一种提高TiNiCrRE记忆合金超弹性的工艺方法

文档序号:3260413阅读:502来源:国知局
专利名称:一种提高TiNiCrRE记忆合金超弹性的工艺方法
技术领域
本发明属于形状记忆合金领域,特指一种提高TiNiCrRE记忆合金超弹性的工艺方法。
背景技术
TiNi基记忆合金以其优良的形状记忆效应、超弹性以及抗疲劳、耐腐蚀、生物相容性等一系列优点,在各个领域得到广泛的应用。近几年来人们致力于研究TiNi多元合金的形状记忆方面的性能也取得了极其有价值的研究成果。随着人们对记忆合金的研究开始逐渐深入,也开始对记忆合金超弹性做了一定的研究,经同一温度退火处理的不同变形量丝材,变形量越大,获得完全非线性超弹性的温度区域越宽,在相同拉伸温度下,其完全非线性超弹性应变量也越大。同一变形量的丝材经不同温度退火处理后,退火温度越高,获得完 全非线性超弹性的温度区间越窄,完全非线性超弹性应变量越小。但是在众多的研究中,涉及到TiNiCrRE形状记忆合金的研究很少。针对这一问题,本发明开发出一种提高TiNiCrRE记忆合金超弹性的工艺方法。经过查询,未见有相关专利发表。

发明内容
本发明开发出一种提高TiNiCrRE记忆合金超弹性的工艺方法,提高TiNiCrRE记忆合金的超弹性,使其更具有实际应用性。其特征为对TiNiCrRE记忆合金进行预变形,其成分为,Ti :41. 5 43. 7wt% ;Ni:55. I 57. 5wt% ; Cr :0. 4 0. 9wt% ;复合稀土 RE :0. 1-2 wt%。当预变形量为38. 6飞2. 7%时,合金马氏体变体的体积增大,合金会获得很好的超弹性。上述的预变形量中,当预变形量优选为51. 4%时,合金马氏体变体的体积明显增大,合金获得最好的超弹性。


图I 一图6不同预变形下的拉伸力-变形量关系曲线
其中图I为变形量为20. 9%的拉伸力-变形量关系曲线,图2为变形量为38. 6%时拉伸力-变形量关系曲线,图3为变形量为43. 6%时拉伸力-变形量关系曲线,图4为变形量为48. 6%时拉伸力-变形量关系曲线,图5为变形量为51. 4%时拉伸力-变形量关系曲线,图6为变形量为52. 7%时拉伸力-变形量关系曲线。由图I 一图6可见,在本发明所涉及的合金成分范围为内,当预变形量为51. 4%时,马氏体的位错达到饱和,NiTiCrRE记忆合金的超弹性已达到最好(图5)。图7—图12不同预变形量的显微组织(X400)
其中图7变形量为20. 9%的显微组织,图8变形量为38. 6%的显微组织,图9变形量为43. 6%的显微组织,图10变形量为48. 6%的显微组织,图11变形量为51. 4%的显微组织,图12变形量为52. 7%的显微组织。由图7 —图12可见,当预变形量增大后,马氏体变体的体积逐渐增大,马氏体变体的方向也随着变形量的增加而变的更加错乱,交织程度也越来越复杂,这说明,增加变形量能极大的引入位错。由于位错的增加而极大的提高了母相的强度,母相的强化可以显著提高丝的弹性,当预变形量增大到51. 4%时,马氏体变体的体积已达到最大值(图11)。
具体实施例方式实施例I :
选取成分为,Ni: 55. 7wt% ;Ti: 42. 3 wt% ;Cr: 0. 62 wt% ;RE:1. 38 wt% 的记忆合金丝材,按表I进行预变形,选用长度为12cm,直径为I. 20mm的NiTiCrRE形状记忆合金丝材,利用YJ — 450液压成型机上对其冷压变形。使用压力为5MPa — 20MPa (丝材在大于20Mpa的压力下会开裂)对记忆合金丝材进行预变形(压力与预变形量之间的关系通过公式
权利要求
1.一种提高TiNiCrRE记忆合金超弹性的エ艺方法,其特征为对TiNiCrRE记忆合金进行预变形,其成分为,Ti: 41. 5 43. 7wt% ;Ni: 55. Γ57. 5wt%, Cr: O. 4 O. 9wt%,复合稀土 RE :0. 1-2 wt% ;当预变形量为38. 6飞2. 7%时,合金马氏体变体的体积增大,合金会获得很好的超弾性。
2.根据权利要求I所述ー种提高TiNiCrRE记忆合金超弹性的エ艺方法,当预变形量优选为51. 4%时,合金马氏体变体的体积明显増大,合金获得最好的超弾性。
全文摘要
一种提高TiNiCrRE记忆合金超弹性的工艺方法,属于形状记忆合金领域,其特征为对TiNiCrRE记忆合金进行预变形,其成分为,Ti:41.5~43.7wt%;Ni:55.1~57.5wt%;Cr:0.4~0.9wt%;复合稀土RE0.1-2wt%。当预变形量为38.6~52.7%时,合金马氏体变体的体积增大,合金会获得很好的超弹性。
文档编号C22F1/10GK102776456SQ20121030480
公开日2012年11月14日 申请日期2012年8月25日 优先权日2012年8月25日
发明者刘光磊, 司松海, 张志敏, 李晓薇, 杨嵩, 陆松华, 齐克尧 申请人:镇江忆诺唯记忆合金有限公司
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