包括在硬质材料晶粒之间的间隙中的金属合金组合物的多晶复合片，包括这种多晶复合 ...的制作方法
【专利摘要】一种多晶复合片，其包含：包含硬质材料的多个相互键合的晶粒的多晶材料，和位于硬质材料的相互键合的晶粒之间的间隙中的金属材料。至少一部分该金属材料包含金属合金，其包含两种或更多种元素。该两种或更多种元素的第一元素包括钴、铁和镍的至少一种。该两种或更多种元素的第二元素包括镝、钇、铽、钆、锗、钐、钕和镨的至少一种。该金属合金可以包括共晶或者近共晶组合物，并且可以具有相对低的熔点。一种切割元件和一种钻地工具，其包括这种多晶复合片。一种方法，其包括形成这种多晶复合片、切割元件和钻地工具。
【专利说明】包括在硬质材料晶粒之间的间隙中的金属合金组合物的多晶复合片，包括这种多晶复合片的切割元件和钻地工具，和相关方法
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求2011年2月17日提交的、名称为“包括在硬质材料晶粒之间的间隙中的金属合金组合物的多晶复合片，包括这样的多晶复合片的切割元件和钻地工具，和相关方法”的美国专利申请序列号13/029，930的提交日权益。
【技术领域】
[0003]本发明总体上涉及多晶复合片，其可以例如作为切割元件用于钻地工具，和涉及形成这种多晶复合片、切割元件和钻地工具的方法。
[0004]发明背景
[0005]用于在地下地层的形成井筒的钻地工具通常包括多个固定在工具体上的切割元件。例如，固定刀具的钻地旋转钻头(也称作“刮刀钻头”)包括多个切割元件，其固定连接到钻头的钻头体上。类似地，牙轮钻地旋转钻头会包括牙轮，其安装到从钻头体的支架延伸的轴承销上，以使得每个牙轮能够绕它所安装到的轴承销旋转。多个切割元件可以安装到钻头的每个牙轮上。换句话说，钻地工具经常包括切割元件所连接到的体(例如钻头体或者牙轮)。
[0006]在这种钻地工具中所用的切割元件经常包括多晶金刚石复合片(经常称作“roc”)，其一个或多个表面可以充当切割元件的切割面。多晶金刚石材料是包括金刚石材料的相互键合的晶粒或者晶体的材料。换句话说，多晶金刚石材料包括在金刚石材料的晶粒或者晶体之间的直接的晶粒间键。术语“晶粒”和“晶体”在这里是同义和可互换使用的。
[0007]多晶金刚石复合片切割元件典型的是在催化剂(例如钴、铁、镍或者它们的合金和混合物)存在下，在高温和高压条件下将相对小的金刚石晶粒烧结和结合在一起以形成多晶金刚石材料在切割元件基底上的层(例如复合片或者“台”)而形成的。这些处理经常称作高温/高压(HTHP)处理。这种切割元件基底可以包含金属陶瓷材料(即，陶瓷-金属复合材料)，例如钴烧结碳化钨。在这样的情况中，切割元件基底中的钴(或其他催化剂材料)可以在烧结过程中进入金刚石晶粒中，并且充当催化剂材料，用于由金刚石晶粒形成晶粒间的金刚石-金刚石键，和形成金刚石台。在其他方法中，粉末状的催化剂材料在将晶粒在HTHP处理中烧结到一起之前可以与金刚石晶粒相混合。
[0008]通过使用HTHP处理形成金刚石台，催化剂材料可以保持在所形成的多晶金刚石复合片中的金刚石晶粒之间的间隙中。金刚石台中催化剂材料的存在会导致当切割元件在使用过程中受热时金刚石台中的热损伤，这归因于在切割元件和地层之间的接触点处的摩擦。
[0009]虽然切割元件中的内应力在超过约三百五十摄氏度(350°C )的温度时会开始形成，但多晶金刚石复合片切割元件(在其中催化剂材料保持在该多晶金刚石复合片中)通常在高到约七百五十摄氏度(750°C)的温度是热稳定的。这种内应力至少部分归因于金刚石台和它所结合到的切割元件基底之间的热膨胀率的差异。这种热膨胀率差异会在金刚石台和基底之间的界面处产生相当大的压应力和张应力，并且会导致金刚石台从基底上脱层。在约七百五十摄氏度(750°C )和更高的温度，由于金刚石台中金刚石材料和催化剂材料之间热膨胀系数的差异，金刚石台本身中的应力会明显增加。例如，钴热膨胀明显快于金刚石，这会导致金刚石台中裂纹形成和蔓延，最终导致金刚石台劣化和切割元件失效。
[0010]此外，在处于或高于约七百五十摄氏度(750°C )的温度，多晶金刚石复合片中的一些金刚石晶体会与催化剂材料反应，导致金刚石晶体经历化学损坏或者转化回碳的另一种同素异形体或者另一碳基材料。例如，该金刚石晶体可以在金刚石晶体边界处石墨化，其会明显削弱该金刚石台。另外，在极高的温度，除了石墨，一些金刚石晶体也会转化成一氧化碳和二氧化碳。
[0011]为了减少与多晶金刚石复合片切割元件中的热膨胀差异和金刚石晶体的化学损坏有关的问题，已经开发了所谓的“热稳定的”多晶金刚石复合片(其也称作热稳定的产物或者“TSP”)。这种热稳定的多晶金刚石复合片可以通过使用例如酸或者酸的组合(例如王水)，将催化剂材料(例如钴)从金刚石台中相互键合的金刚石晶体之间的间隙中浸提出来而形成。全部的催化剂材料可以从金刚石台中除去，或者催化剂材料可以仅从金刚石台的一部分中除去。已经报道了热稳定的多晶金刚石复合片(在其中基本上全部的催化剂材料已经从金刚石台中浸提出去)在高到约一千二百摄氏度(1200°C)的温度是热稳定的。但是，也报道了与非浸提的金刚石台相比，这种完全浸提的金刚石台相对更脆和易受到剪应力、压应力和张应力损坏。另外，难以将完全浸提的金刚石台固定到载体基底上。对于与非浸提的多晶金刚石复合片相比更加热稳定，而与完全浸提的金刚石台相比也不那么脆和易受到剪切、压缩和张应力损坏的的多晶金刚石复合片而言，在提供具有这种多晶金刚石复合片的切割元件的努力中，已经提供了包括金刚石台的切割元件，其中催化剂材料已经从该金刚石台的一个或多个部分中浸提。例如，已知的是从切割面、从金刚石台侧或者从二者到该金刚石台内所需深度浸提催化剂材料，但是不从金刚石台中浸提全部的催化剂材料。
【发明内容】
[0012]在一些实施方案中，本发明包括多晶复合片。该多晶复合片包含:包含硬质材料的多个相互键合的晶粒的多晶材料，和位于硬质材料的相互键合的晶粒之间的间隙中的金属材料。至少一部分该金属材料包含金属合金，其包含两种或更多种元素。该两种或更多种元素的第一元素包括钴、铁和镍的至少一种。该两种或更多种元素的第二元素包括镝、钇、铽、钆、锗、钐、钕和镨的至少一种。该金属合金可以具有约七百五十摄氏度(750°C )或更低的溶融温度。
[0013]多晶复合片的另一实施方案包含:包含硬质材料的多个相互键合的晶粒的多晶材料，和位于硬质材料的相互键合的晶粒之间的间隙中的金属材料。至少一部分该金属材料包含具有至少两种元素的近共晶组合物的金属合金。该至少两种元素的第一元素包括钴、铁和镍的至少一种。该至少两种元素的第二元素包括镝、钇、铽、钆、锗、钐、钕和镨的至少一种。
[0014]本发明另外的实施方案包括切割元件，其包括切割元件基底和连接到该切割元件基底的多晶复合片。该多晶复合片包含:包含硬质材料的多个相互键合的晶粒的多晶材料，和位于硬质材料的相互键合的晶粒之间的间隙中的金属材料。至少一部分该金属材料包含金属合金，其包含两种或更多种元素。该两种或更多种元素的第一元素包括钴、铁和镍的至少一种。该两种或更多种元素的第二元素包括镝、钇、铽、钆、锗、钐、钕和镨的至少一种。该金属合金可以具有约七百五十摄氏度(750°C )或更低的熔融温度。
[0015]切割元件另外的实施方案包括切割元件基底和连接到该切割元件基底的多晶复合片。该多晶复合片包含:包含硬质材料的多个相互键合的晶粒的多晶材料，和位于硬质材料的相互键合的晶粒之间的间隙中的金属材料。至少一部分该金属材料包含金属合金，其具有至少两种元素的近共晶组合物。该至少两种元素的第一元素包括钴、铁和镍的至少一种。该至少两种元素的第二元素包括镝、钇、铽、钆、锗、钐、钕和镨的至少一种。
[0016]本发明另外的实施方案包括钻地工具，其包括此处所述的包括多晶复合片的切割元件。例如，本发明的钻地工具可以包括工具体和连接到该工具体上的至少一个切割元件。该至少一个切割元件包括多晶复合片，其包含:包含硬质材料的多个相互键合的晶粒的多晶材料，和位于硬质材料的相互键合的晶粒之间的间隙中的金属材料。至少一部分该金属材料包含金属合金。该金属合金包含两种或更多种元素。该两种或更多种元素的第一元素包括钴、铁和镍的至少一种。该两种或更多种元素的第二元素包括镝、钇、铽、钆、锗、钐、钕和镨的至少一种。
[0017]在另外的实施方案中，本发明包括制作此处所述的多晶复合片的方法。可以形成未烧结的复合片预制件，其包含硬质材料的多个晶粒。该复合片预制件可以在用于催化在硬质材料的多个晶粒的硬质材料晶粒之间形成晶粒间键的催化剂材料存在下进行烧结。烧结该复合片预制件可以包括通过将硬质材料的多个晶粒结合在一起，以形成包含硬质材料的相互键合的晶粒的多晶材料。可以在硬质材料的相互键合的晶粒之间的至少一些间隙中提供金属合金。该金属合金可以配制以包含至少两种元素。该至少两种元素的第一元素可以选自钴、铁和镍。该至少两种元素的第二元素可以选自镝、钇、铽、钆、锗、钐、钕和镨。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]虽然说明书结束于具体指出和明确主张何为本发明实施方案的权利要求书，但是当结合附图来阅读时，可以从下面对本发明实施方案的说明中更容易地确定本发明实施方案的不同特征和优点，附图中:
[0019]图1是一个部分截断透视图，其表示了包含本发明的多晶复合片的切割元件的一个实施方案，其包括两个区域，在所述区域内硬质材料的相互键合的晶粒之间的间隙中具有不同组成的材料；
[0020]图2是图1所示的切割元件的横截面侧视图；
[0021]图3是一个简化的图，其表示了在放大倍率下图1和2的多晶复合片的微观结构表现；
[0022]图4A是类似于图2那样的横截面侧视图，并且表示了切割元件的另一实施方案，该切割元件包括具有两个区域的多晶复合片，所述区域中具有不同的空隙材料；
[0023]图4B是图4A所述切割元件沿着其中所示的截线4B-4B所取的横截面图；
[0024]图5是组件简化的横截面侧视图，其能够用于本发明方法的实施方案中，其可以用于制作此处所述的切割元件，例如图1和2所示的切割元件；
[0025]图6是切割元件简化的横截面侧视图，该切割元件具有部分浸入到熔融金属材料中的多晶复合片，并且用于描述本发明方法的实施方案，其能够用于制作切割元件，例如图1和2所示的切割元件；
[0026]图7是位于切割元件的多晶复合片上的金属材料简化的横截面侧视图，并且用于描述本发明方法另外的实施方案，其可以用于制作切割元件，例如图1和2所示的切割元件；和
[0027]图8是固定刀具钻地旋转钻头的一个实施方案的透视图，所述钻头包括如图1和2所示的多个多晶复合片。
【具体实施方式】
[0028]这里所提出的图示并不表示任何具体的多晶复合片、多晶材料的微观结构或者钻地工具的实际视图，并且不是按照比例绘制的，而仅仅是理想化的表示，其用于描述本发明的实施方案。此外，图之间共同的元件能够保持相同的附图标记。
[0029]术语“多晶材料”表示和包括任何这样的材料，其包含通过晶粒间键直接结合到一起的材料的多个晶粒(即晶体)。该材料的单个晶粒的晶体结构可以在多晶材料的空间内无规定向。
[0030]作为此处使用的，术语“晶粒间键”表示和包括在材料相邻晶粒中的原子之间的任何直接原子键(例如共价键、金属键等)。
[0031]作为此处使用的，术语“近共晶组合物”表示两种或更多种元素的组合物，其中组合物中每个元素的原子百分比处于两种或更多种元素的共晶组合物中的元素的原子百分比的7原子％(7at%)内。两种或更多种元素的近共晶组合物包括和包含两种或更多种元素的共晶组合物。换句话说，共晶组合物是近共晶组合物的子集。
[0032]图1和2是简化的图，表示了切割元件10的一个实施方案，其包括结合到切割元件基底14上的多晶复合片12。多晶复合片12包括硬质多晶材料16的台或者层，其提供在载体切割元件基底14的表面上(例如，形成于或者固定于其上)。切割元件基底14可以包含金属陶瓷材料，例如钴烧结碳化钨。
[0033]硬质多晶材料16包含硬质材料的多个相互键合的晶粒。在一些实施方案中，硬质材料包括金刚石。换句话说，在一些实施方案中，硬质多晶材料16可以包括多晶金刚石。在其他实施方案中，硬质多晶材料16可以包括多晶立方体氮化硼。
[0034]简单地参见图3，如下面进一步详细讨论的，金属材料50 (图3中的阴影黑色)位于多晶复合片12的至少一部分硬质多晶材料16中的硬质材料的相互键合的晶粒30、32之间的间隙中。此外，至少一部分金属材料50包含金属合金，该金属合金包含两种或更多种元素。金属合金的两种或更多种元素的一种元素包括钴、铁和镍的一种或多种。金属合金的两种或更多种元素的另一元素包括镝、钇、铽、钆、锗、钐、钕和镨的至少一种。
[0035]再次参见图1和2，如下面进一步详细讨论的，在一些实施方案中，多晶复合片12可以包括多个区域，其中具有不同组成的金属材料50(图3)。如图1和2所示，作为非限定性的例子，多晶复合片12可以包括第一区域20和第二区域22。第二区域22可以与第一区域20相邻布置，并且可以直接连接到和与第一区域20整体形成。在一些实施方案中，在第一区域20和第二区域22之间可以存在着可识别的边界或者界面24。例如，当在放大下观察时或者以另外的方式分析时(例如，使用现有技术中已知的化学或者微结构分析装置和技术)，可以识别硬质多晶复合片12的微观结构中的第一区域20和第二区域22之间的边界或界面24。但是在其他实施方案中，位于硬质材料的相互键合的晶粒30、32之间的间隙中的金属材料50的组成(图3)可以以连续或者逐步的方式沿着多晶复合片12变化，以使得在硬质多晶复合片12的微观结构中的第一区域20和第二区域22之间不存在离散的、可识别的边界或者界面24。在该实施方案中，可以识别和限定多晶复合片12内的区域，其中该多晶复合片具有不同平均组成的金属材料50(图3)。
[0036]当切割元件10用于切割地层材料时，第一区域20和第二区域22可以具有一定尺寸和进行一定配置，以使得硬质多晶材料16表现出所需的物理性能，例如耐磨性、断裂韧性和热稳定性。例如，当切割元件10用于切割地层材料时，第一区域20和第二区域22可以选择性地具有一定尺寸和进行一定配置，以提高(例如优化)硬质多晶材料16的耐磨性、断裂韧性和热稳定性的一种或多种。
[0037]图3是一个放大图，表示了在放大下多晶复合片12的第一区域20和第二区域22中的硬质多晶材料16的微观结构表现。如其中所示的，多晶复合片12包含硬质多晶材料16的多个交替散布的和相互键合的晶粒。在一些实施方案中，硬质多晶材料16的相互键合的晶粒可以具有单峰粒度分布。但是，如图3所示，在其他实施方案中，硬质多晶材料16的这些相互键合的晶粒可以具有多峰(例如双峰、三峰等)粒度分布。例如，如图3所示，硬质多晶材料16可以包括具有第一平均粒度的硬质材料的第一多个晶粒30，和具有不同于第一多个晶粒的第一平均粒度的第二平均粒度的硬质材料的至少第二多个晶粒32。第二多个晶粒32可以小于第一多个晶粒30。虽然图3表示了第二多个晶粒32平均小于第一多个晶粒30，但是该图不是按比例绘制的，并且为了示意的目的而进行了简化。在一些实施方案中，第一多个晶粒30和第二多个晶粒32的平均尺寸间的差异会大于或者小于图3所示的平均粒度中的差异。在一些实施方案中，第二多个晶粒32可以包含平均粒度是约五百纳米(500nm)或更低的纳米晶粒。
[0038]硬质材料的晶粒30、32可以交替散布和相互键合以形成硬质多晶材料16。换句话说，在其中硬质多晶材料16包含多晶金刚石的实施方案中，较大的晶粒30和较小的晶粒32可以混合在一起和通过晶粒间金刚石-金刚石键而彼此直接结合。
[0039]继续参见图3，作为非限定性的例子，第一多个晶粒30的第一平均粒度可以是至少约五微米(5μπι)，和第二多个晶粒32的第二平均粒度可以是约I微米(Ιμπι)或更低。在一些实施方案中，第二多个晶粒32的第二平均粒度可以是约五百纳米(500nm)或更低，约二百纳米(200nm)或更低，或者甚至约一百五十纳米(150nm)或更低。在一些实施方案中，第一多个晶粒30的第一平均粒度可以是约五微米(5μπι)至约四十微米(40μπι)，和第二多个晶粒32的第二平均粒度可以是约五百纳米(500nm)或更低(例如，约六纳米(6nm)至约一百五十纳米(150nm))。在一些实施方案中，相比于第二多个晶粒32的第二平均粒度，第一多个晶粒30的第一平均粒度可以是至少约五十(50)倍以上，至少约一百(100)倍以上，或者甚至至少约一百五十(150)倍以上。
[0040]硬质多晶材料16的第一区域20中的第一多个晶粒30和硬质多晶材料16的第二区域22中的第二多个晶粒32可以具有相同的平均粒度和粒度分布。在另外的实施方案中，它们可以具有不同的平均粒度和/或粒度分布。
[0041 ] 如现有技术中已知的，微观结构中晶粒的平均粒度可以通过放大测量微观结构的晶粒来测定。例如，扫描电镜(SEM)、场发射扫描电镜(FESEM)或者透射电镜(TEM)可以用于观察或者成像硬质多晶材料16的表面(例如，硬质多晶材料16的抛光和蚀刻表面)。经常使用具有这些显微工具的市售视觉系统或者图像分析软件，并且这些视觉系统能够测量微观结构内晶粒的平均粒度。
[0042]在一些实施方案中，硬质材料的晶粒30、32可以占多晶复合片12体积的约百分之八十(80%)至约百分之九十九(99%)。金属材料50可以占多晶复合片12体积的约百分之一 (1%)至约百分之二十(20%)。在一些实施方案中，金属材料50可以至少基本上占据没有被硬质材料的晶粒30、32所占据的多晶复合片12的剩余体积。
[0043]继续参见图3，金属材料50位于硬质材料的相互键合的晶粒30、32之间的间隙中。如前所述，至少一部分金属材料50包含金属合金,该金属合金包含两种或更多种兀素。金属合金的两种或更多种元素的一种元素包括钴、铁和镍的一种或多种。金属合金的两种或更多种元素的另一种元素包括镝、钇、铽、钆、锗、钐、钕和镨的至少一种。
[0044]可以配制这种金属合金，以使得它们的熔融温度接近或者低于约七百五十摄氏度(750°C )的温度，在该温度及其附近，该硬质多晶材料会降解。如前所述，例如，已知的是在铁、镍或钴金属催化剂材料存在下，金刚石在约七百五十摄氏度(750°C)的温度会经历化学损坏或者转化回碳的另一种同素异形体或者另一种碳基材料。
[0045]因此，通过使至少一部分金属材料50包含金属合金，该金属合金具有熔融温度为约七百五十摄氏度(750°C)或更低的组成，则金属材料50的该部分会熔融和从多晶复合片12中除去(在钻地过程中使用该硬质多晶材料16切割或者以其他方式除去地层材料之前或者期间)，而不以任何明显的方式对硬质多晶材料16产生不利的影响。
[0046]在一些实施方案中，至少约5重量％(5wt%)或更多的金属合金可以包括镝、钇、铽、钆、锗、钐、钕和镨的一种或多种。更具体地，至少约五十重量％(50wt%)或更多、或者甚至约六十重量％(60wt%)或更多的金属合金可以包括镝、钇、铽、钆、锗、钐、钕和镨的一种或多种。
[0047]据信元素镝、钇、铽、钆、锗、钐、钕和镨中的每种与钴、铁和镍的至少一种形成至少一种共晶组合物。在一些实施方案中，金属合金可以包括近共晶组合物。在一些实施方案中，金属合金可以包括共晶组合物。此外，共晶组合物可以包括二元共晶组合物、三元共晶组合物和四元共晶组合物。
[0048]作为非限定性的例子，下表I列出了钴与镝、钇、铽、钆、锗、钐、钕和镨中每种的二元共晶组合物。
[0049]
【权利要求】
1.一种切割元件，其包括: 切割元件基底；和 结合到切割元件基底上的多晶复合片，该多晶复合片包含: 包含硬质材料的多个相互键合的晶粒的多晶材料；和 位于硬质材料的相互键合的晶粒之间的间隙中的金属材料，至少一部分该金属材料包含熔融温度是约七百五十摄氏度(750°c)或更低的金属合金，该金属合金包含两种或更多种元素，该两种或更多种元素的第一元素包括钴、铁和镍的至少一种，该两种或更多种元素的第二元素包括镝、乾、铺、礼、锗、衫、钕和镨的至少一种。
2.权利要求1的切割元件，其中镝、乾、铺、礼、锗、衫、钕和镨的至少一种占金属合金的至少约5重量％(5wt%)或更多。
3.权利要求1或2的切割元件，其中该金属合金是共晶组合物。
4.权利要求1或2的切割元件，其中该金属合金包括近共晶组合物。
5.权利要求4的切割元件，其中该近共晶组合物包括如下的至少一种:钴和镝的近共晶组合物、钴和钇的近共晶组合物、钴和铽的近共晶组合物、钴和钆的近共晶组合物、钴和锗的近共晶组合物、钴和钐的近共晶组合物、钴和钕的近共晶组合物以及钴和镨的近共晶组合物。
6.权利要求4的切割元件，其中该近共晶组合物包括如下的至少一种:铁和镝的近共晶组合物、铁和钇的近共晶组合物、铁和铽的近共晶组合物、铁和钆的近共晶组合物、铁和锗的近共晶组合物、铁和 钐的近共晶组合物、铁和钕的近共晶组合物以及铁和镨的近共晶组合物。
7.权利要求4的切割元件，其中该近共晶组合物包括如下的至少一种:镍和镝的近共晶组合物、镍和钇的近共晶组合物、镍和铽的近共晶组合物、镍和钆的近共晶组合物、镍和锗的近共晶组合物、镍和钐的近共晶组合物、镍和钕的近共晶组合物以及镍和镨的近共晶组合物。
8.权利要求1或2的切割元件，其中该金属合金的熔融温度是约三百摄氏度(300°C)或更闻。
9.权利要求8的切割元件，其中该金属合金的熔融温度是约五百五十摄氏度(550°C)至约六百五十摄氏度(650°C)。
10.权利要求1或2的切割元件，其中该金属材料占该多晶复合片的约I体积％(lvol%)至约20体积%(20vol%)。
11.权利要求1的切割元件，其中该金属材料不位于硬质材料的相互键合的晶粒之间的一部分间隙中，硬质材料的相互键合的晶粒之间的该部分间隙包括硬质材料的相互键合的晶粒之间的空隙。
12.权利要求1、2和11中任一项的切割元件，其中该硬质材料包括金刚石。
13.—种钻地工具，其包括: 工具体；和 连接到该工具体的权利要求1、2和11中任一项的至少一个切割元件。
14.一种形成多晶复合片的方法，其包括: 形成包含硬质材料的多个晶粒的未烧结的复合片预制件；在用于催化在硬质材料的多个晶粒的硬质材料的晶粒之间形成晶粒间键的催化剂材料存在下，烧结该复合片预制件，烧结该复合片预制件包括通过将硬质材料的多个晶粒结合在一起，以形成包含硬质材料的相互键合的晶粒的多晶材料；和 在硬质材料的相互键合的晶粒之间的至少一些间隙中提供金属合金；和 配制该金属合金以包含至少两种元素； 从钴、铁和镍中选择该至少两种元素的第一元素；和 从镝、钇、铺、礼、锗、衫、钕和镨中选择该至少两种元素的第二元素。
15.权利要求14的方法，其进一步包括配制该金属合金以包含近共晶组合物。
16.权利要求14的方法，其进一步包括配制该金属合金以包含共晶组合物。
17.权利要求14或16的方法，其进一步包括配制该金属合金以具有约七百五十摄氏度(750°C )或更低的熔融温度。
18.权利要求17的方法，其进一步包括配制该金属合金以具有约五百五十摄氏度(550°C )至约六百五十摄氏度(650°C )的熔融温度。
19.权利要求14或16的方法，其进一步包括使该金属合金占该多晶复合片的约I体积 %(lvol%)至约 20 体积 %(20νο1%) ο
20.权利要求14或16的方法，其进一步包括: 在该多晶材料的第一区域中提供该金属合金；和 形成该多晶材料的第二区域以至少`基本上没有该金属合金。
【文档编号】B24D3/10GK103459750SQ201280015621
【公开日】2013年12月18日 申请日期:2012年2月15日 优先权日:2011年2月17日
【发明者】A·A·迪乔瓦尼 申请人:贝克休斯公司