专利名称：多路独立供气式pecvd供气沉积系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种多路独立供气式PECVD供气沉积系统，属于太阳能电池生产制造技术领域。
背景技术：
PECVD镀膜系统是太阳能电池片生产过程中的关键设备。PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成工艺所需要的固态薄膜，起到减反射和钝化太阳电池表面的作用。目前有多种方式实现PECVD技术，其中微波间接法实现等离子沉积的板式PECVD 系统在太阳电池制造领域被广泛使用，它将待加工的硅片装入石墨或碳-碳材料的载板中，一般在同一个载板上规则的排列6*11 (也可以有其他的排列方式)个太阳能电池片，之后载板从上料台传输进入设备进料预热腔，预抽真空和预热后随即进入工艺反应腔，反应腔内呈近真空状态，载板勻速地通过带有气孔的沉积槽，反应气体从气孔输出，在微波下将其辉光放电形成等离子体，等离子和硅片表面反应淀积形成一层氮化硅薄膜。反应完成后样品硅片进入冷却出料腔，冷却后在出料台经回流装置送回下料台回收加工完成的样品硅片。如图1所示，为硅片载板结构示意图，内嵌6*11个硅片承载框子结构12。如图2 所示，为传统的供气沉积系统结构示意图，所述的供气沉积系统包括沉积槽1，沉积槽1上表面的中部设有一排氨气孔2，氨气孔2通过一支独立的特气管路10输出气体，沉积槽本体 1上表面的两侧边缘处分别设有一排硅烷孔6，每排硅烷孔6通过一支独立的特气管路11 输出气体。由于载板从上向下勻速运动沉积氮化硅薄膜，上下同列的硅片沉积工艺，只有沉积时间先后不同，其他条件都相同，所以载板上下同列的硅片所镀膜性能一致性很好，而载板从左到右同行硅片由于受到左中右气孔堵塞、气流量的变化，温场的均勻性、以及微波功率衰减等的影响，经常导致载板左右同行硅片所镀膜的厚度以及折射率的一致性很差。
发明内容本实用新型的目的在于提供一种能够使得位于载板左右同行硅片的镀膜厚度和折射率保持更好一致性的PECVD供气沉积系统。为了达到上述目的，本实用新型提供了一种多路独立供气式PECVD供气沉积系统，包括沉积槽，沉积槽上表面的中部设有一排氨气孔，沉积槽上表面的上、下两侧边缘处各设有一排硅烷孔，其特征在于，左、中、右侧的氨气孔分别连接第一特气管路、第二特气管路和第三特气管路。优选地，左、中、右侧的硅烷孔分别连接第四特气管路、第五特气管路和第六特气管路。[0009]本实用新型的沉积槽中间的一排氨气孔和两侧的每排硅烷孔的气体输出分别由左中右三路独立的供气单元和相应流量计控制。供气方式更加灵活，可以根据工艺的需要单独调整硅片载板左中右三个区域反应气体的流量，可以单独调节，从而有效的解决工艺过程中沉积槽左中右气孔堵塞、气流量的变化，温场的均勻性、以及微波功率衰减等的影响所导致的载板左中右同行硅片所镀膜的厚度以及折射率一致性较差的问题。
图1为硅片载板结构示意图；图2为传统的供气沉积系统结构示意图；图3为多路独立供气式PECVD供气沉积系统结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例来具体说明本实用新型。 实施例如图3所示，为多路独立供气式PECVD供气沉积系统结构示意图，所述的多路独立供气式PECVD供气沉积系统，包括沉积槽1，沉积槽1上表面的中部设有一排氨气孔2，沉积槽1上表面的上、下两侧边缘处各设有一排硅烷孔6，该供气沉积系统将沉积槽1上表面的氨气孔2和硅烷孔6供气设计做成左中右三路独立的供气单元，左、中、右侧的氨气孔2分别连接第一特气管路3、第二特气管路4和第三特气管路5。左、中、右侧的硅烷孔6分别连接第四特气管路7、第五特气管路8和第六特气管路9。一般PECVD系统工艺腔内可设置4到8个沉积单元，将每个沉积单元都设计成本实用新型所述的供气沉积系统，第一特气管路3、第二特气管路4、第三特气管路5、第四特气管路7、第五特气管路8和第六特气管路9各自独立，通过终端计算机单独控制流量。使用时，首先在终端电脑端选择生产需要的镀膜工艺菜单，并设置沉积供气系统的左第四特气管路7、第五特气管路8和第六特气管路9的硅烷流量均为eOOsccm，第一特气管路3、第二特气管路4和第三特气管路5的氨气流量均为ISOOsccm。将待加工的硅片装入载板中，在载板上规则的排列6*11个太阳能电池片，之后将载板从上料台传输进入设备进料预热腔，预抽真空和预热后随即进入工艺反应腔，反应腔内呈近真空状态，载板勻速地通过本实用新型所述的沉积供气系统，反应气体从沉积槽气孔输出，在微波下将其辉光放电形成等离子体，等离子和硅片表面反应淀积形成一层厚度在80 士 5nm，折射率控制在 2. 05 士 0.5的氮化硅薄膜。由于工艺过程中会受到沉积槽左中右气孔堵塞、气流量的变化，温场的均勻性、以及微波功率衰减等的影响，会经常发生载板左中右同行硅片所镀膜的厚度以及折射率一致性较差的情况，这时候可以将沉积供气系统的三路硅烷流量和三路氨气流量调整为不同大小。比如当左边第一列硅片镀膜厚度较薄只有70nm时，可以将沉积供气系统的第四特气管路7的硅烷流量调整到650sCCm，第一特气管路3的氨气流量调整到1950sCCm ；当右边第一列的硅片镀膜折射率较小只有1. 95时，可以将沉积供气系统的第六特气管路9的硅烷流量调整到680SCCm，其他各路流量保持不变。[0018] 最后在等离子镀膜反应完成后样品硅片进入冷却出料腔，冷却后在出料台经回流装置送回下料台回收加工完成的样品硅片。
权利要求1.一种多路独立供气式PECVD供气沉积系统，包括沉积槽(1)，沉积槽(1)上表面的中部设有一排氨气孔(2)，沉积槽(1)上表面的上、下两侧边缘处各设有一排硅烷孔(6)，其特征在于，左、中、右侧的氨气孔(2)分别连接第一特气管路(3)、第二特气管路(4)和第三特气管路(5)。
2.如权利要求1所述的多路独立供气式PECVD供气沉积系统，其特征在于，左、中、右侧的硅烷孔(6)分别连接第四特气管路(7)、第五特气管路(8)和第六特气管路(9)。
专利摘要本实用新型涉及一种多路独立供气式PECVD供气沉积系统，包括沉积槽，沉积槽上表面的中部设有一排氨气孔，沉积槽上表面的上、下两侧边缘处各设有一排硅烷孔，其特征在于，左、中、右侧的氨气孔分别连接第一特气管路、第二特气管路和第三特气管路，左、中、右侧的硅烷孔分别连接第四特气管路、第五特气管路和第六特气管路。本实用新型供气方式更加灵活，可以根据工艺的需要单独调整硅片载板左中右三个区域反应气体的流量，单独调节，从而有效的解决工艺过程中沉积槽左中右气孔堵塞、气流量的变化，温场的均匀性、以及微波功率衰减等的影响所导致的载板左中右同行硅片所镀膜的厚度以及折射率一致性较差的问题。
文档编号C23C16/455GK202116646SQ20112013807
公开日2012年1月18日 申请日期2011年5月4日 优先权日2011年5月4日
发明者石劲超 申请人:百力达太阳能股份有限公司