各向异性微结构的拉长微粒主要与基材表面垂直地直立排列，其中，该微粒通过低材料过渡区相互排列并且因此形成柱状结构。在W003/087422A1中描述的用于制备具有柱状结构的热障涂层的等离子体喷涂方法提到与LPPS薄膜方法相关，因为，如此它们，它使用宽等离子体射流，其通过等离子体炬内部压力(典型地IOOkPa)与小于lOltfa的工作腔室内的压力之间的压力差产生。但是， 由于使用所述方法产生的热障涂层能够高达Imm厚或更厚并且因此实际上不能由术语“薄膜”涵盖，所述方法在下面将称为等离子体喷涂物理蒸气沉积方法或缩写为PS-PVD。申请人:已经发现，如果使用根据修改后的方法制备的热障涂层结构，能够提高包含根据W003/087422A1制备的热障涂层的热障涂层体系的热循环阻抗(thermal cycling resistance)0
发明内容
本发明的目的是提供一种在基材表面上制备热障涂层(thermal barrier coating)结构的方法，采用该方法能够提高具有通过等离子体喷涂方法制备的热障涂层的热障涂层体系的热循环阻抗(thermal cycling resistance)。该目的根据本发明通过在权利要求1中限定的方法来实现。根据本发明的在基材表面上制备热障涂层结构的方法中，提供具有等离子体炬的工作腔室，等离子体射流如此产生等离子体气体被引导穿过等离子体炬并在那里通过电气体放电(electric gas discharge)和/或电磁感应和/或微波进行加热，并且等离子体射流被导向至该被引入工作腔室中的基材的表面。在该制备热障涂层结构的方法中，在等离子体炬和基材之间额外施加电压，以在等离子体炬和基材之间产生电弧并且通过该电弧来清洁基材表面，在该电弧清洁后基材仍保持在工作腔室中。在以这种方法清洁的基材表面上产生具有0.02μπι至5μπι或0.02μπι至2μπι厚度的氧化物层，并且在附加的步骤中通过等离子体喷涂方法施加至少一个热障涂层。有利地，在制备该热障涂层结构期间，典型地在整个方法期间，该基材保持在工作腔室内。典型地，基材和/或基材表面为金属的，其中能够例如通过粘结促进层和/或热气体腐蚀保护层(例如金属铝化物(如NiAl，NiPtAl或PtAl)层，或MCrAlY类型的合金层， 其中M = i7e、Co、Ni或NiCo)形成基材表面。如果需要，在上述热障涂层结构之前，能够通过等离子体喷涂方法或通过另外合适的方法向基材表面施加粘结促进层和/或热气体腐蚀保护层。在有利的实施方案中，在制备热障涂层结构期间，监测和/或控制在工作腔室中气氛的压力和/或组成。在有利的实施方案变型中，在电弧清洁基材表面期间，工作腔室压力总计小于lkPa。在更有利的实施方案变型中，在产生该氧化物层期间，工作腔室包含氧或含氧气体。该氧化物层能够例如如此热产生加热基材表面，例如通过等离子体射流。同样能够通过PS-PVD或通过化学方法产生氧化物层，例如通过等离子体喷涂化学蒸气沉积(PS-CVD)，其中典型地工作腔室中的压力低于lkPa，并且其中，根据需要，至少一种活性组分以固体和/或液体和/或气体形式注入等离子体射流中。产生的氧化物层有利地具有小于3%或小于的孔隙度和/或大于90%或大于 95%由热稳定氧化物形成，S卩，由在基材的使用条件下是热稳定的氧化物(如Ci-Al2O3)形成。在更有利的实施方案中，至少一个热障涂层由陶瓷材料制备，其中陶瓷材料能够由例如氧化锆，特别地用钇，铈，钪，镝或钆稳定的氧化锆组成和/或能够包含氧化锆，特别地用钇，铈，钪，镝或钆稳定的氧化锆。在有利的实施方案变型中，至少一个热障涂层通过在高于50kPa的工作腔室压力下的热等离子体喷涂和/或通过在5kPa至50kPa的工作腔室压力下的低压等离子体喷涂 (LPPS)进行施加。在更有利的实施方案变型中，至少一个热障涂层通过在小于5kPa，典型地小于 IkPa的工作腔室压力下的等离子体喷涂物理蒸气沉积(PS-PVD)进行施加，其中陶瓷材料能够，例如，被注入在使粉末射流散焦的等离子体中。有利地，陶瓷材料至少部分在等离子体射流中蒸发，使得例如至少15重量％或至少20重量％变为蒸气相，以便产生具有柱状结构的热障涂层。在更有利的实施方案中，控制该等离子体射流的方向和/或等离子体炬与基材的间距。以这种方式，例如在基材表面清洁时和/或在基材表面加热时和/或在施加该至少一个热障涂层时，等离子体射流能够被引导通过基材表面上方。本发明进一步包括使用上述方法或使用上述实施方案和变型之一制备的基材。根据本发明的制备热障涂层结构的方法具有优点由于通过电弧清洁基材表面， 能够彻底去除污染物和氧化物层，如自发形成的天然氧化物层，并且随后可以在受控制条件下在经清洁的基材表面上产生氧化物层。以这种方式，能够获得该热障涂层结构在基材表面上更好的粘结(与根据W003/087422A1制备的热障涂层可能获得的粘结相比)。此外， 在使用根据本发明制备的热障涂层的操作中可以减慢金属氧化物的生长和可以获得改善的在其中使用该热层结构的整个热障涂层体系中的热循环阻抗。上面地实施方案和变型地仅作为例子进行描述。更有利的实施方案能够从从属权利要求和从附图看出。另外，来自所描述或显示的实施方案和变型的个体特征还能够在本发明的框架内相互结合以形成新的实施方案。在下面将参考实施方案和附图更详细的解释本发明。附图显示如下
图1用于制备根据本发明的热障涂层的等离子体涂覆装置的一个实施方案；图2具有根据本发明制备的热障涂层结构的热障涂层体系的一个实施方案；和图3在任何期望的金属基材上根据本发明制备的热障涂层结构的一个实施方案。图1示出了用于制备根据本发明的热障涂层结构的等离子体涂覆装置的一个实施方案。等离子体涂覆装置1包括工作腔室2，其具有用于产生等离子体射流5的等离子体炬4 ；受控制的泵设备，其未在图1中示出并且与工作腔室2连接以设定工作腔室内的压力和用于夹持基材3的基材夹持体8。等离子体炬4(其能够被构造为例如DC等离子体炬)有利具有至少60KW，80KW或100KW的供电功率以产生具有足够高的焓的等离子体，这样能够制备具有柱状结构的热障涂层。工作腔室2中的压力方便地可设在2 至IOOkPa之间或5 至20kl^之间。根据需要，等离子体涂覆装置1另外可包括一个或多个注入装置以将一种或多种组分以固体，液体和/或气体形式注入在等离子体中或等离子体射流中。典型地，将等离子体炬连接至电源，例如用于DC等离子体炬的直流电源，和/或连接至冷却装置和/或等离子体气源，并且视情况而定，连接至液体和/或气体活性组分的源和/或连接至用于喷涂粉末或悬浮液的输送装置。工艺气体或等离子气体可包含，例如氩气、氮气、氦气或氢气或Ar或He与氮气和/或氢气的混合物或者可由一种或多种这些气体组成。在有利的实施方案变型中，基材夹持体8被构造为可移动的条夹持体以从前室移出基材穿过密封闸9进入工作腔室2。另外，如果需要，在处理和/或涂覆期间，条夹持体使旋转该基材成为可能。在更有利的实施方案变型中，等离子体涂覆装置1另外包括用于等离子体炬4的受控制的调节装置，其在图1中未示出，以控制等离子体射流5的方向和/或等离子体炬与基材3的间距，例如在0. an至an或0. 3m至1. 2m的范围内。视情况而定，在调节装置中可提供一个或多个枢轴(Pivot axle)以实施枢转运动7。此外，调节装置还可以包括附加的直线调节轴6. 1,6. 2以在基材3的不同区域上排列等离子体炬4。等离子体炬的直线运动和枢转运动可以控制基材处理和基材涂覆，例如在整个表面上均一地预加热基材或在基材表面上实现均一的层厚度和/或层质量。在下文中，通过参考附图1、2和3将描述根据本发明的在基材表面上制备热障涂层结构的方法的一个实施方案。在该方法中，提供具有等离子体炬4的工作腔室2，如下产生等离子体射流5 使等离子体气体引导穿过等离子体炬并在那里通过电气体放电和/或电磁感应和/或微波进行加热，并且将等离子体射流5导向至该引入工作腔室2中的基材 3的表面上。在该方法中，在等离子体炬4和基材3之间另外施加电压，以在等离子体炬和基材之间产生电弧，并且通过该电弧清洁该基材表面，其中在电弧清洁后该基材保持在工作腔室中。在以这种方法在经清洁的基材表面上产生具有0. 02 μ m至5 μ m或0. 02 μ m至 2ym厚度的氧化物层11，并且在附加步骤中通过等离子体喷涂方法施加至少一个热障涂层12。有利地，在制备热障涂层结构期间，基材3保持在工作腔室2内。在典型的实施方案变型中，基材3和/或基材表面为金属的，其中，该基材可为，例如Ni合金或Co合金的涡轮叶片并且典型地该基材表面由粘结促进层和/或热气体腐蚀保护层3'，例如金属铝化物(如NiAl、NiPtAl或PtAl)层或MCrAlY类型合金层形成，其中 M = Fe.Co.Ni或Ni和Co的组合。如果需要，另外可在基材3和粘结促进层和/或热气体腐蚀保护层3'之间提供阻挡层(图2和3中未示出)，其中阻挡层有利被构造为金属的并且可例如包含NiAl或NiCr。如果需要，阻挡层和/或粘结促进层和/或热气体腐蚀保护层的施加可在制备热障涂层结构的方法的框架中进行。在有利的实施方案中，将阻挡层和/或粘结促进层和/ 或热气体腐蚀保护层施加至基材表面，例如通过等离子体喷涂方法或通过其它合适的方法施加，并且该热障涂层建立如下继续如上所述地，通过电弧清洁如此产生的基材表面，并且在电弧清洁后不从工作腔室2中移出基材3，在以这种方式清洁的基材表面上产生典型地具有0.02μπι至5μπι或0.02μπι至2μπι厚度的氧化物层11，并且在另外步骤中通过等离子体喷涂方法施加至少一个热障涂层12。在更有利的实施方案中，在制备热障涂层结构10期间，监测和/或控制工作腔室 2中气氛的压力和/或组成。在有利的实施方案变型中，在电弧清洁该基材表面期间，工作腔室中的压力小于IkPa或小于200Pa。在更有利的实施方案变型中，在生产氧化物层11期间工作腔室2包含氧或含氧气体。氧化物层11例如能够如下热产生加热基材表面，例如通过等离子体射流5和/或通过C辐射体(C radiator)和/或感应加热。如果氧化物层11是热产生的，有利地基材表面的温度和/或工作腔室内的压力和 /或工作腔室内的A分压选择如下-基材表面的温度可为在1040°C和1120°C之间，或在1070°C和1110°C之间。-工作腔室内的压力可在101 至2^ 之间，或在501 和500Pa之间。-视情况而定，工作腔室内02分压可在0.11 至201 之间，或在11 和101 之间。如果在产生氧化物层11期间通过等离子体射流5完全或部分加热该基材表面， 在典型的应用中，等离子体气体和O2气的总流量等于60NLPM至MONLMP或100NLMP至 180NLMP并且O2气流量等于INLPM至20NLPM或2NLMP至10NLMP，其中仏气通常与等离子体气体分开提供。同样可以通过PS-PVD或通过化学方法产生氧化物层11，例如通过PS-CVD，其中工作腔室内压力典型地低于lkPa，例如在201 和2001 之间，并且需要时，至少一种活性组分以固体和/或液体和/或气体形式注入等离子体中和/或等离子体射流内。产生的氧化物层有利地具有小于3%或小于的孔隙度和/或其大于90%或大于95%由热稳定氧化物组成，特别地由大于90%或大于95% α-Al2O3组成。在有利的实施方案变型中，产生的氧化物层由90%至99% α-Al2O3或由94%至98% α-Al2O3组成，其中氧化物层中α-Al2O3含量能够，例如通过切片分析(analysis ofmicrosections)进行测定。在更有利的实施方案中，至少一个热障涂层12由陶瓷材料，例如由氧化物陶瓷材料或由包含氧化物陶瓷组分的材料制备，其中氧化物陶瓷材料为，例如用稀土稳定的氧化锆。用作为稳定剂的物质以稀土(例如钇，铈，钪，镝或钆)氧化物的形式添加至氧化锆，其中在氧化钇的情况下，比例典型地为5-20重量％。在有利的实施方案变型中，至少一个热障涂层12通过在高于50kPa的工作腔室压力下的热等离子体喷涂和/或通过在5kPa至50kPa的工作腔室压力下的低压等离子体喷涂(LPPQ进行施加。在更有利的实施方案变型中，至少一个热障涂层12通过在小于5kPa，典型地小于 IkPa的工作腔室压力下的等离子体喷涂物理蒸气沉积(PS-PVD)进行施加，其中陶瓷材料能够，例如，被注入使粉末射流散焦的等离子体中。有利地，陶瓷材料至少部分地在等离子体射流中蒸发，使得例如至少15重量％或至少20重量％变为蒸气相，以便产生具有柱状结构的热障涂层。在这一点上，热障涂层12可通过沉积多个层进行建立。热障涂层12的总层厚度典型地具有50 μ m至2000 μ m之间的值，优选地至少100 μ m的值。等离子体炬4被要求用于施加热障涂层12，并且能够，例如，被构造为DC等离子体炬，并且有利地具有至少60KW、80KW或100KW的供电功率以产生具有足够高比热含量的等离子体，使得能够通过PS-PVD制备具有柱状结构的热障涂层。使得在PS-PVD方法期间使粉末射流通过散焦等离子体被转化为蒸气云和粒子， 由其产生具有期望柱状结构的层，粉状原料必须具有非常小的颗粒。原料的尺寸分布有利地大部分位于1 μ m至50 μ m之间，优选3 μ m至25 μ m之间的范围内。在更有利的实施方案中，控制等离子体射流的方向和/或等离子体炬与基材的间距。从而等离子体射流可以，例如在清洁该基材表面时和/或在加热该基材表面时和/或产生氧化物层时和/或在施加该至少一个热障层时被导向通过基材表面上方，以获得均一的处理或涂覆。与使用的等离子体喷涂方法无关，有利地可使用附加的热源以在预设温度范围内进行在上面实施方案和变型中描述的层的施加和/或产生。典型地温度预设在800°C至 1300°C之间的范围内，有利在大于1000°C的温度范围内。红外辐射体，例如碳辐射体和/或等离子体射流和/或等离子体和/或感应加热器可例如用作附加热源。在这一点上，能根据要求来控制或调节热源的供热和/或待涂覆基材的温度。在上面实施方案和变型中描述的层的施加和/或产生之前，通常预加热基材3和/ 或基材表面以改善所述层的粘结。基材的预加热可通过等离子体射流进行，其中用于预加热的既不包含涂层粉末也不包含活性组分的等离子体射流5被导向通过作枢转运动的基材上方。图2和3分别显示了具有根据本发明制备的热障涂层结构的热障涂层体系的一个实施方案。基材3和/或基材表面典型地为金属的，其中，基材表面，如图2中所示，例如可由粘结促进层和/或热气体腐蚀保护层3'形成，例如由金属铝化物(如NiAl、NiPtAl或 PtAl)的层或McrAlY类型合金的层形成，其中M = Fe、Co、Ni或Ni和Co的组合。如果需要，另外可在基材3和粘结促进层和/或热气体腐蚀保护层3'之间提供阻挡层(图2和3 中未示出)，其中阻挡层有利地被构造为金属的并且可例如由NiAl或NiCr组成。阻挡层典型地具有1 μ m至20 μ m之间的厚度并且粘结促进层和/或热气体腐蚀保护层3'典型地具有50μπι至500μπι之间的厚度。如果需要，阻挡层和/或粘结促进层和/或热气体腐蚀保护层的施加可在制备热障涂层结构的方法的框架中进行。在有利的实施方案中，将阻挡层和/或粘结促进层和/或热气体腐蚀保护层施加至基材表面，例如通过等离子体喷涂方法或通过另外合适的方法， 并且如上所述地，热障涂层的建立如下继续通过电弧清洁这样产生的基材表面，并且在电弧清洁后不从工作腔室2中移出基材3，在以这种方式清洁的基材表面上产生典型地具有 0.02μπι至5μπι或0.02μπι至2μπι厚度的氧化物层11，并且在附加步骤中通过等离子体喷涂方法施加至少一个热障涂层12。如果需要，可另外地将平滑层(未在图2和3中示出)施加至热障涂层12，并且可例如由如或SiA的氧化物陶瓷材料组成，并且具有典型地0. 2 μ m至50 μ m，有利地 1 μ m M 20 μ m的厚度。有利地平滑层如下通过PS-PVD进行施加例如将一种或多种组分以固体，液体和/或气体形式注入等离子体中或等离子体射流中。有利地，在基材表面上制备热障涂层结构的方法的个体步骤在单一工作周期中实施，而在该方法期间不从工作腔室2中移出基材3
本发明进一步包括使用上述方法或使用上述实施方案和变型之一制备的基材。在基材表面上制备热障涂层结构的上述方法以及相关的实施方案和变型具有以下优点在经清洁的基材表面上能够产生高质量氧化物层，例如α-Al2O3层，由此可以获得改善的该整体热障涂层体系的热循环阻抗。
权利要求
1.一种在基材表面制备热障涂层结构(10)的方法，其中-提供具有等离子体炬的工作腔室O)；-等离子体射流(5)这样产生等离子体气体被引导穿过等离子体炬(4)并在那里通过电气体放电和/或电磁感应和/或微波进行加热；和-使等离子体射流( 导向至该被引入工作腔室中的基材(3)的表面，其特征在于-在等离子体炬⑷和基材⑶之间施加电压，以在等离子体炬⑷和基材⑶之间产生电弧并且通过该电弧清洁该基材表面；-在电弧清洁后，基材C3)保持在工作腔室中并且在以这种方式清洁的基材表面上产生具有0. 02 μ m至5 μ m，特别地0. 02 μ m至2 μ m厚度的氧化物层(11)，和-在附加的步骤中，通过等离子体喷涂方法施加至少一个热障涂层(12)。
2.根据权利要求1的方法，其中基材表面由粘结促进层和/或热气体腐蚀保护层，特别地由MCrAlY类型的合金层或金属铝化物层形成，其中M =狗、Co、Ni或NiCo。
3.根据权利要求1或2的方法，其中在制备热障涂层结构期间，基材(3)保持在工作腔室⑵内。
4.根据权利要求1-3任一项的方法，其中在制备热障涂层结构期间，监测和/或控制该工作腔室中气氛的组成和/或压力。
5.根据权利要求1-4任一项的方法，其中在电弧清洁该基材表面期间，工作腔室(2)中的压力总计小于lkPa。
6.根据权利要求1-5任一项的方法，其中在产生氧化物层(11)期间，工作腔室(2)包含氧或含氧气体。
7.根据权利要求1-6任一项的方法，其中热产生该氧化物层(11)，特别地通过等离子体射流加热该基材表面。
8.根据权利要求1-6任一项的方法，其中氧化物层(11)通过PS-PVD或PS-CVD产生， 同时工作腔室中的压力低于IkPa ；其中特别地，至少一种活性组分以液态或气态形式注入等离子体射流(5)中。
9.根据前述权利要求中任一项的方法，其中产生的氧化物层(11)具有小于3%，特别地小于的孔隙度；和/或其中产生的氧化物层(11)的大于90%或大于95%由热稳定氧化物形成，特别地大于90%或大于95%由α -Al2O3形成。
10.根据前述权利要求中任一项的方法，其中至少一个热障涂层由陶瓷材料制备。
11.根据权利要求10的方法，其中热障涂层的陶瓷材料由稳定的氧化锆，特别地用钇、 铈、钪、镝或钆稳定的氧化锆组成，和/或包含稳定的氧化锆，特别地用钇、铈、钪、镝或钆稳定的氧化锆作为组分。
12.根据权利要求10或11的方法，其中至少一个热障涂层通过在高于50kl^的工作腔室压力下的热等离子体喷涂和/或通过在5kPa至50kPa的工作腔室压力下的低压等离子体喷涂进行施加。
13.根据权利要求10或11的方法，其中至少一个热障涂层在小于5kPa或小于IkPa的工作腔室压力下通过等离子体喷涂物理蒸气沉积(PS-PVD)进行施加。
14.根据权利要求13的方法，其中陶瓷材料至少部分地在等离子体射流中蒸发，以产生具有柱状结构的热障涂层(12)。
15.使用根据上述权利要求任一项的方法制备的基材。
全文摘要
为了在基材表面上制备热障涂层结构(10)，提供具有等离子体炬(4)的工作腔室(2)，等离子体射流(5)这样产生等离子体气体被引导穿过等离子体炬(4)并在那里通过电气体放电、电磁感应或微波加热，并且等离子体射流(5)被导向至该引入工作腔室中的基材(3)的表面。为了制备热障涂层，在等离子体炬(4)和基材(3)之间另外施加电压以在等离子体炬(4)和基材(3)之间产生电弧并且通过该电弧清洁该基材表面，其中在电弧清洁后该基材(3)保持在工作腔室中并且在经清洁的基材表面上产生具有0.02μm至2μm厚度的氧化物层(11)，和在附加步骤中通过等离子体喷涂方法施加热障涂层(12)。
文档编号C23C4/12GK102534457SQ201110372539
公开日2012年7月4日 申请日期2011年10月10日 优先权日2010年10月11日
发明者K·冯尼森, M·金德拉特, R·C·施密德 申请人:苏舍美特科公司