专利名称：镀金属石墨的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种镀金属石墨，属于石墨材料技术领域。
背景技术：
随着现代化科技的发展，尤其是电子工业和信息技术的飞速发展，对具有导电性能的高分子材料的需求与日俱增，而复合型导电聚合物是指以高分子聚合物作为集体，力口入相当数量的导电物质复合而成，兼具有高分子材料的加工性与金属材料的导电性，能在较大范围内调节电学和力学性能，而石墨以其具有良好的润滑性、耐磨性被作为理想的填充材料。然而石墨本身易碎，同时纵向传热性能较差，需要通过添加金属进行复合改良。现有的石墨镀金属一般采用的化学电镀的方法，技术较为成熟，电镀效果较好，但是会造成严重的污染。
发明内容本实用新型提出了一种镀金属石墨，用以解决石墨易碎，纵向传热性差的问题。为实现这一目的，本实用新型所采用的结构是:一种镀金属石墨，包括石墨层和金属层，金属层通过真空镀设于石墨层表面。所述金属层为铜片层或镍片层或锡片层或银片层或铝片层或钛片层或锌片层。所述金属层的厚度为0.05 μ m_2 μ m。所述石墨层的厚度大于或等于0.01mm。其有益效果是:金属层可有效得改良石墨易碎、纵向传热性能差的问题，同时，金属层通过真空镀设于石墨层表 面，可大大减少了化学电镀造成的工业污染。
本实用新型将通过例子并参照附图的方式说明，其中:图1是本实用新型剖视结构图。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。如图1所示，本实用新型提出了一种镀金属石墨，包括石墨层I和金属层2，石墨层I的厚度大于或等于0.0lm,金属层2的厚度在0.05 μ m_2 μ m之间。金属层2通过真空镀设于石墨层I表面，真空镀包括有物理气相沉积法和化学气相沉积法，有效地减少了由化学电镀法造成的工业污染，利于节能环保。金属层2有效地解决了石墨层I易碎切纵向传热性差的问题，金属层2为铜片层或镍片层或锡片层或银片层或铝片层或钛片层或锌片层。本实用新型并不局限于前述的具体实施方式
。本实用新型扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组
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权利要求1.一种镀金属石墨，其特征在于:包括石墨层(I)和金属层(2)，金属层(2)通过真空镀设于石墨层(I)表面，所述金属层(2)的厚度为0.05 μ m-2 μ m。
2.根据权利要求1所述的镀金属石墨，其特征在于:所述金属层(2)为铜片层或镍片层或锡片层或银片层或铝片层或钛片层或锌片层。
3.根据权利要求1所述的镀金属石墨，其特征在于:所述石墨层(I)的厚度大于或等于.0.0lmnin
专利摘要本实用新型公开了一种镀金属石墨，包括石墨层和金属层，所述金属层的厚度为0.05μm-2μm，金属层通过真空镀设于石墨层表面，金属层可有效得改良石墨易碎、纵向传热性能差的问题，同时真空镀大大减少了化学电镀造成的工业污染。
文档编号C23C14/22GK203032019SQ20122054492
公开日2013年7月3日 申请日期2012年10月23日 优先权日2012年10月23日
发明者邓联文, 徐丽梅 申请人:昆山汉品电子有限公司