一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法与流程

技术总结
本发明涉及一种MOCVD设备生长均匀性工艺参数的优化方法，将计算机和化学气相沉积过程的机理结合起来，利用神经网络模型和遗传算法进行工艺参数寻优，找出薄膜沉积率最均匀时的MO源流量，从而节省人力物力，同时节省时间成本。

技术研发人员：王钢;李健;王杰;陈梓敏;范冰丰;马学进
受保护的技术使用者：中山大学;佛山市中山大学研究院
文档号码：201610850215
技术研发日：2016.09.26
技术公布日：2017.03.22