一种用于拉拽式开腔的电缸装置的制作方法

本发明涉及一种应用于半导体薄膜沉积设备的开腔结构辅助装置，适用于拉拽式开腔方式的用于拉拽式开腔的电缸装置。属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。

背景技术：

半导体薄膜沉积设备在进行沉积反应时，需要在真空条件下进行，这就要求腔体在设备启动时完全密闭。腔体若不能完全闭合，有可能造成腔体内不能达到工艺压力要求，或者工艺气体泄漏产生危险后果。垂直升降开腔方式可能因为限位开关灵敏度等原因产生上盖板与腔室不能完全闭合，或闭合后限位开关不能完全触发等问题。

综上所述，对于现有的拉拽式垂直开腔方式可能存在的腔体闭合不严而产生的风险，需要合理的结构确保腔体可以完全闭合，触发限位开关。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题在于提供一种用于拉拽式开腔的电缸装置，主要解决现有的开腔方式可能因为限位开关灵敏度等原因产生上盖板与腔室不能完全闭合，或闭合后限位开关不能完全触发等问题。使上盖板闭合后，电缸依然能向下运动一定行程，从而触发限位开关。

本发明是这样实现的，一种用于拉拽式开腔的电缸装置，包括电缸、电缸杆以及内置于电缸杆内的推杆，所述推杆穿过所安装的设备的上盖板后在推杆的端部安装提升构件，在上盖板的外部设置行程开关，推杆上设置限位压块，在所述限位压块与所述行程开关接触时，提升构件与上盖板之间形成一定距离的空行程。

作为本发明进一步的改进，提升构件为板式结构，与上盖板以及限位压块 之间彼此相互平行。

本发明进一步地，开腔时，推杆向上运动，提升构件带一起向上运动，提升至空行程距离之前，上盖板不动，提升至空行程距离后，推杆继续上升，提升构件会带动上盖板一起上升，从而达到开腔的目的；关闭腔体时，推杆向下运动，上盖板落在提升构件上，一起向下运动，上盖板向下运动到腔体壁板后时，腔体关闭，此时推杆和提升构件会继续向下运动一段距离，此段距离为空行程，限位压块触发限位开关。增加空行程装置可以确保上盖板与腔室完全闭合，并且闭合后限位开关可以完全触发。

本发明与现有技术相比，有益效果在于：本发明通过增加空行程装置，上盖板可以与腔室完全闭合，避免了不能完全闭合而不能达到真空度要求，或者工艺气体泄漏的风险。腔体闭合后限位开关可以完全触发，设备顺利接收到信号可以进行下一项动作，避免了时间的浪费。

附图说明

图1是本发明一实施例在装配体中位置图；

图2是上盖板与提升构件接触时，本发明实施例提供的各部件结构示意图；

图3是限位开关触发状态时，本发明实施例提供的各部件结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

参见图1，本发明实施例提供了一种应用于半导体薄膜沉积设备的开腔结构辅助装置，适用于拉拽式开腔方式的电缸，参见图2，包括电缸7、电缸杆8以及内置于电缸杆8内的推杆1，电缸2固定在电缸杆7上，电缸杆7与所在设备9的上盖板4垂直，推杆1穿过所安装的设备的上盖板4后在推杆的端部安装提升构件5，在上盖板4的外侧面上竖直设置行程开关，推杆1上设置限位压块2，限位压块随着推杆的运行而向下或向上运行，在限位压块2与行程 开关3接触时，提升构件5与上盖板4之间形成一定距离的空行程。此空行程的距离大小需要保证上盖板与提升构件之间形成空行程6后(参见图3)，上盖板能采用自身的重力与所在设备的腔体之间实现完全密封即可。

在一个实施例中，所采用的提升构件最佳的是采用板式结构，与上盖板以及限位压块之间彼此相互平行。从而使得上盖板受力均匀。

参见图2，在开腔时，推杆1向上运动，提升构件5一起向上运动，提升至空行程距离之前，上盖板4不动，提升至空行程距离后，推杆1继续上升，提升构件5会带动上盖板4一起上升，从而达到开腔的目的；关闭腔体时，推杆1向下运动，上盖板4落在提升构件5上，一起向下运动，上盖板4向下运动到腔体壁板后时，腔体关闭，此时推杆1和提升构件5会继续向下运动一段距离，此段距离为空行程，限位压块触发限位开关(参见图3)，此时，上盖板向下的压力完全为自身的重力，通过采用自身的重力增加与腔体之间的密封性。增加空行程装置可以确保上盖板与腔室完全闭合，并且闭合后限位开关可以完全触发。

整个结构设计即可适用于小型实验设备又可应用于大型生产设备。具有稳定、准确控制能力及灵活、简单的适应性。对产品良率、生产率的提高有较大的益处。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。