技术总结
本发明涉及一种倒置式推举电缸装置，应用于半导体薄膜沉积设备的开腔结构辅助装置，通过增加一定的空行程提高腔盖关闭时触发信号的稳定性。属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。包括电缸安装在电缸杆上，电缸杆为中空结构，内设有推杆；电缸杆固定在上盖板上；推杆穿过上盖板，在电缸杆内可伸缩，实现与腔体接触或与腔体之间具有空行程，在推杆的端部安装限位压块，与安装在腔体上的限位开关相配合限定空行程的距离。本发明通过增加空行程，上盖板可以与腔室完全闭合，避免了不能完全闭合而不能达到真空度要求。
技术研发人员：陈英男;梁立元;姜崴;郑旭东;关帅;李景舒;霍阳阳
受保护的技术使用者：沈阳拓荆科技有限公司
文档号码：201510583323
技术研发日：2015.09.14
技术公布日：2017.03.22