专利名称：薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置。
背景技术：
在半导体装置的制造工序中，利用CVD (Chemical Vapor Deposition)等处理,进行在被处理体上、例如半导体晶圆上形成氧化硅膜、氮化硅膜等薄膜的薄膜形成处理。在这样的薄膜形成处理中，例如通过向设定为规定温度及压力的反应室内供给处理气体，使处理气体发生热反应，利用该热反应生成的反应生成物沉积在半导体晶圆的表面上，从而在半导体晶圆的表面上形成有薄膜。然而，由薄膜形成处理所生成的反应生成物不仅沉积(附着)在半导体晶圆的表 面，也沉积(附着)在热处理装置的内部。如果在该反应生成物附着在热处理装置内的状态下继续进行薄膜形成处理，则反应生成物易于剥离而产生颗粒。另外，当该颗粒附着在半导体晶圆上后，所制造的半导体装置的成品率降低。因此，在进行数次薄膜形成处理后，进行如下这样的热处理装置的清洗利用加热器将反应管加热至规定温度，且向被加热后的反应管内供给清洁气体、例如氟素气体与氟化氢气体来去除(蚀刻)已附着在热处理装置内的反应生成物。然而，在这样的薄膜形成装置的清洗中，需要进一步提高对附着在装置内部的附着物进行蚀刻的蚀刻速率。
发明内容
本发明提供能够提高对附着在装置内部的附着物进行蚀刻的蚀刻速率的薄膜形成装置的清洗方法等。本发明的第I技术方案的薄膜形成装置的清洗方法用于在向薄膜形成装置的反应室内供给处理气体而在被处理体上形成薄膜后去除已附着在装置内部的附着物，其中，该薄膜形成装置的清洗方法具有清洗工序，在该清洗工序中，通过向被加热至规定的温度的反应室内供给含有氟素气体、氟化氢气体、氯气的清洁气体，去除上述附着物来清洗薄膜形成装置的内部。本发明的第2技术方案的薄膜形成方法，其中，该薄膜形成方法具有在被处理体上形成薄膜的薄膜形成工序；利用本发明的第I技术方案的薄膜形成装置的清洗方法去除已附着在装置内部的附着物来清洗薄膜形成装置的内部的工序。本发明的第3技术方案的薄膜形成装置是向容纳有被处理体的反应室内供给处理气体而在被处理体上形成薄膜的薄膜形成装置，其中，该薄膜形成装置具有将上述反应室内加热到规定的温度的加热部件；向上述反应室内供给含有氟素气体、氟化氢气体、氯气的清洁气体的清洁气体供给部件；
控制薄膜形成装置的各部分的控制部件，上述控制部件以如下方式控制上述清洁气体供给部件在控制上述加热单元将反应室内加热至规定的温度的状态下，向该反应室内供给清洁气体且使该清洁气体活化，利用该活化了的清洁气体去除附着物来清洗薄膜形成装置的内部。
图I是表示本发明的实施方式的热处理装置的图。图2是表示图I的控制部的结构的图。图3是说明氮化硅膜的形成方法的图。 图4是表示对氮化硅膜进行蚀刻的蚀刻速率的图。
具体实施例方式以下，说明本发明的薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置。在本实施方式中，以本发明的薄膜形成装置使用图I所示的分批式的立式热处理装置而在半导体晶圆上形成氮化硅膜的情况为例说明本发明。如图I所示,热处理装置I具有形成反应室的反应管2。反应管2例如形成为长度方向为铅垂方向的大致圆筒状。反应管2由耐热及耐腐蚀性优异的材料、例如石英形成。在反应管2的上端，设有以朝向上端侧缩径的方式形成为大致圆锥状的顶部3。在顶部3的中央设有用于排出反应管2内的气体的排气口 4，排气口 4气密地与排气管5连接。在排气管5上设有未图示的阀、后述的真空泵127等压力调整机构，将反应管2内控制为所期望的压力(真空度)。在反应管2的下方配置有盖体6。盖体6是由耐热及耐腐蚀性优异的材料、例如石英形成的。另外，盖体6能够利用后述的舟皿升降机128上下移动。然后，当利用舟皿升降机128使盖体6上升时，反应管2的下方侧(炉口部分)关闭，当利用舟皿升降机128使盖体6下降时，反应管2的下方侧(炉口部分)敞开。在盖体6的上部设有保温筒7。保温筒7主要是由加热器8和支承体9构成，该加热器8呈平面状，由防止由从反应管2的炉口部分的散热导致的反应管2的温度下降的电阻发热体构成，该支承体9呈筒状，用于将该加热器8支承在距盖体6的上表面规定的高度的位置。另外，在保温筒7的上方设有旋转台10。旋转台10作为可旋转地载置被处理体、例如用于容纳半导体晶圆W的晶圆舟皿11的载置台而发挥功能。具体地说，在旋转台10的下部设有旋转支柱12，旋转支柱12贯穿加热器8的中央部，且与使旋转台10旋转的旋转机构13连接。旋转机构13主要由未图示的马达和旋转导入部15构成，该旋转导入部15具有在气密状态下从盖体6的下表面侧向上表面侧贯穿导入的旋转轴14。旋转轴14与旋转台10的旋转支柱12连接，借助旋转支柱12将马达的旋转力传递至旋转台10。因此，当利用旋转机构13的马达使旋转轴14旋转时，旋转轴14的旋转力传递至旋转支柱12，旋转台10旋转。在旋转台10上载置有晶圆舟皿11。晶圆舟皿11能够在铅垂方向上以规定的间隔容纳多张半导体晶圆W。因此，当使旋转台10旋转时，晶圆舟皿11旋转，而利用该旋转，容纳在晶圆舟皿11内的半导体晶圆W旋转。晶圆舟皿11由耐热及耐腐蚀性优异的材料、例如石英形成。另外，在反应管2的周围，以包围反应管2的方式设有例如由电阻发热体构成的升温用加热器16。利用该升温用加热器16将反应管2的内部加热至规定的温度，其结果，半导体晶圆W被加热至规定的温度。在反应管2的下端附近的侧壁上，贯穿(连接)有多根处理气体导入管17。另外，在图I中仅描述了一根处理气体导入管17。在处理气体导入管17上连接有未图示的处理气体供给源，所期望量的处理气体从处理气体供给源经由处理气体导入管17向反应管2内供给。作为这样的处理气体，具有成膜用气体、清洁气体等。成膜用气体是用于在半导体晶圆W上形成薄膜的气体，与形成的薄膜的种类对应地使用所期望的气体。在本实施方式中，由于在半导体晶圆W上形成氮化硅膜，因此作为处 理气体，使用含有六氯乙硅烷(Si2Cl6)和氨(NH3)的气体。清洁气体是用于去除已附着在热处理装置I的内部的附着物的气体，使用含有氟素(F2)气体、氟化氢(HF)气体、氯(Cl2)气的气体。在本实施方式中，如后所述，使用含有氟素气体、氟化氢气体、氯气、氮气(N2)的气体。在反应管2的下端附近的侧面，贯穿有吹扫气体供给管18。在吹扫气体供给管18上连接有未图示的吹扫气体供给源，所期望量的吹扫气体、例如氮(N2)从吹扫气体供给源经由吹扫气体供给管18向反应管2内供给。另外，热处理装置I具有对装置各部分进行控制的控制部100。图2表示控制部100的结构。如图2所示，在控制部100上连接有操作面板121、温度传感器(组)122、压力计(组)123、加热器控制器124、MFC控制部125、阀控制部126、真空泵127、舟皿升降机128 等。操作面板121具有显示画面和操作按钮，将操作者的操作指示传递至控制部100，另外，将来自控制部100的各种信息显示在显示画面上。温度传感器(组)122对设在反应管2内部的各区域的T/C(热电偶)温度或设在升温用加热器16上的各区域的T/C温度、排气管5内部的温度等进行测量，并将该测量值通知控制部100。压力计(组)123测量反应管2内、排气管5内等各部分的压力，并将该测量值通知控制部100。加热器控制器124是用于分别控制加热器8及升温用加热器16的控制器，响应来自控制部100的指示，对加热器8及升温用加热器16进行通电并加热，另外，分别测量加热器8及升温用加热器16所消耗的电力并通知控制部100。MFC控制部125控制被设在处理气体导入管17及吹扫气体供给管18上的未图示的质量流量控制器(MFC)，将流过处理气体导入管17及吹扫气体供给管18的气体的流量控制为控制部100所指示的量，并且测量实际流过的气体的流量并通知控制部100。阀控制部126将配置在各配管上的阀的开度控制为控制部100所指示的值。真空泵127与排气管5连接，用于排出反应管2内的气体。舟皿升降机128通过使盖体6上升，使载置在旋转台10上的晶圆舟皿11 (半导体晶圆W)装载于反应管2内，通过使盖体6下降，使载置在旋转台10上的晶圆舟皿11(半导体晶圆W)从反应管2内卸载。控制部100由制程程序存储部lll、R0M112、RAM113、I/0接口 114、CPUl 15及将它们相互连接的总线116构成。在制程程序存储部111中，存储有安装(setup)用制程程序与多个工艺用制程程序。热处理装置I的制造初期仅容纳有安装用制程程序。安装用制程程序是生成与各热处理装置相对应的热模型等时执行的制程程序。工艺用制程程序是针对用户实际进行的每个热处理(工艺)而准备的制程程序，例如，用于规定从向反应管2装载半导体晶圆W到卸载处理完毕的晶圆W的期间的各部分的温度变化、反应管2内的压力变化、处理气体的开始供给及停止供给的时机和供给量等。ROMl 12由EEPR0M、闪存、硬盘等构成，是用于存储CPU115的动作程序等的存储介 质。RAMl 13作为CPUl 15的工作区域等发挥功能。I/O接口 114与操作面板121、温度传感器122、压力计123、加热器控制器124、MFC控制部125、阀控制部126、真空泵127和舟皿升降机128等连接，控制数据、信号的输入与输出。CPU (Central Processing Unit) 115构成控制部100的中枢，执行被存储在R0M112中的控制程序，根据来自操作面板121的指示，按照存储在制程程序存储部111内的制程程序(工艺用制程程序)，控制热处理装置I的动作。即，CPUl 15进行如下控制使温度传感器(组)122、压力计(组)123、MFC控制部125等测量反应管2内、处理气体导入管17内及排气管5内的各部分的温度、压力、流量等，基于该测量数据，向加热器控制器124、MFC控制部125、阀控制部126、真空泵127等输出控制信号等，使上述各部分遵循工艺用制程程序O总线116用于在各部分之间传递信息。接着，说明包括如上构成的热处理装置I的清洗方法的薄膜形成方法。本发明的薄膜形成方法具有在被处理体上形成薄膜的薄膜形成步骤和作为本发明的薄膜形成装置的清洗方法的对附着在薄膜形成装置的内部的附着物进行清洗的清洗步骤。在本实施方式中，以具有在半导体晶圆W上形成氮化硅膜的薄膜形成步骤和对由于薄膜形成步骤而附着在热处理装置I的内部的氮化硅进行去除(清洗)的清洗步骤的情况为例，参照图3所示的制程程序，说明本发明的薄膜形成装置的清洗方法及薄膜形成方法。另外，在以下的说明，构成热处理装置I的各部分的动作由控制部100(CPU115)控制。首先，说明薄膜形成步骤。首先，执行将作为被处理体的半导体晶圆W容纳(装载)在反应管2内的装载步骤。具体地说，在利用舟皿升降机128使盖体6下降的状态下，如图3中的(c)所示，从吹扫气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮，并且利用升温用加热器16将反应管2内设定为规定的装载温度。接着，将容纳有欲形成氮化硅膜的半导体晶圆W的晶圆舟皿11载置在盖体6(旋转台10)上。然后，利用舟皿升降机128使盖体6上升，将半导体晶圆W(晶圆舟皿11)装载在反应管2内(装载工序)。
接着，如图3中的(C)所示，从吹扫气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮，如图3中的(b)所示，将反应管2内设定为规定的压力、例如66. 5Pa(0. 5Torr)。另外，如图3中的(a)所示，利用升温用加热器16将反应管2内设定为规定的温度、例如600°C。然后，进行该减压及加热操作直到反应管2稳定在规定的压力及温度的状态(稳定化工序)。当反应管2内稳定在规定的压力及温度的状态时，停止从吹扫气体供给管18供给氮气。然后，从处理气体导入管17向反应管2内导入作为处理气体的规定量、例如O. Islm的六氯乙硅烷(Si2Cl6)和规定量、例如Islm的氨(NH3)。导入到反应管2内的六氯乙硅烷及氨利用反应管2内的热量发生热分解反应，在半导体晶圆W的表面上沉积氮化硅(Si3N4)15由此，在半导体晶圆W的表面上形成氮化硅膜(Si3N4膜)(成膜工序)。 当在半导体晶圆W的表面上形成有规定厚度的氮化硅膜后，停止从处理气体导入管17供给六氯乙硅烷及氨。另外，停止从吹扫气体供给管18供给氮。然后，排出反应管2内的气体，并且例如，如图3中的(c)所示,从吹扫气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮，将反应管2内的气体向反应管2外排出(吹扫、真空(Vacuum)工序)。另外，为了可靠地排出反应管2内的气体，优选重复进行多次反应管2内的气体的排出及氮气的供给。最后，从吹扫气体供给管18供给规定量的氮气，将反应管2内恢复为常压后，利用舟皿升降机128使盖体6下降，将晶圆舟皿11 (半导体晶圆W)从反应管2卸载(卸载工序)。当多次进行如上所述的薄膜形成步骤后，通过薄膜形成步骤生成的氮化硅不仅沉积(附着)在半导体晶圆W的表面，也会沉积(附着)在反应管2内、各种工具等上。因此，在进行规定次数的薄膜形成步骤后，进行去除已附着在热处理装置I的内部的氮化硅的清洗步骤。清洗步骤是通过向热处理装置I (反应管2)内供给含有氟素气体(F2)、氟化氢(HF)气体、氯气(Cl2)和作为稀释气体的氮气(N2)的清洁气体来进行的。以下，说明热处理装置I的清洗处理。首先，在利用舟皿升降机128使盖体6下降的状态下，如图3中的(C)所示，从吹扫气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮，并且利用升温用加热器16将反应管2内设定为规定的装载温度。接着，将未容纳有半导体晶圆W的晶圆舟皿11载置在盖体6 (旋转台10)上。然后，利用舟皿升降机128使盖体6上升，将晶圆舟皿11装载在反应管2内(装载工序)。接着，如图3中的(C)所示，从吹扫气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮，如图3中的(b)所示，将反应管2内设定为规定的压力、例如53200Pa(400Torr)。另外，如图3中的(a)所示，利用升温用加热器16将反应管2内设定为规定的温度、例如300°C。然后，进行该减压及加热操作直到反应管2稳定在规定的压力及温度的状态(稳定化工序)。在此，反应管2内的压力优选设为1330Pa 80000Pa(10Torr 600Torr)。其原因在于当反应管2内的压力比1330Pa低时，对氮化硅(附着物)进行蚀刻的蚀刻速率有可能降低，当反应管2内的压力比SOOOOPa高时，对石英进行蚀刻的蚀刻速率有可能增高而选择比降低。进一步优选将反应管2内的压力设为13300Pa 53200Pa(IOOTorr 400Torr)。反应管2内的温度优选设为200°C 600°C。当反应管2内的温度比200°C低时，对氮化硅(附着物)进行蚀刻的蚀刻速率有可能降低，当反应管2内的温度比600°C高时，对石英进行蚀刻的蚀刻速率有可能增高而选择比降低。进ー步优选将反应管2内的温度设为 250°C 400°C。当反应管2内稳定在规定的压カ及温度的状态后，停止从吹扫气体供给管18供给氮气。然后，作为清洁气体，从处理气体供给管17向反应管2内导入下述的气体规定量的、例如如图3中的(f)所示为2slm的氟素气体；规定量的、例如如图3中的(g)所示为O. Islm的氟化氢气体；规定量的、例如如图3中的(h)所示为O. Islm的氯气；规定量的、例如如图3中的(c)所示为8slm的氮气。被导入到反应管2内的清洁气体利用反应管2内的热量发生热分解反应，使清洁气体中的氟素气体活化，即，形成为具有很多具有反应性的自由原子的状态。而且，在清 洁气体中，由于含有氟化氢及氯气，因此促进了氟素气体的活化。然后，通过向反应管2内供给含有被活化了的氟素气体的清洁气体，清洁气体与附着在反应管2、排气ロ 4、排气管5等的内壁、晶圆舟皿11、保温筒7等各种工具的、即附着在热处理装置I的内部的氮化硅接触并蚀刻氮化硅。由此，附着在热处理装置I的内部的氮化硅被去除(清洗エ序)。当附着在热处理装置I的内部的氮化硅被去除时，停止从处理气体导入管17供给清洁气体。然后，排出反应管2内的气体，并且例如，如图3中的(c)所示,从吹扫气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮，将反应管2内的气体向反应管2外排出(吹扫、真空(Vacuum)エ序)。最后，从吹扫气体供给管18供给规定量的氮气，将反应管2内恢复为常压后，利用舟皿升降机128使盖体6下降，将晶圆舟皿11 (半导体晶圆W)从反应管2卸载(卸载エ序)。然后，通过将容纳有半导体晶圆W的晶圆舟皿11载置在盖体6上，再一次执行薄膜形成步骤，在热处理装置I的内部未附着有氮化硅的状态下，能够在半导体晶圆W上形成氮化娃膜。接着，为了确认本实施方式的效果，求得了清洁气体的蚀刻速率。在本例中，在晶圆舟皿11内容纳有由石英构成的试验片、由SiC构成的试验片和在石英片上形成3μπι的氮化硅膜的试验片这3种试验片，将晶圆舟皿11容纳在反应管2内后，向反应管2内供给清洁气体，对各试验片施加清洗处理，求得了对各试验片进行蚀刻的蚀刻速率。在实施例I中，与上述的实施方式的清洗步骤相同，使用由2slm的氟素气体、
O.Islm的氟化氢气体、O. Islm的氯气、8slm的氮气构成的清洁气体。在比较例I中，使用由2slm的氟素气体、8slm的氮气构成的清洁气体，在比较例2中，使用由2slm的氟素气体、
O.Islm的氟化氢气体、8slm的氮气构成的清洁气体。蚀刻速率是在清洁前后測量试样片的重量、根据因清洁所产生的重量变化而算出的。在该测量中，与上述的实施方式的清洗步骤相同，将反应管2内的温度设定为300°C，将反应管2内的压カ设定为53200Pa(400Torr)。结果在图4中表示。如图4所示，根据实施例I及比较例I能够确认通过使氟素气体含有氟化氢气体及氯气，不提高反应管2的温度就能够使对氮化硅进行蚀刻的蚀刻速率为9倍。另外，根据实施例I及比较例2能够确认通过使氟素气体及氟化氢气体含有氯气，不提高反应管2的温度就能够使对氮化硅进行蚀刻的蚀刻速率为3倍。这样，能够确认在去除热处理装置I的装置内部的附着物的薄膜形成装置的清洗中，通过使用含有氟素气体、氟化氢气体、氯气的清洁气体，能够较大地提高对氮化硅进行蚀刻的蚀刻速率。
如以上说明的那样，采用本实施方式，通过使用含有氟素气体、氟化氢气体、氯气的清洁气体作为清洁气体，能够较大地提高对氮化硅进行蚀刻的蚀刻速率另外，本发明并不限于上述实施方式，各种变形、应用均为可能。以下，说明能够应用于本发明的其他实施方式。在本实施方式中，以对附着在热处理装置I的内部的氮化硅进行去除的情况为例说明了本发明，但是附着在热处理装置I的内部的附着物并不限定为氮化硅，也可以是例如氧化硅、多晶硅、氧化钛、氧化钽、ニ氧化硅、锗化硅(s iGe)、BSTO (BaSrT i O3)、STO(SrTiO3)。另外，这样的附着物并不限定为反应生成物，也可以是反应副产物，例如氯化铵。在本实施方式中，以在清洁气体中含有作为稀释气体的氮气的情况为例说明了本发明，但是也可以在清洁气体中不含有稀释气体。但是，由于通过在清洁气体中含有稀释气体而易于设定清洗处理时间，因此优选在清洁气体中含有稀释气体。作为稀释气体，优选非 活性气体，除了氮气之外，例如，能够使用氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)。在本实施方式中，在清洗エ序中，以将反应管2内的温度设定为300°C、将压カ设定为53200Pa(400Torr)的情况为例说明了本发明，但是反应管2内的温度及压カ并不限定于此。另外，清洁(清洗步骤)的频度也可以是针对每隔数次的薄膜形成步骤而进行，但是也可以是针对每I次的薄膜形成步骤而进行。当针对每I次的薄膜形成步骤进行清洁时，能够进ー步延长由石英、SiC等构成的装置内部的材料的寿命。在上述实施方式中，作为薄膜形成装置，以单管结构的分批式立式热处理装置的情况为例说明了本发明，但是，本发明也能够应用于例如反应管2由内管与外管构成的双层管结构的分批式立式热处理装置。另外，本发明也能够应用于单张式热处理装置。另外，被处理体并不限定为半导体晶圆W，例如也能够应用于LCD用的玻璃基板等。本发明的实施方式中的控制部100不依赖于专用的系统，能够使用通常的计算机系统来实现。例如，在通用计算机中，从容纳有用于执行上述的处理的程序的存储介质(软盘、CD-ROM等)中安装该程序，就能够构成用于执行上述处理的控制部100。而且，用于供给上述的程序的方法是任意的。除了能够如上所述借助规定的存储介质来供给之外，也可以通过例如通信线路、通信网络、通信系统等来供给。在该情况下，例如也可以是在通信网络的公告栏(BBS)上公布该程序，借助网络将该程序叠加于传送波而提供。然后，通过启动这样被提供的程序，在OS的控制下，与其他的应用程序同样执行，能够执行上述的处理。本发明对于去除、清洗已附着在装置内部的附着物的薄膜形成装置的清洗是有用的。采用本发明，能够提高对附着在装置内部的附着物进行蚀刻的蚀刻速率。本发明基于2011年3月29日申请的日本专利特愿第2011-073590号的优先权的利益，该日本申请的全部内容在此作为參考文献编入到本说明书中。
权利要求
1.ー种薄膜形成装置的清洗方法，该清洗方法用于在向薄膜形成装置的反应室内供给处理气体而在被处理体上形成薄膜后去除已附着在装置内部的附着物，其中， 该薄膜形成装置的清洗方法具有清洗エ序，在清洗エ序中，通过向被加热至规定的温度的反应室内供给含有氟素气体、氟化氢气体、氯气的清洁气体，去除上述附着物来清洗薄膜形成装置的内部。
2.根据权利要求I所述的薄膜形成装置的清洗方法，其中， 在上述清洗エ序中，将上述清洁气体用稀释气体稀释，并将该稀释后的清洁气体供给至上述反应室内。
3.根据权利要求2所述的薄膜形成装置的清洗方法，其中， 上述稀释气体使用非活性气体。
4.根据权利要求I所述的薄膜形成装置的清洗方法，其中， 形成在上述被处理体上的薄膜是氮化硅膜， 在上述清洗エ序中，利用上述清洁气体去除因在上述被处理体上形成氮化硅膜而已附着在薄膜形成装置的内部的氮化硅。
5.ー种薄膜形成方法，其中， 该薄膜形成方法具有 在被处理体上形成薄膜的薄膜形成エ序； 利用权利要求I所述的薄膜形成装置的清洗方法去除已附着在装置内部的附着物来清洗薄膜形成装置的内部的エ序。
6.ー种薄膜形成装置，该薄膜形成装置是向容纳有被处理体的反应室内供给处理气体而在被处理体上形成薄膜的薄膜形成装置，其中， 该薄膜形成装置具有 将上述反应室内加热到规定的温度的加热部件； 向上述反应室内供给含有氟素气体、氟化氢气体、氯气的清洁气体的清洁气体供给部件； 控制薄膜形成装置的各部分的控制部件， 上述控制部件以如下方式控制上述清洁气体供给部件 在控制上述加热单元将反应室内加热至规定的温度的状态下，向该反应室内供给清洁气体且使该清洁气体活化，利用该活化了的清洁气体去除附着物，清洗薄膜形成装置的内部。
全文摘要
本发明提供一种薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法和薄膜形成装置，该薄膜形成装置的清洗方法用于在向薄膜形成装置的反应室内供给处理气体而在被处理体上形成薄膜后去除被附着在装置内部的附着物，其中，该薄膜形成装置的清洗方法具有清洗工序，在该清洗工序中，通过向被加热至规定的温度的反应室内供给含有氟素气体、氟化氢气体、氯气的清洁气体，去除上述附着物来清洗薄膜形成装置的内部。
文档编号C23C16/44GK102732855SQ201210088598
公开日2012年10月17日 申请日期2012年3月29日 优先权日2011年3月29日
发明者东条行雄, 冈田充弘, 多胡研治, 西村和晃 申请人:东京毅力科创株式会社