本发明涉及PVD装饰镀膜技术领域，特别地，涉及一种不锈钢AF涂层工艺。
背景技术：
传统PVD涂层不具备防水、防指纹的效果，通过人工手动喷AF油的方法，能够起到很好的防水、防指纹效果，由于喷油的方法涂层太厚（10-15um），改变了货品的外观，导致外观沙哑，人工成本非常高，成品率低。本发明所述的AF涂层，PVD后在其表面沉积AF涂层，起到防水防指纹，去除污渍方便的效果，提高了装饰涂层的实用性。
技术实现要素：
本发明目的在于提供一种不锈钢AF（AF：Anti fingerprint，防指纹）涂层工艺，以解决技术问题。
一种不锈钢AF涂层工艺，包括以下步骤：
步骤一：将不锈钢基材先在磁控溅射设备上用磁控溅射的方法沉积PVD涂层；
步骤二：用AF镀膜机进行辉光清洗；
步骤三：沉积氧化铝和二氧化硅，形成过渡层；
步骤四：沉积AF膜；
步骤五：冷却出炉。
优选的，所述的沉积PVD涂层的参数如下：时间为3-5小时；真空度为0.5Pa；气体采用氩气和乙炔，氩气的体积流量为100sccm，乙炔的体积流量为100-1000sccm；偏压为80-150V；光栅为85度。
优选的，所述的步骤一的操作流程为：抽真空到5*10-3Pa，冲入氩气100sccm，真空度上升到0.5Pa，启动偏压电源，设定偏压为80-150V，靶功率为10-20KW，冲入乙炔100-1000sccm，时长3-5小时。
优选的，所述的辉光清洗的参数如下：时间为3-10分钟；真空度为2.1Pa；气体采用氩气，体积流量为1000sccm；偏压功率为1KW；光栅为85度。
优选的，所述的步骤二的操作流程为：关高阀1，进入镀膜系统，冲入氩气1000sccm，启动偏压电源，设定偏压功率为1KW，时长3-10分钟。
优选的，所述的沉积氧化铝的参数为：时间为3-10分钟；真空度为0.41Pa；气体采用氩气和氧气，氩气的体积流量为60sccm，氧气的体积流量为330sccm；光栅为85度。
优选的，所述的沉积氧化铝的步骤为：开高阀1，冲入氩气60sccm，氧气330sccm，开铝靶机电源，设定靶电源功率为0.5-2KW，时长3-10分钟。
优选的，所述的沉积二氧化硅的参数为：时间为1-5分钟；真空度为0.41Pa；气体采用氩气和氧气，氩气的体积流量为60sccm，氧气的体积流量为330sccm；光栅为85度。
优选的，所述的沉积二氧化硅的步骤为：开高阀1，冲入氩气60sccm，氧气330sccm，开硅靶机电源，设定靶电源功率为0.5-2KW，时长1-5分钟。
优选的，所述的沉积AF膜的参数为：时间为10-20分钟；真空度为7*10-3Pa以下；不充气；光栅为0度。
优选的，所述的沉积AF膜的步骤为：调整光栅角度为0度，设定蒸发电源电压为1-5V，时长为10-20分钟。
本发明具有以下有益效果：本发明的不锈钢AF涂层工艺，采用PVD、辉光清洗、氧化铝沉积、二氧化硅沉积和AF透明膜沉积的步骤进行，在PVD镀层表面上形成防止污染和指纹的镀膜层，具有防止水和油的浸透，拨水拨油层保护产品的作用，除污染方便；表面光滑，不改变PVD后的原色，人工成本是原工艺的十分之一。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将对本发明作进一步详细的说明。
具体实施方式
以下对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
实施例1
一种不锈钢AF涂层工艺，包括以下步骤：
步骤一：将不锈钢基材先在磁控溅射设备上用磁控溅射的方法沉积PVD涂层；
步骤二：用AF镀膜机进行辉光清洗；
步骤三：沉积氧化铝和二氧化硅，形成过渡层；
步骤四：沉积AF膜；
步骤五：冷却出炉。
所述的沉积PVD涂层的参数如下：时间为4小时；真空度为0.5Pa；气体采用氩气和乙炔，氩气的体积流量为100sccm，乙炔的体积流量为100-1000sccm；偏压为120V；光栅为85度。
所述的PVD涂层为TiC涂层。
所述的步骤一的操作流程为：抽真空到5*10-3Pa，冲入氩气100sccm，真空度上升到0.5Pa，启动偏压电源，设定偏压为120V，靶功率为15KW，冲入乙炔100-1000sccm，时长4小时。
所述的辉光清洗的参数如下：时间为7分钟；真空度为2.1Pa；气体采用氩气，体积流量为1000sccm；偏压功率为1KW；光栅为85度。
所述的步骤二的操作流程为：关高阀1，进入镀膜系统，冲入氩气1000sccm，启动偏压电源，设定偏压功率为1KW，时长7分钟。
所述的沉积氧化铝的参数为：时间为7分钟；真空度为0.41Pa；气体采用氩气和氧气，氩气的体积流量为60sccm，氧气的体积流量为330sccm；光栅为85度。
所述的沉积氧化铝的步骤为：开高阀1，冲入氩气60sccm，氧气330sccm，开铝靶机电源，设定靶电源功率为1.2KW，时长7分钟。
所述的沉积二氧化硅的参数为：时间为2分钟；真空度为0.41Pa；气体采用氩气和氧气，氩气的体积流量为60sccm，氧气的体积流量为330sccm；光栅为85度。
所述的沉积二氧化硅的步骤为：开高阀1，冲入氩气60sccm，氧气330sccm，开硅靶机电源，设定靶电源功率为1KW，时长2分钟。
所述的沉积AF膜的参数为：时间为15分钟；真空度为7*10-3Pa以下；不充气；光栅为0度。
所述的沉积AF膜的步骤为：调整光栅角度为0度，设定蒸发电源电压为3V，时长为18分钟。
实施例2
一种不锈钢AF涂层工艺，包括以下步骤：
步骤一：将不锈钢基材先在磁控溅射设备上用磁控溅射的方法沉积PVD涂层；
步骤二：用AF镀膜机进行辉光清洗；
步骤三：沉积氧化铝和二氧化硅，形成过渡层；
步骤四：沉积AF膜；
步骤五：冷却出炉。
所述的沉积PVD涂层的参数如下：时间为5小时；真空度为0.5Pa；气体采用氩气和乙炔，氩气的体积流量为100sccm，乙炔的体积流量为100-1000sccm；偏压为150V；光栅为85度。
所述的PVD涂层为TiC涂层。
所述的步骤一的操作流程为：抽真空到5*10-3Pa，冲入氩气100sccm，真空度上升到0.5Pa，启动偏压电源，设定偏压为150V，靶功率为20KW，冲入乙炔100-1000sccm，时长5小时。
所述的辉光清洗的参数如下：时间为3分钟；真空度为2.1Pa；气体采用氩气，体积流量为1000sccm；偏压功率为1KW；光栅为85度。
所述的步骤二的操作流程为：关高阀1，进入镀膜系统，冲入氩气1000sccm，启动偏压电源，设定偏压功率为1KW，时长3分钟。
所述的沉积氧化铝的参数为：时间为10分钟；真空度为0.41Pa；气体采用氩气和氧气，氩气的体积流量为60sccm，氧气的体积流量为330sccm；光栅为85度。
所述的沉积氧化铝的步骤为：开高阀1，冲入氩气60sccm，氧气330sccm，开铝靶机电源，设定靶电源功率为2KW，时长3-10分钟。
所述的沉积二氧化硅的参数为：时间为1分钟；真空度为0.41Pa；气体采用氩气和氧气，氩气的体积流量为60sccm，氧气的体积流量为330sccm；光栅为85度。
所述的沉积二氧化硅的步骤为：开高阀1，冲入氩气60sccm，氧气330sccm，开硅靶机电源，设定靶电源功率为0.5KW，时长1分钟。
所述的沉积AF膜的参数为：时间为20分钟；真空度为7*10-3Pa以下；不充气；光栅为0度。
所述的沉积AF膜的步骤为：调整光栅角度为0度，设定蒸发电源电压为5V，时长为20分钟。
实施例3
一种不锈钢AF涂层工艺，包括以下步骤：
步骤一：将不锈钢基材先在磁控溅射设备上用磁控溅射的方法沉积PVD涂层；
步骤二：用AF镀膜机进行辉光清洗；
步骤三：沉积氧化铝和二氧化硅，形成过渡层；
步骤四：沉积AF膜；
步骤五：冷却出炉。
所述的沉积PVD涂层的参数如下：时间为3小时；真空度为0.5Pa；气体采用氩气和乙炔，氩气的体积流量为100sccm，乙炔的体积流量为100-1000sccm；偏压为80-150V；光栅为85度。
所述的PVD涂层为TiN涂层。
所述的步骤一的操作流程为：抽真空到5*10-3Pa，冲入氩气100sccm，真空度上升到0.5Pa，启动偏压电源，设定偏压为80-150V，靶功率为10-20KW，冲入乙炔100-1000sccm，时长3小时。
所述的辉光清洗的参数如下：时间为10分钟；真空度为2.1Pa；气体采用氩气，体积流量为1000sccm；偏压功率为1KW；光栅为85度。
所述的步骤二的操作流程为：关高阀1，进入镀膜系统，冲入氩气1000sccm，启动偏压电源，设定偏压功率为1KW，时长10分钟。
所述的沉积氧化铝的参数为：时间为3分钟；真空度为0.41Pa；气体采用氩气和氧气，氩气的体积流量为60sccm，氧气的体积流量为330sccm；光栅为85度。
所述的沉积氧化铝的步骤为：开高阀1，冲入氩气60sccm，氧气330sccm，开铝靶机电源，设定靶电源功率为0.5KW，时长3分钟。
所述的沉积二氧化硅的参数为：时间为5分钟；真空度为0.41Pa；气体采用氩气和氧气，氩气的体积流量为60sccm，氧气的体积流量为330sccm；光栅为85度。
所述的沉积二氧化硅的步骤为：开高阀1，冲入氩气60sccm，氧气330sccm，开硅靶机电源，设定靶电源功率为2KW，时长5分钟。
所述的沉积AF膜的参数为：时间为10分钟；真空度为7*10-3Pa以下；不充气；光栅为0度。
所述的沉积AF膜的步骤为：调整光栅角度为0度，设定蒸发电源电压为1V，时长为10分钟。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。