1.一种用于MOCVD设备的钨涂层加热片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
a)以纯度≥99.99％且平均费氏粒度为1～10μm的高纯钨粉为原料，采用真空热压烧结法获得密度≥99％理论密度、纯度≥99.99％且平均晶粒尺寸≤50μm的钨板；
b)将所述钨板加工成重复环绕的多环C形结构的加热片基体，采用两片所述加热片基体对称安装布局；
c)利用喷砂机将20～80目的钨砂打到所述加热片基体表面，再经过丙酮清洗获得洁净、粗糙的表面；
d)对所述加热片基体进行预热处理以活化所述加热片基体表面；
e)提供40～80目的球形钨粉，对所述球形钨粉进行烘烤处理；
f)通过等离子喷涂技术，采用所述球形钨粉在所述加热片基体表面热喷涂形成厚度为10～100μm的粗糙钨涂层，从而获得所述钨涂层加热片。
2.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的钨涂层加热片的制备方法，其特征在于：步骤a)中，将所述原料装入热压烧结模具内，再将所述热压烧结模具置于真空热压烧结炉中，按5～10℃/min的升温速率升温至2000～2300℃，加压至35～50MPa，保温保压150～200min进行真空热压烧结。
3.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的钨涂层加热片的制备方法，其特征在于：步骤b)中，所述加热片基体包括由内到外依次排列的第一段、第二段、第三段以及第四段，所述第一段、第二段、第三段以及第四段分别由两个相互平行的C形结构组成；所述第四段的顶端与所述第一段的顶端相连，所述第一段的底端与所述第三段的底端相连，所述第三段的顶端与所述第二段的顶端相连，所述第二段的两C形结构于底端相连。
4.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的钨涂层加热片的制备方法，其特征在于：步骤b)中，所述加热片基体的厚度为1.5～4mm。
5.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的钨涂层加热片的制备方法，其特征在于：步骤d)中，对所述加热片基体在80～160℃，真空度≤1×10-5Pa的环境下进行预热处理。
6.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的钨涂层加热片的制备方法，其特征在于：步骤e)中，将所述球形钨粉置于80～150℃的马弗炉中烘烤90min以上。
7.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的钨涂层加热片的制备方法，其特征在于：步骤f)中，在真空度≤1×10-5Pa的环境下，将所述球形钨粉注入高温等离子火焰中并喷涂到所述加热片基体表面形成所述粗糙钨涂层。
8.一种由权利要求1～7任一项所述方法制备的用于MOCVD设备的钨涂层加热片。