一种倒置式推举电缸装置的制作方法

本发明涉及一种应用于半导体薄膜沉积设备的开腔结构辅助装置，适用于倒置式推举电缸的开腔方式，通过增加一定的空行程提高腔盖关闭时触发信号的稳定性。属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。

背景技术：

半导体薄膜沉积设备在进行沉积反应时，需要在真空条件下进行，这就要求腔体在设备启动时完全密闭。腔体若不能完全闭合，有可能造成腔体内不能达到工艺压力要求，或者工艺气体泄漏产生危险后果。垂直升降开腔方式可能因为限位开关灵敏度等原因产生上盖板与腔室不能完全闭合，或闭合后限位开关不能完全触发等问题。

综上所述，对于现有的倒置式推举电缸开腔方式可能存在的腔体闭合不严而产生的风险，需要合理的结构确保腔体可以完全闭合，同时触发限位开关提供准确的信号反馈。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题在于提供一种倒置式推举电缸装置，主要解决现有的开腔方式可能因为限位开关灵敏度等原因产生上盖板与腔室不能完全闭合，或闭合后限位开关不能完全触发等问题。增加空行程结构，使上盖板闭合后，电缸依然能向上运动一定行程，从而触发限位开关。

本发明是这样实现的，一种倒置式推举电缸装置，包括电缸安装在电缸杆上，电缸杆为中空结构，内设有推杆，推杆为可伸缩结构；电缸杆固定在所安装的沉积设备的上盖板上；推杆穿过上盖板，在推杆的端部安装限位压块，与安装在腔体上的限位开关相配合在限位开关与上盖板所安装的沉积设备的腔体底面之间限定一定的空行程。

本发明进一步地限定，电缸杆为固定长度。

本发明进一步地，开腔时，腔体支撑上盖板与电缸杆不动，推杆先延伸向下运动空行程长度至腔体底面，推杆继续延伸，以腔体底面为支撑，带动电缸杆及上盖板一起向上运动，腔体开启；关闭腔体时，推杆收缩，推杆以腔体底面为支撑，带着电缸杆及上盖板向下运动，直至腔体关闭；上盖板与腔体壁板接触后，推杆向上回缩，上盖板在重力的作用下，完全贴合腔体壁板，腔体闭合后推杆继续回缩空行程的长度，限位压块触发限位开关，运动结束。

本发明与现有技术相比，有益效果在于：本发明通过增加空行程，上盖板可以与腔室完全闭合，避免了不能完全闭合而不能达到真空度要求，或者工艺气体泄漏的风险。腔体闭合后限位开关可以完全触发，设备顺利接收到信号可以进行下一项动作，避免了时间的浪费及提高设备整体的安全性及可靠性。

附图说明

图1是本发明实施例提供的倒置式推举电缸装置与沉积设备之间的布局图；

图2是本发明实施例提供的倒置式推举电缸装置中上盖板闭合状态，限位开关完全触发时各部件位置图；

图3是本发明实施例提供的倒置式推举电缸装置中上盖板即将开启状态各部件位置图；

图4是上盖板开启状态各部件位置图；

其中，图中标号：1、推杆；2、限位压块；3、限位开关；4、上盖板；5、电缸；6、电缸杆；7、空行程

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

参见图1，倒置式推举电缸装置，用于应用于半导体薄膜沉积设备的开腔 结构辅助装置，适用于倒置式推举电缸的开腔方式，参见图2，倒置设置在沉积设备的上盖板4上，包括电缸5以及电缸杆6，电缸5安装在电缸杆6上端，电缸杆6与上盖板4垂直，将电缸杆6设置为中空结构，内设有一推杆1，推杆1为可伸缩结构；电缸杆6的另一端固定在上盖板4上；在上盖板4上打孔后，将推杆1穿过上盖板4，推杆1在电缸杆6内可伸缩，通过伸缩实现与腔体接触或与腔体之间具有一定的空行程7，在推杆1的端部安装限位压块2，与安装在腔体上的限位开关3相配合限定空行程7的距离。限位压块2与推杆1垂直也就是说与上盖板之间平行，限位开关3设置在腔体的侧面，在推杆1收缩时，限位压块2与限位开关3接触后停止运行，限位开关与外部的控制系统连接，控制系统接收到限位开关的信息后，进行下一步的动作。

参见图2，推杆1收紧状态与腔体底面间增加了一段距离，即为空行程7。开腔时，上盖板4与电缸杆6不动，推杆由于有端为自由端悬空，延伸向下运动空行程长度至腔体底面，如图3所示。推杆与腔体底面接触后，推杆在继续向下延伸时，由于受到腔体底面的支撑，自由端不动，从而带动与之相连的电缸杆带动上盖板一起向上运动，腔体开启，如图4所示。关闭腔体时，推杆回缩，从而带动电缸杆带着上盖板一起向下运动，直至腔体关闭。上盖板与腔体壁板接触后，推杆继续回缩，上盖板在重力的作用下，完全贴合腔体壁板，腔体闭合后推杆继续回缩空行程的长度，限位压块2触发限位开关3，运动结束。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。